，用于研究突發(fā)脈沖磁場對IGBT模塊的干擾效應(yīng)。首先，通過等效電路模型表示IGBT模塊，隨后針對其易受干擾的區(qū)域進行磁場仿真。仿真不同時間步長的磁場分布、渦流分布、磁通密度以及IGBT模塊中的溫升。此外
2025-02-25 09:54:45
1679 
）的雙脈沖測試軟件 (WBG-DPT) 包含一種專為雙脈沖測試設(shè)計的新型消偏技術(shù)。這種新穎的方法與傳統(tǒng)方法截然不同，并且 速度顯著提升，可以將測試時間縮短數(shù)小時 。 該技術(shù)適用于使用FET（場效應(yīng)晶體管）或IGBT（絕緣柵雙極晶體管）的功率轉(zhuǎn)換器
2025-06-25 17:17:021543 
雙脈沖測試是廣泛應(yīng)用于MOSFET和IGBT等功率開關(guān)元件特性評估的一種測試方法。
2020-12-21 14:58:079335 
通常情況下，為了測試器件的動態(tài)特性，我們都會搭建一個通用的雙脈沖測試平臺。測試平臺的功率回路部分包含了疊層母排、母線電容、待測功率器件和驅(qū)動電路。雙脈沖測試電路的原理為半橋電路，如圖1所示。
2022-04-17 09:16:307931 雙脈沖測試是表征功率半導體器件動態(tài)特性的重要手段，適用于各類功率器件，包括MOSFET、IGBT、Diode、SiC MOSFET、GaN HEMTs。
2022-10-12 15:32:583082 雙脈沖測試是表征功率半導體器件動態(tài)特性的重要手段，適用于各類功率器件，包括MOSFET、IGBT、Diode、SiC MOSFET、GaN HEMTs。同時，這項測試發(fā)生在器件研發(fā)、器件生產(chǎn)、系統(tǒng)
2022-10-12 15:31:133901 IGBT作為一種功率開關(guān)，從門級信號到器件開關(guān)過程需要一定反應(yīng)時間，就像生活中開關(guān)門太快容易擠壓手一樣，過短的開通脈沖可能會引起過高的電壓尖峰或者高頻震蕩問題。這種現(xiàn)象隨著IGBT被高頻PWM調(diào)制
2023-04-19 09:27:111891 通常我們對某款IGBT的認識主要是通過閱讀相應(yīng)的datasheet，數(shù)據(jù)手冊中所描述的參數(shù)是基于一些已經(jīng)給定的外部參數(shù)條件測試得來的，而實際應(yīng)用中的外部參數(shù)都是個性化的，往往會有所不同，因此這些參數(shù)有些是不能直接拿來使用的。
2023-11-24 16:16:056340 
通過雙脈沖測試，可以得到IGBT的各項開關(guān)參數(shù)。
2023-11-24 16:36:4216069 
利用IGBT雙脈沖測試電路，改變電壓及電流測量探頭的位置，即可對IGBT并聯(lián)的續(xù)流二極管（下文簡稱FRD）的相關(guān)參數(shù)進行測量與評估。
2023-11-24 16:52:102667 
轉(zhuǎn)換和功率控制的任務(wù)。為了保證電機控制器的性能和可靠性，需要對這些功率器件進行嚴格的測試，其中就包括雙脈沖測試。
2024-12-19 10:29:261950 
在當今快速發(fā)展的電力電子技術(shù)領(lǐng)域，功率半導體器件的性能優(yōu)化至關(guān)重要。雙脈沖測試（DPT）作為一種關(guān)鍵的測試方法，為功率器件的動態(tài)行為評估提供了精準的手段。本文將深入解析雙脈沖測試的原理、應(yīng)用及泰克科技在這一領(lǐng)域的先進解決方案，并介紹泰克專家高遠新書的相關(guān)內(nèi)容。
2025-06-05 11:37:571161 
? ? 揚杰科技干貨分享- 如何用雙脈沖測試更好的表征SiC MOS動態(tài)能力？ ? 引言 隨著碳化硅（SiC）MOS產(chǎn)品的迭代發(fā)展，SiC MOS相比于Si IGBT的高頻應(yīng)用潛力得到越來越多工程師
2025-12-02 09:36:222300 
雙脈沖測試就是給被測器件兩個脈沖作為驅(qū)動控制信號，如圖1所示。第一個脈沖相對較寬，以獲得一定的電流。
2021-09-23 14:43:319641 
實際測試過程中可以用二極管替代。具體測試原理如下：圖2 雙脈沖測試原理及波形如圖2所示，在t0時刻，被測IGBT的門極接收到第一個脈沖，被測IGBT導通，母線電壓U加在負載電感L上，電感上的電流線
2019-09-11 09:49:33
各位好，想請教下雙脈沖測試的幾個參數(shù)問題。項目所用IGBT是1200V 75A的單管，開關(guān)頻率4kHz。初次接觸雙脈沖測試，有幾個疑問：（1）測試時的最大電流是按額定75A來，還是150A
2019-11-06 20:47:30
有沒有大佬幫忙分析下，做雙脈沖測試的時候，第一個脈沖在關(guān)斷的時候，馬上要關(guān)完了，結(jié)果驅(qū)動出現(xiàn)了震蕩，導致管子立馬又開了，然后電流激增，直接就炸管了，這是什么問題啊，圖上是波形和驅(qū)動電路，求指導
2025-03-06 16:45:31
https://mp.weixin.qq.com/s/hR16FxSCcmrGDgItNhLDPw上述視頻包含以下三方面內(nèi)容：— IGBT并聯(lián)均流的影響因素— 六并聯(lián)測試雙脈沖測試步驟— 六并聯(lián)短路測試講師PPT見附件。
2020-06-28 11:21:33
性能影響較大，在調(diào)整該值時，除了理論計算外，工程師會結(jié)合雙脈沖試驗的測試數(shù)據(jù)來驗證并調(diào)整，以達到較好的開關(guān)效果。 最小的Rgon（開通電阻）由開通的di/dt限制；最小的Rgoff（關(guān)斷電阻）由關(guān)斷
2021-02-23 16:33:11
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T-NPC三電平電路的換流方式與雙脈沖測試方法
由于技術(shù)的發(fā)展和應(yīng)用的需要，T型三電平應(yīng)用越來越廣，我們開發(fā)了IGBT7 1200V 62mm共發(fā)射極模塊，最大規(guī)格電流為800A
2024-05-08 23:11:59
IGBT在matlab仿真中柵極怎么連接？為什么我畫的IGBT的柵極和電源、PWM連接不上？
2018-11-15 13:26:27
pspice中怎么得到雙脈沖測試信號？可否通過軟件自帶的信號源得到？
2015-05-27 23:02:05
`一、實驗儀器及硬件1、羅氏線圈電流探頭：2、多通道示波器及高壓差分探頭：3、手工繞制的空心電感：二、雙脈沖測試實驗臺但是對于開發(fā)電力電子裝置的工程師，無須專門搭建測試平臺，直接使用正在開發(fā)中
2021-05-17 09:49:24
——測試平臺搭建泰克推出了IGBT Town功率器件支持單脈沖，雙脈沖及多脈沖測試方案，集成強大的發(fā)生裝置，數(shù)據(jù)測試裝置及軟件。用戶可以自定義測試條件，測試項目包含：Toff, td(off), tf
2020-02-14 11:16:06
本帖最后由 熊宇豪 于 2022-2-16 16:45 編輯
`在學習評估板的user guide之后，了解其基本功能和組成電路組成，首先對SiC管做雙脈沖測試考察其開關(guān)特性。對于雙脈沖測試
2020-06-18 17:57:15
描述PMP10654 參考設(shè)計是適用于單個 IGBT 驅(qū)動器偏置的雙路隔離式輸出 Fly-Buck 電源模塊。兩個電壓軌適合向電動汽車/混合動力汽車和工業(yè)應(yīng)用的電機驅(qū)動器中的 IGBT 柵極驅(qū)動器
2018-12-21 15:06:17
進行到260A左右時，測試儀發(fā)現(xiàn)IGBT過流了，如果在進行測試，恐怕?lián)p壞IGBT，自動彈出過流報警信號，同時自動停止測試脈沖，整個測試過程結(jié)束。 點擊確定，對話框關(guān)閉。第四步：數(shù)據(jù)處理；通過鼠標
2015-03-11 13:51:32
大功率MOSFET、IGBT怎么雙脈沖測試，調(diào)門極電阻，急!急!急!急!急!急!
2021-02-24 17:38:39
IGBT是由哪些部分組成的？絕緣柵雙極型晶體管IGBT有哪些特點？如何去使用絕緣柵雙極型晶體管IGBT呢？
2021-11-02 06:01:06
的開關(guān)過程，進而測量和分析器件的開關(guān)特性，優(yōu)化器件的驅(qū)動和應(yīng)用設(shè)計，并用于故障診斷和仿真模型的驗證?！ ?b class="flag-6" style="color: red">雙脈沖測試中示波器與探頭的選擇 以MOSFET的半橋柵極驅(qū)動電路為例，我們需要測試下管的Vds
2024-06-12 17:00:55
本帖最后由 張飛電子學院郭嘉 于 2021-2-25 14:58 編輯
雙脈沖測試方法的意義（1） 對比不同的IGBT 的參數(shù) ， 例如同 一 品牌的不同系列的產(chǎn)品的參數(shù)，或者是不同品牌
2021-02-25 10:43:27
著電能轉(zhuǎn)換和功率控制的任務(wù)。為了保證電機控制器的性能和可靠性，需要對這些功率器件進行嚴格的測試，其中就包括雙脈沖測試。
案例簡介 雙脈沖測試可以幫助工程師評估電機控制器中功率器件的開關(guān)速度
2025-01-09 16:58:30
信號3、泰克示波器MSO5運行IGBT town 軟件進行設(shè)定和自動測試三、測試說明：采用雙脈沖法,用信號發(fā)生器設(shè)置脈寬為1uS,周期為2.5uS,脈沖次數(shù)為2次,示波器采用單次觸發(fā)。采用MSO58功率
2021-05-20 11:17:57
不是研究半導體的，很多參數(shù)也不知道！下面從內(nèi)部機理層面再來描述一下IGBT的關(guān)斷過程：首先看一下IGBT關(guān)斷之前內(nèi)部載流子的分布情況，圖5對應(yīng)圖4 中t0時刻以前，即通態(tài)下IGBT內(nèi)部載流子的分布情況
2023-02-13 16:11:34
外電路在電磁脈沖對雙極型晶體管作用過程中的影響:借助自主開發(fā)的2維半導體器件-電路聯(lián)合仿真器，研究了電磁脈沖從發(fā)射極注入雙極型晶體管時，外電路的影響
2009-10-29 14:24:00
33 摘要:詳細地分析了IGBT驅(qū)動脈沖變壓器的工作過程討論了影響驅(qū)動信號形狀的因素指出驅(qū)動電壓信號應(yīng)具有較緩的前沿、后沿陡度及合適的頂降并在此基礎(chǔ)上對脈沖變壓器的主要
2010-06-02 09:51:44199 全橋型IGBT脈沖激光電源
摘要：文章介紹高壓氙燈設(shè)計的IGBT脈沖式激光電源，詳細闡述了工作原理、設(shè)計方法和仿真過程，并給出實驗波形。其主電路
2009-07-27 08:41:101382 
基于課題建設(shè)的需要，需對某型雷達脈沖調(diào)制器進行固態(tài)化改造，為達到經(jīng)濟省時的目的，采用了設(shè)計與仿真的方法。應(yīng)用新型功率開關(guān)器件IGBT替代電真空器件，設(shè)計了單片機控制的固
2011-05-05 15:56:3272 文章介紹高壓氙燈設(shè)計的 IGBT 脈沖式激光電源，詳細闡述了工作原理、設(shè)計方法和仿真過程，并給出實驗波形。其主電路采用全橋 PWM 工作方式，該電源具有很高的可靠性和良好的動態(tài)
2011-12-19 13:42:14101 提出了一種基于IGBT的高壓脈沖電源，系統(tǒng)由能源系統(tǒng)和脈沖產(chǎn)生回路構(gòu)成，由單片機來控制IGBT的觸發(fā)，其設(shè)計輸出為方波，電壓幅值在50 100 kV可調(diào)，脈沖寬度在l～10 s可調(diào)，頻率在1～
2011-12-19 14:04:33125 雙饋風電機組LVRT測試技術(shù)仿真_張黎明
2017-01-02 15:44:461 特性，嚴重制約了其推廣應(yīng)用。從壓接式IGBT的封裝結(jié)構(gòu)和電氣特性出發(fā)，基于雙脈沖測試原理，設(shè)計并搭建壓接式IGBT模塊的動態(tài)開關(guān)特性測試平臺。采用Ansoft Q3D軟件對測試平臺的雜散參數(shù)進行仿真，分析雜散參數(shù)的分布特征、影響與提取方法，
2017-12-26 14:16:013 本文利用SystemView 軟件， 完成一個完整的PCM 語音通信系統(tǒng)。詳細地描述了SystemView通信系統(tǒng)仿真的過程和仿真的結(jié)果分析。本文的仿真過程可以很容易的推廣到其他的通信系統(tǒng)仿真，從而加深了對各種通信過程的原理認識。
2019-01-15 15:44:0022 IGBT的雙脈沖測試(Double Pulse Test)-Micro_Grid，歡迎加入技術(shù)交流QQ群：電力電子技術(shù)與新能源 905724684，關(guān)注微信公眾號：電力電子技術(shù)與新能源（Micro_Grid）
2019-06-29 09:40:5357600 
1.對比不同的IGBT的參數(shù)，例如同一品牌的不同系列的產(chǎn)品的參數(shù)，或者是不同品牌的IGBT的性能。
2020-01-08 08:00:0048 來源：羅姆半導體社區(qū)? 前言 我們說，IGBT的雙脈沖實驗和短路實驗一般都會在一個階段進行，但是有的時候短路測試會被忽略，原因有些時候會直接對裝置直接實施短路測試，但是此時實際上并不是徹底和充分
2022-11-15 16:51:077995 通過雙脈沖測試評估 MOSFET 的反向恢復(fù)特性我們開設(shè)了 Si 功率元器件的新篇章——“評估篇”。在“通過雙脈沖測試評估 MOSFET 的反向恢復(fù)特性”中，我們將通過雙脈沖測試來評估 MOSFET 體二極管的反向恢復(fù)特性，并確認 MOSFET 損耗情況。
2020-12-28 06:00:0024 激光傳感器在研發(fā)與生產(chǎn)測試中，需要對激光傳感器進行脈沖仿真測試，在測試過程中需要一個高速脈沖電源，序列功能可以根據(jù)客戶要求，設(shè)定正脈沖電壓工作為3ms，整個周期為30ms。
2021-01-14 18:01:432684 前面已經(jīng)講述了VHDL語法和建模，VHDL程序作為硬件的描述語言，可以實現(xiàn)仿真測試，包括RTL門級仿真和布線布局后仿真。通過仿真，可以很容易驗證VHDL程序以及其描述硬件的正確性。本章將講述如何建立VHDL程序的仿真模型和平臺，以及ⅤHDL語言的具體仿真過程
2021-01-20 17:03:5414 在IGBT開關(guān)過程中通常用開通延遲td（on）、關(guān)斷延遲td（off）、上升時間tr和下降時間tf來進行描述。
2021-05-06 10:06:019694 
基于Systemview的脈沖編碼調(diào)制系統(tǒng)仿真(測試測量儀器設(shè)備)-該文檔為基于Systemview的脈沖編碼調(diào)制系統(tǒng)仿真講解文檔，是一份不錯的參考資料，感興趣的可以下載看看，，，，，，，，，，，，，，，，，
2021-09-30 12:14:1016 對雙脈沖測試的原理、參數(shù)解析、注意事項、測試意義等進行詳細介紹分析
2022-05-05 16:34:0936 一般，我們是通過閱讀器件廠商提供的datasheet來了解一個器件的參數(shù)特性，但是datasheet中所描述的參數(shù)是在特定的外部參數(shù)條件測試得來的，因此這些參數(shù)不能都可以直接拿來使用的。因此可以通過雙脈沖測試，通過給定兩個脈沖來測試IGBT的開關(guān)特性，進而對器件性能進行更準確的評估。
2022-06-17 17:33:0135778 雙脈沖是分析功率開關(guān)器件動態(tài)特性的基礎(chǔ)實驗方法，貫穿器件的研發(fā)，應(yīng)用和驅(qū)動保護電路的設(shè)計。合理采用雙脈沖測試平臺，你可以在系統(tǒng)設(shè)計中從容的調(diào)試驅(qū)動電路，優(yōu)化動態(tài)過程，驗證短路保護。
雙脈沖測試基礎(chǔ)系列文章包括基本原理和應(yīng)用，對電壓電流探頭要求和影響測試結(jié)果的因素等。
2022-08-01 09:08:1114800 
雙脈沖測試(Double Pulse Test)是分析功率開關(guān)器件動態(tài)特性的常用測試，通過雙脈沖測試可以便捷的評估功率器件的性能，獲得穩(wěn)態(tài)和動態(tài)過程中的主要參數(shù)，更好的評估器件性能，優(yōu)化驅(qū)動設(shè)計等等。
2022-11-04 14:06:275433 我們開設(shè)了Si功率元器件的新篇章——“評估篇”。在“通過雙脈沖測試評估MOSFET的反向恢復(fù)特性”中，我們將通過雙脈沖測試來評估MOSFET體二極管的反向恢復(fù)特性，并確認MOSFET損耗情況。
2023-02-10 09:41:084173 
一、雙脈沖測試。 雙脈沖測試硬件的基本框圖如上圖所示。 高壓源通過疊層母排與電容池連接，并給電容池充電。 低壓源給驅(qū)動板供電，信號發(fā)生器給驅(qū)動板發(fā)雙脈沖。 若發(fā)雙脈沖到IGBT模塊下管，則上管截止
2023-02-22 15:16:184 （一）IGBT雙脈沖測試的意義 對比不同IGBT的參數(shù)及性能； 獲取IGBT開通和關(guān)斷過程的參數(shù)； 評估驅(qū)動電阻是否合適； 開通和關(guān)斷過程是否有不合適的震蕩； 評估二極管的反向恢復(fù)行為和安全裕量
2023-02-22 15:07:1519 開通特性測試采用雙脈沖測試法。由計算機設(shè)定并控制輸出漏極電壓VDD值到被測器件的測試要求值（一般為被測器件額定電壓的1/2），設(shè)定±VGS到測試要求值，計算機控制接通開關(guān)S1,并控制輸出被
測雙
2023-02-22 14:43:331 用的，只能當做參考使用。
描述IGBT主要參數(shù)包括：ton，toff，Eon，Eoff，Isc，Irr，二極管的di/dt等。
要觀測這些參數(shù)，最有效的方法就是‘雙脈沖測試法’。
2023-02-22 14:25:005 ??在LTspice中沒有雙脈沖波形發(fā)生器，要做一個雙脈沖的波形只能用電壓源來進行特殊設(shè)置，不是很方便，為此我寫了一個雙脈沖波形發(fā)生器，有需要的可以下載。 雙脈沖波形發(fā)生器。 如下，該元器件可以
2023-02-23 15:47:208 該信號發(fā)生器主要用于IGBT單脈沖、雙脈沖、短路測試發(fā)波控制，使用單USB口連接，集成供電、發(fā)波控制、程序升級于一體，
上位機串口發(fā)波控制，可靈活控制發(fā)送1~200uS波形，最小精度1uS，同時提供+5V和+15V兩種電平方便匹配不同驅(qū)動板，上位機
控制方便易上手配置簡單。
2023-02-23 15:30:085 IGBT雙脈沖測試matlab仿真模型，電機控制器驅(qū)動測試驗證，學習驗證igbt開關(guān)特性.附贈大廠資深工程師總結(jié)的雙脈沖測試驗證資料，全部是實際項目總結(jié)。 鏈接：提取碼：fbif ? ? ?
2023-02-24 10:40:5731 1.對比不同的IGBT的參數(shù)，例如同一品牌的不同系列的產(chǎn)品的參數(shù)，或者是不同品牌的IGBT的性能。
2.獲取IGBT在開關(guān)過程的主要參數(shù)，以評估Rgon及Rgoff的數(shù)值是否合適，評估是否需要配
2023-02-24 09:41:423 什么是窄脈沖現(xiàn)象IGBT作為一種功率開關(guān)，從門級信號到器件開關(guān)過程需要一定反應(yīng)時間，就像生活中開關(guān)門太快容易擠壓手一樣，過短的開通脈沖可能會引起過高的電壓尖峰或者高頻震蕩問題。這種現(xiàn)象隨著IGBT被
2022-05-26 09:52:273761 
雙脈沖測試是一種用于測量電子設(shè)備的重要方法，其通過發(fā)送兩個相互獨立且短暫的脈沖信號來分析設(shè)備的性能和可靠性。在進行雙脈沖測試時，我們需要注意一些重要事項，以確保測試的準確性和可重復(fù)性。 首先，進行雙
2023-07-03 11:45:271807 
雙脈沖測試是表征功率半導體器件動態(tài)特性的重要手段，適用于各類功率器件，包括MOSFET、IGBT、Diode、SiC MOSFET、GaN HEMTs。
2023-07-12 15:55:151336 
進行雙脈沖測試的主要目的是獲得功率半導體的開關(guān)特性，可以說它伴隨著功率器件從研發(fā)制造到應(yīng)用的整個生命周期。
2023-07-12 16:09:105853 
根據(jù)用戶在寬禁帶、雙脈沖測試遇到的種種問題，安泰配置齊全的儀器、軟件、探頭和服務(wù)，加快有關(guān) SiC 和 GaN 功率器件與系統(tǒng)的驗證。 通過以下方式幫助您提高系統(tǒng)性能： 符合 JEDEC 和 IEC
2023-07-07 18:08:361262 
了性能各異的IGBT產(chǎn)品。為了優(yōu)化和驗證組件性能以及對不同IGBT的性能驗證，我們引入了雙脈沖測試方法，借此工具我們可以實現(xiàn)以下具體功能:
2023-09-15 10:09:322891 
，不同的IGBT技術(shù)也造就了不同性能的IGBT產(chǎn)品。為了優(yōu)化和驗證元器件的性能，驗證不同IGBT的性能，我們引入了雙脈沖測試方法。通過這個工具，我們可以實現(xiàn)以下具體功能： 詳細了解IGBT參數(shù)，如Eon、Eoff、Tdon、Tdoff、Tr、Tf、貼片開關(guān)特性等。本次測試的意義在于
2023-10-13 10:34:334422 
點擊上方 “泰克科技” 關(guān)注我們！ ■?? 雙脈沖測試? 雙脈沖測試中一個重要目標是，準確測量能量損耗。在示波器中進行準確的功率、能量測試，關(guān)鍵的一步是在電壓探頭和電流探頭之間進行校準，消除時序偏差
2023-11-02 12:15:011316 
開關(guān)器件，常用于控制高電壓和高電流的電力電子設(shè)備中。IGBT短路測試是在IGBT生產(chǎn)和維修過程中常用的一項關(guān)鍵測試，旨在檢測IGBT是否存在電路短路故障。 IGBT短路測試平臺是一種用于進行IGBT
2023-11-09 09:18:293948 對比不同IGBT的參數(shù)及性能；
獲取IGBT開通和關(guān)斷過程的參數(shù)；
評估驅(qū)動電阻是否合適；
開通和關(guān)斷過程是否有不合適的震蕩；
2023-11-10 09:12:328494 
驅(qū)動器源極引腳的效果：雙脈沖測試比較
2023-12-05 16:20:07896 
、電氣工程等領(lǐng)域，對于新材料的研發(fā)和應(yīng)用具有重要意義。 一、雙脈沖測試原理的基本概念 脈沖電壓：脈沖電壓是指在一定時間范圍內(nèi)，電壓由零迅速上升到最大值，然后緩慢下降到零的過程。脈沖電壓的形狀可以是方波、矩形波或三
2023-12-30 11:47:005602 
雙脈沖測試(DPT)是一種被廣泛接受的評估功率器件動態(tài)特性的方法。以IGBT在兩電平橋式電路中應(yīng)用為例，如下圖，通過調(diào)節(jié)直流母線電壓和第一個脈沖持續(xù)時間，可以在第一個脈沖結(jié)束和第二個脈沖開始時捕捉到
2024-01-18 08:13:437633 雙脈沖測試的基本原理是什么？雙脈沖測試可以獲得器件哪些真實參數(shù)？ 雙脈沖測試是一種常用的測試方法，用于測量和評估各種器件的性能和特性。它基于一種簡單而有效的原理，通過發(fā)送兩個脈沖信號并分析其響應(yīng)來
2024-02-18 09:29:233717 ），并測量其響應(yīng)來工作。 雙脈沖測試是一種專門用于評估功率開關(guān)元件，如MOSFET和IGBT的開關(guān)特性及與之并聯(lián)的體二極管或快速恢復(fù)二極管（FRD）的反向恢復(fù)特性的測試方法。這種測試特別適用于分析在導通過程中由于反向恢復(fù)現(xiàn)象而產(chǎn)生損耗的電路。 通過施加兩連
2024-02-23 15:56:2710453 
上一篇我們分析了《I-NPC三電平電路的雙脈沖與短路測試方法》，對于T-NPC拓撲來說也是類似的，我們接著來看。1T-NPC三電平電路的換流方式與雙脈沖測試方法由于技術(shù)的發(fā)展和應(yīng)用的需要，T型三電平
2024-02-26 08:13:164233 對于經(jīng)驗豐富的專業(yè)人士來說，不言而喻的事情有時可能會給經(jīng)驗不足的人帶來誤解。作為測試設(shè)備制造商，我們意識到用戶對雙脈沖測試有不同的看法。
2024-03-11 14:39:002371 
雙脈沖測試是電力變壓器和互感器的一種常見測試方法，其主要目的是評估設(shè)備的性能和準確性，確保其符合設(shè)計要求和運行標準。
2024-03-11 16:01:555996 
雙脈沖測試系統(tǒng)：該系統(tǒng)用于產(chǎn)生所需的雙脈沖信號，以模擬實際工作中的開關(guān)動作。它能夠精確地控制脈沖的寬度、幅度和頻率，以滿足測試需求。
2024-03-11 16:09:215204 
雙脈沖測試是一個用于測試高壓設(shè)備的重要方法，而高壓差分探頭在雙脈沖測試中扮演著重要的角色。它能夠測量高壓系統(tǒng)中的電位差，并幫助人們診斷系統(tǒng)中的問題。不過，在高壓差分探頭的使用過程中，也會遇到一些問題
2024-03-19 09:55:061170 
IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）的開關(guān)過程是其作為電力電子器件核心功能的重要組成部分，直接決定了電力變換系統(tǒng)的效率、穩(wěn)定性和可靠性。以下是對IGBT開關(guān)過程的詳細分析，包括開啟過程和關(guān)斷過程，以及影響這些過程的關(guān)鍵因素。
2024-07-26 17:31:363148 絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）作為電力電子領(lǐng)域中至關(guān)重要的元件，其關(guān)斷過程的分析對于理解其性能和應(yīng)用至關(guān)重要。IGBT結(jié)合了雙極型晶體管（BJT）和場效應(yīng)晶體管（MOSFET）的優(yōu)勢，具有導通特性好
2024-07-26 18:03:566876 
寬禁帶半導體作為第三代半導體功率器件，在電源處理器中充當了越來越重要的角色。其具有能量密度高、工作頻率高、操作溫度高等先天優(yōu)勢，成為各種電源或電源模塊的首選。而其中功率半導體上下管雙脈沖測試，成為動態(tài)參數(shù)測試的最經(jīng)典評估項目。
2024-08-06 17:30:502038 
圍繞 SiC 和 GaN MOSFET 構(gòu)建的新型電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計需要精心設(shè)計和測試以優(yōu)化性能。 雙脈沖測試 (DPT) 可有效測量開啟、關(guān)閉和反向恢復(fù)期間的一系列重要參數(shù)。設(shè)置和執(zhí)行這些測量可以手動
2024-09-30 08:57:34951 
）及全控型（IGBT、MOSFET 為主）。其中IGBT（絕緣柵雙極晶體管）被廣泛應(yīng)用于中、高電壓及大電流場合的功率半導體器件。它綜合了 MOSFET和雙極晶體管的優(yōu)點，具有導通壓降低、開關(guān)速度快、電流和電壓定額高等特點，被廣泛應(yīng)用于變頻
2024-11-24 15:02:121698 
IGBT雙脈沖實驗 1.1 IGBT雙脈沖實驗?zāi)康?1、通過實驗獲取IGBT驅(qū)動板及IGBT模塊的主要動態(tài)參數(shù)，如延時、上升、下降時間、開關(guān)損耗等； 2、通過實驗獲得功率組件設(shè)計中濾波電容、吸收電容
2025-01-27 18:10:002623 
是否過關(guān)，雙脈沖測試（Double Pulse Test）成為了一項重要的測試手段。本文將詳細介紹IGBT雙脈沖測試的原理、意義、實驗設(shè)備、測試步驟以及數(shù)據(jù)分析，以期為相關(guān)技術(shù)人員提供參考。
2025-02-02 13:59:003196 IGBT雙脈沖測試方法的意義和原理 IGBT雙脈沖測試方法的意義： 1.對比不同的IGBT的參數(shù)； 2.評估IGBT驅(qū)動板的功能和性能； 3.獲取IGBT在開通、關(guān)斷過程的主要參數(shù)，以評估Rgon
2025-01-28 15:44:008855 
關(guān)鍵詞：雙脈沖測試，上管測試，下管測試，電源完整性測試套件寬禁帶半導體作為第三代半導體功率器件的代表，正在電源處理領(lǐng)域發(fā)揮著日益重要的作用。這類材料憑借其高能量密度、高工作頻率以及耐高溫等天然優(yōu)勢
2025-04-11 15:00:14797 
1. 產(chǎn)品概述 產(chǎn)品簡介 本同軸分流器SC-CS10是一種用于射頻/微波信號功率分配的無源器件，常用于功率器件(IGBT、MOSFET等)動態(tài)雙脈沖測試，可將輸入信號按特定比例分流至多個輸出端口
2025-04-30 12:00:12762 
IGBT產(chǎn)品技術(shù)參數(shù)較多，一般會包含如下幾種類型參數(shù)：靜態(tài)參數(shù)，動態(tài)參數(shù)，熱參數(shù)。動態(tài)測試，主要是用于測試IGBT動態(tài)參數(shù)，目前，主要采用雙脈沖測試方案。其測試主要方法是，加載脈沖電壓，用獲取IGBT在開啟，或者關(guān)閉瞬間的電壓，電流變化情況，并計算出相應(yīng)的參數(shù)
2025-06-26 16:26:161332 
至關(guān)重要。特別是在雙脈沖測試中，光隔離探頭不僅確保了測試的安全性，還提高了測試測量的準確性和可靠性。本文將深入探討光隔離探頭在雙脈沖測試中不可或缺的原因。 雙脈沖測試的作用 雙脈沖測試（DPT）是一種用于評估電力電子器件如IGBT（絕緣柵
2025-11-14 16:46:063489 
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