產(chǎn)品應(yīng)用多面性氮化鎵是半導(dǎo)體領(lǐng)域后起之秀中的“六邊形戰(zhàn)士”，綜合性能全面，而射頻應(yīng)用作為氮化鎵的“王牌分支”，憑借出眾的“高頻、高功率、高效率、抗造”性能表現(xiàn)，在高頻高功率場景中讓傳統(tǒng)硅基、砷化鎵
2025-12-24 10:23:54
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概要： 安森美（onsemi ） 與格羅方德（GlobalFoundries, GF）達成全新合作協(xié)議，進一步鞏固其在智能電源產(chǎn)品領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位，雙方將共同研發(fā)并制造下一代氮化鎵（GaN）功率器件
2025-12-19 20:01:513388 中整流二極管x2高頻續(xù)流二極管x1
在功率器件上，雙向開關(guān)前置升壓 APFC 會減少一個整流二極管的損耗，因此在效率上會有所提升。除此之外，傳統(tǒng)的拓撲多使用?Si SJ-MOS 背靠背串聯(lián)來形成
2025-12-15 18:35:01
圣邦微電子推出SGM37601，一款六通道40V高效率LED驅(qū)動芯片。該器件可應(yīng)用于平板電腦和筆記本電腦等中尺寸LCD顯示屏設(shè)備。
2025-12-12 17:20:151551 
）兼容性。技術(shù)優(yōu)勢GaN 材料特性：高功率密度：GaN 的寬帶隙特性使其在相同尺寸下輸出功率遠高于 GaAs 或硅基器件。高頻性能優(yōu)異：在 6GHz 頻段仍能保持高效率與線性度，適合寬帶線性放大應(yīng)用。高
2025-12-12 09:40:25
密度：高效率意味著更低的散熱需求，高集成度節(jié)省了布局空間，兩者結(jié)合為電源模塊的小型化、輕量化鋪平道路，應(yīng)對AI服務(wù)器、高端適配器等對功率密度的極限追求。
構(gòu)筑可靠防線：-10V負壓耐受猶如為功率管安裝了“防
2025-12-10 08:55:48
在傳統(tǒng)橫向結(jié)構(gòu)的GaN器件中，電流沿芯片表面流動。而垂直GaN的GaN層生長在氮化鎵襯底上，其獨特結(jié)構(gòu)使電流能直接從芯片頂部流到底部，而不是僅在表面流動。這種垂直電流路徑讓器件能夠承受更高的電壓
2025-12-04 17:13:20471 
在傳統(tǒng)橫向結(jié)構(gòu)的GaN器件中，電流沿芯片表面流動。而垂直 GaN 的 GaN 層生長在氮化鎵襯底上，其獨特結(jié)構(gòu)使電流能直接從芯片頂部流到底部，而不是僅在表面流動。這種垂直電流路徑讓器件能夠承受更高的電壓和更大的電流，從而實現(xiàn)更高的功率密度、更高的效率和更緊湊的系統(tǒng)設(shè)計。
2025-12-04 09:28:281692 
Diodes 公司（Diodes）（納斯達克代碼：DIOD）推出AL3069Q，一款符合汽車標準的高效率 60V 升壓控制器，適用于背光應(yīng)用。該器件包含四個80V高精度灌電流（Current
2025-12-01 16:15:311023 在追求高效能、高可靠性功率半導(dǎo)體技術(shù)的道路上邁出關(guān)鍵一步，打破車規(guī)級功率半導(dǎo)體性能邊界 近日，鎵未來正式宣布推出G2E65R009 系列 650V 9mΩ 車規(guī)級氮化鎵場效應(yīng)晶體管（GaN FET
2025-11-27 16:17:131736 電子發(fā)燒友原創(chuàng) 章鷹 10月23日，國際知名調(diào)研機構(gòu)Yole Group發(fā)布的《功率氮化鎵2025》報告顯示，功率氮化鎵器件市場正以驚人速度擴張。2024年市場規(guī)模達3.55億美元，預(yù)計2030年將
2025-11-16 00:40:0013348 
現(xiàn)在氮化鎵材料技術(shù)比較成熟，芯源的MOS管也是用的氮化鎵材料技術(shù)嘛？
2025-11-14 07:25:48
前言消費者在選購第三方充電器時都傾向于選擇一款功率高、發(fā)熱低、體積小巧便攜的充電器，而氮化鎵合封芯片憑借高頻、高集成、低損耗的特性解決了消費者的痛點。華碩旗下a豆品牌推出了一款100W氮化鎵充電器
2025-11-13 10:27:082781 
新品第五代CoolGaN650-700V氮化鎵功率晶體管G5第五代650-700VGaN氮化鎵功率晶體管可實現(xiàn)高頻工況下的效率提升，并滿足最高質(zhì)量標準，能夠打造具有超高效率的高可靠性設(shè)計。該系
2025-11-03 18:18:052813 
隨著全球能源需求因 AI 數(shù)據(jù)中心、電動汽車以及其他高能耗應(yīng)用而激增，安森美（onsemi）推出垂直氮化鎵（vGaN）功率半導(dǎo)體，為相關(guān)應(yīng)用的功率密度、能效和耐用性樹立新標桿。這些突破性的新一代
2025-10-31 13:56:161980 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()Skyworks ICE? Technology 2.4 GHz Wi-Fi 6 高效率、高功率前端模塊相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有Skyworks ICE
2025-10-27 18:30:50
、EcoGaN?氮化鎵系列、硅基功率器件（含二極管、MOSFET、IGBT）以及豐富的應(yīng)用案例，憑借卓越的技術(shù)參數(shù)、創(chuàng)新的封裝設(shè)計和廣泛的應(yīng)用適配能力，引發(fā)行業(yè)高度關(guān)注。電子發(fā)燒友網(wǎng)作為受邀行業(yè)媒體，現(xiàn)場參觀走訪ROHM的展臺，與技術(shù)人員深入交流。以下是記者了解的展示產(chǎn)品梳理。 碳化硅（SiC）模塊
2025-09-29 14:35:1812442 
HER304高效率整流二極規(guī)格書
2025-09-19 17:32:13
0 PowiGaN在輕載和滿載時均實現(xiàn)95%高效率，滿足關(guān)鍵的運行和安全功能需求 ? 澳大利亞達爾文及美國加州圣何塞，2025年8月22日訊 –Power Integrations推出一款專為太陽能賽車
2025-08-28 10:36:591447 重新定義低電壓輸入應(yīng)用的功率轉(zhuǎn)換效率
AP8105是深圳市世微半導(dǎo)體有限公司推出的一款高性能脈沖頻率調(diào)制（PFM） 控制型DC-DC升壓轉(zhuǎn)換器。該器件采用獨特的BOOST結(jié)構(gòu)設(shè)計，專為1-4節(jié)干電池
2025-08-22 10:17:52
MDD辰達半導(dǎo)體的高效率整流管（如肖特基、快恢復(fù)、超快恢復(fù)以及SiC二極管）是現(xiàn)代電源系統(tǒng)中不可或缺的器件，廣泛應(yīng)用于服務(wù)器電源、適配器、光伏逆變器、車載OBC等場合。整流管性能直接影響系統(tǒng)效率、溫
2025-08-07 09:40:48641 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()高電流、高效率電荷泵，具有自動定時器相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有高電流、高效率電荷泵，具有自動定時器的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，高電流、高效率電荷泵，具有自動定時器真值表，高電流、高效率電荷泵，具有自動定時器管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-07-29 18:32:59
制造氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMTs）具有一定難度，這主要歸因于材料本身以及制造工藝中的多項挑戰(zhàn)。
2025-07-25 16:30:444488 
Texas Instruments LMG3624 650V 170mΩ氮化鎵 (GaN) 功率級適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。LMG3624將氮化鎵場效應(yīng)晶體管 (GaN FET) 和柵極驅(qū)動器集成在
2025-07-25 14:56:463992 
深圳市永阜康科技有限公司現(xiàn)在大力推廣國內(nèi)首款氮化鎵D類音頻功放芯片-ACM8816, 集成了7mΩ Rdson GaN氮化鎵，48V供電時，驅(qū)動到4Ω可以在10%THD+N內(nèi)輸出1×340W的功率，QFN-48貼片封裝，不需要外接散熱器輔助散熱。
2025-07-21 15:05:102857 
氮化鎵充電器的高功率密度，能在很小的體積里給出更高的功率，所以氮化鎵充電器個頭更小，重量也更輕。且能把電能轉(zhuǎn)換得更有效，能量損失也少，充電速度就能變得更快。推薦一款快速啟動功能和超低的工作電流氮化鎵快充芯片——U8725AHE，可實現(xiàn)小于30mW的超低待機功耗！
2025-07-18 16:08:412963 
的輸入電壓下工作，指定的最小輸入電壓為 2 V。
TPS62000 是一款同步電流模式 PWM 轉(zhuǎn)換器，集成了 N 溝道和 P 溝道功率 MOSFET 開關(guān)。同步整流用于提高效率并減少外部元件
2025-07-14 14:23:48628 
在電源轉(zhuǎn)換技術(shù)不斷進步的背景下，瑞薩電子(RenesasElectronics)近日推出了三款新型650伏氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaNFET)，專注于滿足數(shù)據(jù)中心、工業(yè)以及電動交通應(yīng)用對高效能和高密度
2025-07-14 10:17:383206 
在氮化鎵和碳化硅之后，氧化鎵(Ga?O?)正以超高擊穿電壓與低成本潛力，推動超寬禁帶功率器件進入大規(guī)模落地階段。
2025-07-11 09:12:482948 
小功率高效率E-GaN開關(guān)電源管理方案：U8723AH+U7116W小功率開關(guān)電源的效率是一個重要的設(shè)計指標，它決定了電源的功耗和發(fā)熱量。為了提高效率，可以選擇低損耗的開關(guān)管和電感，減小輸出端紋波
2025-07-10 16:15:36571 
新品TOLL和DFN封裝CoolGaN650VG5第五代氮化鎵功率晶體管第五代CoolGaN650VG5氮化鎵功率晶體管可在高頻工況下顯著提升能效，符合業(yè)界最高質(zhì)量標準，助力打造兼具超高效率與卓越
2025-06-26 17:07:332034 MPS新品 MPG44100 集成GaN FET的高效率、增強型 PFC 穩(wěn)壓器，具有峰值功率總線升壓功能
2025-06-18 18:09:331271 
A+C口兼容雙接口電路，可滿足多設(shè)備充電需求，還可以兼容傳統(tǒng)USB-A設(shè)備，接口互補，場景覆蓋廣，依然是當前充電市場不可忽略的中堅力量。深圳銀聯(lián)寶科技推出的PD快充A+C口：30W高效率氮化鎵電源方案U8722DE+U7110W，最大程度簡化設(shè)計方案，易上手，低成本！
2025-06-17 17:53:331380 CGH35060P1 是一款由Wolfspeed 生產(chǎn)的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），專為高效率、高增益和寬帶寬能力而設(shè)計。這款晶體管非常適合3.3-3.6 GHz WiMAX
2025-06-17 15:50:48
CGH27060F是一款氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），專為高效率、高增益和寬帶寬能力而設(shè)計。這款晶體管適用于VHF、3G、4G、LTE、2.3-2.9GHz WiMAX和BWA放大器應(yīng)用，工作頻段為VHF至3.0 GHz，小信號增益為14 dB，平均功率下的誤差矢量幅度
2025-06-17 15:47:10
CGH21120F是一種氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)，專為高效率而設(shè)計；高增益和寬帶寬能力；這使得CGH21120F非常適合1.8–2.3-GHz WCDMA和LTE放大器應(yīng)用。該晶體管采用陶瓷/金屬法蘭封裝。
2025-06-17 15:34:20
同一套電源芯片方案，可直接應(yīng)用于不同的電壓輸出上，這不僅有效節(jié)省成本，更是大大縮短了開發(fā)時間，使項目收益最大化。深圳銀聯(lián)寶科技最新推出的25W氮化鎵電源芯片方案U8723AH+U7612B，輸出可選5V、9V、12V，注重空間布局和兼容性問題，通過了認證測試，低耗高效，值得推薦！
2025-06-16 15:40:171592 Analog Devices Inc. ADPA1122 20W氮化鎵 (GaN) 功率放大器可在8.2GHz至11.8GHz的頻率范圍內(nèi)提供43dBm (20W) 的功率和高于43%的功率附加效率
2025-06-15 16:01:001559 
氮化鎵（GaN）器件在高頻率下能夠?qū)崿F(xiàn)更高效率，主要歸功于GaN材料本身的內(nèi)在特性。
2025-06-13 14:25:181361 
摘要
本文闡釋了在開關(guān)模式電源中使用氮化鎵(GaN)開關(guān)所涉及的獨特考量因素和面臨的挑戰(zhàn)。文中提出了一種以專用GaN驅(qū)動器為形式的解決方案，可提供必要的功能，打造穩(wěn)固可靠的設(shè)計。此外，本文還建議將
2025-06-11 10:07:24
隨著技術(shù)的不斷進步，新型功率器件如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）因其優(yōu)異的性能被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。然而，這些器件在長期連續(xù)使用后會出現(xiàn)老化現(xiàn)象，導(dǎo)致性能退化。如何在短時間內(nèi)準確評估這些器件的老化特性，成為行業(yè)關(guān)注的焦點。
2025-06-03 16:03:571447 
前不久，納微半導(dǎo)體剛剛發(fā)布全球首款量產(chǎn)級的650V雙向GaNFast氮化鎵功率芯片。
2025-06-03 09:57:502380 
問題限制了性能提升，導(dǎo)致大功率電源往往體積龐大、能效難以突破鈦金牌門檻。市場亟需更高效、緊湊的解決方案，而氮化鎵（GaN）與先進拓撲結(jié)構(gòu)的結(jié)合，正成為破局關(guān)鍵。港晟
2025-05-30 20:32:521302 
開關(guān)損耗。氮化鎵快充電源ic U8765采用峰值電流控制模式，可以自適應(yīng)的工作在QR和降頻工作模式，從而實現(xiàn)全負載功率范圍內(nèi)的效率優(yōu)化！
2025-05-26 18:02:421062 氮化鎵充電器與普通充電器在充電效率方面對比，性能遙遙領(lǐng)先。它支持多種快充協(xié)議，如PD、QC等，能夠智能識別設(shè)備所需的充電功率，實現(xiàn)快速充電。無論是蘋果手機、安卓手機，還是筆記本電腦、平板電腦，氮化鎵
2025-05-23 14:21:36883 電源方案全電壓認證款：U8722BAS+U7612B方案來咯！主控氮化鎵電源芯片U8722BAS是一款集成E-GaN的高頻高性能準諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關(guān)。芯片
2025-05-22 15:41:26734 從清華大學(xué)到鎵未來科技，張大江先生在半導(dǎo)體功率器件十八年的堅守！近年來，珠海市鎵未來科技有限公司（以下簡稱“鎵未來”）在第三代半導(dǎo)體行業(yè)異軍突起，憑借領(lǐng)先的氮化鎵（GaN）技術(shù)儲備和不斷推出的新產(chǎn)品
2025-05-19 10:16:02
當今的電源設(shè)計要求高效率和高功率密度。因此，設(shè)計人員將氮化鎵 (GaN) 器件用于各種電源轉(zhuǎn)換拓撲。
2025-05-19 09:29:571013 
英諾賽科針對48V架構(gòu)開發(fā)了兩款行業(yè)領(lǐng)先的降壓電源方案（四相2kW交錯降壓電源方案），為更高效、節(jié)能的數(shù)據(jù)中心賦能。
英諾賽科此次推出的兩款降壓電源方案利用氮化鎵高頻高效的優(yōu)勢和四相交錯Buck
2025-05-12 14:00:001145 
℃，被迫使用暴力扇散熱，噪音高達55dB；體積桎梏：磁性元件體積占比超60%，制約機架密度提升。仁懋氮化鎵（GaN）解決方案，以“高頻高效、極寒運行”重構(gòu)AI電源
2025-05-10 12:06:39984 
深圳銀聯(lián)寶科技推出的PD 20W氮化鎵單電壓應(yīng)用方案，主控芯片使用的是氮化鎵快充芯片U8722AH，同步整流芯片U7715，協(xié)議338E。輸入規(guī)格：180V-264V 50Hz，輸出規(guī)格：C口，PD20W：5V3A / 9V2.22A / 12V1.67A。
2025-05-09 16:46:491256 
全集成保護型氮化鎵功率芯片搭配雙向無損耗電流檢測，效率提升4%、系統(tǒng)成本降低15%、PCB占位面積縮小40% 加利福尼亞州托倫斯2025年5月1日訊——納微半導(dǎo)體今日正式宣布推出 全新專為電機驅(qū)動
2025-05-09 13:58:181258 
關(guān)鍵作用。本文介紹了一種用于碳化硅升壓轉(zhuǎn)換器的氮化鎵諧振柵極驅(qū)動器。該方案不僅能實現(xiàn)高效率，還能在高開關(guān)頻率下保持良好控制的開關(guān)轉(zhuǎn)換特性。諧振柵極驅(qū)動器原理轉(zhuǎn)換器
2025-05-08 11:08:401153 
恒功率電源芯片具有穩(wěn)壓、高效、過載保護等特性，適用于一些功率要求嚴格的應(yīng)用場景，如充電器、LED驅(qū)動器、電動工具等。今天推薦的深圳銀聯(lián)寶帶恒功率集成高壓E-GaN氮化鎵電源IC U8723AHS，不僅可以提高電路的穩(wěn)定性和可靠性，同時也可以提高能源利用效率，使優(yōu)勢發(fā)揮到最大！
2025-05-07 17:58:32673 氮化鎵憑借高頻高效特性，具備了體積小、功率高、發(fā)熱低等優(yōu)勢，但小型化雖好，散熱才是硬道理，選氮化鎵電源ic得看準散熱設(shè)計。今天就給小伙伴們推薦一款散熱性能優(yōu)越、耐壓700V的氮化鎵電源ic U8765！
2025-04-29 18:12:02942 主導(dǎo)著逆變器設(shè)計領(lǐng)域。然而，碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬禁帶(WBG)功率器件的出現(xiàn)正在重塑行業(yè)格局。這些器件具有更高效率、更大功率密度、更快開關(guān)頻率和更
2025-04-25 11:34:35800 
25W帶恒功率12V單高壓氮化鎵快充芯片U8723AHYLB芯片內(nèi)置Boost電路將功率開關(guān)器件（如MOSFET）、驅(qū)動電路、反饋網(wǎng)絡(luò)等集成于單一封裝，省去分立元件布局，顯著降低PCB面積需求。深圳
2025-04-24 16:20:38593 中圖儀器Novator系列高精度高效率全自動影像儀具備多種測量功能，包括表面尺寸、輪廓、角度與位置、形位公差、3D空間形貌與尺寸結(jié)構(gòu)等的精密測量。其線激光3D掃描功能，可實現(xiàn)3D掃描成像和空間測量
2025-04-22 14:21:01
通過重新設(shè)計基于氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管(FET)的IGBT和MOSFET解決方案，DRS優(yōu)化的車輛逆變器性能使開關(guān)頻率提高了四倍，減少了體積和重量，同時實現(xiàn)了98.5%的效率。在DRS，我們
2025-04-22 11:35:39866 
? 納微高功率GaNSafe氮化鎵功率芯片已達到電動汽車所需的量產(chǎn)表現(xiàn)，可為車載充電機（OBC）和高壓轉(zhuǎn)低壓的DC-DC變換器解鎖前所未有的功率密度和效率表現(xiàn) 加利福尼亞州托倫斯 2025年4月15
2025-04-17 15:09:264296 
。 ? 蘇州鎵創(chuàng)晶合科技是一家專注于大功率氮化鎵（GaN）器件制造、應(yīng)用方案設(shè)計的高科技企業(yè)，致力于通過持續(xù)的技術(shù)創(chuàng)新，為全球客戶提供高性能、高可靠性的氮化鎵解決方案。 ? 鎵創(chuàng)晶合的氮化鎵功率器件主要聚焦在大功率領(lǐng)域。使用其母
2025-04-16 15:12:491442 氮化鎵電源芯片U8722X系列喜迎U8722FE料號功率65WYINLIANBAO深圳銀聯(lián)寶科技氮化鎵電源芯片U8722X家族，喜提“芯”成員——U8722FE，推薦最大輸出功率65W，集成MOS
2025-04-10 16:30:58665 在高頻、高功率應(yīng)用中，高效率整流管的導(dǎo)通損耗直接影響電路的整體能效和熱管理。MDD作為專業(yè)的二極管制造商，其高效率整流管因低正向壓降（VF）和快速恢復(fù)特性廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源（SMPS）、PFC電路
2025-04-03 10:55:49810 
MDD高效率整流管（如肖特基二極管、超快恢復(fù)二極管等）因其低正向壓降、快速開關(guān)特性，廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、PFC（功率因數(shù)校正）和逆變器等電路。然而，這些器件在高頻、高功率工作環(huán)境下，會產(chǎn)生顯著的熱量
2025-04-02 10:10:31734 和數(shù)據(jù)通信
伺服電動機
工業(yè)的
汽車
CE65H110DNDl一般特性
易于驅(qū)動，與標準門驅(qū)動器兼容
低傳導(dǎo)和開關(guān)損耗
符合RoHS標準
CE65H110DNDl好處
通過快速切換提高效率
功率
2025-03-31 14:26:10
進入2025年，海外儲能市場呈現(xiàn)發(fā)展新的技術(shù)發(fā)展趨勢： 通過采用核心功率器件SiC功率模塊的新一代高效率高壽命儲能變流器PCS在海外市場得到廣泛認可并得到客戶買單 ，比如德國SMA推出新一代采用
2025-03-30 15:54:50888 885012209025型號簡介 885012209025是Wurth Elektronik推出的一款功率電感，這款功率電感器擁有 2.2 μF
2025-03-28 17:01:41
深圳銀聯(lián)寶科技推出的氮化鎵快充芯片集成高頻高性能準諧振模式，顯著降低磁性元件體積，同時通過?同步整流技術(shù)將效率翻番。比如今天介紹的65W全壓700V底部無PAD氮化鎵快充芯片U8766，擁有超低啟動和工作電流，可實現(xiàn)小于30mW的超低待機功耗，勢如破竹！?
2025-03-20 17:41:40835 GaN驅(qū)動技術(shù)手冊免費下載 氮化鎵半導(dǎo)體功率器件門極驅(qū)動電路設(shè)計方案
2025-03-13 18:06:0046929 
氮化鎵系統(tǒng) (GaN Systems) E-HEMTs 的EZDriveTM方案
2025-03-13 16:33:054783 
唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一代氮化鎵（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達克股票代碼: NVTS）今日重磅發(fā)布全球首款量產(chǎn)級650V雙向GaNFast氮化鎵
2025-03-13 15:49:392996 
日前，京東方華燦的氮化鎵研發(fā)總監(jiān)馬歡應(yīng)半導(dǎo)體在線邀請，分享了關(guān)于氮化鎵器件的最新進展，引起了行業(yè)的廣泛關(guān)注。隨著全球半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)Ω咝阅堋?b class="flag-6" style="color: red">高效率器件的需求不斷加大，氮化鎵（GaN）技術(shù)逐漸成為新一代電子器件的熱點，其優(yōu)越的性能使其在電源轉(zhuǎn)換和射頻應(yīng)用中展現(xiàn)出巨大的潛力。
2025-03-13 11:44:261526 介紹了氮化鎵（GaN）功率IC在電機逆變器中的應(yīng)用，對比傳統(tǒng)硅基解決方案，闡述了其優(yōu)勢、實際應(yīng)用案例、設(shè)計考量及結(jié)論。 *附件
2025-03-12 18:47:172081 
效氮化鎵功率器件、以創(chuàng)新技術(shù)簡化環(huán)保節(jié)能電子系統(tǒng)設(shè)計的無晶圓廠環(huán)保技術(shù)半導(dǎo)體企業(yè)。今日CGD宣布推出可支持100kW以上的新能源車主驅(qū)逆變器的GaN解決方案。該方案基于其專利ICeGaN? 氮化鎵
2025-03-11 10:57:26884 電動汽車設(shè)計師致力于通過提升功率、縮小系統(tǒng)尺寸并減少散熱需求，使電動汽車更輕量化、自動化，并配備更小電池。借助氮化鎵(GaN)汽車級功率器件在功率轉(zhuǎn)換、高頻開關(guān)和熱管理領(lǐng)域的突破性進展，電動汽車的能
2025-03-03 11:41:561005 
氮化鎵晶體管的并聯(lián)設(shè)計總結(jié) 先上鏈接，感興趣的朋友可以直接下載： *附件：氮化鎵晶體管的并聯(lián)設(shè)計.pdf 一、引言 ? 應(yīng)用場景 ?：并聯(lián)開關(guān)管廣泛應(yīng)用于大功率場合，如牽引逆變器、可回收能源系統(tǒng)等
2025-02-27 18:26:311103 器件的性能，使充電頭在體積、效率、功率密度等方面實現(xiàn)突破，成為快充技術(shù)的核心載體。氮化鎵充電頭的核心優(yōu)勢：1.體積更小，功率密度更高材料特性：GaN的電子遷移率比硅
2025-02-27 07:20:334528 
器件的性能，使充電頭在體積、效率、功率密度等方面實現(xiàn)突破，成為快充技術(shù)的核心載體。氮化鎵充電頭的核心優(yōu)勢：1.體積更小，功率密度更高材料特性：GaN的電子遷移率比硅
2025-02-26 04:26:491181 U2G5060-140P2 是一款 140W 應(yīng)用頻率在 5.0~6.0GHz 的氮化鎵射頻功率放大管。這款放大管 具有高效率、高增益的特性。同時覆蓋 5-6GHz 應(yīng)用的 Demo 板，輸出功率
2025-02-25 15:56:49
海凌科40WACDC系列氮化鎵電源模塊，具有全球輸入電壓范圍、低溫升、低功耗、高效率、高可靠性、高安全隔離等優(yōu)點，轉(zhuǎn)換效率高達91%，應(yīng)用廣泛，性價比高。一、產(chǎn)品介紹40WACDC系列氮化鎵電源模塊
2025-02-24 12:02:321020 
高效率整流二極管廣泛應(yīng)用于電力電子、電源轉(zhuǎn)換以及其他需要高效能量轉(zhuǎn)換的電子設(shè)備中。與傳統(tǒng)二極管相比，高效率整流二極管具有更低的正向壓降、更高的開關(guān)速度和更低的能量損失，從而大幅提升系統(tǒng)的整體效率
2025-02-21 11:21:151036 目前電氣化仍是減少碳排放的關(guān)鍵驅(qū)動力，而對高效電源的需求正在加速增長。與傳統(tǒng)硅器件相比，寬禁帶技術(shù)，如碳化硅（SiC）和氮化鎵（ GaN）等仍是促進功率轉(zhuǎn)換效率的關(guān)鍵。工程師必須重新評估他們的驗證和測試方法，以應(yīng)對當今電氣化的挑戰(zhàn)。
2025-02-19 09:37:10867 
過去兩年中，氮化鎵雖然發(fā)展迅速，但似乎已經(jīng)遇到了瓶頸。與此同時，不少垂直氮化鎵的初創(chuàng)企業(yè)倒閉或者賣盤，這引發(fā)大家對垂直氮化鎵未來的擔憂。為此，在本文中，我們先對氮化鎵未來的發(fā)展進行分析，并討論了垂直氮化鎵器件開發(fā)的最新進展以及相關(guān)的可靠性挑戰(zhàn)。
2025-02-17 14:27:362014 
氮化鎵電源芯片U8621是一款恒壓、恒功率、恒溫離線型電流模式PWM電源管理芯片，內(nèi)置1.9Ω/630V的超結(jié)硅功率MOS。U8621具有全負載高效率、低空載損耗、低EMI干擾和高EMS抗干擾、極少
2025-02-07 16:01:021105 深圳銀聯(lián)寶科技氮化鎵芯片2025年持續(xù)發(fā)力氮化鎵芯片YLB銀聯(lián)寶/YINLIANBAO無線通信領(lǐng)域，設(shè)備往往需要在有限的空間內(nèi)實現(xiàn)強大的信號傳輸功能，氮化鎵芯片就能憑借這一特性，滿足其功率需求的同時
2025-02-07 15:40:21919 
近日，GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達克股票代碼：NVTS）今日宣布其氮化鎵和碳化硅技術(shù)進入戴爾供應(yīng)鏈，為戴爾AI筆記本打造功率從60W至360W的電腦適配器。
2025-02-07 13:35:081231 
650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件
2025-01-23 16:27:431780 
隨著飛機、航天和衛(wèi)星系統(tǒng)對功率轉(zhuǎn)換需求的快速發(fā)展，技術(shù)趨勢正朝著更高功率和電壓水平、更小尺寸、更輕重量以及更高效率的轉(zhuǎn)換器方向發(fā)展。寬禁帶(WBG)半導(dǎo)體，如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)，在
2025-01-23 11:13:551862 
在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)這片高精尖的領(lǐng)域中，氮化鎵（GaN）襯底作為新一代芯片制造的核心支撐材料，正驅(qū)動著光電器件、功率器件等諸多領(lǐng)域邁向新的高峰。然而，氮化鎵襯底厚度測量的精準度卻時刻面臨著一個來自暗處的挑戰(zhàn)
2025-01-22 09:43:37449 
在半導(dǎo)體制造這一微觀且精密的領(lǐng)域里，氮化鎵（GaN）襯底作為高端芯片的關(guān)鍵基石，正支撐著光電器件、功率器件等眾多前沿應(yīng)用蓬勃發(fā)展。然而，氮化鎵襯底厚度測量的準確性卻常常受到一個隱匿 “敵手” 的威脅
2025-01-20 09:36:50404 在當今高速發(fā)展的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)浪潮中，氮化鎵（GaN）襯底宛如一顆耀眼的新星，憑借其卓越的電學(xué)與光學(xué)性能，在眾多高端芯片制造領(lǐng)域，尤其是光電器件、功率器件等方向，開拓出廣闊的應(yīng)用天地。然而，要想充分發(fā)揮
2025-01-17 09:27:36420 在半導(dǎo)體領(lǐng)域的璀璨星河中，氮化鎵（GaN）襯底正憑借其優(yōu)異的性能，如高電子遷移率、寬禁帶等特性，在光電器件、功率器件等諸多應(yīng)用場景中嶄露頭角，成為推動行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵力量。而對于氮化鎵襯底而言，其
2025-01-16 14:33:34366 垂直和橫向氮化鎵(GaN)器件的集成可以成為功率電子學(xué)領(lǐng)域的一次革命性進展。這種集成能夠使驅(qū)動和控制橫向GaN器件與垂直功率器件緊密相鄰。在本文中，我們將總結(jié)一種解決橫向和垂直器件隔離問題的方法
2025-01-16 10:55:521228 
的代替材料就更加迫切。
氮化鎵（GaN）被稱為第三代半導(dǎo)體材料。相比硅，它的性能成倍提升，而且比硅更適合做大功率器件、體積更小、功率密度更大。氮化鎵芯片頻率遠高于硅，有效降低內(nèi)部變壓器等原件體積，同時優(yōu)秀
2025-01-15 16:41:14
氮化鎵電源芯片和同步整流芯片在電源系統(tǒng)中猶如一對默契的搭檔，通過緊密配合，顯著提升電源效率。在開關(guān)電源的工作過程中，氮化鎵電源芯片憑借其快速的開關(guān)速度和高頻率的開關(guān)能力，能夠迅速地切換電路狀態(tài)，實現(xiàn)
2025-01-15 16:08:501733 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《AN54-從毫安到安培的超高效率（高達95%）的功率轉(zhuǎn)換.pdf》資料免費下載
2025-01-09 14:54:100 隨著新能源汽車、5G通信、高端裝備制造等領(lǐng)域的蓬勃發(fā)展，功率半導(dǎo)體器件作為其核心組件，正面臨著前所未有的挑戰(zhàn)與機遇。在這些領(lǐng)域中，功率半導(dǎo)體器件不僅需要有更高的效率和可靠性，還要滿足壽命長、制造步驟
2025-01-08 13:06:132115 
近日，全球氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的佼佼者英諾賽科(2577.HK)成功登陸港交所主板，為港股市場增添了一枚稀缺且優(yōu)質(zhì)的投資標的。 英諾賽科作為全球首家實現(xiàn)量產(chǎn)8英吋硅基氮化鎵晶圓的公司，其在
2025-01-06 11:29:141123
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