德國英飛凌科技（Infineon Technologies AG）開發(fā)出了適用于光伏發(fā)電用逆變器等的耐壓為1200V的SiC型FET（JFET）“CoolSiC產(chǎn)品群”，并在2012年5月8日～10日于德國舉行的電源技術展會“PCIM Europ
2012-05-17 08:54:48
2140 大聯(lián)大控股宣布，其旗下品佳代理的英飛凌（Infineon）推出革命性的1200V SiC MOSFET，使產(chǎn)品設計可以在功率密度和性能上達到前所未有的水平。它們將有助于電源轉換方案的開發(fā)人員節(jié)省空間、減輕重量、降低散熱要求，并提高可靠性和降低系統(tǒng)成本。
2018-04-10 14:04:348342 
的制造商如何通過提高可靠性來提高可靠性設計，元件選擇和制造過程。一些例子將說明供應商如何在公司制造的AC/DC和DC/DC轉換器模塊中整合和指定這些實踐。
2019-03-11 08:32:005446 
科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出了650 V CoolSiCTM?MOSFET系列新產(chǎn)品。該產(chǎn)品具有高可靠性、易用性和經(jīng)濟實用等特點，能夠提供卓越的性能。這些SiC器件采用了英飛凌先進的SiC溝槽工藝、緊湊的D2PAK 表面貼裝7引腳封裝和.XT互連技術
2022-03-31 18:10:575864 
大功率領域，能顯著提高效率，降低裝置體積。在這些應用領域中，對功率器件的可靠性要求很高，為此，針對自主研制的3300V SiC MOSFET 開展柵氧可靠性研究。首先，按照常規(guī)的評估技術對其進行了高溫柵
2024-01-04 09:41:545025 
安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列專注于提高開關性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特定電阻RSP (即RDS(ON)*Area) ，還針對工業(yè)電源系統(tǒng)中的高功率應用進行了優(yōu)化。
2024-03-28 10:01:092465 
1200V級SiC MOSFET是一種能充分發(fā)揮SiC優(yōu)勢的器件，廣泛應用于工業(yè)、汽車等領域。目前，1200V級SiC MOSFET被多家器件廠商定位為主力產(chǎn)品，本文主要介紹三菱電機1200V級SiC MOSFET的技術開發(fā)概要。
2024-12-04 10:50:432592 
MOSFET的柵氧可靠性問題一直是制約其廣泛應用的關鍵因素之一。柵氧層的可靠性直接影響到器件的長期穩(wěn)定性和使用壽命，因此，如何有效驗證SiC MOSFET柵氧可靠性成為了業(yè)界關注的焦點。
2025-03-24 17:43:272363 
基本半導體1200V 碳化硅MOSFET采用平面柵碳化硅工藝，結合元胞鎮(zhèn)流電阻設計，開發(fā)出了短路耐受時間長，導通電阻小，閾值電壓穩(wěn)定的1200V系列性能卓越的碳化硅MOSFET。
2019-01-17 15:40:0310726 
CIPOS Maxi IPM集成了改進的6通道1200 V絕緣體上硅（SOI）柵極驅(qū)動器和六個CoolSiC? MOSFET，以提高系統(tǒng)可靠性，優(yōu)化PCB尺寸和系統(tǒng)成本。
2020-12-11 17:01:081369 AAPITech推出用于緩解關鍵航空電子系統(tǒng)中C波段5G干擾的高可靠性腔體濾波器
2022-02-09 10:24:082596 
? MOSFET 2000 V。這款產(chǎn)品不僅能夠滿足設計人員對更高功率密度的需求，而且即使面對嚴格的高電壓和開關頻率要求，也不會降低系統(tǒng)可靠性。CoolSiC? MOSFET具有更高的直流母線
2024-03-14 11:07:581205 
? 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 近日，三安光電在投資者平臺上表示，其主驅(qū)逆變器用SiC MOSFET從1200V 16mΩ迭代到1200V 13mΩ，在國內(nèi)頭部電動車企客戶處的摸底模塊驗證已完
2025-08-10 03:18:008199 3G核心網(wǎng)網(wǎng)元是什么？為什么要提高3G核心網(wǎng)高的可靠性設計？3G核心網(wǎng)高可靠性設計方法有哪些？
2021-05-25 07:04:23
高等特點，更適合制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件?！ ?b class="flag-6" style="color: red">SiC MOSFET在開發(fā)與應用方面，實現(xiàn)了傳統(tǒng)型半導體（Si）實現(xiàn)不了的低損耗，包括提高效率、提升功率密度、降低冷卻要求以及降低系統(tǒng)級成本
2020-09-24 16:23:17
。如果是相同設計，則與芯片尺寸成反比，芯片越小柵極電阻越高。同等能力下，SiC-MOSFET的芯片尺寸比Si元器件的小，因此柵極電容小，但內(nèi)部柵極電阻增大。例如，1200V 80mΩ產(chǎn)品（S2301為裸芯片
2018-11-30 11:34:24
問題。（※在SBD和MOSFET的第一象限工作中不會發(fā)生這類問題）ROHM通過開發(fā)不會擴大堆垛層錯的獨特工藝，成功地確保了體二極管通電的可靠性。在1200V 80Ω的第二代SiC MOSFET產(chǎn)品中，實施了
2018-11-30 11:30:41
，即非本征缺陷時才有效。與Si MOSFET相比，現(xiàn)階段SiC MOSFET柵極氧化物中的非本征缺陷密度要高得多。電篩選降低了可靠性風險與沒有缺陷的器件相比，有非本征缺陷的器件更早出現(xiàn)故障。無缺陷的器件
2022-07-12 16:18:49
的穩(wěn)健性、可靠性、高頻應用中的瞬時振蕩以及故障處理等問題。這就需要工程師深入了解SiC MOSFET的工作特征及其對系統(tǒng)設計的影響。如圖1所示，與同類型的Si MOSFET相比，900V的SiC
2019-07-09 04:20:19
MOSFET狀態(tài)表明了主要商業(yè)障礙的解決方案，包括價格，可靠性，堅固性和供應商的多樣化。盡管價格優(yōu)于Si IGBT，但由于成本抵消了系統(tǒng)級優(yōu)勢，SiC MOSFET已經(jīng)取得了成功。隨著材料成本的下降，這項技術
2023-02-27 13:48:12
產(chǎn)品系列包括以下SiC MOSFET：1200V 80/120 /160mΩ和1700V750mΩ，均采用TO247-3L封裝。其他器件很快將在同一封裝中投入生產(chǎn)，加上類似器件將采用TO247-4L
2019-07-30 15:15:17
。本篇到此結束。關于SiC-MOSFET，將會借其他機會再提供數(shù)據(jù)。（截至2016年10月）關鍵要點:?ROHM針對SiC-SBD的可靠性，面向標準的半導體元器件，根據(jù)標準進行試驗與評估。＜ 相關產(chǎn)品信息 ＞SiC-SBDSiC-MOSFET
2018-11-30 11:50:49
Sic MOSFET 主要優(yōu)勢.更小的尺寸及更輕的系統(tǒng).降低無源器件的尺寸/成本.更高的系統(tǒng)效率.降低的制冷需求和散熱器尺寸Sic MOSFET ，高壓開關的突破.SCT30N120
2017-07-27 17:50:07
量簡化設計，簡化電路和結構設計，使每個部件都成為最簡設計。當今世界流行的模塊化設計方法是提高設備可靠性的有效措施。塊功能相對單一，系統(tǒng)由模塊組成，可以減少設計的復雜性，將設計標準化、規(guī)范化。國內(nèi)外大量
2018-09-21 14:49:10
的前提下，應盡量簡化設計，簡化電路和結構設計，使每個部件都成為最簡設計。當今世界流行的模塊化設計方法是提高設備可靠性的有效措施。塊功能相對單一，系統(tǒng)由模塊組成，可以減少設計的復雜性，將設計標準化、規(guī)范化
2018-11-23 16:50:48
為提高單片機本身的可靠性。近年來單片機的制造商在單片機設計上采取了一系列措施以期提高可靠性。這些技術主要體現(xiàn)在以下幾方面： 1.降低外時鐘頻率 外時鐘是高頻的噪聲源，除能引起對本應用系統(tǒng)
2020-07-16 11:07:49
和恢復特性，還成功將VF降低至約0.15V，達到當時業(yè)界最小的VF 1.35。VF降低有助于降低設備的傳導損耗。第三代SiC-SBD為提高抗浪涌電流性能并改善漏電流IR，采用了JBS（Junction
2018-12-03 15:11:25
所需的組件，降低系統(tǒng)成本，提高可靠性?！ ?b class="flag-6" style="color: red">英飛凌新型功率晶體管PTVA127002EV非常適用于空中交通管制應用和氣象觀察應用的L波段雷達系統(tǒng)。雷達系統(tǒng)在特定頻率范圍內(nèi)發(fā)射高能電子脈沖，然后檢測脈沖
2018-11-29 11:38:26
高可靠性的線路板具有什么特點？
2021-04-25 08:16:53
。所有這些應用都需要具備更高功率密度的先進半導體系統(tǒng)。此類功率模塊的決定性要素是出色的可靠性、堅固性和長使用壽命。 圖1 英飛凌1200V功率模塊振動條件下的堅固性和可靠性不僅是牽引應用關注的焦點，同時也
2018-12-03 13:49:12
開來，并應用于電纜以將電線與電纜所穿過的環(huán)境隔離開來。 SiC MOSFET可作為1200V，20A器件提供，在+ 15V柵極-源極電壓下具有100mΩ。此外，固有的導通電阻降低也使SiC MOSFET
2022-08-12 09:42:07
采用IR51H420構成的高可靠性節(jié)能燈電子鎮(zhèn)流器電路圖
2019-10-31 09:10:48
供5A的強勁拉灌電流，其納秒級的開關速度與高欠壓保護閾值，使其成為替代傳統(tǒng)分立驅(qū)動方案、提升系統(tǒng)可靠性的理想選擇。核心特性：
高壓高速驅(qū)動：支持9V至30V的寬驅(qū)動電源范圍，在18V供電下可提供5A的峰值
2025-12-29 08:33:43
秋”將全力以赴地持續(xù)提高可靠性，一如既往地積極捍衛(wèi)國家市場形象，不遺余力地為“中國制造”代言，竭盡全力助推中國從“制造大國”邁向“制造強國”！`
2020-07-09 11:54:01
作業(yè)的設備，即使可靠性提高1%，成本提高10%也是合算的。PCBA可靠性高，則維修費、停機損失可大幅減少，資產(chǎn)及生命安全更有保障！當今，放眼全球，國家與國家的競爭已經(jīng)演變成企業(yè)與企業(yè)的競爭，可靠性
2020-07-03 11:09:11
，發(fā)現(xiàn)提高可靠性水平可大大幅減少電子設備的維修費用；表面看來，高可靠性的前期生產(chǎn)、管控成本會較高，但是，后期的故障率更少，而且維護費、停機損失會更低。為了幫助客戶實現(xiàn)經(jīng)濟效益最大化，“華秋”更執(zhí)念于把
2020-07-08 17:10:00
的電感和電容之外的雜散電感和電容。需要認識到，SiC MOSFET 的輸出開關電流變化率 (di/dt) 遠高于 Si MOSFET。這可能增加直流總線的瞬時振蕩、電磁干擾以及輸出級損耗。高開關速度還可能導致電壓過沖。滿足高電壓應用的可靠性和故障處理性能要求。
2017-12-18 13:58:36
具有決定性的影響。因此，深入理解柵極氧化層的特性，并掌握其可靠性測試方法，對于推動碳化硅 MOSFET的應用和發(fā)展具有重要意義。今天的“SiC科普小課堂”將聚焦于“柵極氧化層”這一新話題：“什么是柵極
2025-01-04 12:37:34
標記。GE公司分析，對能源、交通、礦山、通訊、工控、醫(yī)療等連續(xù)作業(yè)的設備，即使可靠性提高1%，成本提高10%也是合算的。PCBA可靠性高，則維修費、停機損失可大幅減少，資產(chǎn)及生命安全更有保障！當今
2020-07-03 11:18:02
的可靠性防范措施。3．本質(zhì)可靠性與可靠性控制本質(zhì)可靠性是只考慮系統(tǒng)功能要求的軟、硬件可靠性設計，是可靠性設計的基礎。如采用 CMOS 電路代替 7rrL 電路提高噪聲容限，增加系統(tǒng)抗干擾能力：采用
2021-01-11 09:34:49
，半導體技術的改進和新的安全功能怎樣簡化了設計，并提高了組件的可靠性?！ ?b class="flag-6" style="color: red">高可靠性電源系統(tǒng)的要求 在理想的世界里，高可靠性系統(tǒng)應該設計為能夠避免單點失效，有辦法在保持運行 (但也許是在降低的性能水平
2018-10-17 16:55:21
高可靠性系統(tǒng)設計包括使用容錯設計方法和選擇適合的組件，以滿足預期環(huán)境條件并符合標準要求。本文專門探討實現(xiàn)高可靠性電源的半導體解決方案，這類電源提供冗余、電路保護和遠程系統(tǒng)管理。本文將突出顯示，半導體技術的改進和新的安全功能怎樣簡化了設計，并提高了組件的可靠性。
2019-07-25 07:28:32
`請問如何提高PCB設計焊接的可靠性？`
2020-04-08 16:34:11
PMU的原理是什么？如何提高數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的實時性與可靠性？
2021-05-12 06:45:42
高可靠性系統(tǒng)設計包括使用容錯設計方法和選擇適合的組件，以滿足預期環(huán)境條件并符合標準要求。本文專門探討實現(xiàn)高可靠性電源的半導體解決方案，這類電源提供冗余、電路保護和遠程系統(tǒng)管理。本文將突出顯示，半導體技術的改進和新的安全功能怎樣簡化了設計，并提高了組件的可靠性。
2021-03-18 07:49:20
本文擬從印制板下游用戶安裝后質(zhì)量、直接用戶調(diào)試質(zhì)量和產(chǎn)品使用質(zhì)量三方面研究印制板的可靠性，從而表征出印制板加工質(zhì)量的優(yōu)劣并提供生產(chǎn)高可靠性印制板的基本途徑。
2021-04-21 06:38:19
盡管許多嵌入式工程師充滿了希望和夢想，但高可靠性的代碼不是一蹴而就的。它是一個艱苦的過程，需要開發(fā)人員維護和管理系統(tǒng)的每個比特和字節(jié)。當一個應用程序被確認為“成功”的那一刻，通常會有一種如釋重負
2019-09-29 08:10:15
無線電池管理系統(tǒng)突出了業(yè)界提高可靠性的動力
2019-09-09 08:23:41
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應的SiC-MOSFET的相關信息。獨有的雙溝槽結構SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進程中，ROHM于世界首家實現(xiàn)了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
阻并提高可靠性。東芝實驗證實，與現(xiàn)有SiC MOSFET相比，這種設計結構在不影響可靠性的情況下[1]，可將導通電阻[2]（RonA）降低約20%。功率器件是管理各種電子設備電能，降低功耗以及實現(xiàn)碳中和
2023-04-11 15:29:18
頻率做得更高。作為傳統(tǒng)設計中IGBT和Si-MOSFET的替代品，TO-247三線和四線封裝仍將占有一席之地。隨著技術的成熟，可靠性將得到越來越多的證明，隨著成品率的提高和片芯尺寸的縮小，成本有望降低
2023-02-27 14:28:47
低，可靠性高，在各種應用中非常有助于設備實現(xiàn)更低功耗和小型化。本產(chǎn)品于世界首次※成功實現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝。內(nèi)部二極管的正向電壓（VF）降低70％以上，實現(xiàn)更低損耗的同時
2019-03-18 23:16:12
PCB的外殼中?？梢?b class="flag-6" style="color: red">將組件安裝到靈活的解決方案上，而不是將組件安裝到剛性PCB上，它們將與外形合適的外殼相符。此外，可以用加固基板加固柔性PCB的部分，以提高可靠性。最后，柔性印制電路板可提供最輕
2023-04-21 15:52:50
羅姆日前發(fā)布了耐壓為1200V的第二代SiC制MOSFET產(chǎn)品（圖1）。特點是與該公司第一代產(chǎn)品相比提高了可靠性、降低了單位面積的導通電阻，以及備有將SiC制肖特基勢壘二極管（SBD）和SiC制
2012-06-18 09:58:531938 英飛凌全新1200V SiC MOSFET經(jīng)過優(yōu)化，兼具可靠性與性能優(yōu)勢。它們在動態(tài)損耗方面樹立了新標桿，相比1200V硅（Si）IGBT低了一個數(shù)量級。這在最初可以支持光伏逆變器、不間斷電源（UPS）或充電/儲能系統(tǒng)等應用的系統(tǒng)改進，此后可將其范圍擴大到工業(yè)變頻器。
2016-05-10 17:17:498625 ）電機已成為許多勻速或變速的高可靠性中高檔系統(tǒng)的選擇。借助幾個霍爾效應傳感器和一個控制器，BLDC 電機變得相對容易控制。如今，BLDC 電機系統(tǒng)已十分常見，但是，大多數(shù)系統(tǒng)仍使用傳感器來控制電機。為了降低 BLDC 系統(tǒng)的成本并提高可靠性，許
2017-09-15 08:53:08
15 英飛凌宣布推出650V SiC MOSFET，標志著公司進一步增強了在低壓SiC領域的布局，650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:505544 英飛凌采用全新 D2PAK-7L 封裝的 1200V CoolSiC? MOSFET，導通電阻從 30m?到 350m?，可助力不同功率的工業(yè)電源、充電器及伺服驅(qū)動器（不同的電流額定值）實現(xiàn)最高
2021-03-01 12:16:023163 英飛凌科技股份公司（FSE:IFX/OTCQX:IFNNY）推出了1200V碳化硅（SiC）集成功率模塊（IPM），并在今年大規(guī)模推出了SiC解決方案。CIPOS Maxi IPM IM828系列
2021-01-08 11:34:514444 半導體于2021年推出SiC MOSFET產(chǎn)品，不僅一如既往的追求高可靠性，同時也擁有業(yè)內(nèi)領先的高性能和競爭力。
2022-02-18 16:44:105622 
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