第三代半導體，又稱寬禁帶半導體，是以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的半導體材料，具備高壓、高溫、高頻大功率等特性。目前已廣泛應用在無線基礎設施（基站）、衛(wèi)星通信、軌道交通、新能源汽車、消費電子等領域。

先說說碳化硅，SiC器件以其固有的高頻、大功率、高溫和抗惡劣環(huán)境應用潛力，在許多領域可以取代Si，打破硅基材料本身性能造成的許多局限性，在航空航天、新能源汽車、軌道交通、高壓輸變電、分布式能源等領域有著十分廣泛的應用，也是各國爭相搶占的產(chǎn)業(yè)高地。

再說說氮化鎵，剛才也提到，5G的基站需要在原有4G基礎上進一步大規(guī)模建設，其主要原因是5G的頻譜高，基站的覆蓋面就相應變小，相對于4G，5G的建設需要更多的小基站才能消除盲區(qū)。頻譜是5G的血液，要提高頻譜利用率，主要的技術方式是增加基站和天線的數(shù)量，對應5G中的關鍵技術應為大規(guī)模天線陣列(MassiveMIMO)和超密集組網(wǎng)(UDN)。

5G時代，射頻器件的重要程度大大超過4G時代。而GaN有一個重要的原生優(yōu)勢——高效率。高效率對5G可謂一個決定性的優(yōu)勢。對于整個MIMO基站，其里面有64個通道，每個通道的效率哪怕有些許的提高，對基站本身的散熱都會有很大的改善，功率也隨之提高，整個覆蓋范圍就變大。

目前GaN技術已成為高頻、大功耗應用技術的首選，不論在頻寬、性能、容量、成本間均可做出最佳成效。

Yole數(shù)據(jù)顯示，截止到2018年底，RF GaN的市場規(guī)模接近4.85億美元。雖然目前全球只有少數(shù)廠商展示了商業(yè)化的GaN技術，但事實上已經(jīng)有許多公司投入研發(fā)GaN技術。而5G通信的快速崛起，成為GaN技術發(fā)展的重要契機。預計到2023年，全球GaNRF器件市場規(guī)模將達到13億美元。

圖: 2019-2023年全球GaN RF器件市場規(guī)模預測

結 語

中國必定成為5G的領頭羊。正如華為，目前已經(jīng)在5G領域頗具造詣，從5G訂單和基站數(shù)量看來，華為5G也正逐漸被業(yè)界認可。在中美貿(mào)易摩擦不斷升級的局勢下，提高半導體產(chǎn)品國產(chǎn)化率的呼聲日益強烈。中國開展SiC、GaN材料和器件方面的研究工作比較晚，在微波射頻和電力電子領域與國外相比水平較低。近年來，中國也在積極推進第三代半導體相關產(chǎn)業(yè)的步伐，全國已形成了京津冀、長三角、珠三角、閩三角以及中西部等三代半產(chǎn)業(yè)聚集區(qū)。相信5G將帶來半導體材料革命性的變化，我國的第三代半導體產(chǎn)業(yè)也將迎來迅猛發(fā)展。