德國英飛凌科技（Infineon Technologies AG）開發(fā)出了適用于光伏發(fā)電用逆變器等的耐壓為1200V的SiC型FET（JFET）“CoolSiC產品群”，并在2012年5月8日～10日于德國舉行的電源技術展會“PCIM Europ
2012-05-17 08:54:48
1734 安森美(onsemi)發(fā)布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET，命名為M3S，其中S代表開關。
2024-03-26 09:57:19594 
安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列專注于提高開關性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特定電阻RSP (即RDS(ON)*Area) ，還針對工業(yè)電源系統(tǒng)中的高功率應用進行了優(yōu)化。
2024-03-28 10:01:09580 
基本半導體1200V 碳化硅MOSFET采用平面柵碳化硅工藝，結合元胞鎮(zhèn)流電阻設計，開發(fā)出了短路耐受時間長，導通電阻小，閾值電壓穩(wěn)定的1200V系列性能卓越的碳化硅MOSFET。
2019-01-17 15:40:039401 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）最近，安森美發(fā)布了第二代1200V SiC MOSFET產品。安森美在前代SiC MOSFET產品中，采用M1及其衍生的M2技術平臺，而這次發(fā)布的第二代1200V
2024-04-08 01:55:002873 的 SiC MOSFET，可確保高達 1000V 的更高直流總線電壓和更低的開關損耗，實現(xiàn) 99% 的峰值效率。此設計可配置為兩級或三級逆變器。主要特色額定標稱輸入電壓/最大輸入電壓：800V/1000VDC
2018-10-29 10:23:06
測試1200V輸入時，加十多分鐘后就炸機了，不是一開始就炸，MOS管那一串都炸了，變壓器沒燒毀。大神幫我看一下電路和波形，600V以后的CS波形感覺就不太好看了，不知道是什么導致的。示波器通道2壞了，沒法雙通道，只能這樣了。
2017-12-13 08:56:00
逆變器等中高功率領域，可顯著的減少電路的損耗，提高電路的工作頻率。 關斷波形圖（650V/10A產品） 650V/1200V碳化硅肖特基二極管選型
2020-09-24 16:22:14
。尤其在高壓工作環(huán)境下，依然體現(xiàn)優(yōu)異的電氣特性，其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性，也大幅度提高電氣設備的整體效率。 產品可廣泛應用于太陽能逆變器、車載電源、新能源汽車電機控制器、UPS、充電樁、功率電源等領域?！ ?b class="flag-6" style="color: red">1200V碳化硅MOSFET系列選型
2020-09-24 16:23:17
有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎 想請教一下驅動電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
。如果是相同設計，則與芯片尺寸成反比，芯片越小柵極電阻越高。同等能力下，SiC-MOSFET的芯片尺寸比Si元器件的小，因此柵極電容小，但內部柵極電阻增大。例如，1200V 80mΩ產品（S2301為裸芯片
2018-11-30 11:34:24
的小型化。 另外，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅動，從而也可以實現(xiàn)無源器件的小型化?！ ∨c600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢在于芯片
2023-02-07 16:40:49
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅動，從而也可以實現(xiàn)無源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢在于芯片面積?。蓪崿F(xiàn)小型封裝），而且體
2019-04-09 04:58:00
問題。（※在SBD和MOSFET的第一象限工作中不會發(fā)生這類問題）ROHM通過開發(fā)不會擴大堆垛層錯的獨特工藝，成功地確保了體二極管通電的可靠性。在1200V 80Ω的第二代SiC MOSFET產品中，實施了
2018-11-30 11:30:41
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應用實例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內容，總之希望通過這些介紹能幫助大家認識采用SiC-MOSFET的好處以及可實現(xiàn)的新功能。另外，除了
2018-11-27 16:38:39
的穩(wěn)健性、可靠性、高頻應用中的瞬時振蕩以及故障處理等問題。這就需要工程師深入了解SiC MOSFET的工作特征及其對系統(tǒng)設計的影響。如圖1所示，與同類型的Si MOSFET相比，900V的SiC
2019-07-09 04:20:19
的第一款SiC功率晶體管以1200 V結型場效應晶體管（JFET）的形式出現(xiàn)。SemiSouth實驗室遵循JFET方法，因為當時雙極結晶體管（BJT）和MOSFET替代品具有被認為是不可克服的障礙。雖然
2023-02-27 13:48:12
產品系列包括以下SiC MOSFET：1200V 80/120 /160mΩ和1700V750mΩ，均采用TO247-3L封裝。其他器件很快將在同一封裝中投入生產，加上類似器件將采用TO247-4L
2019-07-30 15:15:17
在內的各種應用中的采用。當前的SiC-SBD產品結構分為耐壓為650V與1200V、額定電流為5A～40A的產品，具體因封裝而異。其概要如下表所示。另外，ROHM正在開發(fā)650V產品可支持達100A
2018-12-04 10:09:17
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅動，從而也可以實現(xiàn)無源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢在于芯片面積小（可實現(xiàn)小型封裝），而且體
2019-05-07 06:21:55
、SCT50N120 （Vbr=1200v（SCT*N120），Vbr=650v（SCT*N65G2/G2V））.高溫時功率損耗低.高溫工作性能（200C）.無恢復損耗的體二極管.驅動方便.低柵極充電（SCT*N65G2V）了解更多信息，請關注英特洲電子，QQ584140894
2017-07-27 17:50:07
車規(guī)級GPS模塊有哪些特征？
2021-05-18 06:54:02
、恩智浦、英飛凌、德州儀器、微芯科技、意法半導體等國際大廠，市場占有率合計超95%，國內市場同樣如此，國產化率不足5%。與商規(guī)、工規(guī)相比，車規(guī)級MCU的要求極為嚴苛，壽命要達到15年以上，且要支持-40
2023-02-03 12:00:10
`各位今天聊聊車規(guī)級的芯片選型。如果需要的芯片沒有車規(guī)級別的，但又工業(yè)級別的。從穩(wěn)定性，可靠性方面考慮，應該要層元器件的那些特性為主要的考慮因素呢，是溫度？`
2015-10-15 14:22:18
（IPS-RA）4. 航空級智能功率開關（IPS-AA）納/ 微電網(wǎng)與航空電子5.用于奈米／微電網(wǎng)V2G／V2H的高效雙向SiC功率轉換器6.航空電子逆變器。航空電子7. LiPo介面8.引擎控制器- 逆變器該
2019-06-27 04:20:26
、車載電源、太陽能逆變器、充電樁、UPS、PFC 電源等領域有廣泛應用。附上1200V同系列碳化硅MOSFET B1M160120HC B1M080120HC B1M080120HK B1M032120HC B1M018120HC 參數(shù)選型表：
2021-11-10 09:10:42
開來，并應用于電纜以將電線與電纜所穿過的環(huán)境隔離開來。 SiC MOSFET可作為1200V，20A器件提供，在+ 15V柵極-源極電壓下具有100mΩ。此外，固有的導通電阻降低也使SiC MOSFET
2022-08-12 09:42:07
SiC JBS二極管提供卓越的功能，包括但不限于高溫操作，高阻斷電壓和快速開關能力。本文檔介紹高級交換與SiC肖特基二極管相比，GeneSiC的1200 V/12 A SiC JBS二極管提供的性能
2023-06-16 11:42:39
PCA9685是車規(guī)級的么？我想要一個車規(guī)級的PWM輸出信號芯片（引腳越多越好）有沒有推薦。TLC5940-EP怎么樣
2021-05-24 09:43:54
大家好如題，i.MX RT1170車規(guī)級產品有AEC-Q100認證嗎？如果是，能否提供相關文件？
2023-03-15 08:24:23
Firefly推出了專門為工業(yè)和汽車領域而打造的RK3588產品系列，除了之前已發(fā)布的核心板系列之外，目前同步推出了以下兩款主板產品：8K AI工業(yè)主板：AIO-3588JQ車規(guī)級AI主板
2022-10-28 16:39:48
使用，BM6101是一款電流隔離芯片，通過它進行兩級驅動Mosfet管。而驅動的電壓就是通過開關電源調整得到的電壓，驅動電路還如下圖黃框出提供了死區(qū)調整的電阻網(wǎng)絡。利用示波器在在這時對柵極源極電壓
2020-06-07 15:46:23
40mR導通電阻Ron的SIC-MOSFET來說，17A的電流發(fā)熱量還是挺大，在實際應用中需要加強散熱才可以。不過，1200V的SIC-MOSFET并不適合做低壓大電流的應用，這里才是48V的測試，屬于
2020-06-10 11:04:53
項目名稱：基于Sic MOSFET的直流微網(wǎng)雙向DC-DC變換器試用計劃：申請理由本人在電力電子領域（數(shù)字電源）有五年多的開發(fā)經驗，熟悉BUCK、BOOST、移相全橋、LLC和全橋逆變等電路拓撲。我
2020-04-24 18:08:05
電動汽車充電領域的研究，想借助發(fā)燒友論壇完成項目的設計。項目計劃：1）研究與分析雙向諧振式DCDC變換器的工作原理；2）下載器件模型在ADS上搭建仿真電路，同時設計SiC管的驅動策略；3）采用耐壓1200V
2020-04-24 18:11:27
封裝的SIC MOSFET各兩片，分別是TO-247-4L的SCT3040KR，TO-247-3L的SCT3040KL，這兩款都是羅姆推出的SIC MOSFET。兩款SIC 的VDS都是1200V
2020-05-09 11:59:07
對江蘇中科君芯科技有限公司(以下簡稱中科君芯)針對焊機領域開發(fā)1200V系列產品性能、和國外主流器件的參數(shù)比對、實際焊機測試比對展開討論。1電路拓撲工業(yè)用焊接電源電路拓撲有半橋和全橋(圖1,圖2)兩種
2014-08-13 09:01:33
的電感和電容之外的雜散電感和電容。需要認識到，SiC MOSFET 的輸出開關電流變化率 (di/dt) 遠高于 Si MOSFET。這可能增加直流總線的瞬時振蕩、電磁干擾以及輸出級損耗。高開關速度還可能導致電壓過沖。滿足高電壓應用的可靠性和故障處理性能要求。
2017-12-18 13:58:36
車規(guī)級共模扼流圈
過濾汽車和工業(yè)應用中的功率和信號噪聲
Abracon最新的共模扼流圈（CMC）可用于電源線和信號線的應用。此外，信號線CMC可以支持can、can-FD和以太網(wǎng)數(shù)據(jù)傳輸中的噪聲
2023-09-12 14:48:02
` 誰來闡述一下什么是車規(guī)級芯片？`
2019-10-18 10:55:55
、RK3568M、和RK3358M也是瑞芯微即將在車載電子市場推出的車規(guī)級芯片。其中RK3358M已經通過了汽車行業(yè)的AEC-Q100可靠性認證，并已經在售。下面是這三款車規(guī)芯片的簡單規(guī)格參數(shù)，供大家
2022-08-03 15:45:13
SiC-MOSFET的量產。SiC功率模塊已經采用了這種溝槽結構的MOSFET，使開關損耗在以往SiC功率模塊的基礎上進一步得以降低。右圖是基于技術規(guī)格書的規(guī)格值，對1200V/180A的IGBT模塊、采用第二代
2018-11-27 16:37:30
不斷壯大，希望PineTab-V能為推動RISC-V生態(tài)貢獻更多力量?！盝H7110是全球首款量產的高性能RISC-V多媒體處理器，此次成功賦能入門級平板電腦，將進一步驗證RISC-V芯片應用于生產力設備的可行性。
2023-04-14 13:56:10
介紹了采用商用1200V碳化硅（SiC）MOSFET和肖特基二極管的100KHz，10KW交錯式硬開關升壓型DC / DC轉換器的參考設計和性能。 SiC功率半導體的超低開關損耗使得開關頻率在硅實現(xiàn)方面顯著增加
2019-05-30 09:07:24
本產品說明展示了接近理論的理想因素和勢壘高度GeneSiC的1200V SiC肖特基二極管，設計用于工作溫度> 225°C主要應用于井下石油鉆井、航空航天和電動汽車。溫度理想因子
2023-06-16 06:15:24
納芯微推出集成LIN總線物理層和小功率MOS管陣列的單芯片車用小電機驅動系統(tǒng)級芯片（SoC）—— NSUC1610。作為單芯片解決方案，NSUC1610支持12V汽車電池供電，適合于直接控制小型有刷
2023-02-17 14:15:19
CRD-60DD12N，60 kW交錯式升壓轉換器演示板基于1200 V，75mΩ（C3M）SiC MOSFET。該演示板由四個15 kW交錯升壓級組成，每個級使用CGD15SG00D2隔離式柵極驅動板
2019-04-29 09:18:26
測試板。 實驗結果： 電流源驅動器和傳統(tǒng)電壓源驅動器板均使用雙脈沖測試進行評估。評估了 1200V、100A 分立式 IGBT 和 1200V、55A、40mΩ 碳化硅-MOSFET。兩款器件
2023-02-21 16:36:47
頻率選擇演示了基于 1200V SiC MOSFET 的 500-840V 可變直流母線的 OBC 設計，用于 250-450V 電池電壓 ［10］。OBC的整體效率得到了優(yōu)化，但是，1200V SiC
2023-02-27 09:44:36
的行列中，推出相關產品。
國內規(guī)模比較大的有華潤微、派恩杰、楊杰科技等都有SiCMOSFET產品，而更多的初創(chuàng)企業(yè)也在進入車規(guī)SiCMOSFET賽道。比如芯塔電子自主研發(fā)的1200V/80m
2024-01-19 14:55:55
的行列中，推出相關產品。
國內規(guī)模比較大的有華潤微、派恩杰、楊杰科技等都有SiCMOSFET產品，而更多的初創(chuàng)企業(yè)也在進入車規(guī)SiCMOSFET賽道。比如芯塔電子自主研發(fā)的1200V/80m
2024-01-19 14:53:16
納芯微全新推出120V半橋驅動NSD1224系列產品，該系列產品具備3A/-4A的峰值驅動電流能力，集成 高壓自舉二極管 ，提供使能、互鎖、欠壓保護不同版本，有SOP8、HSOP8、DFN10
2023-06-27 15:14:07
結構性缺芯。汽車芯片，尤其是車規(guī)功率半導體的缺貨和漲價仍在持續(xù)。功率半導體領域，中國有六家上市公司先后發(fā)布了第三季度財報，分別是聞泰科技、時代電氣、華潤微電子、士蘭微、揚杰科技、斯達半導體。 根據(jù)六家
2022-11-23 14:40:42
求可靠的生產廠家，車規(guī)級器件。求推薦
2017-05-12 10:21:28
近日，武漢芯源半導體正式發(fā)布首款基于Cortex?-M0+內核的CW32A030C8T7車規(guī)級MCU，這是武漢芯源半導體首款通過AEC-Q100 (Grade 2)車規(guī)標準的主流通用型車規(guī)MCU產品
2023-11-30 15:47:01
基于Richtek RTQ7880的車規(guī)級充電裝置有哪些核心技術優(yōu)勢？
2021-08-06 06:19:11
PWM輸出信號芯片類似于PCA9685這種，引腳越多越好，需要是車規(guī)級。繼電器控制輸出芯片類似于TLE6244X這種，也需要是車規(guī)級，急需，感謝大家
2021-05-25 15:31:03
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應的SiC-MOSFET的相關信息。獨有的雙溝槽結構SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進程中，ROHM于世界首家實現(xiàn)了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關注的器件。成果比較突出的就是美國的Cree公司和日本的ROHM公司。在國內雖有幾家在持續(xù)投入，但還處于開發(fā)階段, 且技術尚不完全成熟。從國內
2019-09-17 09:05:05
40%。在工業(yè)電子領域，紫光展銳已推出V510、V516，以及面向智能座艙的A7870和面向行業(yè)解決方案的P7885。紫光展銳首度展示三款車規(guī)級商用芯片2022年，展銳在汽車電子領域，也有多款產品量產
2023-02-28 10:00:39
本半導體制造商羅姆面向工業(yè)設備和太陽能發(fā)電功率調節(jié)器等的逆變器、轉換器，開發(fā)出耐壓高達1200V的第2代SiC（Silicon carbide：碳化硅）MOSFET“SCH2080KE”。此產品損耗
2019-03-18 23:16:12
。BD7682FJ-LB是AC/DC轉換器用的準諧振控制器，是全球首款*專為驅動SiC-MOSFET而優(yōu)化的IC。（*截至2015/3/25的數(shù)據(jù)）您可能已經注意到，開關要使用SiC-MOSFET時，需要為將
2018-11-27 16:54:24
220x180x50mm方框圖，直流母線電壓和開關頻率選擇圖1顯示了雙向OBC的系統(tǒng)框圖?；?b class="flag-6" style="color: red">1200V SiC MOSFET的OBC設計具有500-840V可變直流母線，可用于250-450V電池電壓[10
2019-10-25 10:02:58
請問車規(guī)級芯片到底有哪些要求？
2021-06-18 07:56:37
。與此同時，SiC模塊也已開發(fā)出采用第3代SiC-MOSFET的版本?！癇SM180D12P3C007”就是通過采用第3代SiC-MOSFET而促進實現(xiàn)更低導通電阻和更大電流的、1200V/180A、Ron
2018-12-04 10:11:50
2023年2月20日，國民技術在深圳正式推出兼具通用性、硬件安全性和車規(guī)級高可靠性等優(yōu)勢特性的N32A455系列車規(guī)級MCU并宣布量產。這是繼N32S032車規(guī)級EAL5+安全芯片之后，國民技術發(fā)布
2023-02-20 17:44:27
羅姆日前發(fā)布了耐壓為1200V的第二代SiC制MOSFET產品（圖1）。特點是與該公司第一代產品相比提高了可靠性、降低了單位面積的導通電阻，以及備有將SiC制肖特基勢壘二極管（SBD）和SiC制
2012-06-18 09:58:531626 全球領先的高性能功率半導體解決方案供應商Fairchild （NASDAQ： FCS） 發(fā)布首個1200V碳化硅（SiC）二極管 —— FFSH40120ADN，納入即將推出的SiC解決方案系列。
2016-03-22 11:12:161339 英飛凌全新1200V SiC MOSFET經過優(yōu)化，兼具可靠性與性能優(yōu)勢。它們在動態(tài)損耗方面樹立了新標桿，相比1200V硅（Si）IGBT低了一個數(shù)量級。這在最初可以支持光伏逆變器、不間斷電源（UPS）或充電/儲能系統(tǒng)等應用的系統(tǒng)改進，此后可將其范圍擴大到工業(yè)變頻器。
2016-05-10 17:17:498022 大聯(lián)大旗下品佳代理的英飛凌（Infineon）推出革命性的1200V SiC MOSFET，使產品設計可以在功率密度和性能上達到前所未有的水平。它們將有助于電源轉換方案的開發(fā)人員節(jié)省空間、減輕重量、降低散熱要求，并提高可靠性和降低系統(tǒng)成本。
2018-04-23 16:18:003708 
ROHM第三代碳化硅MOSFET特點（相比第二代）ROHM第三代設計應用于650V和1200V產品之中，包括分立或模組封裝。本報告深入分析了650V和1200V第三代溝槽MOSFET，并利用光學顯微鏡和掃描電鏡研究復雜的碳化硅溝槽結構。
2018-08-20 17:26:299081 ?東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）已推出兩款碳化硅(SiC) MOSFET雙模塊：額定電壓為1200V、額定漏極電流為600A的“MG600Q2YMS3”；額定電壓為1700V、額定
2022-02-01 20:22:024631 值得一提的是，這款TO247-4封裝的產品通過AEC-Q101認證，同時表明1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET裸芯片，也滿足車規(guī)級可靠性標準。該晶圓正面還可以采用鎳鈀金，如下圖，支持雙面散熱封裝，可進一步突破傳統(tǒng)單面封裝的功率密度極限。
2022-11-08 14:45:16907 SiC MOSFET：SCT3xxx xR系列是面向服務器用電源、太陽能逆變器和電動汽車充電站等要求高效率的應用開發(fā)而成的溝槽柵極結構SiC MOSFET，采用4引腳封裝。此次共推出6款機型（650V耐壓和1200V耐壓）。
2023-02-09 10:19:221303 
2022年11月，上海瞻芯電子開發(fā)的1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET通過了車規(guī)級可靠性認證(AEC-Q101)，該產品為TO247-4封裝，最大電流(Ids)可達111A。
2023-03-22 16:47:332113 
之間的共性和差異，以便用戶充分利用每種器件。本系列文章將概述安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關鍵特性及驅動條件對它的影響，作為安森美提供的全方位寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)的一部分，還將提供
2023-06-16 14:39:39564 
提高。封裝采用.XT互連技術，最新的CoolSiCMOSFET具有一流的熱耗散性能。產品規(guī)格：1200V,7mΩ、14mΩ和20mΩTO247封裝CoolSiC12
2022-04-20 09:56:20618 
SiC MOSFET體二極管的關斷特性與IGBT電路中硅基PN二極管不同，這是因為SiC MOSFET體二極管具有獨特的特性。對于1200V SiC MOSFET來說，輸出電容的影響較大，而PN
2023-01-04 10:02:071242 
增強型1代1200V CoolSiC? MOSFET的EasyDUAL? 1B半橋模塊，采用PressFIT壓接式安裝技術和溫度檢測NTC，并有使用預涂的熱界面材料（TIM）版本。
2023-07-28 14:22:44243 繼1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二極管）器件獲AEC-Q101車規(guī)級認證后
2023-10-25 18:28:10448 
近日，芯塔電子自主研發(fā)的1200V/80mΩTO-263-7封裝?SiC MOSFET器件成功獲得第三方權威檢測機構（廣電計量）全套AEC-Q101車規(guī)級可靠性認證。包括之前通過測試認證的650V
2023-12-06 14:04:49344 
據(jù)悉，國聯(lián)萬眾公司已研發(fā)出具備指標性能堪比國外知名廠商的1200V SiC MOSFET產品，部分型號產品已開始供應市場。另一方面，針對比亞迪在內的多方潛在客戶，該公司的電動汽車主驅用大功率MOSFET產品正在進行進一步洽談。
2023-12-12 10:41:48256 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《NSF080120L3A0：1200 V，80 mΩ，N溝道SiC MOSFET一般說明.pdf》資料免費下載
2023-12-19 15:36:29
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《NSF040L3A0：1200伏，40米?,NN溝道SiC MOSFET應用指南.pdf》資料免費下載
2023-12-19 15:37:520 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《1200 V，80 mΩ，N溝道SiC MOSFET初步數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-01-03 16:28:290 深圳市至信微電子有限公司（簡稱：至信微）在深圳威尼斯英迪格酒店成功舉辦了2024新品發(fā)布暨代理商大會。此次大會上，至信微發(fā)布了一系列行業(yè)領先的SiC芯片，其中包括1200V/7mΩ和750V/5mΩ兩款產品。
2024-01-16 15:45:17343 全球知名的連接和電源解決方案供應商Qorvo近日發(fā)布了四款采用緊湊型E1B封裝的1200V碳化硅（SiC）模塊。這些模塊包括兩款半橋配置和兩款全橋配置，其導通電阻RDS(on)最低可達9.4mΩ。
2024-03-03 16:02:35371 蓉矽半導體近日宣布，其自主研發(fā)的1200V 40mΩ SiC MOSFET產品NC1M120C40HT已順利通過AEC-Q101車規(guī)級測試和HV-H3TRB加嚴可靠性考核。這一里程碑式的成就不僅彰顯了蓉矽半導體在功率半導體領域的技術實力，也進一步證明了其產品在新能源汽車、光伏逆變等高端應用領域的強大競爭力。
2024-03-12 11:06:30301 近日，瞻芯電子正式推出一款車規(guī)級1200V 碳化硅(SiC)三相全橋塑封模塊IVTM12080TA1Z，該模塊產品及其采用的1200V 80mΩ SiC MOSFET分別獲得了AQG324與AEC-Q101車規(guī)級可靠性認證。
2024-04-07 11:37:32378 
納芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產品，該產品RDSon為60mΩ，具有通孔式TO-247-4L與表面貼裝TO-263-7L兩種封裝形式，可提供車規(guī)與工規(guī)兩種
2024-04-17 13:37:4962 
納芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產品，該產品RDSon為60mΩ，具有通孔式TO-247-4L與表面貼裝TO-263-7L兩種封裝形式，可提供車規(guī)與工規(guī)兩種等級。
2024-04-17 14:02:49172 
納芯微全新推出NSD830x-Q1系列多通道半橋車規(guī)級驅動芯片，該系列產品包含NSD8308（8通道）和NSD8306（6通道）兩款產品，內部均集成多通道半橋驅動和N-MOS功率級，支持
2022-10-27 10:43:07
納芯微全新推出首款業(yè)界領先的NSE11409系列智能低邊開關芯片，該款芯片是專門針對驅動高可靠性負載應用而設計的，廣泛應用于驅動汽車和工業(yè)場景中的繼電器、執(zhí)行閥、照明和加熱電阻絲等負載
2022-10-27 13:42:50
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