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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>Microchip投資8.8億美元擴(kuò)大碳化硅(SiC)和硅(Si)生產(chǎn)能力

Microchip投資8.8億美元擴(kuò)大碳化硅(SiC)和硅(Si)生產(chǎn)能力

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2023-09-08 15:24:023024

為什么碳化硅Cascode JFET 可以輕松實(shí)現(xiàn)碳化硅的過渡?

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2020-09-24 16:22:14

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SiC器件與器件相比有哪些優(yōu)越的性能?

相比,SiC有哪些優(yōu)勢(shì)?SiC器件與器件相比有哪些優(yōu)越的性能?碳化硅器件的缺點(diǎn)有哪些?
2021-07-12 08:07:35

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2019-01-11 13:42:03

碳化硅SiC技術(shù)導(dǎo)入應(yīng)用的最大痛點(diǎn)

?! 」β拾雽?dǎo)體就是這樣。在首度商業(yè)化時(shí),碳化硅的創(chuàng)新性和較新的顛覆性技術(shù)必然很昂貴,盡管認(rèn)識(shí)到了與基產(chǎn)品(如IGBT和Si-MOSFET)相比的潛在優(yōu)勢(shì),大多數(shù)工程師還是把它放在了“可有可無(wú)”的清單
2023-02-27 14:28:47

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美元,而GaN基板產(chǎn)值僅約3百萬(wàn)美元。拓墣產(chǎn)業(yè)研究院指出,相較目前主流的晶圓(Si),第三代半導(dǎo)體材料SiC及GaN除了耐高電壓的特色外,也分別具備耐高溫與適合在高頻操作下的優(yōu)勢(shì),不僅可使芯片
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碳化硅二極管選型表

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進(jìn)一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
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今天我們來(lái)聊聊碳化硅器件的特點(diǎn)
2021-03-16 08:00:04

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超過40%,其中以碳化硅材料(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì),2019年中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)規(guī)模達(dá)7562
2021-01-12 11:48:45

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  在設(shè)計(jì)功率轉(zhuǎn)換器時(shí),碳化硅SiC)等寬帶隙(WBG)技術(shù)現(xiàn)在是組件選擇過程中的現(xiàn)實(shí)選擇?! ≡谠O(shè)計(jì)功率轉(zhuǎn)換器時(shí),碳化硅SiC)等寬帶隙(WBG)技術(shù)現(xiàn)在是組件選擇過程中的現(xiàn)實(shí)選擇。650V
2023-02-23 17:11:32

碳化硅深層的特性

碳化硅的顏色,純凈者無(wú)色透明,含雜質(zhì)(碳、等)時(shí)呈藍(lán)、天藍(lán)、深藍(lán),淺綠等色,少數(shù)呈黃、黑等色。加溫至700℃時(shí)不褪色。金剛光澤。比重,具極高的折射率, 和高的雙折射,在紫外光下發(fā)黃、橙黃色光,無(wú)
2019-07-04 04:20:22

碳化硅的歷史與應(yīng)用介紹

與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC),俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在,但十分稀少。不過,自1893 年以來(lái),粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52

碳化硅的應(yīng)用

碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料,為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會(huì)受到部分限制呢?
2021-08-19 17:39:39

碳化硅的物理特性和特征

碳化硅SiC)是比較新的半導(dǎo)體材料。一開始,我們先來(lái)了解一下它的物理特性和特征。SiC的物理特性和特征SiC是由(Si)和碳(C)組成的化合物半導(dǎo)體材料。其結(jié)合力非常強(qiáng),在熱、化學(xué)、機(jī)械方面都
2018-11-29 14:43:52

碳化硅肖特基二極管技術(shù)演進(jìn)解析

  01  碳化硅材料特點(diǎn)及優(yōu)勢(shì)  碳化硅作為寬禁帶半導(dǎo)體的代表性材料之一,其材料本征特性與材料相比具有諸多優(yōu)勢(shì)。以現(xiàn)階段最適合用于做功率半導(dǎo)體的4H型碳化硅材料為例,其禁帶寬度是材料的3倍
2023-02-28 16:55:45

碳化硅肖特基二極管的基本特征分析

  碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,比傳統(tǒng)的基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅的寬禁帶(3.26eV)、高臨界場(chǎng)(3×106V/cm)和高導(dǎo)熱系數(shù)(49W/mK)使功率半導(dǎo)體器件效率更高,運(yùn)行速度更快
2023-02-28 16:34:16

碳化硅陶瓷線路板,半導(dǎo)體功率器件的好幫手

二十世紀(jì)五十年代后半期,才被納入到固體器件的研究中來(lái)。二十世紀(jì)九十年代,碳化硅技術(shù)才真正意義上得到了迅速發(fā)展。SiC材料與目前應(yīng)該廣泛的Si材料相比,較高的熱導(dǎo)率決定了其高電流密度的特性,較高的禁帶寬
2021-03-25 14:09:37

CISSOID碳化硅驅(qū)動(dòng)芯片

哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動(dòng)芯片有幾款,型號(hào)是什么
2020-03-05 09:30:32

【直播邀請(qǐng)】羅姆 SiC碳化硅)功率器件的活用

)------------------------------------------------------------------------------------------------會(huì)議主題:羅姆 SiC碳化硅)功率器件的活用直播時(shí)間:2018
2018-07-27 17:20:31

【轉(zhuǎn)帖】華潤(rùn)微碳化硅/SiC SBD的優(yōu)勢(shì)及其在Boost PFC中的應(yīng)用

我國(guó)“新基建”的各主要領(lǐng)域中發(fā)揮重要作用。 一、 SiC的材料優(yōu)勢(shì) 碳化硅SiC)作為寬禁帶材料相較于Si)具有很多優(yōu)勢(shì),如表1所示:3倍的禁帶寬度,有利于碳化硅器件工作在更高的溫度;10倍
2023-10-07 10:12:26

產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲(chǔ)能變流器PCS中的應(yīng)用

*附件:國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲(chǔ)能變流器PCS中的應(yīng)用.pdf
2025-01-20 14:19:40

什么是碳化硅SiC)?它有哪些用途?

什么是碳化硅SiC)?它有哪些用途?碳化硅SiC)的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的?
2021-06-18 08:32:43

什么是MOSFET柵極氧化層?如何測(cè)試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

具有決定性的影響。因此,深入理解柵極氧化層的特性,并掌握其可靠性測(cè)試方法,對(duì)于推動(dòng)碳化硅 MOSFET的應(yīng)用和發(fā)展具有重要意義。今天的“SiC科普小課堂”將聚焦于“柵極氧化層”這一新話題:“什么是柵極
2025-01-04 12:37:34

過渡到碳化硅,MOSFET的結(jié)構(gòu)及性能優(yōu)劣勢(shì)對(duì)比

化。但是,像碳化硅這樣的寬帶隙(WBG)器件也給應(yīng)用研發(fā)帶來(lái)了設(shè)計(jì)挑戰(zhàn),因而業(yè)界對(duì)于碳化硅 MOSFET平面柵和溝槽柵的選擇和權(quán)衡以及其浪涌電流、短路能力、柵極可靠性等仍心存疑慮。碳化硅MOSFET
2022-03-29 10:58:06

傳統(tǒng)的組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)

傳統(tǒng)的組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生,以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11

你知道為飛機(jī)電源管理提供解決方案的碳化硅嗎?

,在這些環(huán)境中,傳統(tǒng)的基電子設(shè)備無(wú)法工作。碳化硅在高溫、高功率和高輻射條件下運(yùn)行的能力將提高各種系統(tǒng)和應(yīng)用的性能,包括飛機(jī)、車輛、通信設(shè)備和航天器。今天,SiC MOSFET是長(zhǎng)期可靠的功率器件。未來(lái),預(yù)計(jì)多芯片電源或混合模塊將在SiC領(lǐng)域發(fā)揮更重要的作用。
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創(chuàng)能動(dòng)力推出碳化硅二極管ACD06PS065G

,獲得華大半導(dǎo)體有限公司投資,創(chuàng)能動(dòng)力致力于開發(fā)以碳化硅為基材的功率電子器件、功率模塊,并商品化提供解決方案。碳化硅使用在氮化鎵電源中,可實(shí)現(xiàn)相比元器件更高的工作溫度,實(shí)現(xiàn)雙倍的功率密度,更小
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圖騰柱無(wú)橋PFC中混合碳化硅分立器件的應(yīng)用

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員要求的更低的寄生參數(shù)滿足開關(guān)電源(SMPS)的設(shè)計(jì)要求。650V碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管器件在推出之后,可以補(bǔ)充之前只有1200V碳化硅場(chǎng)效應(yīng)器件設(shè)計(jì)需求,碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(SiC MOSFET)由于能夠?qū)崿F(xiàn)
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如何用碳化硅(SiC)MOSFET設(shè)計(jì)一個(gè)高性能門極驅(qū)動(dòng)電路

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2023-02-22 16:06:08

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MOS的結(jié)構(gòu)碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)N+源區(qū)和P井摻雜都是采用離子注入的方式,在1700℃溫度中進(jìn)行退火激活。一個(gè)關(guān)鍵的工藝是碳化硅MOS柵氧化物的形成。由于碳化硅材料中同時(shí)有Si和C
2019-09-17 09:05:05

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10μs,在設(shè)計(jì)IGBT的短路保護(hù)電路時(shí),建議將短路保護(hù)的檢測(cè)延時(shí)和相應(yīng)時(shí)間設(shè)置在5-8μs較為合適?! ?)碳化硅MOSFET  一般碳化硅MOSFET模塊短路承受能力小于5μs,要求短路保護(hù)在3
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麥科信光隔離探頭在碳化硅SiC)MOSFET動(dòng)態(tài)測(cè)試中的應(yīng)用

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碳化硅 SiC 可持續(xù)發(fā)展的未來(lái) #碳化硅 #SiC #MCU #電子愛好者

工業(yè)控制碳化硅
Asd666發(fā)布于 2023-08-10 22:08:03

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2018-04-11 11:37:005762

碳化硅晶圓全球產(chǎn)能吃緊 市場(chǎng)十分短缺

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2018-10-09 16:28:005160

碳化硅晶圓生長(zhǎng),難在哪里?

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2018-10-10 11:06:5629773

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Cree, Inc. (Nasdaq: CREE)宣布,作為公司長(zhǎng)期增長(zhǎng)戰(zhàn)略的一部分,將投資10美元用于擴(kuò)大SiC碳化硅產(chǎn)能,在公司美國(guó)總部北卡羅萊納州達(dá)勒姆市建造一座采用最先進(jìn)技術(shù)的自動(dòng)化
2019-05-14 10:24:444139

科銳宣布將投資10美元擴(kuò)大碳化硅產(chǎn)能

隨著汽車電子、工控等應(yīng)用領(lǐng)域蓬勃發(fā)展,市場(chǎng)對(duì)碳化硅SiC)的需求持續(xù)增長(zhǎng),國(guó)內(nèi)外碳化硅企業(yè)陸續(xù)擴(kuò)產(chǎn),日前碳化硅大廠Cree(科銳)也宣布將投資10美元擴(kuò)大碳化硅產(chǎn)能。
2019-05-08 16:40:054715

Cree宣布將投資10美元用于擴(kuò)大碳化硅產(chǎn)能

Cree首席執(zhí)行官Gregg Lowe先生表示:“我們不斷地看到在汽車和通訊設(shè)施領(lǐng)域采用碳化硅的優(yōu)勢(shì)來(lái)驅(qū)動(dòng)創(chuàng)新所產(chǎn)生的巨大效益。但是,現(xiàn)有的供應(yīng)卻遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能夠滿足我們對(duì)于碳化硅的需求。
2019-05-09 10:35:334205

Cree將投資10美元 擴(kuò)大SiC碳化硅產(chǎn)能

2019年5月7日,美國(guó)北卡羅萊納州達(dá)勒姆訊 – Cree, Inc. (Nasdaq: CREE) 宣布,作為公司長(zhǎng)期增長(zhǎng)戰(zhàn)略的一部分,將投資10美元用于擴(kuò)大SiC碳化硅產(chǎn)能,在公司美國(guó)總部北卡羅萊納州達(dá)勒姆市建造一座采用最先進(jìn)技術(shù)的自動(dòng)化200mm SiC碳化硅生產(chǎn)工廠和一座材料超級(jí)工廠。
2019-05-10 09:15:194109

Cree將宣布投資10美元用于擴(kuò)大SiC碳化硅產(chǎn)能

先進(jìn)的制造園區(qū),將加速?gòu)?b class="flag-6" style="color: red">SiSiC碳化硅的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型,滿足EV電動(dòng)汽車和5G市場(chǎng)需求。
2019-05-10 17:53:575013

SiC熱潮來(lái)襲!科銳投資10美元擴(kuò)產(chǎn)SiC

Cree將投資10美元擴(kuò)大SiC碳化硅產(chǎn)能。
2019-05-13 14:57:224292

碳化硅發(fā)展現(xiàn)狀和挑戰(zhàn)

碳化硅SiC)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)產(chǎn)值到2024年將達(dá)到19.3美元
2019-08-15 18:14:0311075

碳化硅材料的特性和優(yōu)勢(shì)分析

碳化硅半導(dǎo)體 一、碳化硅材料的特性 SiC碳化硅)是由Si)和碳(C)組成的化合物半導(dǎo)體。與 Si 相比,SiC 具有十倍的介電擊穿場(chǎng)強(qiáng)、三倍的帶隙和三倍的熱導(dǎo)率。在半導(dǎo)體材料中形成器件結(jié)構(gòu)所
2021-06-15 17:27:1411132

Microchip宣布擴(kuò)大碳化硅產(chǎn)品組合

Inc.(美國(guó)微芯科技公司)宣布擴(kuò)大碳化硅產(chǎn)品組合,推出一系列高效率、高可靠性的1700V碳化硅MOSFET裸片、分立器件和電源模塊。 Microchip的1700V碳化硅技術(shù)是IGBT的替代產(chǎn)品。由于IGBT的損耗問題限制了開關(guān)頻率,之前的技術(shù)要求設(shè)計(jì)人員在性能上做出妥協(xié)并使用
2021-08-12 11:14:192459

碳化硅sic)正被用于多種電力應(yīng)用

碳化硅正被用于多種電力應(yīng)用。ROHM 與意法半導(dǎo)體之間的協(xié)議將增加其在行業(yè)中的廣泛采用。 汽車和工業(yè)市場(chǎng)都在加速采用SiC 材料的能源解決方案。制造碳化硅 (SiC) 晶圓的過程比制造晶圓要復(fù)雜
2022-07-28 17:05:012981

碳化硅(SiC) 有哪些好處和應(yīng)用?

碳化硅 (SiC) 具有提高電動(dòng)汽車整體系統(tǒng)效率的潛力。在太陽(yáng)能行業(yè),碳化硅逆變器優(yōu)化在成本節(jié)約方面也發(fā)揮著很大的作用。在這個(gè)與俄亥俄州立大學(xué)電氣與計(jì)算機(jī)工程系 IEEE 院士教授 Anant
2022-08-03 17:07:352431

有關(guān)電力應(yīng)用中碳化硅的知識(shí)

以下是有關(guān)用于電源應(yīng)用的碳化硅 (SiC) 的 10 個(gè)事實(shí),包括 SiC 如何實(shí)現(xiàn)比更好的熱管理。
2022-08-17 17:11:012684

碳化硅龍頭擴(kuò)產(chǎn)忙

美元的新工廠。隨著新能源汽車的加速滲透,碳化硅技術(shù)的重要性愈發(fā)凸顯。安森美、Wolfspeed、意法半導(dǎo)體等碳化硅領(lǐng)域主導(dǎo)企業(yè),均發(fā)表了對(duì)行業(yè)發(fā)展的積極展望,并計(jì)劃投資擴(kuò)大產(chǎn)能。碳化硅大廠間的新一輪卡位之戰(zhàn)正在展開。 激進(jìn)的擴(kuò)產(chǎn)步伐 作為碳化
2022-10-08 17:02:251660

什么是碳化硅SiC)?

碳化硅SiC)是第三代化合物半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體材料可用于制造芯片,這是半導(dǎo)體行業(yè)的基石。碳化硅是通過在電阻爐中高溫熔化石英砂,石油焦,鋸末等原材料而制造的。
2023-02-02 16:23:4430593

碳化硅的工作原理、優(yōu)點(diǎn)及主要用途

  碳化硅,是一種無(wú)機(jī)物,化學(xué)式為SiC碳化硅(SiC)由碳(C)原子和(Si)原子組成,密度是3.2g/cm3,天然碳化硅非常罕見,主要通過人工合成。其晶體結(jié)構(gòu)具有同質(zhì)多型體的特點(diǎn),在半導(dǎo)體領(lǐng)域最常見的是具有立方閃鋅礦結(jié)構(gòu)的3C-SiC和六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)的4H-SiC和6H-SiC。
2023-02-06 16:45:259951

何謂SiC碳化硅)?

碳化硅SiC)是比較新的半導(dǎo)體材料。一開始,我們先來(lái)了解一下它的物理特性和特征。SiC的物理特性和特征:SiC是由(Si)和碳(C)組成的化合物半導(dǎo)體材料。其結(jié)合力非常強(qiáng),在熱、化學(xué)、機(jī)械方面都非常穩(wěn)定。
2023-02-08 13:42:087403

功率半導(dǎo)體碳化硅(SiC)技術(shù)

功率半導(dǎo)體碳化硅SiC)技術(shù) Silicon Carbide Adoption Enters Next Phase 碳化硅SiC)技術(shù)的需求繼續(xù)增長(zhǎng),這種技術(shù)可以最大限度地提高當(dāng)今電力系統(tǒng)的效率
2023-02-15 16:03:4410

SiC碳化硅二極管和SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)業(yè)鏈介紹

我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件:碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開說明。碳和進(jìn)過化合先合成碳化硅,然后碳化硅打磨成為粉末,碳化硅粉末經(jīng)過碳化硅單晶生長(zhǎng)成為碳化硅晶錠;碳化硅晶錠
2023-02-21 10:04:113177

SiC碳化硅二極管的特性和優(yōu)勢(shì)

什么是第三代半導(dǎo)體?我們把SiC碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件統(tǒng)稱為第三代半導(dǎo)體,這個(gè)是相對(duì)以基為核心的第二代半導(dǎo)體功率器件的。今天我們著重介紹SiC碳化硅功率器件,也就是SiC碳化硅二極管
2023-02-21 10:16:473721

緯湃科技和安森美簽署碳化硅SiC)長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議,共同投資碳化硅擴(kuò)產(chǎn)

點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們 緯湃科技正在鎖定價(jià)值 19美元(17.5歐元)的碳化硅SiC產(chǎn)能 緯湃科技通過向安森美提供 2.5美元(2.3歐元)的產(chǎn)能投資 ,獲得這一關(guān)鍵的半導(dǎo)體技術(shù),以實(shí)現(xiàn)
2023-06-02 19:55:01975

英飛凌或在歐洲自行生產(chǎn)碳化硅晶體,以求供應(yīng)穩(wěn)定

可以大量生產(chǎn)的制造企業(yè)。隨著新能源汽車市場(chǎng)的增長(zhǎng),行業(yè)對(duì)碳化硅的需求將持續(xù)增加,但目前的生產(chǎn)能力非常有限。
2023-06-28 09:59:391043

碳化硅是如何制造的?碳化硅的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用

碳化硅,也稱為SiC,是一種由純和純碳組成的半導(dǎo)體基礎(chǔ)材料。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導(dǎo)體,或?qū)⑵渑c鈹,硼,鋁或鎵摻雜以形成p型半導(dǎo)體。雖然碳化硅存在許多品種和純度,但半導(dǎo)體級(jí)質(zhì)量的碳化硅僅在過去幾十年中浮出水面以供使用。
2023-07-28 10:57:453687

碳化硅的主要特性是什么?為什么碳化硅在高頻下的性能優(yōu)于IGBT?

碳化硅SiC)是一種由Si)和碳(C)組成的半導(dǎo)體化合物,屬于寬帶隙(WBG)材料家族。
2023-08-12 11:46:082065

SiC相較于Si的優(yōu)勢(shì)是什么?碳化硅的實(shí)際應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

如今,大多數(shù)半導(dǎo)體都是以Si)為基材料,但近年來(lái),一個(gè)相對(duì)新的半導(dǎo)體基材料正成為頭條新聞。這種材料就是碳化硅,也稱為SiC。目前,SiC主要應(yīng)用于MOSFET和肖特基二極管等半導(dǎo)體技術(shù)。
2023-09-05 10:56:052329

碳化硅的優(yōu)勢(shì)對(duì)比

寬帶隙半導(dǎo)體使許多以前使用Si)無(wú)法實(shí)現(xiàn)的高功率應(yīng)用成為可能,兩種材料的特性說明了為什么碳化硅二極管(SiC)在多個(gè)指標(biāo)上具有明顯的優(yōu)勢(shì)。
2023-10-30 14:11:066257

碳化硅是如何制造的?碳化硅的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用

碳化硅,又稱SiC,是一種由純和純碳組成的半導(dǎo)體基材。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導(dǎo)體,或?qū)⑵渑c鈹、硼、鋁或鎵摻雜以形成p型半導(dǎo)體。雖然碳化硅的品種和純度很多,但半導(dǎo)體級(jí)質(zhì)量的碳化硅只是在過去幾十年中才浮出水面。
2023-12-08 09:49:233791

碳化硅的5大優(yōu)勢(shì)

碳化硅SiC),又名碳化硅,是一種碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻斷電壓能力和低比導(dǎo)通電阻。
2023-12-12 09:47:332699

功率電子器件從Si)到碳化硅SiC)的過渡

眾所周知,Si)材料及其基礎(chǔ)上的技術(shù)方向曾經(jīng)改變了世界。材料從沙子中提煉,構(gòu)筑了遠(yuǎn)比沙土城堡更精密復(fù)雜的產(chǎn)品。如今,碳化硅SiC)材料作為一種衍生技術(shù)進(jìn)入了市場(chǎng)——相比材料,它可以實(shí)現(xiàn)更高
2023-12-21 10:55:021266

SIC 碳化硅認(rèn)識(shí)

好,硬度大(莫氏硬度為9.5級(jí),僅次于世界上最硬的金剛石(10級(jí)))、導(dǎo)熱性能優(yōu)良、高溫抗氧化能力強(qiáng)等。由于天然含量甚少,碳化硅主要多為人造。 第三代半導(dǎo)體指的是SiC、GaN、ZnO、金剛石(C)、AlN等具有寬禁帶(Eg>2.3eV)特性的新
2024-04-01 10:09:013140

SK Siltron獲美政府投資,擴(kuò)大碳化硅晶圓廠產(chǎn)能

令人矚目的是,SK Siltron近期獲得來(lái)自美國(guó)政府的總價(jià)值約7700萬(wàn)美元的支持,其中包括投資補(bǔ)貼和稅收優(yōu)惠,這使得我們得以在下一階段投資密歇根州的碳化硅SiC)晶圓工廠。
2024-04-12 14:44:391023

碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)和分類

碳化硅SiC)功率器件是利用碳化硅材料制造的半導(dǎo)體器件,主要用于高頻、高溫、高壓和高功率的電子應(yīng)用。相比傳統(tǒng)的Si)基功率器件,碳化硅功率器件具有更高的禁帶寬度、更高的臨界擊穿電場(chǎng)、更高的熱導(dǎo)率和更高的飽和電子漂移速度等優(yōu)異特性,這使得它們?cè)陔娏﹄娮宇I(lǐng)域具有極大的發(fā)展?jié)摿蛻?yīng)用價(jià)值。
2024-08-07 16:22:301938

碳化硅晶圓和晶圓的區(qū)別是什么

以下是關(guān)于碳化硅晶圓和晶圓的區(qū)別的分析: 材料特性: 碳化硅SiC)是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有比Si)更高的熱導(dǎo)率、電子遷移率和擊穿電場(chǎng)。這使得碳化硅晶圓在高溫、高壓和高頻應(yīng)用中具有優(yōu)勢(shì)
2024-08-08 10:13:174710

碳化硅功率器件有哪些優(yōu)勢(shì)

碳化硅SiC)功率器件是一種基于碳化硅半導(dǎo)體材料的電力電子器件,近年來(lái)在功率電子領(lǐng)域迅速嶄露頭角。與傳統(tǒng)的Si)功率器件相比,碳化硅器件具有更高的擊穿電場(chǎng)、更高的熱導(dǎo)率、更高的飽和電子漂移速度以及更高的工作溫度等優(yōu)勢(shì),因此在高壓、高頻和高溫等苛刻條件下表現(xiàn)優(yōu)異。
2024-09-11 10:25:441708

碳化硅功率器件的工作原理和應(yīng)用

碳化硅SiC)功率器件近年來(lái)在電力電子領(lǐng)域取得了顯著的關(guān)注和發(fā)展。相比傳統(tǒng)的Si)基功率器件,碳化硅具有許多獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn),使其在高效能、高頻率和高溫環(huán)境下的應(yīng)用中具有明顯的優(yōu)勢(shì)。本文將探討碳化硅功率器件的原理、優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用及其未來(lái)的發(fā)展前景。
2024-09-13 11:00:371837

碳化硅SiC) 與氮化鎵 (GaN)應(yīng)用 | 氮化硼高導(dǎo)熱絕緣片

SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)。由于使用的生產(chǎn)工藝,WBG設(shè)備顯示出以下優(yōu)點(diǎn):1.寬帶隙半導(dǎo)體氮化鎵(GaN)和碳化硅SiC)在帶隙和擊穿場(chǎng)方面相對(duì)相似。氮化鎵的帶隙為3.2eV
2024-09-16 08:02:252050

碳化硅SiC在電子器件中的應(yīng)用

隨著科技的不斷進(jìn)步,電子器件的性能要求也日益提高。傳統(tǒng)的Si)材料在某些應(yīng)用中已經(jīng)接近其物理極限,尤其是在高溫、高壓和高頻領(lǐng)域。碳化硅SiC)作為一種寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體材料,因其卓越的電學(xué)
2024-11-25 16:30:082707

碳化硅SiC制造工藝詳解 碳化硅SiC與傳統(tǒng)半導(dǎo)體對(duì)比

碳化硅SiC制造工藝詳解 碳化硅SiC)作為一種高性能的半導(dǎo)體材料,其制造工藝涉及多個(gè)復(fù)雜步驟,以下是對(duì)SiC制造工藝的詳細(xì)介紹: 原材料選擇與預(yù)處理 SiC生產(chǎn)的基礎(chǔ)在于原材料的精選。多用純凈
2024-11-25 16:32:276212

碳化硅SiC在光電器件中的使用

碳化硅的基本特性 碳化硅是一種由碳和組成的化合物半導(dǎo)體,具有以下特性: 寬帶隙 :SiC的帶隙寬度約為3.26eV,遠(yuǎn)大于Si)的1.12eV,這使得SiC在高溫、高頻和高功率應(yīng)用中具有優(yōu)勢(shì)
2024-11-25 18:10:102440

碳化硅與傳統(tǒng)材料的比較

在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,材料的選擇對(duì)于器件的性能至關(guān)重要。Si)作為最常用的半導(dǎo)體材料,已經(jīng)有著悠久的歷史和成熟的技術(shù)。然而,隨著電子器件對(duì)性能要求的不斷提高,碳化硅SiC)作為一種新型半導(dǎo)體材料
2025-01-23 17:13:032591

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