Part 01 前言 MOSFET米勒效應(yīng)是指在MOSFET的開關(guān)過程中，由于柵極-漏極之間的電容Cgd的存在，漏極電壓的變化會(huì)通過該電容耦合到柵極，導(dǎo)致柵極電壓出現(xiàn)不希望的變化。 在MOSFET
2025-01-07 17:38:05
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當(dāng)IGBT在開關(guān)時(shí)普遍會(huì)遇到的一個(gè)問題即寄生米勒電容開通期間的米勒平臺(tái)。米勒效應(yīng)在單電源門極驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用中影響是很明顯的。基于門極G與集電極C之間的耦合，在IGBT關(guān)斷期間會(huì)產(chǎn)生一個(gè)很高的瞬態(tài)dv
2015-01-14 17:10:299216 
米勒效應(yīng)在MOS驅(qū)動(dòng)中臭名昭著，他是由MOS管的米勒電容引發(fā)的米勒效應(yīng)，在MOS管開通過程中，GS電壓上升到某一電壓值后GS電壓有一段穩(wěn)定值，過后GS電壓又開始上升直至完全導(dǎo)通。為什么會(huì)有穩(wěn)定值這段
2018-09-28 08:02:0021643 作者：Stephen Woodward 雖然最初人們認(rèn)為米勒效應(yīng)只不過是會(huì)限制帶寬和穩(wěn)定性的不想要的寄生電容倍增器，但它現(xiàn)在已被有用的拓?fù)渌杉{，如模擬示波器時(shí)基積分器。根據(jù)這樣一個(gè)事實(shí)：如果放大器
2021-01-26 16:05:204014 
上篇文章聊了MOS管-傳輸特性曲線的細(xì)微之處，希望同學(xué)們能精準(zhǔn)識(shí)別三種特性曲線的區(qū)別，而不是死記硬背。研究MOS管，一定繞不開一個(gè)重要現(xiàn)象——Miller效應(yīng)，今天我們就一起探討下，一次聊不完，可能會(huì)分幾篇來探討。
2023-02-01 10:18:413166 在說MOS管的米勒效應(yīng)之前我們先看下示波器測(cè)量的這個(gè)波形。
2023-02-03 15:35:475150 
對(duì)于MOSFET，米勒效應(yīng)（Miller Effect）指其輸入輸出之間的分布電容（柵漏電容）在反相放大作用下，使得等效輸入電容值放大的效應(yīng)。由于米勒效應(yīng)，MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)過程中，會(huì)形成平臺(tái)電壓，引起開關(guān)時(shí)間變長(zhǎng)，開關(guān)損耗增加，給MOS管的正常工作帶來非常不利的影響。
2023-04-26 09:20:535662 
MOS管具有三個(gè)內(nèi)在的寄生電容：Cgs、Cgd、Cds。這一點(diǎn)在MOS管的規(guī)格書中可以體現(xiàn)（規(guī)格書常用Ciss、Coss、Crss這三個(gè)參數(shù)代替）。MOS管之所以存在米勒效應(yīng)，以及ＧＳ之間要并電阻，其源頭都在于這三個(gè)寄生電容。
2023-05-08 09:08:545235 
本文主要介紹了米勒效應(yīng)的由來，并詳細(xì)分析了MOSFET開關(guān)過程米勒效應(yīng)的影響，幫助定性理解米勒平臺(tái)的形成機(jī)制。最后給出了場(chǎng)效應(yīng)管柵極電荷的作用。
2023-05-16 09:47:344059 
通過了解MOS管的的開關(guān)過程，以及MOS米勒電容的影響，來改進(jìn)MOS管設(shè)計(jì)。
2023-07-21 09:19:369974 
MOS管具有三個(gè)內(nèi)在的寄生電容：Cgs、Cgd、Cds。這一點(diǎn)在MOS管的規(guī)格書中可以體現(xiàn)（規(guī)格書常用Ciss、Coss、Crss這三個(gè)參數(shù)代替）。MOS管之所以存在米勒效應(yīng)，以及ＧＳ之間要并電阻
2023-08-26 08:12:553731 
米勒電容（Miller capacitance）通常用于運(yùn)算放大器頻率補(bǔ)償?shù)姆椒ㄖ小?/div>
2023-09-18 09:44:476030 
米勒平臺(tái)的形成與其材料、制造工藝息息相關(guān)，當(dāng)GE之間電壓大于閾值點(diǎn)的時(shí)候，管子的CE電壓開始下降，但是下降的速度十分緩慢
2023-11-03 14:55:5711542 
各位小伙伴，不久前我們推送了“SiC科普小課堂”視頻課——《什么是米勒鉗位？為什么碳化硅MOSFET特別需要米勒鉗位？》后反響熱烈，很多朋友留言詢問課件資料。今天，我們將這期視頻的圖文講義奉上，方便大家更詳盡地了解在驅(qū)動(dòng)碳化硅MOSFET時(shí)采用米勒鉗位功能的必要性。
2024-12-19 11:39:123053 
了，沒錯(cuò)就是米勒電容。我們都知道因?yàn)槎嗑Ч鑼挾?、溝道與溝槽寬度、G極氧化層厚度、PN結(jié)摻雜輪廓等因素，MOS管會(huì)產(chǎn)生寄生電容?！ ∷鼈兎謩e是輸入電容Ciss、輸出電容Coss、反向傳輸電容Crss
2023-03-15 16:55:58
也叫米勒電容，而在MOS管開關(guān)導(dǎo)通或者關(guān)斷的那段時(shí)間，也就是積分那段時(shí)間，叫米勒平臺(tái)，如下圖圓圈中的那部分為米勒平臺(tái)，右邊的是振蕩嚴(yán)重的米勒振蕩：因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">MOS管的反饋引入了電容，當(dāng)這個(gè)電容足夠大，并且
2018-11-21 14:43:01
米勒振蕩可以認(rèn)為是開關(guān)電源設(shè)計(jì)的核心關(guān)鍵。A、減緩驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度 1、提高MOS管G極的輸入串聯(lián)電阻，一般該電阻阻值在1~100歐姆之間，具體值看MOS管的特性和工作頻率，阻值越大，開關(guān)速度越緩。2、在MOS
2018-11-26 11:40:06
上一節(jié)講了MOS管的等效模型，引出了米勒振蕩，可以這么講，在電源設(shè)計(jì)中，米勒振蕩是一個(gè)很核心的一環(huán)，尤其是超過100KHz以上的頻率，而作者是做超高頻感應(yīng)加熱電源的，工作頻率在500K~1MHz范圍
2018-11-20 16:00:00
，Vds開始下降，Id開始上升，此時(shí)MOSFET進(jìn)入飽和區(qū)；但由于米勒效應(yīng)，Vgs會(huì)持續(xù)一段時(shí)間不再上升，此時(shí)Id已經(jīng)達(dá)到最大，而Vds還在繼續(xù)下降，直到米勒電容充滿電，Vgs又上升到驅(qū)動(dòng)電壓的值，此時(shí)
2021-01-27 15:15:03
。（MOS管不能很快得進(jìn)入開關(guān)狀態(tài)）所以就出現(xiàn)了所謂的圖騰驅(qū)動(dòng)！！選擇MOS時(shí)，Cgd越小開通損耗就越小。米勒效應(yīng)不可能完全消失。MOSFET中的米勒平臺(tái)實(shí)際上就是MOSFET處于“放大區(qū)”的典型標(biāo)志用用
2025-03-25 13:37:58
米勒平臺(tái)形成的基本原理米勒平臺(tái)形成的詳細(xì)過程
2021-03-18 06:52:14
場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT的驅(qū)動(dòng)經(jīng)常聽到米勒效應(yīng)這個(gè)詞，查閱了一些資料是柵極和漏極之間的等效電容，這個(gè)等效電容在場(chǎng)效應(yīng)管或者IGBT開通的時(shí)候在某一階段會(huì)放大較多倍，進(jìn)而導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)電路需要提供的電壓電流增多
2024-01-11 16:47:48
【不懂就問】看到TI的一個(gè)三相逆變器設(shè)計(jì)資料中，關(guān)于有源米勒鉗位的設(shè)計(jì)這是一段原話“開關(guān)IGBT過程中，位移電流流經(jīng)IGBT的GE極電容，使其柵極電壓上升，可能讓器件誤導(dǎo)通原因是，當(dāng)逆變器的上管導(dǎo)
2017-12-21 09:01:45
90kW變頻器，當(dāng)電流達(dá)到110A以上時(shí)，IGBT在關(guān)斷的時(shí)候，出現(xiàn)這個(gè)波形，請(qǐng)問是怎么回事？在110A以下就不出現(xiàn)。這是IGBT Vce的電壓波形，當(dāng)關(guān)斷的時(shí)候還要再開通一下，這樣不就很容易上下橋直通了嗎？這是怎么回事呢？是米勒效應(yīng)導(dǎo)致的嗎？如何解決呢？
2017-07-24 10:06:32
損耗與減小米勒平臺(tái)區(qū)間的損耗方法討論9-降低開關(guān)損耗帶來的其它問題分析及高壓 MOSFET 柵極電阻取值10-MOSFET 柵極電阻與米勒平臺(tái)時(shí)間取值及橋式電路分析11-橋式電路管子誤觸發(fā)因素討論
2021-09-08 09:52:54
產(chǎn)生很大感抗，這里面就有電容，電感，電阻組成震蕩電路（能形成2個(gè)回路），并且電流脈沖越強(qiáng)頻率越高震蕩幅度越大。所以最關(guān)鍵的問題就是這個(gè)米勒平臺(tái)如何過渡。Gs極加電容，減慢mos管導(dǎo)通時(shí)間，有助于減小米勒
2019-07-26 07:00:00
MOSFET開時(shí)米勒平臺(tái)的形成過程的詳細(xì)解析！純手工畫圖解析，這資料還是可以的回帖直接下載原文檔 [hide]https://pan.baidu.com/s/1gf0A2pt[/hide]
2017-10-25 16:14:46
MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)過程，可以簡(jiǎn)單的理解為驅(qū)動(dòng)源對(duì)MOSFET的輸入電容的充放電過程；當(dāng)Cgs達(dá)到門檻電壓之后， MOSFET就會(huì)進(jìn)入開通狀態(tài)；當(dāng)MOSFET開通后，Vds開始下降，Id開始上升，此時(shí)MOSFET進(jìn)入飽和區(qū)；
2019-09-12 09:05:05
MOSFET達(dá)到抑制誤開通的效果。04 米勒鉗位作用//雙脈沖平臺(tái)實(shí)測(cè)對(duì)比測(cè)試條件：上管VGS=0V/+18V,下管VGS=0V；VDS=800V；ID=40A；Rg=8.2Ω；Lload=200uH；Ta
2025-01-04 12:30:36
組成震蕩電路（能形成2個(gè)回路），并且電流脈沖越強(qiáng)頻率越高震蕩幅度越大，所以最關(guān)鍵的問題就是這個(gè)米勒平臺(tái)如何過渡。 Gs極加電容，減慢mos管導(dǎo)通時(shí)間，有助于減小米勒振蕩。防止mos管燒毀。 過快的充電會(huì)
2020-06-26 13:11:45
在給三極管一個(gè)負(fù)信號(hào)，打開三極管從而打開場(chǎng)效應(yīng)管，在遇到場(chǎng)效應(yīng)管的米勒平臺(tái)（通道4）時(shí)，三極管的三個(gè)管腳的電壓也出現(xiàn)了平臺(tái)，這似乎時(shí)被米勒平臺(tái)的電壓給鉗制住了一樣，本人是個(gè)電路小白，望大神們指點(diǎn)現(xiàn)象原因
2018-10-29 16:44:41
的米勒平臺(tái)區(qū)，它會(huì)影響MOS管的開通和關(guān)斷過程。對(duì)于這個(gè)平臺(tái)區(qū)，在開關(guān)電源中會(huì)引起較大的開關(guān)損耗，這是它不利的一面；但是在EMI超標(biāo)的時(shí)候，適當(dāng)?shù)脑黾覥gd電容，延長(zhǎng)MOS管的開通過程，又可以用來降低
2023-03-22 14:52:34
也叫米勒電容，而在MOS管開關(guān)導(dǎo)通或者關(guān)斷的那段時(shí)間，也就是積分那段時(shí)間，叫米勒平臺(tái)，如下圖圓圈中的那部分為米勒平臺(tái)，右邊的是振蕩嚴(yán)重的米勒振蕩： 因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">MOS管的反饋引入了電容，當(dāng)這個(gè)電容足夠大，并且
2018-11-27 14:11:15
狀態(tài)) 所以就出現(xiàn)了所謂的圖騰驅(qū)動(dòng)!!選擇MOS管時(shí)，Cgd越小開通損耗就越小。米勒效應(yīng)不可能完全消失?！ ?b class="flag-6" style="color: red">MOS管中的米勒平臺(tái)實(shí)際上就是MOSFET處于“放大區(qū)”的典型標(biāo)志 用用示波器測(cè)量GS
2018-12-19 13:55:15
MOS管與IGBT是不是都有這個(gè)GS米勒效應(yīng)？
2019-09-05 03:29:03
三極管會(huì)不會(huì)存在米勒效應(yīng)
2019-09-10 04:37:38
請(qǐng)問各路大神，場(chǎng)效應(yīng)管組成的放大電路，存在米勒效應(yīng)，階躍時(shí)間變得很長(zhǎng)，是不是需要增大前級(jí)驅(qū)動(dòng)電流，就能減小階躍時(shí)間，或者還有其他方法嗎，我看米勒效應(yīng)都在開關(guān)狀態(tài)下來講解，但在放大狀態(tài)依然有米勒平臺(tái)，這是正常的嗎？
2018-08-08 10:29:41
調(diào)諧米勒振蕩器射頻電路(Tuned Miller oscillator RF circuit)
2008-11-24 12:30:392262 
二級(jí)米勒補(bǔ)償運(yùn)算放大器的課程設(shè)計(jì)-模擬IC相關(guān)!
2016-07-25 17:45:30
11 米勒平臺(tái)是開關(guān)管開通和關(guān)斷過程中出現(xiàn)的極短平臺(tái)，學(xué)習(xí)了解米勒平臺(tái)的形成的原理，對(duì)它有個(gè)直觀的認(rèn)識(shí)，有利于我們分析實(shí)際的電路波形。
2016-11-02 17:20:3011 米勒效應(yīng)解決
2017-06-09 09:56:4049 米勒效應(yīng)在單電源門極驅(qū)動(dòng)過程中非常顯著?；陂T極G與集電極C之間的耦合，在IGBT關(guān)斷期間會(huì)產(chǎn)生一個(gè)很高的瞬態(tài)dv/dt，這樣會(huì)引發(fā)門極VGE間電壓升高而導(dǎo)通，這里存在著潛在的風(fēng)險(xiǎn)。
2019-02-04 11:17:0040609 
在描述米勒平臺(tái)（miller plateau）之前，首先來看看“罪魁禍?zhǔn)住?b class="flag-6" style="color: red">米勒效應(yīng)（miller effect） 。
2019-02-02 17:08:0071146 
MOS管的等效模型 我們通常看到的MOS管圖形是左邊這種，右邊的稱為MOS管的等效模型。
2020-09-24 11:24:3731522 
使用IGBT時(shí)，面臨的常見問題之一是由于米勒電容器而導(dǎo)致的寄生導(dǎo)通。在0至+15 V型柵極驅(qū)動(dòng)器（單電源驅(qū)動(dòng)器）中，這種影響是明顯的。
2021-05-17 07:31:009173 
如下是一個(gè) NMOS 的開關(guān)電路，階躍信號(hào) VG1 設(shè)置 DC 電平 2V，方波（振幅 2V，頻率 50Hz），T2 的開啟電壓 2V，所以 MOS 管 T2 會(huì)以周期 T=20ms 進(jìn)行開啟和截止?fàn)顟B(tài)的切換。
2020-12-01 23:00:0037 如下是一個(gè)NMOS的開關(guān)電路，階躍信號(hào)VG1設(shè)置DC電平2V，方波（振幅2V，頻率50Hz），T2的開啟電壓2V，所以MOS管T2會(huì)以周期T＝20ms進(jìn)行開啟和截止?fàn)顟B(tài)的切換。
2020-12-24 15:45:44987 當(dāng)IGBT在開關(guān)時(shí)普遍會(huì)遇到的一個(gè)問題即寄生米勒電容開通期間的米勒平臺(tái)。米勒效應(yīng)在單電源門極驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用中影響是很明顯的?；陂T極G與集電極C之間的耦合，在IGBT關(guān)斷期間會(huì)產(chǎn)生一個(gè)很高的瞬態(tài)dv/dt，這樣會(huì)引發(fā)門極VGE間電壓升高而導(dǎo)通，這是一個(gè)潛在的風(fēng)險(xiǎn)（如圖1）。
2021-03-15 15:01:2623181 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供米勒平臺(tái)形成的基本原理與詳細(xì)過程資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計(jì)、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-05 08:41:1898 Mos在控制器電路中的工作狀態(tài)：開通過程（由截止到導(dǎo)通的過渡過程）、導(dǎo)通狀態(tài)、關(guān)斷過程（由導(dǎo)通到截止的過渡過程）、截止?fàn)顟B(tài)。
2022-02-09 11:55:4112 MOS管的細(xì)節(jié)
2022-02-11 16:33:054 MOS管即場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)，屬于壓控型，是一種應(yīng)用非常廣泛的功率型開關(guān)元件，在開關(guān)電源、逆變器、直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等設(shè)備中很常見，是電力電子的核心元件。
2022-02-16 16:38:466666 
本文介紹了米勒效應(yīng)的由來，并詳細(xì)分析了MOSFET開關(guān)過程米勒效應(yīng)的影響，幫助定性理解米勒平臺(tái)的形成機(jī)制。最后給出了場(chǎng)效應(yīng)管柵極電荷的作用。
2022-03-10 14:44:188635 
米勒平臺(tái)的形成原理
2022-03-17 15:52:3811 米勒電容器寄生導(dǎo)通效應(yīng)的抑制方法
2022-03-17 15:32:1210 如下是一個(gè)NMOS的開關(guān)電路，階躍信號(hào)VG1設(shè)置DC電平2V，方波（振幅2V，頻率50Hz），T2的開啟電壓2V，所以MOS管T2會(huì)以同期T=20ms進(jìn)行開啟和截止?fàn)顟B(tài)的切換。
2022-03-29 13:56:161 ，Vds開始下降，Id開始上升，此時(shí)MOSFET進(jìn)入飽和區(qū);但由于米勒效應(yīng)，Vgs會(huì)持續(xù)一段時(shí)間不再上升，此時(shí)Id已經(jīng)達(dá)到最大，而Vds還在繼續(xù)下降，直到米勒電容充滿電，Vgs又上升到驅(qū)動(dòng)電壓的值，此時(shí)MOSFET進(jìn)入電阻區(qū)，此時(shí)Vds徹底降下來，開通結(jié)束。
2022-04-19 10:28:2746460 從t1時(shí)刻開始，MOS進(jìn)入了飽和區(qū)。在飽和有轉(zhuǎn)移特性：Id=Vgs*Gm。其中Gm是跨導(dǎo)，只要Id不變Vgs就不變。Id在上升到最大值以后，而此時(shí)又處于飽和區(qū)，所以Vgs就會(huì)維持不變。
2022-08-22 09:11:434963 由于米勒電容阻止了Vgs的上升，從而也就阻止了Vds的下降，這樣就會(huì)使損耗的時(shí)間加長(zhǎng)。（Vgs上升，則導(dǎo)通電阻下降，從而Vds下降）
2022-08-29 11:28:1046707 米勒效應(yīng)在MOS驅(qū)動(dòng)中臭名昭著，他是由MOS管的米勒電容引發(fā)的米勒效應(yīng)，在MOS管開通過程中，GS電壓上升到某一電壓值后GS電壓有一段穩(wěn)定值，過后GS電壓又開始上升直至完全導(dǎo)通。
2022-08-30 15:34:143533 對(duì)于MOSFET，米勒效應(yīng)（Miller Effect）指其輸入輸出之間的分布電容（柵漏電容）在反相放大作用下，使得等效輸入電容值放大的效應(yīng)。由于米勒效應(yīng)，MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)過程中，會(huì)形成平臺(tái)電壓，引起開關(guān)時(shí)間變長(zhǎng)，開關(guān)損耗增加，給MOS管的正常工作帶來非常不利的影響。
2022-10-28 10:18:3714075 MOS管的米勒效應(yīng)會(huì)在高頻開關(guān)電路中，延長(zhǎng)開關(guān)頻率、增加功耗、降低系統(tǒng)穩(wěn)定性，可謂是臭名昭著，各大廠商都在不遺余力的減少米勒電容。
2022-10-31 02:03:322584 
有源米勒鉗位技術(shù)
2022-11-15 20:06:077 大，在寄生電感上產(chǎn)生的電壓更大。這種震蕩的特點(diǎn)是柵極電壓有過沖現(xiàn)象，超過米勒平臺(tái)電壓后下降，在米勒平臺(tái)附近產(chǎn)生柵極電壓震蕩。
2022-11-24 09:34:2418780 MOS管是 金氧半場(chǎng)效晶體管 它的原理是怎么樣的？ 他又有哪些特性？ 視頻詳解來了 MOS管比三極管好在哪里？ ? MOS管的工作原理 ? MOS管驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì) ? MOS管的米勒平臺(tái) ? 更多MOS管
2022-12-14 11:34:521616 在現(xiàn)在使用的MOS和IGBT等開關(guān)電源應(yīng)用中，所需要面對(duì)一個(gè)常見的問題 — 米勒效應(yīng)，本文將主要介紹MOS管在開通過程中米勒效應(yīng)的成因、表現(xiàn)、危害及應(yīng)對(duì)方法。
2023-02-10 14:05:5012292 
IGBT米勒平臺(tái)產(chǎn)生原因 我們?cè)谑褂肐GBT的時(shí)候，可以從手冊(cè)中得到IGBT柵極的充電特性，但是柵極的充電特性在中間一部分會(huì)出現(xiàn)一個(gè)平臺(tái)電壓，影響著IGBT的動(dòng)態(tài)性能，這是為什么呢？ IGBT
2023-02-22 14:27:3011 在上一篇文章中詳細(xì)描述了帶阻性負(fù)載時(shí)米勒平臺(tái)是怎樣的，對(duì)各階段做了定量分析，相信看過的同學(xué)應(yīng)該會(huì)有所收獲。今天我們來聊一聊帶感性負(fù)載時(shí)米勒平臺(tái)是怎樣的。
2023-03-26 13:40:486205 關(guān)于MOS管的米勒效應(yīng)，已經(jīng)輸出了8篇，今天這一篇是MOS管章節(jié)的最后一篇，下一篇就開始整理運(yùn)放相關(guān)的內(nèi)容。我個(gè)人認(rèn)為今天聊的這個(gè)話題至關(guān)重要：抑制米勒效應(yīng)和抑制EMI之間如何平衡。
2023-04-17 10:28:199760 。雖然一般密勒效應(yīng)指的是電容的放大，但是任何輸入與其它高放大節(jié)之間的阻抗也能夠通過密勒效應(yīng)改變放大器的輸入阻抗。米勒效應(yīng)是以約翰·米爾頓·米勒命名的。1919年或1920年密勒在研究真空管三極管時(shí)發(fā)現(xiàn)了這個(gè)效應(yīng)，但是這個(gè)效應(yīng)也適用于現(xiàn)代的半導(dǎo)體三極管。說白了就是通過電容輸出對(duì)輸入產(chǎn)生了影響。
2023-05-15 16:11:3211545 
之前我們?cè)诮榻BMOS和IGBT的文章中也有提到米勒電容和米勒效應(yīng)的概念，在IGBT的導(dǎo)通過程分析的文章中我們也簡(jiǎn)單提到過米勒平臺(tái)
2023-05-25 17:24:2511354 
搞電力電子的同學(xué)想必經(jīng)常被“米勒效應(yīng)”這個(gè)詞困擾。米勒效應(yīng)增加開關(guān)延時(shí)不說，還可能引起寄生導(dǎo)通，增加器件損耗。那么米勒效應(yīng)是如何產(chǎn)生的，我們又該如何應(yīng)對(duì)呢？我們先來看IGBT開通時(shí)的典型波形：上圖
2023-03-03 16:04:065928 
要比喻的話，三極管像綠皮車，MOS管像高鐵。 MOS管即場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET），屬于壓控型，是一種應(yīng)用非常廣泛的功率型開關(guān)元件，在開關(guān)電源、逆變器、直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等設(shè)備中很常見， 是電力電子的核心
2023-08-26 19:35:021959 
MOS管的靜態(tài)電流增大對(duì)它的密勒電容有影響嗎？? MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是一種常見的晶體管，因其功耗低、高速
2023-09-05 17:29:342010 ，被廣泛應(yīng)用于衰減器、振蕩器、濾波器、驅(qū)動(dòng)電路和放大器等領(lǐng)域。其中，它的減小米勒電容的效應(yīng)是一個(gè)非常重要的特性。 米勒電容指的是晶體管的輸入電容和輸出電容，這些電容會(huì)在電路中產(chǎn)生不良影響。當(dāng)晶體管中的頻率降
2023-09-05 17:29:362717 如何減輕米勒電容所引起的寄生導(dǎo)通效應(yīng)？? 米勒電容是指由電路中存在的電感所形成的電容。它可以導(dǎo)致電路中的寄生導(dǎo)通效應(yīng)，從而影響電路的性能。常見的一種解決方法是使用補(bǔ)償電容，但這么做也會(huì)帶來其他
2023-09-05 17:29:392463 米勒電容對(duì)IGBT關(guān)斷時(shí)間的影響? IGBT，即絕緣柵雙極性晶體管，是一種高效、高穩(wěn)定性的半導(dǎo)體器件。它是一種功率開關(guān)元件，能夠控制大電流和高電壓的開關(guān)。IGBT的關(guān)斷時(shí)間是非常重要的一個(gè)參數(shù)，它
2023-09-05 17:29:423352 米勒電容效應(yīng)怎么解決？? 米勒電容效應(yīng)是指在一個(gè)帶有放大器的電路中，負(fù)載電容會(huì)產(chǎn)生一種反饋效應(yīng)，使得整個(gè)電路的增益降低或者不穩(wěn)定。這種效應(yīng)的產(chǎn)生會(huì)影響到很多電路的穩(wěn)定性和性能，是電子設(shè)計(jì)中必須面對(duì)
2023-09-18 09:15:454515 MOS管開通過程的米勒效應(yīng)及應(yīng)對(duì)措施
2023-11-27 17:52:434792 
在半導(dǎo)體開關(guān)中使用共源共柵拓?fù)湎?b class="flag-6" style="color: red">米勒效應(yīng)
2023-12-07 11:36:431446 
魏德米勒集團(tuán)宣布，總部位于德國(guó)漢堡的Joachim Herz基金會(huì)以增資的方式入股魏德米勒。該基金會(huì)目前持有該家族企業(yè)約20%的股份。這項(xiàng)投資旨在促進(jìn)魏德米勒的長(zhǎng)遠(yuǎn)發(fā)展并加快其未來的發(fā)展進(jìn)程。
2024-07-30 09:49:461043 放大器的米勒效應(yīng)（Miller Effect），也稱為密勒效應(yīng)或反饋電容倍增效應(yīng)，是電子學(xué)中的一個(gè)重要概念，尤其在模擬電路設(shè)計(jì)中具有顯著影響。它主要涉及到放大器中反饋電容對(duì)電路性能的影響，特別是在
2024-08-16 17:05:597222 在MOS管的上下橋驅(qū)動(dòng)中，有這種現(xiàn)象。如下圖，一個(gè)管子處在米勒平臺(tái)的時(shí)候，會(huì)給另一個(gè)管子的Vgs電壓充電。我用的這個(gè)管子的閾值電壓最小值是1.4V，這就有可能會(huì)導(dǎo)致上下兩個(gè)管直通。這是MOS管的固有現(xiàn)象，只能減小，不能消除。下面分析原因。
2024-10-08 17:08:411386 
德米勒作為經(jīng)驗(yàn)豐富的智能工業(yè)聯(lián)接專家，以其堅(jiān)定不移且卓越不凡的可持續(xù)發(fā)展的踐行之姿，榮耀蟬聯(lián)EcoVadis 金獎(jiǎng)。在2024年EcoVadis所評(píng)估的企業(yè)中，魏德米勒躋身優(yōu)秀企業(yè)的前5%。
2025-01-10 10:08:001001 今年是全球電聯(lián)解決方案專家魏德米勒成立175周年，這是歷史的積淀，更是其持續(xù)進(jìn)化、不斷突破的卓越生命力。近日，CONTROL ENGINEERING China記者專訪了魏德米勒亞太區(qū)電氣柜產(chǎn)品事業(yè)部總監(jiān)Lars Kosubek先生，就當(dāng)下熱點(diǎn)與魏德米勒優(yōu)勢(shì)等話題，展開深度對(duì)話。
2025-11-10 10:57:20631 在高頻開關(guān)電路設(shè)計(jì)中，很多工程師都會(huì)遇到這樣的問題，明明給MOS管柵極加了足夠的電壓，MOS管卻要延遲一段時(shí)間才能完全導(dǎo)通，甚至出現(xiàn)柵極電壓停滯的情況。這其實(shí)和MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管特有的米勒平臺(tái)有關(guān)
2025-12-03 16:15:531146 
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