，為什么設(shè)計(jì)MOFET驅(qū)動(dòng)電路時(shí)，柵極驅(qū)動(dòng)電流要大呢？ 要想回答上面的問(wèn)題，就不得不聊聊MOSFET中的米勒平臺(tái)電壓，也就是Miller Plateau Voltage，它是指在MOSFET開(kāi)關(guān)過(guò)程中，由于MOSFET寄生電容的米勒效應(yīng)，MOSFET的柵極-源極電壓 (VGS) 會(huì)保持在一個(gè)固定電壓水平的現(xiàn)象。這一現(xiàn)
2025-01-02 09:27:50
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Part 01 前言 MOSFET米勒效應(yīng)是指在MOSFET的開(kāi)關(guān)過(guò)程中，由于柵極-漏極之間的電容Cgd的存在，漏極電壓的變化會(huì)通過(guò)該電容耦合到柵極，導(dǎo)致柵極電壓出現(xiàn)不希望的變化。 在MOSFET
2025-01-07 17:38:0532159 
當(dāng)IGBT在開(kāi)關(guān)時(shí)普遍會(huì)遇到的一個(gè)問(wèn)題即寄生米勒電容開(kāi)通期間的米勒平臺(tái)。米勒效應(yīng)在單電源門極驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用中影響是很明顯的?；陂T極G與集電極C之間的耦合，在IGBT關(guān)斷期間會(huì)產(chǎn)生一個(gè)很高的瞬態(tài)dv
2015-01-14 17:10:299216 
米勒效應(yīng)在MOS驅(qū)動(dòng)中臭名昭著，他是由MOS管的米勒電容引發(fā)的米勒效應(yīng)，在MOS管開(kāi)通過(guò)程中，GS電壓上升到某一電壓值后GS電壓有一段穩(wěn)定值，過(guò)后GS電壓又開(kāi)始上升直至完全導(dǎo)通。為什么會(huì)有穩(wěn)定值這段
2018-09-28 08:02:0021643 什么叫米勒電容？如何作用和影響于MOSFET？
2019-05-12 07:27:0024175 
增益（A）可變，那么米勒阻抗（Zm）或電納（Ym）也變，本設(shè)計(jì)實(shí)例提出了另一種使用它的好辦法。一個(gè)世紀(jì)前提出的米勒效應(yīng)使電壓放大器的輸入和輸出之間連接的阻反映在抗 放大器輸入阻抗中，與放大器增益成比例縮放。雖然最初人們認(rèn)為它只不過(guò)是會(huì)
2021-01-26 16:05:204014 
前幾天給大家講了一下晶體管BJT，今天講一下場(chǎng)效應(yīng)管-MOSFET。
2022-09-05 10:41:055511 MOS管的米勒效應(yīng)會(huì)在高頻開(kāi)關(guān)電路中，延長(zhǎng)開(kāi)關(guān)頻率、增加功耗、降低系統(tǒng)穩(wěn)定性，可謂是臭名昭著，各大廠商都在不遺余力的減少米勒電容。
2022-09-29 09:26:073860 在說(shuō)MOS管的米勒效應(yīng)之前我們先看下示波器測(cè)量的這個(gè)波形。
2023-02-03 15:35:475150 
從多個(gè)維度分析了米勒效應(yīng)，針對(duì)Cgd的影響也做了定量的推導(dǎo)，今天我們?cè)俸痛蠹乙黄?，結(jié)合米勒效應(yīng)的仿真，探討下如何減小米勒平臺(tái)。
2023-02-14 09:25:4614627 對(duì)于MOSFET，米勒效應(yīng)（Miller Effect）指其輸入輸出之間的分布電容（柵漏電容）在反相放大作用下，使得等效輸入電容值放大的效應(yīng)。由于米勒效應(yīng)，MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)過(guò)程中，會(huì)形成平臺(tái)電壓，引起開(kāi)關(guān)時(shí)間變長(zhǎng)，開(kāi)關(guān)損耗增加，給MOS管的正常工作帶來(lái)非常不利的影響。
2023-04-26 09:20:535662 
MOSFET是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metallic Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）的簡(jiǎn)稱，有時(shí)候我們也會(huì)簡(jiǎn)寫(xiě)成MOS。下面是一個(gè)典型的MOSFET結(jié)構(gòu)。
2023-07-11 10:56:245605 
通過(guò)了解MOS管的的開(kāi)關(guān)過(guò)程，以及MOS米勒電容的影響，來(lái)改進(jìn)MOS管設(shè)計(jì)。
2023-07-21 09:19:369974 
各位小伙伴，不久前我們推送了“SiC科普小課堂”視頻課——《什么是米勒鉗位？為什么碳化硅MOSFET特別需要米勒鉗位？》后反響熱烈，很多朋友留言詢問(wèn)課件資料。今天，我們將這期視頻的圖文講義奉上，方便大家更詳盡地了解在驅(qū)動(dòng)碳化硅MOSFET時(shí)采用米勒鉗位功能的必要性。
2024-12-19 11:39:123053 
海飛樂(lè)技術(shù)20V MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管現(xiàn)貨選型Voltage (V)Current (A)Rdson (Ohm)Package用途TYPMAX202.845m60mSOT-23小電流開(kāi)關(guān)用
2020-03-03 17:36:16
MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor）是金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的縮寫(xiě)，也叫場(chǎng)效應(yīng)管，是一種由運(yùn)算器的基礎(chǔ)構(gòu)成
2023-03-08 14:13:33
在本文中，我們將探討 MOSFET 和鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的不同器件配置及其演變。我們還看到 3D 配置如何允許每個(gè)集成電路使用更多晶體管。 平面與三維 （3D） 平面MOSFET（圖1）在Lg
2023-02-24 15:20:59
MOSFET在快速關(guān)短過(guò)程中，驅(qū)動(dòng)電壓VGS會(huì)在米勒電平處震蕩很厲害？請(qǐng)問(wèn)有解決措施嗎？
2018-04-19 21:17:29
菜鳥(niǎo)沒(méi)有做過(guò)實(shí)際東西，最近有個(gè)想法，但仿真時(shí)發(fā)現(xiàn)Vs小于0時(shí)，雖Vds大于0，但MOSFET不受柵極控制，為什么會(huì)這樣？有什么方法解決嗎？希望各位說(shuō)說(shuō)自己的看法，感激不盡
2015-11-30 22:55:25
本文詳細(xì)分析計(jì)算開(kāi)關(guān)損耗，并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開(kāi)通過(guò)程和自然零電壓關(guān)斷的過(guò)程，從而使電子工程師知道哪個(gè)參數(shù)起主導(dǎo)作用并更加深入理解MOSFET。
MOSFET開(kāi)關(guān)損耗
1 開(kāi)通過(guò)程中
2025-02-26 14:41:53
電子表格記錄數(shù)據(jù)的經(jīng)驗(yàn)豐富的設(shè)計(jì)人員，亦未能從熟悉的模型中獲得滿意的結(jié)果。除了器件結(jié)構(gòu)和加工工藝，MOSFET的性能還受其他幾個(gè)周圍相關(guān)因素的影響。這些因素包括封裝阻抗、印刷電路板(PCB)布局、互連線寄生效應(yīng)
2019-05-13 14:11:31
如圖所示，Pspice仿真mosfet開(kāi)通過(guò)程，通過(guò)仿真得到的波形如圖所示（藍(lán)色是Vds，紅色是Vgs，綠色是Id），與課本上給的開(kāi)通過(guò)程有區(qū)別。想請(qǐng)教一下仿真圖中的幾個(gè)問(wèn)題：為什么電流Id上升
2019-06-04 20:39:14
場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT的驅(qū)動(dòng)經(jīng)常聽(tīng)到米勒效應(yīng)這個(gè)詞，查閱了一些資料是柵極和漏極之間的等效電容，這個(gè)等效電容在場(chǎng)效應(yīng)管或者IGBT開(kāi)通的時(shí)候在某一階段會(huì)放大較多倍，進(jìn)而導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)電路需要提供的電壓電流增多
2024-01-11 16:47:48
反相放大電路中，輸入輸出之間的分布電容或者寄生電容由于放大器的方法作用，其等效到輸入端的電容值會(huì)擴(kuò)大1+k倍，k是增益。那么米勒效應(yīng)和上面說(shuō)的IGBT的正方向電容怎么聯(lián)系上？【2】位移電流是如何而來(lái)
2017-12-21 09:01:45
米勒平臺(tái)形成的基本原理米勒平臺(tái)形成的詳細(xì)過(guò)程
2021-03-18 06:52:14
發(fā)這個(gè)帖子之前，我糾結(jié)了很久……論壇里面有很多的高手，對(duì)MOSFET的結(jié)構(gòu)，驅(qū)動(dòng)，選用，計(jì)算等等都開(kāi)過(guò)專門的帖子講解與討論，比如水蜘蛛大師，sometimes版主等人，講解的非常的詳細(xì)，帖子的質(zhì)量
2021-10-29 14:43:42
90kW變頻器，當(dāng)電流達(dá)到110A以上時(shí)，IGBT在關(guān)斷的時(shí)候，出現(xiàn)這個(gè)波形，請(qǐng)問(wèn)是怎么回事？在110A以下就不出現(xiàn)。這是IGBT Vce的電壓波形，當(dāng)關(guān)斷的時(shí)候還要再開(kāi)通一下，這樣不就很容易上下橋直通了嗎？這是怎么回事呢？是米勒效應(yīng)導(dǎo)致的嗎？如何解決呢？
2017-07-24 10:06:32
電動(dòng)車轉(zhuǎn)換器72V轉(zhuǎn)12V我看到都是用MOSFET的場(chǎng)效應(yīng)管，能不能用JFET的場(chǎng)效應(yīng)管？？？？
2017-06-26 12:45:35
上一節(jié)講了MOS管的等效模型，引出了米勒振蕩，可以這么講，在電源設(shè)計(jì)中，米勒振蕩是一個(gè)很核心的一環(huán)，尤其是超過(guò)100KHz以上的頻率，而作者是做超高頻感應(yīng)加熱電源的，工作頻率在500K~1MHz范圍
2018-11-20 16:00:00
，Vds開(kāi)始下降，Id開(kāi)始上升，此時(shí)MOSFET進(jìn)入飽和區(qū)；但由于米勒效應(yīng)，Vgs會(huì)持續(xù)一段時(shí)間不再上升，此時(shí)Id已經(jīng)達(dá)到最大，而Vds還在繼續(xù)下降，直到米勒電容充滿電，Vgs又上升到驅(qū)動(dòng)電壓的值，此時(shí)
2021-01-27 15:15:03
。（MOS管不能很快得進(jìn)入開(kāi)關(guān)狀態(tài)）所以就出現(xiàn)了所謂的圖騰驅(qū)動(dòng)??！選擇MOS時(shí)，Cgd越小開(kāi)通損耗就越小。米勒效應(yīng)不可能完全消失。MOSFET中的米勒平臺(tái)實(shí)際上就是MOSFET處于“放大區(qū)”的典型標(biāo)志用用
2025-03-25 13:37:58
提升導(dǎo)通能量，當(dāng)柵極電阻降低時(shí)，導(dǎo)通能量也隨之降低。圖2 Eon和Rg的關(guān)系曲線當(dāng)橫跨柵極電阻器的壓降超過(guò)了半橋轉(zhuǎn)換器上MOSFET的閾值電壓，就會(huì)發(fā)生寄生導(dǎo)通，即米勒效應(yīng)。此時(shí)，反向恢復(fù)能量（Err
2019-07-09 04:20:19
也是幾乎沒(méi)有變化，理想情況下，我們就認(rèn)為它們是不變的。那么，到了某一時(shí)刻（t3），米勒平臺(tái)效應(yīng)就會(huì)結(jié)束。在米勒平臺(tái)期間，MOS管的DS內(nèi)阻Rdson在逐漸變小。圖片太多，完整見(jiàn)附件:上期回顧：從無(wú)到有，徹底搞懂MOSFET講解（四）
2021-06-02 10:37:35
低壓mos只有幾毫歐姆）的一個(gè)轉(zhuǎn)變過(guò)程。比如一個(gè)mos最大電流100a，電池電壓96v，在開(kāi)通過(guò)程中，有那么一瞬間（剛進(jìn)入米勒平臺(tái)時(shí)）mos發(fā)熱功率是P=V*I(此時(shí)電流已達(dá)最大，負(fù)載尚未跑起來(lái)，所有
2019-07-26 07:00:00
MOSFET開(kāi)時(shí)米勒平臺(tái)的形成過(guò)程的詳細(xì)解析！純手工畫(huà)圖解析，這資料還是可以的回帖直接下載原文檔 [hide]https://pan.baidu.com/s/1gf0A2pt[/hide]
2017-10-25 16:14:46
《什么是米勒鉗位？為什么碳化硅MOSFET特別需要米勒鉗位？》后反響熱烈，很多朋友留言詢問(wèn)課件資料。今天，我們將這期視頻的圖文講義奉上，方便大家更詳盡地了解在驅(qū)動(dòng)碳化硅MOSFET時(shí)采用米勒鉗位功能
2025-01-04 12:30:36
MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)過(guò)程，可以簡(jiǎn)單的理解為驅(qū)動(dòng)源對(duì)MOSFET的輸入電容的充放電過(guò)程；當(dāng)Cgs達(dá)到門檻電壓之后， MOSFET就會(huì)進(jìn)入開(kāi)通狀態(tài)；當(dāng)MOSFET開(kāi)通后，Vds開(kāi)始下降，Id開(kāi)始上升，此時(shí)MOSFET進(jìn)入飽和區(qū)；
2019-09-12 09:05:05
公式計(jì)算：同樣，關(guān)斷損耗的米勒平臺(tái)時(shí)間在關(guān)斷損耗中占主導(dǎo)地位。對(duì)于兩個(gè)不同的MOSFET，如A管和B管，即使A管的Qg和Ciss小于B管的，但如果A管的Crss比B管的大得多時(shí)，A管的開(kāi)關(guān)損耗就有可能
2017-03-06 15:19:01
的開(kāi)通過(guò)程中，跨越線性區(qū)是產(chǎn)生開(kāi)關(guān)損耗的最根本的原因。這表明：米勒平臺(tái)時(shí)間在開(kāi)通損耗中占主導(dǎo)地位，這也是為什么在選擇功率MOSFET的時(shí)候，如果關(guān)注開(kāi)關(guān)損耗，那么就應(yīng)該關(guān)注Crss或QGD，而不僅僅是
2017-02-24 15:05:54
場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Junction FET）的簡(jiǎn)稱，產(chǎn)生一個(gè)寄生的JFET，結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管是以PN結(jié)上的電場(chǎng)來(lái)控制所夾溝道中的電流，從而增加通態(tài)電阻。平面MOSFET的RDS(ON)由于下面幾個(gè)部分組成：RS : 源
2016-10-10 10:58:30
`功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)原理`
2012-08-20 09:10:49
極)及D(漏極)，如圖1d所示。從圖1中可以看出柵極G與漏極D及源極S是絕緣的，D與S之間有兩個(gè)PN結(jié)。一般情況下，襯底與源極在內(nèi)部連接在一起。圖1是N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)的基本結(jié)構(gòu)圖
2011-12-19 16:52:35
功率場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET,功率場(chǎng)控晶體管
2019-04-10 10:02:53
管MOSFET只需要柵極引腳上的電壓來(lái)允許電流在漏極和源極引腳之間流動(dòng)。場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET在實(shí)際設(shè)計(jì)中具有非常高的柵極阻抗，這就決定了MOSFET的一個(gè)特點(diǎn)，非常擅長(zhǎng)降低電路的運(yùn)行所需要的功率。先來(lái)簡(jiǎn)單介紹
2022-09-06 08:00:00
在過(guò)去的十幾年中，大功率場(chǎng)效應(yīng)管引發(fā)了電源工業(yè)的革命，而且大大地促進(jìn)了電子工業(yè)的發(fā)展。由于MOSFET管具有更快的開(kāi)關(guān)速度,電源開(kāi)關(guān)頻率可以做得更高,可以從50kHz提高到200kHz 甚至
2023-09-28 06:33:09
開(kāi)關(guān)MOSFET中的噪聲（STGF20NB60S）以上來(lái)自于谷歌翻譯以下為原文 NOISE IN SWITCHING MOSFET(STGF20NB60S)
2019-05-06 14:28:23
狀態(tài)) 所以就出現(xiàn)了所謂的圖騰驅(qū)動(dòng)!!選擇MOS管時(shí)，Cgd越小開(kāi)通損耗就越小。米勒效應(yīng)不可能完全消失?！ OS管中的米勒平臺(tái)實(shí)際上就是MOSFET處于“放大區(qū)”的典型標(biāo)志 用用示波器測(cè)量GS
2018-12-19 13:55:15
不變（A-B垂直橫軸），VGD的電壓為VGS-VDS，為負(fù)壓，就是D的電壓高于G。當(dāng)ID電流達(dá)到負(fù)載的最大允許電流ID(max)時(shí)，也就是圖3中的B點(diǎn)，MOSFET進(jìn)入下一個(gè)工作區(qū)：米勒平臺(tái)區(qū)。（3
2016-11-29 14:36:06
0V關(guān)閉SiC MOSFET時(shí)，必須考慮一種效應(yīng)，即Si MOSFET中已知的米勒效應(yīng)。當(dāng)器件用于橋式配置時(shí)，這種影響可能會(huì)出現(xiàn)問(wèn)題，尤其是當(dāng)一個(gè) SiC MOSFET 導(dǎo)通，而第二個(gè) SiC
2023-02-24 15:03:59
MOS管與IGBT是不是都有這個(gè)GS米勒效應(yīng)？
2019-09-05 03:29:03
三極管會(huì)不會(huì)存在米勒效應(yīng)
2019-09-10 04:37:38
請(qǐng)問(wèn)各路大神，場(chǎng)效應(yīng)管組成的放大電路，存在米勒效應(yīng)，階躍時(shí)間變得很長(zhǎng)，是不是需要增大前級(jí)驅(qū)動(dòng)電流，就能減小階躍時(shí)間，或者還有其他方法嗎，我看米勒效應(yīng)都在開(kāi)關(guān)狀態(tài)下來(lái)講解，但在放大狀態(tài)依然有米勒平臺(tái)，這是正常的嗎？
2018-08-08 10:29:41
功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOSFET摘要：文中闡述了MOSFET的結(jié)構(gòu)、工作原理、靜態(tài)、動(dòng)態(tài)特性，并對(duì)動(dòng)態(tài)特性的改進(jìn)進(jìn)行了論述，簡(jiǎn)介了MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路及其發(fā)展動(dòng)態(tài)。關(guān)鍵詞：MOSFET 結(jié)
2008-08-12 08:42:03
225 功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)原理
功率場(chǎng)效應(yīng)管(Power MOSFET)也叫電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種單極型的電壓控制器件，不但有自關(guān)斷能力,而且有驅(qū)動(dòng)功率小
2009-04-25 16:05:1010824 
米勒平臺(tái)是開(kāi)關(guān)管開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程中出現(xiàn)的極短平臺(tái)，學(xué)習(xí)了解米勒平臺(tái)的形成的原理，對(duì)它有個(gè)直觀的認(rèn)識(shí)，有利于我們分析實(shí)際的電路波形。
2016-11-02 17:20:3011 米勒效應(yīng)解決
2017-06-09 09:56:4049 米勒效應(yīng)在單電源門極驅(qū)動(dòng)過(guò)程中非常顯著?；陂T極G與集電極C之間的耦合，在IGBT關(guān)斷期間會(huì)產(chǎn)生一個(gè)很高的瞬態(tài)dv/dt，這樣會(huì)引發(fā)門極VGE間電壓升高而導(dǎo)通，這里存在著潛在的風(fēng)險(xiǎn)。
2019-02-04 11:17:0040609 
在描述米勒平臺(tái)（miller plateau）之前，首先來(lái)看看“罪魁禍?zhǔn)住?b class="flag-6" style="color: red">米勒效應(yīng)（miller effect） 。
2019-02-02 17:08:0071146 
使用IGBT時(shí)，面臨的常見(jiàn)問(wèn)題之一是由于米勒電容器而導(dǎo)致的寄生導(dǎo)通。在0至+15 V型柵極驅(qū)動(dòng)器（單電源驅(qū)動(dòng)器）中，這種影響是明顯的。
2021-05-17 07:31:009173 
當(dāng)IGBT在開(kāi)關(guān)時(shí)普遍會(huì)遇到的一個(gè)問(wèn)題即寄生米勒電容開(kāi)通期間的米勒平臺(tái)。米勒效應(yīng)在單電源門極驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用中影響是很明顯的?；陂T極G與集電極C之間的耦合，在IGBT關(guān)斷期間會(huì)產(chǎn)生一個(gè)很高的瞬態(tài)dv/dt，這樣會(huì)引發(fā)門極VGE間電壓升高而導(dǎo)通，這是一個(gè)潛在的風(fēng)險(xiǎn)（如圖1）。
2021-03-15 15:01:2623181 
MOS管即場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)，屬于壓控型，是一種應(yīng)用非常廣泛的功率型開(kāi)關(guān)元件，在開(kāi)關(guān)電源、逆變器、直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等設(shè)備中很常見(jiàn)，是電力電子的核心元件。
2022-02-16 16:38:466666 
本文介紹了米勒效應(yīng)的由來(lái)，并詳細(xì)分析了MOSFET開(kāi)關(guān)過(guò)程米勒效應(yīng)的影響，幫助定性理解米勒平臺(tái)的形成機(jī)制。最后給出了場(chǎng)效應(yīng)管柵極電荷的作用。
2022-03-10 14:44:188635 
米勒平臺(tái)的形成原理
2022-03-17 15:52:3811 米勒電容器寄生導(dǎo)通效應(yīng)的抑制方法
2022-03-17 15:32:1210 ，Vds開(kāi)始下降，Id開(kāi)始上升，此時(shí)MOSFET進(jìn)入飽和區(qū);但由于米勒效應(yīng)，Vgs會(huì)持續(xù)一段時(shí)間不再上升，此時(shí)Id已經(jīng)達(dá)到最大，而Vds還在繼續(xù)下降，直到米勒電容充滿電，Vgs又上升到驅(qū)動(dòng)電壓的值，此時(shí)MOSFET進(jìn)入電阻區(qū)，此時(shí)Vds徹底降下來(lái)，開(kāi)通結(jié)束。
2022-04-19 10:28:2746460 米勒效應(yīng)在MOS驅(qū)動(dòng)中臭名昭著，他是由MOS管的米勒電容引發(fā)的米勒效應(yīng)，在MOS管開(kāi)通過(guò)程中，GS電壓上升到某一電壓值后GS電壓有一段穩(wěn)定值，過(guò)后GS電壓又開(kāi)始上升直至完全導(dǎo)通。
2022-08-30 15:34:143533 對(duì)于MOSFET，米勒效應(yīng)（Miller Effect）指其輸入輸出之間的分布電容（柵漏電容）在反相放大作用下，使得等效輸入電容值放大的效應(yīng)。由于米勒效應(yīng)，MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)過(guò)程中，會(huì)形成平臺(tái)電壓，引起開(kāi)關(guān)時(shí)間變長(zhǎng)，開(kāi)關(guān)損耗增加，給MOS管的正常工作帶來(lái)非常不利的影響。
2022-10-28 10:18:3714075 MOS管的米勒效應(yīng)會(huì)在高頻開(kāi)關(guān)電路中，延長(zhǎng)開(kāi)關(guān)頻率、增加功耗、降低系統(tǒng)穩(wěn)定性，可謂是臭名昭著，各大廠商都在不遺余力的減少米勒電容。
2022-10-31 02:03:322584 
有源米勒鉗位技術(shù)
2022-11-15 20:06:077 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET 是具有源極 (S)、柵極 (G)、漏極 (D) 和體 (B) 端子的四端子器件。通常，場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET的主體與源極端子相連，從而形成三端器件，例如場(chǎng)效應(yīng)晶體管。場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET 通常被認(rèn)為是一種晶體管，并用于模擬和數(shù)字電路。
2023-01-08 10:00:593430 在現(xiàn)在使用的MOS和IGBT等開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用中，所需要面對(duì)一個(gè)常見(jiàn)的問(wèn)題 — 米勒效應(yīng)，本文將主要介紹MOS管在開(kāi)通過(guò)程中米勒效應(yīng)的成因、表現(xiàn)、危害及應(yīng)對(duì)方法。
2023-02-10 14:05:5012292 
在上一篇文章中詳細(xì)描述了帶阻性負(fù)載時(shí)米勒平臺(tái)是怎樣的，對(duì)各階段做了定量分析，相信看過(guò)的同學(xué)應(yīng)該會(huì)有所收獲。今天我們來(lái)聊一聊帶感性負(fù)載時(shí)米勒平臺(tái)是怎樣的。
2023-03-26 13:40:486205 關(guān)于MOS管的米勒效應(yīng)，已經(jīng)輸出了8篇，今天這一篇是MOS管章節(jié)的最后一篇，下一篇就開(kāi)始整理運(yùn)放相關(guān)的內(nèi)容。我個(gè)人認(rèn)為今天聊的這個(gè)話題至關(guān)重要：抑制米勒效應(yīng)和抑制EMI之間如何平衡。
2023-04-17 10:28:199760 米勒效應(yīng)（Miller effect）是在電子學(xué)中，反相放大電路中，輸入與輸出之間的分布電容或寄生電容由于放大器的放大作用，其等效到輸入端的電容值會(huì)擴(kuò)大1+K倍，其中K是該級(jí)放大電路電壓放大倍數(shù)
2023-05-15 16:11:3211545 
之前我們?cè)诮榻BMOS和IGBT的文章中也有提到米勒電容和米勒效應(yīng)的概念，在IGBT的導(dǎo)通過(guò)程分析的文章中我們也簡(jiǎn)單提到過(guò)米勒平臺(tái)
2023-05-25 17:24:2511354 
搞電力電子的同學(xué)想必經(jīng)常被“米勒效應(yīng)”這個(gè)詞困擾。米勒效應(yīng)增加開(kāi)關(guān)延時(shí)不說(shuō)，還可能引起寄生導(dǎo)通，增加器件損耗。那么米勒效應(yīng)是如何產(chǎn)生的，我們又該如何應(yīng)對(duì)呢？我們先來(lái)看IGBT開(kāi)通時(shí)的典型波形：上圖
2023-03-03 16:04:065928 
場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET是mos管嗎？場(chǎng)效應(yīng)管mos管的區(qū)別？場(chǎng)效應(yīng)管和mos管有什么不一樣的地方？? MOSFET和場(chǎng)效應(yīng)管（FET）都屬于半導(dǎo)體器件中的一種，類似晶體管。MOSFET是MOS（金屬
2023-09-02 11:31:156348 ，被廣泛應(yīng)用于衰減器、振蕩器、濾波器、驅(qū)動(dòng)電路和放大器等領(lǐng)域。其中，它的減小米勒電容的效應(yīng)是一個(gè)非常重要的特性。 米勒電容指的是晶體管的輸入電容和輸出電容，這些電容會(huì)在電路中產(chǎn)生不良影響。當(dāng)晶體管中的頻率降
2023-09-05 17:29:362717 如何減輕米勒電容所引起的寄生導(dǎo)通效應(yīng)？? 米勒電容是指由電路中存在的電感所形成的電容。它可以導(dǎo)致電路中的寄生導(dǎo)通效應(yīng)，從而影響電路的性能。常見(jiàn)的一種解決方法是使用補(bǔ)償電容，但這么做也會(huì)帶來(lái)其他
2023-09-05 17:29:392463 決定了IGBT的性能、可靠性和穩(wěn)定性。米勒電容是影響IGBT關(guān)斷時(shí)間的一個(gè)重要因素。 米勒電容是電路中的一種電容，它受到信號(hào)傳輸線或?qū)Ь€的電場(chǎng)影響而產(chǎn)生的，其本質(zhì)是信號(hào)傳輸線或?qū)Ь€上的電荷之間的相互作用。米勒電容通常會(huì)影響電路的性能或者
2023-09-05 17:29:423352 米勒電容效應(yīng)怎么解決？? 米勒電容效應(yīng)是指在一個(gè)帶有放大器的電路中，負(fù)載電容會(huì)產(chǎn)生一種反饋效應(yīng)，使得整個(gè)電路的增益降低或者不穩(wěn)定。這種效應(yīng)的產(chǎn)生會(huì)影響到很多電路的穩(wěn)定性和性能，是電子設(shè)計(jì)中必須面對(duì)
2023-09-18 09:15:454515 場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)也叫場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種單極型的電壓控制器件
2023-10-08 17:23:342721 
MOS管開(kāi)通過(guò)程的米勒效應(yīng)及應(yīng)對(duì)措施
2023-11-27 17:52:434792 
在半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)中使用共源共柵拓?fù)湎?b class="flag-6" style="color: red">米勒效應(yīng)
2023-12-07 11:36:431446 
相較于硅MOSFET和硅IGBT，碳化硅MOSFET具有更快的開(kāi)關(guān)速度、導(dǎo)通電阻更低、開(kāi)啟電壓更低的特點(diǎn)，越來(lái)越廣泛應(yīng)用于新能源汽車、工業(yè)、交通、醫(yī)療等領(lǐng)域。在橋式電路中，碳化硅MOSFET具有更快
2024-06-21 09:48:264964 
放大器的米勒效應(yīng)（Miller Effect），也稱為密勒效應(yīng)或反饋電容倍增效應(yīng)，是電子學(xué)中的一個(gè)重要概念，尤其在模擬電路設(shè)計(jì)中具有顯著影響。它主要涉及到放大器中反饋電容對(duì)電路性能的影響，特別是在
2024-08-16 17:05:597222 。本文將從專業(yè)的角度，詳細(xì)探討MOSFET并聯(lián)在高功率設(shè)計(jì)中的原理、挑戰(zhàn)、解決方案和實(shí)際應(yīng)用。隨著電力電子技術(shù)的快速發(fā)展，MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體
2024-12-04 01:07:001765 
上面是一個(gè)正常情況下，電容兩端電壓的充電波形。但事實(shí)上，MOSFET 除 了在 GS 端存在電容之外，它還有 GD 電容，DS 電容。那么，GD 之間的電容， 我們把它稱之為米勒電容，實(shí)際上米勒電容
2025-04-17 13:25:179 在高頻開(kāi)關(guān)電路設(shè)計(jì)中，很多工程師都會(huì)遇到這樣的問(wèn)題，明明給MOS管柵極加了足夠的電壓，MOS管卻要延遲一段時(shí)間才能完全導(dǎo)通，甚至出現(xiàn)柵極電壓停滯的情況。這其實(shí)和MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管特有的米勒平臺(tái)有關(guān)
2025-12-03 16:15:531146 
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