chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

第三代半導(dǎo)體材料市場和產(chǎn)業(yè)剛啟動 機(jī)遇與挑戰(zhàn)并存

MZjJ_DIGITIMES ? 來源:未知 ? 作者:胡薇 ? 2018-07-27 15:02 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

第三代半導(dǎo)體材料市場和產(chǎn)業(yè)剛啟動,需全產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同發(fā)展。

近幾年集成電路產(chǎn)業(yè)深刻變革催化著化合物半導(dǎo)體市場的發(fā)展,而其中以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)等寬禁帶化合物為代表的第三代半導(dǎo)體材料更是引發(fā)全球矚目,攪動著全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)浪潮。如今,中、美、日、歐等國家已將第三代半導(dǎo)體材料列入國家計劃,展開全面戰(zhàn)略部署。

面對產(chǎn)業(yè)革新變局,作為海西半導(dǎo)體集成電路戰(zhàn)略高地,廈門自然亦緊抓這個戰(zhàn)略機(jī)遇。廈門鷺芯半導(dǎo)體研究院(以下簡稱“鷺芯”)為助力打造寬禁帶半導(dǎo)體特色工藝產(chǎn)業(yè)鏈應(yīng)運而生。鷺芯研究院院長兼首席科學(xué)家黃以明接受DIGITIMES采訪時表示,“鷺芯是個獨立的研究實體,既不屬于企業(yè)私有,也不只屬于政府,它是一個非營利性的公共研發(fā)平臺,專門為各界業(yè)者提供寬禁帶化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域的研究/生產(chǎn)/測試/應(yīng)用/推廣提供技術(shù)服務(wù)?!?/p>

據(jù)介紹,鷺芯采用股份制經(jīng)營模式,通過建立設(shè)計研究,工藝開發(fā)、評估測試、可靠性應(yīng)用等平臺,致力成為廈門寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件開發(fā)與應(yīng)用的開放式共享研究院。

據(jù)悉,當(dāng)前處于在建的鷺芯一期總投資規(guī)模近數(shù)億元,將于2018年完工并投入使用,主要提供可靠性應(yīng)用測試與常規(guī)測試,物理分析,設(shè)計驗證,應(yīng)用系統(tǒng)等方面的技術(shù)服務(wù)。

“工研院”之石 可為攻玉之資

成立于1973年的中國***工業(yè)技術(shù)研究院(簡稱“工研院”)是一個由政府設(shè)立、非營利、致力于科技服務(wù)的應(yīng)用技術(shù)公共研究機(jī)構(gòu)。在其四十余年的發(fā)展過程中,工研院推動了中國***高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

鷺芯相關(guān)負(fù)責(zé)人表示,工研院作為開放式產(chǎn)業(yè)技術(shù)研發(fā)機(jī)構(gòu),有許多構(gòu)建與管理非營利性機(jī)構(gòu)方面的經(jīng)驗,可以開發(fā)前瞻性、關(guān)鍵性、共同性技術(shù)轉(zhuǎn)移給產(chǎn)業(yè)界,并與地區(qū)的產(chǎn)業(yè)規(guī)劃、企業(yè)及市場需求緊密聯(lián)系在一起,推動產(chǎn)業(yè)發(fā)展,追求整個社會經(jīng)濟(jì)發(fā)展的大循環(huán)。

黃以明認(rèn)為,非營利機(jī)構(gòu)的性質(zhì)和企業(yè)化運作的有機(jī)結(jié)合,既可以保證其完成開放共享的使命,又能保持科研工作的效率和資源的有效利用。共享技術(shù)平臺是順應(yīng)國際研發(fā)趨勢,配合產(chǎn)業(yè)政策建立的新的產(chǎn)研合作模式,充分發(fā)揮研究平臺的設(shè)備資源和工程能力,提供一條龍全產(chǎn)業(yè)鏈的服務(wù)。

第三代半導(dǎo)體材料 機(jī)遇與挑戰(zhàn)并存

根據(jù)StrategyAnalytic與SEMI的報告指出,憑借著優(yōu)異的性能特點,寬禁帶化合物半導(dǎo)體市場規(guī)模預(yù)計將在2020年成長至440億美元,年復(fù)合成長率(CAGR)為12.9%,遠(yuǎn)高于單質(zhì)半導(dǎo)體的成長速度。

在光明前景的驅(qū)動下,目前全球各國均在加大力度布局第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域,但我國在第三代化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化方面進(jìn)度還較緩慢,技術(shù)亟待突破?!白畲蟮亩贪迨遣牧霞夹g(shù)?!秉S以明認(rèn)為,第三代化合物半導(dǎo)體產(chǎn)品的價格、性能都基于晶圓材料,我國寬禁帶材料的質(zhì)量、制造設(shè)備以及生產(chǎn)能力問題至少還需1到2年時間才能解決。

除此之外,目前我國對碳化硅晶圓的制造設(shè)備國內(nèi)尚待提高,大多數(shù)設(shè)備依靠國外進(jìn)口。因此,第三代半導(dǎo)體材料創(chuàng)新研發(fā)仍舉步維艱,國產(chǎn)化設(shè)備欠缺是實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)自主研發(fā)的一大桎梏。

不過,黃以明強(qiáng)調(diào),機(jī)遇與挑戰(zhàn)并存,“第三代半導(dǎo)體材料對我們國家未來產(chǎn)業(yè)會產(chǎn)生非常大的影響,要全產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同發(fā)展,市場和產(chǎn)業(yè)剛剛啟動,我們還面臨巨大挑戰(zhàn),全行業(yè)必須共同努力,協(xié)調(diào)同步發(fā)展?!?/p>

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    338

    文章

    30335

    瀏覽量

    261718
  • GaN
    GaN
    +關(guān)注

    關(guān)注

    21

    文章

    2357

    瀏覽量

    79836

原文標(biāo)題:【專訪】鷺芯半導(dǎo)體研究院:新型“海西工研院”致力打造產(chǎn)學(xué)研技術(shù)共享平臺

文章出處:【微信號:DIGITIMES,微信公眾號:DIGITIMES】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    龍騰半導(dǎo)體推出全新第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)平臺

    今天,龍騰半導(dǎo)體正式交出答卷 -- 基于自主工藝路線開發(fā)的全新第三代(G3) 超結(jié) MOSFET技術(shù)平臺。
    的頭像 發(fā)表于 01-22 14:44 ?165次閱讀
    龍騰<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>推出全新<b class='flag-5'>第三代</b>超結(jié)MOSFET技術(shù)平臺

    行業(yè)快訊:第三代半導(dǎo)體駛?cè)肟燔嚨?,碳化硅器件成本有?b class='flag-5'>三年內(nèi)接近硅基

    行業(yè)快訊:第三代半導(dǎo)體駛?cè)肟燔嚨?,碳化硅器件成本有?b class='flag-5'>三年內(nèi)接近硅基
    的頭像 發(fā)表于 01-16 11:41 ?246次閱讀

    高頻交直流探頭在第三代半導(dǎo)體測試中的應(yīng)用

    高頻交直流探頭基于法拉第電磁感應(yīng)原理,具備高帶寬、高精度和高分辨率,適用于第三代半導(dǎo)體器件的動態(tài)特性、柵極電流測量及開關(guān)損耗計算。
    的頭像 發(fā)表于 01-15 09:16 ?75次閱讀

    Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本

    Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本受材料、工藝、規(guī)模、封裝設(shè)計及市場定位等多重因素影響,整體呈現(xiàn)“高技術(shù)投入與規(guī)?;当?/div>
    發(fā)表于 12-25 09:12

    芯干線斬獲2025行家極光獎年度第三代半導(dǎo)體市場開拓領(lǐng)航獎

    2025年12月4日,深圳高光時刻!由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)標(biāo)桿機(jī)構(gòu)「行家說三代半」主辦的「2025行家極光獎」頒獎晚宴盛大啟幕,數(shù)百家SiC&GaN領(lǐng)域精英企業(yè)齊聚一堂,共襄
    的頭像 發(fā)表于 12-13 10:56 ?950次閱讀
    芯干線斬獲2025行家極光獎年度<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>市場</b>開拓領(lǐng)航獎

    第三代半導(dǎo)體碳化硅(Sic)加速上車原因的詳解;

    如有雷同或是不當(dāng)之處,還請大家海涵。當(dāng)前在各網(wǎng)絡(luò)平臺上均以此昵稱為ID跟大家一起交流學(xué)習(xí)! 碳化硅是第三代半導(dǎo)體材料的代表;而半導(dǎo)體這個行業(yè)又過于學(xué)術(shù),為方便閱讀,以下這篇文章的部分章
    的頭像 發(fā)表于 12-03 08:33 ?427次閱讀
    <b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>碳化硅(Sic)加速上車原因的詳解;

    CINNO出席第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)合作大會

    10月25日,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)合作大會在鹽城高新區(qū)召開。省工業(yè)和信息化廳二級巡視員余雷、副市長祁從峰出席會議并致辭。鹽都區(qū)委書記馬正華出席,鹽都區(qū)委副書記、區(qū)長臧沖主持會議。
    的頭像 發(fā)表于 10-27 18:05 ?1313次閱讀

    材料與應(yīng)用:第三代半導(dǎo)體引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)升級

    以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體材料,正加速替代傳統(tǒng)硅基材料,在新能源汽車、工業(yè)控制等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)規(guī)模化應(yīng)用。GaN 憑借更高的電子遷移率和禁帶寬度,成為高頻通信、
    的頭像 發(fā)表于 10-13 18:29 ?454次閱讀

    基本半導(dǎo)體B3M平臺深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用

    基礎(chǔ),將其定位為平面柵碳化硅(SiC)MOSFET技術(shù)的一次重要演進(jìn),其目標(biāo)不僅在于追趕,更在于在特定性能維度上超越市場現(xiàn)有成熟方案。 1.1 第三代(B3M)平臺概述 B3M系列是基本半導(dǎo)體推出的
    的頭像 發(fā)表于 10-08 13:12 ?586次閱讀
    基本<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>B3M平臺深度解析:<b class='flag-5'>第三代</b>SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用

    電鏡技術(shù)在第三代半導(dǎo)體中的關(guān)鍵應(yīng)用

    第三代半導(dǎo)體材料,以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表,因其在高頻、高效率、耐高溫和耐高壓等性能上的卓越表現(xiàn),正在成為半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要發(fā)展方向。在這些
    的頭像 發(fā)表于 06-19 14:21 ?599次閱讀
    電鏡技術(shù)在<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>中的關(guān)鍵應(yīng)用

    SiC碳化硅第三代半導(dǎo)體材料 | 耐高溫絕緣材料應(yīng)用方案

    發(fā)展最成熟的第三代半導(dǎo)體材料,可謂是近年來最火熱的半導(dǎo)體材料。尤其是在“雙碳”戰(zhàn)略背景下,碳化硅被深度綁定新能源汽車、光伏、儲能等節(jié)能減碳行
    的頭像 發(fā)表于 06-15 07:30 ?1069次閱讀
    SiC碳化硅<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>材料</b> |  耐高溫絕緣<b class='flag-5'>材料</b>應(yīng)用方案

    第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域

    隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展,半導(dǎo)體材料的研究與應(yīng)用不斷演進(jìn)。傳統(tǒng)的硅(Si)半導(dǎo)體已無法滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高效能和高頻性能的需求,因此,第三代半導(dǎo)體
    的頭像 發(fā)表于 05-22 15:04 ?2156次閱讀

    瑞能半導(dǎo)體第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)解析(1)

    隨著AI技術(shù)井噴式快速發(fā)展,進(jìn)一步推動算力需求,服務(wù)器電源效率需達(dá)97.5%-98%,通過降低能量損耗,來支撐高功率的GPU。為了抓住市場機(jī)遇,瑞能半導(dǎo)體先發(fā)制人,推出的第三代超結(jié)MO
    的頭像 發(fā)表于 05-22 13:58 ?786次閱讀
    瑞能<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>第三代</b>超結(jié)MOSFET技術(shù)解析(1)

    是德示波器如何精準(zhǔn)測量第三代半導(dǎo)體SiC的動態(tài)特性

    第三代半導(dǎo)體材料SiC(碳化硅)憑借其高擊穿電壓、低導(dǎo)通電阻、耐高溫等特性,在新能源汽車、工業(yè)電源、軌道交通等領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢。然而,SiC器件的高頻開關(guān)特性也帶來了動態(tài)測試的挑戰(zhàn)
    的頭像 發(fā)表于 04-22 18:25 ?712次閱讀
    是德示波器如何精準(zhǔn)測量<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>SiC的動態(tài)特性

    第三代半導(dǎo)體器件封裝:挑戰(zhàn)機(jī)遇并存

    一、引言隨著科技的不斷發(fā)展,功率半導(dǎo)體器件在電力電子系統(tǒng)、電動汽車、智能電網(wǎng)、新能源并網(wǎng)等領(lǐng)域發(fā)揮著越來越重要的作用。近年來,第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體器件以其獨特的高溫、高頻、高耐壓等特性,逐漸
    的頭像 發(fā)表于 02-15 11:15 ?1694次閱讀
    <b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>器件封裝:<b class='flag-5'>挑戰(zhàn)</b>與<b class='flag-5'>機(jī)遇</b><b class='flag-5'>并存</b>