第三代半導體碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）是近幾年新興的功率半導體，相比于傳統(tǒng)的硅（Si）基功率半導體，氮化鎵和碳化硅具有更大的禁帶寬度，更高的臨界場強，使得基于這兩種材料制作的功率半導體具有耐壓高、導通電阻低、寄生參數(shù)小等優(yōu)異特性，應用于開關電源領域時，具有損耗小、工作頻率高、可靠性高等優(yōu)點，可以大大提升開關電源的效率、功率密度和可靠性等。

圖1：碳化硅（SiC）和氮化鎵(GaN)的開關動作時間

碳化硅（SiC）和氮化鎵(GaN)的開關時間都在納秒（ns）級別，這樣的顯著優(yōu)勢是降低了開關電源的損耗，但是更短的開關時間意味著高次諧波分量的顯著增加，在橋式電路應用中，高壓疊加高頻，上橋臂的浮地測試給工程師帶來了極大的挑戰(zhàn)。

圖2: 碳化硅（SiC）與傳統(tǒng)硅基IGBT的頻譜分布

圖2所示，相較于傳統(tǒng)硅基IGBT，碳化硅具有更高的頻率分布和高頻能量。

圖3：上臂Vgs電壓疊加共模干擾電壓Vcm示意圖

圖3所示的半橋電路中，Vgs電壓浮空在擺動的Vcm之上，Vcm即下管的Vds，隨著下管QL的導通與關斷，Vcm在0V和1000V之間跳動，一般來說Vgs在20V以內，遠遠小于Vcm ，在測量時，我們關心的是Vgs的信號特征，這是個差模信號，此時Vcm成了共模干擾，我們不希望它出現(xiàn)在我們的測試信號中，然而事與愿違，共模干擾在電源電路中如影子一般甩不掉，無論是電源設計階段還是測試分析階段，只能想辦法盡量抑制它的份量：提升差模信號，抑制共模信號。抑制共模信號的能力有一個專門的指標，即共模抑制比（CMRR)。

常見的高壓差分探頭在100KHz時，CMRR＞60dB，在1MHz時，CMRR＞50dB，但是當頻率到達100MHz時，一般只能做到20dB左右。圖2的頻譜看出，碳化硅在100MHz時仍有巨大的能量，這可以很好的理解為什么傳統(tǒng)的高壓差分探頭無法勝任這項測試工作，用其測試所呈現(xiàn)出波形的準確性為什么經常受到質疑。

圖4：碳化硅導通瞬間的Vgs信號波形

圖4中，黃色為高壓差分探頭在碳化硅導通瞬間的測試波形。可以看出信號產生了嚴重的震蕩，在紅圈處的信號電壓已經超過碳化硅的Vgs極限值，這將導致器件的損壞，但是電路工作一切正常，這明顯是不符合邏輯的。

圖5：碳化硅關斷期間的Vgs信號波形

圖5所示，黃色是高壓差分探頭在碳化硅關斷期間的信號波形，紅圈處的電壓已經遠遠超過碳化硅所能承受的負壓（一般在 -10V以內），但是器件并沒有損壞，這明顯也是不符合邏輯的。

真實的Vgs信號是什么樣的？器件的性能是否達到了設計預期？開關電源電路中的碳化硅或者氮化鎵器件參數(shù)是否有安全冗余？開關損耗計算的結果是否真實？工程師的一系列疑問都指向一個共同的點：第三代半導體的測試難題。

Micsig基于SigOFIT?專有技術的光隔離探頭正好破解了這個難題。

圖6：Micsig基于SigOFIT?專有技術的光隔離探頭

在圖4和圖5中，藍色的波形為Micsig光隔離探頭測得的結果，可以看出目標板的Vgs信號非常平滑，電路參數(shù)設計的十分完美，碳化硅器件在安全參數(shù)范圍內運行。光隔離探頭能觀察到真實的波形形態(tài)，得益于極高的共模抑制能力，Micsig光隔離探頭在200MHz時，仍然有80dB的共模抑制比。

除了碳化硅之外，在針對氮化鎵的測試環(huán)境下，光隔離探頭更具有無與倫比的優(yōu)勢。氮化鎵相比碳化硅具有更短的開關時間，對測試探頭的共模抑制能力要求更高，這正是光隔離探頭的專長。差分探頭由于引線一般不少于幾十厘米，具有很大的寄生電容和天線效應，當用差分探頭觸及氮化鎵控制極時，劇烈的震蕩會引起氮化鎵器件瞬間燒毀爆炸（俗稱炸管），很多做氮化鎵電路設計的工程師抱怨說，一天炸管幾次是常有的事，一碰就炸，人都搞得神經兮兮的。Micsig光隔離探頭采用MCX連接，引線極短，幾乎沒有天線效應，寄生電容在幾pF之內，測試氮化鎵十分安全。

Micsig光隔離探頭采用獨家SigOFIT?信號光纖隔離技術，在高壓測試情況下，很好的解決了人身安全和后端儀器的安全問題。光隔離探頭共模電壓可達60KVpk以上（完全由測試環(huán)境的絕緣物決定），光纖長度超過10米對信號也沒有影響，用戶可以定制需要定制長度，這是電纜傳輸信號的所有其他探頭不具有的特質。