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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電源/新能源>電源IC主要部件的選型:MOSFET Q1

電源IC主要部件的選型:MOSFET Q1

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要選擇一個(gè)大概工作400hz,24電源mosfet要怎么選擇型號(hào)
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`  誰(shuí)來(lái)闡述一下mosfet選型什么參數(shù)優(yōu)先考慮?`
2019-10-29 16:30:15

ADP3412是一款為驅(qū)動(dòng)而優(yōu)化的雙mosfet驅(qū)動(dòng)器兩個(gè)N通道mosfet

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2020-07-21 15:49:18

LLC電路中的MOSFET

可能發(fā)生功率MOSFET的潛在失效。下圖給出了可能出現(xiàn)潛在器件失效的工作模式。在t0~t1時(shí)段,諧振電感電流Ir變?yōu)檎S捎?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET Q1處于導(dǎo)通狀態(tài),諧振電感電流流過(guò)MOSFET Q1 溝道。當(dāng)Ir開(kāi)始
2019-09-17 09:05:04

SiC-MOSFET體二極管特性

的設(shè)計(jì)案例 AC/DC 非隔離型降壓轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)案例概要 何謂降壓轉(zhuǎn)換器-基本工作及不連續(xù)模式和續(xù)模式 電源IC的選擇和設(shè)計(jì)案例主要元器件的選型輸入電容器C1與VCC用電容器C2主要部件選型電感 L1
2018-11-27 16:40:24

SiC-MOSFET的應(yīng)用實(shí)例

和設(shè)計(jì)案例主要元器件的選型輸入電容器C1與VCC用電容器C2主要部件選型電感 L1電流檢測(cè)電阻 R1輸出電容器 C5輸出整流二極管 D4 EMI對(duì)策 實(shí)裝PCB板布局與總結(jié)使用SiC-MOSFET
2018-11-27 16:38:39

cpu基本部件選型

cpu基本部件選型存儲(chǔ)相關(guān)的部件數(shù)據(jù)預(yù)處理部件運(yùn)算部件數(shù)據(jù)通路選擇部件控制單元(控制器)1.存儲(chǔ)相關(guān)的部件1)寄存器堆(組)讀數(shù)據(jù)(根據(jù)指令中的rs或rt)寫(xiě)數(shù)據(jù)(根據(jù)指令中的rt或rd)32個(gè)
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為什么使用LM***-Q1不能48vdc輸入?

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為什么說(shuō)Q1Q導(dǎo)通LED亮呢?

電路原理:當(dāng)RP有光照時(shí),RP阻值很小,Q1的B極電位很低(也可以這樣理解,RP阻值很小,Q1的B極接地),使Q1處于截止?fàn)顟B(tài),Q1的C極處于高電位,即Q的B極處于高電位,使Q截止。困惑:當(dāng)RP有
2023-03-22 13:42:20

關(guān)于74HC164應(yīng)用,這種接法,開(kāi)關(guān)的頻率為多少?同1時(shí)刻,Q1Q分別4輸出高電平還是低電平?

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2019-09-06 10:35:19

分享幾個(gè)模塊電源中常見(jiàn)的MOSFET驅(qū)動(dòng)電路

簡(jiǎn)單可靠、損耗小。(5)根據(jù)情況施加隔離。下面介紹幾個(gè)模塊電源中常用的MOSFET驅(qū)動(dòng)電路。1、電源IC直接驅(qū)動(dòng)MOSFET1 IC直接驅(qū)動(dòng)MOSFET電源IC直接驅(qū)動(dòng)是我們最常用的驅(qū)動(dòng)方式,同時(shí)
2019-02-21 06:30:00

十步輕松學(xué)會(huì)MOSFET選型

設(shè)計(jì)一個(gè)電源系統(tǒng)的時(shí)候,已知條件有:輸入電壓范圍、輸出電壓/輸出電流、效率、工作頻率、驅(qū)動(dòng)電壓,當(dāng)然還有其他的技術(shù)指標(biāo)和功率MOSFET相關(guān)的主要是這些參數(shù)。步驟如下: (1)根據(jù)輸入電壓范圍、輸出電壓
2019-04-04 06:30:00

如何選型—功率 MOSFET選型

—功率 MOSFET選型1 我的應(yīng)用該選擇哪種類(lèi)型的 MOSFET?前面說(shuō)了,實(shí)際應(yīng)用主要使用增強(qiáng)型功率 MOSFET,但到底該選擇 N 溝道的還是 P 溝道的呢?如果你對(duì)這個(gè)問(wèn)題有疑問(wèn),下面的圖
2019-11-17 08:00:00

開(kāi)關(guān)電源中發(fā)電感L1選型方法

本文作為“主要部件選型”的第二篇文章,將介紹在開(kāi)關(guān)電源中發(fā)揮著重要作用的電感的選型方法。電感:L1電感L1如右側(cè)電路圖所示,由輸出電容器C5和LC濾波器共同組成。L1電感值的設(shè)置要使設(shè)備在不連續(xù)
2018-11-27 16:53:22

開(kāi)關(guān)電源常用的MOSFET驅(qū)動(dòng)電路

結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單可靠、損耗小。(5)根據(jù)情況施加隔離。下面介紹幾個(gè)模塊電源中常用的MOSFET驅(qū)動(dòng)電路。1、電源IC直接驅(qū)動(dòng)MOSFET1 IC直接驅(qū)動(dòng)MOSFET電源IC直接驅(qū)動(dòng)是我們最常用的驅(qū)動(dòng)方式
2017-01-09 18:00:06

當(dāng)蓄電池沒(méi)接上時(shí)候,IRF_CON標(biāo)號(hào)低電平時(shí)候,Q1截至,當(dāng)蓄電池(26V)接入時(shí)候,為什么測(cè)Q1的D極有9V電壓?

[tr=transparent]R1右邊連接蓄電池,這個(gè)電路簡(jiǎn)單的給蓄電池充電。有個(gè)不明白的現(xiàn)象,請(qǐng)教大家:當(dāng)蓄電池沒(méi)接上時(shí)候,IRF_CON標(biāo)號(hào)低電平時(shí)候,Q1截至,Q1的D極電壓為0,當(dāng)蓄電池(26V)接入時(shí)候,為什么測(cè)Q1的D極有9V電壓?[/tr]
2018-04-17 22:00:02

忽略基極電流,V1未知,如何知道Q1的發(fā)射極電阻?

我目前想要計(jì)算每個(gè)晶體管的DC集電極電壓和電阻,忽略 基極電流,beta=400 厄爾利電壓=200V, 為了計(jì)算Q1的集電極電壓和電流應(yīng)該需要先知道它發(fā)射極的參數(shù)吧,請(qǐng)問(wèn)這種電路如何確定Q1的發(fā)射極電阻?
2024-11-06 11:07:27

新能源汽車(chē)旋轉(zhuǎn)變壓器驅(qū)動(dòng)電路講解(五)-旋變驅(qū)動(dòng)電路怎么選擇驅(qū)動(dòng)管Q1Q2

電流的最大值為:Ic≈Iemax=(Vcc-Vces1)/RL考慮留有一定余量Icmax=Vcc/RL3、集電極最大功率在功率放大電路中,電源提供的功率,除了轉(zhuǎn)換輸出功率外,其余部分主要消耗在功率管Q1
2021-08-25 10:07:25

最新《RF和微波IC選型指南》PDF免費(fèi)下載

自己應(yīng)用的哪一款呢?ADI《RF和微波IC》最新選型指南來(lái)幫您。(附件) 最新版的《RF和微波IC[size=10.5000pt]》選型指南主要包括RF放大器、可變?cè)鲆娣糯笃?、衰減器、RF混頻器、I
2018-09-13 11:33:52

電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC的功耗計(jì)算方式(上)

電機(jī)的電流為IO。此外,Q1Q4的MOSFET在輸出段的H橋電路中。小信號(hào)部電路的功耗可以簡(jiǎn)單地通過(guò)Icc×Vcc來(lái)計(jì)算。H橋部分是高邊Q1和低邊Q4導(dǎo)通,IO從Vcc經(jīng)由Q1流向電機(jī),并經(jīng)由Q
2021-11-12 07:00:00

電流檢測(cè)電阻R1選型

本文是“主要部件選型”的第三篇文章。在案例電路中,需要以限制開(kāi)關(guān)電流為主要目的的電流檢測(cè)電阻。電流檢測(cè)電阻的選型與上一篇“電感 L1”有著密切的關(guān)系。電流檢測(cè)電阻:R1右側(cè)電路圖為案例摘錄。從內(nèi)置
2018-11-27 16:52:46

電路圖如下,VCC_DDR電源為1.25V ,VCCIO_PMU為1.8V ,DDRIO_PWROFF的電平為3.3V,請(qǐng)問(wèn)能控制Q1導(dǎo)通給VCC_DDRC供電嗎?

電路圖如上,VCC_DDR電源為1.25V ,VCCIO_PMU為1.8V ,DDRIO_PWROFF的電平為3.3V。這樣能控制Q1導(dǎo)通給VCC_DDRC供電嗎?為什么Q1不用PMOS?
2018-07-05 16:08:24

絕緣型反激式轉(zhuǎn)換器電路設(shè)計(jì)

部件的選定-MOSFET相關(guān) 其1主要部件的選定-MOSFET相關(guān) 其2主要部件的選定-CIN和緩沖主要部件的選定-輸出整流器和Cout主要部件的選定-IC的VCC相關(guān)主要部件的選定-IC的設(shè)定、其他
2018-11-28 11:37:09

絕緣型反激式轉(zhuǎn)換器電路設(shè)計(jì):主要部件的選定IC的設(shè)定、其他

的保護(hù)功能啟動(dòng)等級(jí)或限流值等的部件。前文已經(jīng)說(shuō)明了其中幾項(xiàng)部件,接下來(lái)將說(shuō)明剩下的主要部件。VH引腳電阻 R1VH引腳是指IC搭載的啟動(dòng)電路(Starter)的電源引腳,引腳耐壓值為650V。輸入AC電源
2018-11-27 16:56:22

絕緣型反激式轉(zhuǎn)換器電路設(shè)計(jì):主要部件的選定-MOSFET相關(guān)(一)

變壓器的設(shè)計(jì)結(jié)束,接下來(lái)是開(kāi)關(guān)元件,本節(jié)說(shuō)明MOSFET Q1的選定和相關(guān)電路構(gòu)成。最初,根據(jù)開(kāi)關(guān)電壓或電流等來(lái)選定MOSFET Q1。對(duì)此,本稿將說(shuō)明“主要部件的選定-MOSFET相關(guān) 其1
2018-11-27 16:58:28

絕緣型反激式轉(zhuǎn)換器電路設(shè)計(jì):主要部件的選定-MOSFET相關(guān)(二)

在“主要部件的選定-MOSFET相關(guān) 其1”中選定MOSFET Q1,接下來(lái)將建構(gòu)MOSFET外圍的電路。首先,來(lái)重溫電路工作。以D4、R5、R6調(diào)整從IC的OUT(PWM輸出)端輸出的信號(hào),讓
2018-11-27 16:58:07

設(shè)計(jì)中使用的電源IC:專(zhuān)為SiC-MOSFET優(yōu)化

本文將從設(shè)計(jì)角度首先對(duì)在設(shè)計(jì)中使用的電源IC進(jìn)行介紹。如“前言”中所述,本文中會(huì)涉及“準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器”的設(shè)計(jì)和功率晶體管使用“SiC-MOSFET”這兩個(gè)新課題。因此,設(shè)計(jì)中所使用的電源IC,是可將
2018-11-27 16:54:24

該電路如何實(shí)現(xiàn)Q1導(dǎo)通的

這是網(wǎng)上的一個(gè)電路圖,解釋是說(shuō)如果C8漏電或輸出短路,則在起機(jī)瞬間,RT1的壓降增大,Q1導(dǎo)通從而使Q2沒(méi)有柵極電壓不導(dǎo)通,RT1進(jìn)而燒毀,保護(hù)后極電路。但我看不懂當(dāng)RT1壓降增大,是怎么使Q1導(dǎo)通的?Q1的b極電壓是如何大于e極電壓的?
2018-10-25 11:57:56

請(qǐng)分析上面電路圖原理?R3,J6,Q1起什么作用?

請(qǐng)分析上面電路圖原理?R3,J6,Q1起什么作用?可以省略嗎?
2021-05-22 13:52:02

請(qǐng)問(wèn)TPS***參考設(shè)計(jì)中的Q1有什么用處?

請(qǐng)問(wèn)能否解釋一下TPS***參考設(shè)計(jì)中的Q1的用處?
2019-06-28 07:42:03

請(qǐng)問(wèn)圖中這個(gè)Q1為什么這么用?。?/a>

請(qǐng)問(wèn)電動(dòng)車(chē)充電器開(kāi)關(guān)電源,Q1 mos管GS電容放電回路是怎么樣的?

1,Q1 mos管GS電容放電回路是怎么樣的?2,初始上電,驅(qū)動(dòng)電路路徑是怎么樣的?經(jīng)R5 1MC6 103 ?3, mos管GS電容 充電路徑是怎么樣的
2018-10-23 11:05:56

過(guò)流保護(hù)電路變成恒流電路,為什么Q1發(fā)燙且被燒壞?

過(guò)流保護(hù)電路變成恒流電路了,為什么Q1發(fā)燙且一會(huì)就燒壞了,管子的耐壓和電流都?jí)?,為什么?huì)被燒?
2022-09-20 10:15:19

這個(gè)電路Q1Q3會(huì)同時(shí)導(dǎo)通嗎?

在這個(gè)電路圖中,MCU_CTL是MCU發(fā)出的數(shù)字控制信號(hào),有沒(méi)有可能在某種條件下,上管Q1和下管Q3同時(shí)導(dǎo)通?
2024-03-29 16:31:42

降壓升壓開(kāi)關(guān)模式穩(wěn)壓器TPIC***Q1電子資料

概述:PIC***-Q1是德州儀器公司出品的一款降壓-升壓開(kāi)關(guān)模式調(diào)節(jié)器。其規(guī)定的工作溫度范圍為-40℃~+125℃。TPIC***-Q1同時(shí)又是一款符合汽車(chē)電子標(biāo)準(zhǔn)的DC/DC電源管理IC
2021-04-07 06:59:35

MOSFET IC使用盲點(diǎn)與對(duì)策

Power MOSFET IC主要應(yīng)用在功率電路終端輸出段,由于使用上必需面對(duì)各種嚴(yán)苛的動(dòng)作要求與環(huán)境考驗(yàn),因此MOSFET IC經(jīng)常在使用中遭到破壞,有鑒于此本文要探討有關(guān)Power MOSFET IC使用上
2010-06-12 08:52:0924

2010年Q1白光LED價(jià)格調(diào)查報(bào)告

2010年Q1白光LED價(jià)格調(diào)查報(bào)告 最新價(jià)格調(diào)查報(bào)告指出,2010年Q1 LED市場(chǎng)的供需平穩(wěn), LED價(jià)格在背光應(yīng)用部分相較于2009年Q4并無(wú)出現(xiàn)大幅變動(dòng),僅微量
2010-04-30 10:43:58979

LED驅(qū)動(dòng)電源IC芯片選型

鉦銘科LED驅(qū)動(dòng)電源IC芯片選型,型號(hào)齊全
2016-02-29 16:11:1557

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1說(shuō)明了改進(jìn)單二極管保護(hù)。P溝道MOSFETQ1)保護(hù)驅(qū)動(dòng)器(U1)從電池反向插入。Q1的低10m或更小的電阻產(chǎn)生了只有幾毫伏的電壓降(與一個(gè)二極管數(shù)百毫伏)。因此,取代MOSFET的二極管提供了一個(gè)立即提高效率
2017-04-12 15:29:134

今日要聞:臺(tái)灣IC產(chǎn)值Q1季減10.7% 至今未見(jiàn)成功的AI專(zhuān)用芯片

臺(tái)灣IC產(chǎn)值Q1季減10.7% Q2估回升 臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(TSIA)統(tǒng)計(jì),第1季臺(tái)灣IC業(yè)產(chǎn)值新臺(tái)幣6032億元,季減10.7%;TSIA預(yù)期,第2季臺(tái)灣IC業(yè)產(chǎn)值可望回升,將季增1.8
2018-05-05 03:39:004142

智能手機(jī)Q1銷(xiāo)量慘淡 爭(zhēng)搶優(yōu)質(zhì)客戶“?!闭邽橥?/a>

亞馬遜Q1營(yíng)收597億美元 凈利增119%

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2019-04-29 15:52:442743

主要部件選型MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)調(diào)整電路

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一加TV Q1 Pro渲染圖和配置曝光,搭載Gamma Color Magic處理器

據(jù)了解,從目前曝光來(lái)看,一加電視在印度市場(chǎng)亮相的有Q1Q1 Pro兩個(gè)型號(hào),兩者之間的唯一區(qū)別是Q1 Pro上的帶有揚(yáng)聲器。這兩款一加電視將配備QLED 4K面板,支持HDR 10,尺寸為55英寸。
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華為消費(fèi)者業(yè)務(wù)CEO余承東透露,MatePad Pro還有5G版本,明年Q1正式亮相,值得期待。
2019-11-25 16:40:262517

內(nèi)存價(jià)格走勢(shì)改變 2020年Q1季度合約價(jià)正式開(kāi)漲

昨天鎧俠位于日本的晶圓廠遭遇火災(zāi),雖然損失情況應(yīng)該不大,但是這件事很有可能會(huì)引發(fā)蝴蝶效應(yīng)。在鎧俠之前,三星位于韓國(guó)的閃存、內(nèi)存等工廠也遭遇停電事故,雖然也只停了3分鐘,但是今年Q1季度的內(nèi)存價(jià)格走勢(shì)就被改變了,集邦科技預(yù)測(cè)Q1季度內(nèi)存芯片合約價(jià)會(huì)小幅上漲。
2020-01-08 15:00:066082

基于13001的開(kāi)關(guān)電源電路圖

該電路由開(kāi)關(guān)電源和輸出電路兩部分組成。當(dāng)接通電源后,220V交流通過(guò)D2整流,C1濾波,通過(guò)電阻R2給三極管Q1提供基極啟動(dòng)電流,使Q1開(kāi)始導(dǎo)通,其集電極電流Ic線性增長(zhǎng),在L2中感應(yīng)出使Q1基極為正、發(fā)射極為負(fù)的正反饋電壓,通過(guò)C2和R3,送到Q1基極,使Q1迅速飽和。
2020-02-14 07:04:0035435

Q1全球晶圓代工狀況正常 負(fù)面效應(yīng)或在Q2反應(yīng)

此外,Q1全球晶圓代工營(yíng)收排名前三廠商分依舊是臺(tái)積電、三星和格芯,這與去年Q4的排名保持一致。
2020-03-20 15:27:472835

中芯國(guó)際宣布大幅上調(diào)Q1季度營(yíng)收指引 預(yù)測(cè)Q1季度營(yíng)收增長(zhǎng)0-2%

Q1季度本來(lái)是電子行業(yè)的淡季,再加上新冠病毒的影響,國(guó)內(nèi)外整體需求都在下滑,很多公司都會(huì)錄得負(fù)增長(zhǎng)。中芯國(guó)際今天突然發(fā)布了一個(gè)好消息,宣布大幅上調(diào)Q1季度營(yíng)收指引。
2020-04-08 09:23:592578

2020年Q1季度華為以18.51%的份額在安卓手機(jī)市場(chǎng)排首位

日前,魯大師發(fā)布了2020年Q1季度數(shù)據(jù)報(bào)告,除了手機(jī)性能榜、芯片排行榜、手機(jī)流暢榜、手機(jī)UI排行榜等榜單之外,該報(bào)告還公布了Q1季度安卓手機(jī)市場(chǎng)占比。
2020-04-15 15:22:214433

Q1季度PC處理器排名公布,AMD拿下本季度消費(fèi)級(jí)CPU性能冠軍

近日,魯大師公布了Q1季度PC處理器排行榜。榜單顯示,AMD包攬前五名,AMD Ryzen Threadripper 3990X拿下了Q1季度的消費(fèi)級(jí)CPU性能冠軍,性能均分達(dá)到了1061234分,這也是首款跑分超過(guò)百萬(wàn)的CPU。
2020-04-16 17:13:164958

5G助力基帶芯片收益增長(zhǎng),Q1季度高通42%位于基帶市場(chǎng)的首位

6月28日消息,Strategy Analytics手機(jī)元件技術(shù)服務(wù)最新發(fā)布的研究報(bào)告《2020年Q1基帶芯片市場(chǎng)份額追蹤:5G助力基帶芯片收益增長(zhǎng)》指出,2020年Q1全球蜂窩基帶處理器市場(chǎng)收益同比增長(zhǎng)9%達(dá)到52億美元。
2020-06-29 15:01:282921

智能手機(jī)面板總收入同比2020年Q1增長(zhǎng)了3%

Strategy Analytics手機(jī)元件技術(shù)服務(wù)最新發(fā)布的研究報(bào)告《2020年Q1智能手機(jī)顯示面板市場(chǎng)份額:收益增長(zhǎng)3%,Samsung Display保持領(lǐng)先》指出,2020年Q1全球智能手機(jī)顯示面板市場(chǎng)總收益為90億美元。
2020-07-03 16:55:412452

Q1電動(dòng)重卡銷(xiāo)量及電池裝機(jī)量分析

。 從電動(dòng)重卡產(chǎn)品細(xì)分銷(xiāo)售來(lái)看,2021年Q1電動(dòng)重卡主要以環(huán)衛(wèi)車(chē)銷(xiāo)售為主(如下圖),共計(jì)銷(xiāo)量為313輛,占整體的50.9%。而在環(huán)衛(wèi)車(chē)中自卸式垃圾車(chē)、清掃車(chē)、清洗車(chē)銷(xiāo)量靠前,三者市占率合計(jì)占整個(gè)環(huán)衛(wèi)車(chē)市場(chǎng)的95%。 電動(dòng)重卡具體企業(yè)銷(xiāo)售來(lái)看,2021年Q1銷(xiāo)量排名
2021-05-10 09:44:562620

教你們旋變驅(qū)動(dòng)電路如何正確選擇驅(qū)動(dòng)管Q1Q2

在功率放大電路中,應(yīng)根據(jù)晶體管所承受的最大管壓降Vces、集電極最大的電流Icm和最大的功耗來(lái)選擇晶體管。 1、最大的管壓降 從OCL電路工作原理的分析可知,兩只功放管中Q1Q2處于截至狀態(tài)的管子
2021-08-13 16:56:306140

低功耗電池電壓采集方案Q1冒煙是什么原因

大家好,我是記得誠(chéng)。 最近逛論壇,看到一個(gè)帖子,如下: 電路圖如下,是個(gè)低功耗電池電壓采集方案,多次通電后,Q1無(wú)情的冒煙了。 VDD是低功耗外設(shè)電壓,低功耗下VDD=0V,喚醒后VDD=3.3V
2021-11-02 17:19:104392

電容應(yīng)用:MOSFET的門(mén)源極并聯(lián)電容

MOSFET門(mén) 源極并聯(lián)電容后,開(kāi)關(guān)可靠性得到提升開(kāi)關(guān)電路如下圖電路解釋開(kāi)關(guān)電路如下圖電路解釋1.該電路用于高邊開(kāi)關(guān),當(dāng)MOS_ON 網(wǎng)絡(luò)拉低到地時(shí),開(kāi)關(guān)Q1導(dǎo)通;2.電路中D3作用為鉗位Q1門(mén)源
2022-01-10 10:14:0912

2022年Q1臺(tái)式電腦下降30% AMD創(chuàng)x86市場(chǎng)新高

  據(jù)消息,Mercury Research對(duì)外發(fā)布了2022年Q1 CPU市場(chǎng)份額報(bào)告,報(bào)告數(shù)據(jù)顯示,x86處理器市場(chǎng)的所有細(xì)分市場(chǎng)在Q1都呈現(xiàn)了下滑趨勢(shì),其中臺(tái)式電腦下降了30%損失最為嚴(yán)重的。
2022-05-12 11:40:372340

DRV10987/DRV10983 Q1 BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)器開(kāi)源

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2022-08-18 09:44:1620

惠海半導(dǎo)體電源管理IC選型

惠海半導(dǎo)體電源管理IC選型
2022-08-20 09:35:1314

采用TPS7B4253 Q1的LDO并聯(lián)解決方案參考設(shè)計(jì)

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2022-09-08 14:22:050

跌幅近兩成!Top10晶圓代工廠Q1營(yíng)收出爐

%,總營(yíng)收約273億美元。 其中Q1營(yíng)收跌幅最高的是三星。三星Q1營(yíng)收僅34.5億美元,環(huán)比減少36.1%。不過(guò),第二季將有部分3nm新品產(chǎn)出正式貢獻(xiàn)營(yíng)收,預(yù)期季度跌幅將放緩。 臺(tái)積電Q1營(yíng)收167.4億美元,環(huán)比減少16.2%。主要因?yàn)楣P記本電腦、智能手機(jī)等主流應(yīng)用需求疲弱,
2023-06-14 10:02:05940

MOSFET選型原則,mosfet選型要考慮哪些因素

MOSFET是電路中非常常見(jiàn)的元件,常用于信號(hào)開(kāi)關(guān)、功率開(kāi)關(guān)、電平轉(zhuǎn)換等各種用途。由于MOSFET的型號(hào)眾多,應(yīng)用面廣,本文將詳細(xì)介紹MOSFET選型原則以及mosfet選型要考慮的因素。
2023-07-20 16:33:442913

功率MOSFET選型的幾點(diǎn)經(jīng)驗(yàn)

功率MOSFET選型的幾點(diǎn)經(jīng)驗(yàn)在此,根據(jù)學(xué)到的理論知識(shí)和實(shí)際經(jīng)驗(yàn),和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET選型。由于相應(yīng)理論技術(shù)文章有很多介紹MOSFET參數(shù)和性能的,這里不作贅述,只對(duì)實(shí)際
2023-10-26 08:02:471598

偉創(chuàng)力吳中獲得福特 Q1 認(rèn)證榮譽(yù)

)是對(duì)供應(yīng)商產(chǎn)品質(zhì)量極具影響力的評(píng)估認(rèn)證,是福特汽車(chē)給予其供應(yīng)商在質(zhì)量領(lǐng)域的最高榮譽(yù),也是全球汽車(chē)零部件制造企業(yè)努力的標(biāo)桿。 閃亮?xí)r刻! ? 在頒獎(jiǎng)儀式上,福特STA總監(jiān)Victor Chen先生向偉創(chuàng)力吳中總經(jīng)理蔡勤先生及吳中團(tuán)隊(duì)頒發(fā)了 Q1 認(rèn)證獎(jiǎng)牌和錦旗。
2023-10-31 09:13:551605

SO14;SMD卷軸包,13“;Q1/T1產(chǎn)品定位包裝信息

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2024-02-22 09:30:540

單通道高速MOSFET驅(qū)動(dòng)器TPS2816-Q1 TPS2817-Q1 TPS2818-Q1 TPS2819-Q1 TPS2828-Q1 TPS2829-Q1數(shù)據(jù)表

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2024-03-14 09:28:320

精密微功率并聯(lián)電壓基準(zhǔn)LM4040-N/-Q1數(shù)據(jù)表

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2024-03-28 14:14:340

精密微功率并聯(lián)電壓基準(zhǔn)LM4050-N/-Q1數(shù)據(jù)表

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2024-04-01 10:27:031

麥格納公布2024年Q1財(cái)報(bào):銷(xiāo)售額達(dá)110億

銷(xiāo)售額達(dá)110億!麥格納公布2024年Q1財(cái)報(bào)
2024-05-09 18:00:381421

2024年Q1全球動(dòng)力電池裝機(jī)量152.2GWh

GGII:2024年Q1全球動(dòng)力電池裝機(jī)量152.2GWh
2024-05-24 11:06:251169

采用TPS61041-Q1的高側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器電源

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2024-09-07 09:29:280

Q1和非Q1器件的TPS54340/360/540/560和TPS54340B/360B/540B/560B之間的差異

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2024-09-13 09:45:491

采用LP875761—Q1的Mobileye EyeQ4高電源設(shè)計(jì)

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2024-09-18 10:42:120

HTSSOP8;用于SMD的卷軸包,13英寸;Q1/T1產(chǎn)品定位

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2025-02-13 14:36:520

SMA;用于SMD的卷軸包,13英寸;Q1/T1-Q2/T3產(chǎn)品定位

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2025-02-17 16:58:590

UCC27282-Q1 具有 5V UVLO、互鎖和使能功能的汽車(chē)類(lèi) 3A、120V 半橋驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

3A 峰值拉電流和灌電流以及低上拉和下拉電阻使 UCC27282 -Q1 能夠在 MOSFET 米勒平臺(tái)過(guò)渡期間以最小的開(kāi)關(guān)損耗驅(qū)動(dòng)大功率 MOSFET。由于輸入與電源電壓無(wú)關(guān),因此 UCC27282 -Q1 可與模擬和數(shù)字控制器結(jié)合使用。
2025-05-17 09:28:55671

?DRV8300-Q1 三相BLDC柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)

DRV8300 -Q1 是 100V 三半橋柵極驅(qū)動(dòng)器,能夠驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè) N 溝道功率 MOSFET。DRV8300 -Q1 使用集成自舉二極管和用于高側(cè) MOSFET 的外部電容器產(chǎn)生正確的柵極
2025-10-13 17:23:45890

TPS99000 - Q1系統(tǒng)管理和照明控制器:技術(shù)詳解與應(yīng)用指南

TPS99000 - Q1系統(tǒng)管理和照明控制器:技術(shù)詳解與應(yīng)用指南 在汽車(chē)電子領(lǐng)域,投影技術(shù)的應(yīng)用越來(lái)越廣泛,如抬頭顯示(HUD)和高分辨率前照燈等。而TPS99000 - Q1系統(tǒng)管理和照明控制器
2025-12-11 10:40:12267

汽車(chē)類(lèi)雙路 CAN FD 收發(fā)器 TCAN104xAV - Q1 詳解

汽車(chē)類(lèi)雙路 CAN FD 收發(fā)器 TCAN104xAV - Q1 詳解 在汽車(chē)電子系統(tǒng)日益復(fù)雜的今天,可靠的通信收發(fā)器至關(guān)重要。TCAN1046AV - Q1 和 TCAN1048AV - Q1
2025-12-16 17:20:09464

汽車(chē)電子新寵:TLIN1027 - Q1 LIN 收發(fā)器深度解析

汽車(chē)電子新寵:TLIN1027 - Q1 LIN 收發(fā)器深度解析 在汽車(chē)電子領(lǐng)域,LIN(Local Interconnect Network)總線憑借其低成本、高可靠性的特點(diǎn),廣泛應(yīng)用于車(chē)身電子
2025-12-17 14:20:06171

探索TRS3223 - Q1:高性能RS - 232收發(fā)器的卓越之選

.pdf 核心特性解析 電源與性能 TRS3223 - Q1電源適應(yīng)性非常出色,它可以在3 - V至5.5 - V的VCC電源下穩(wěn)定運(yùn)行,這為不同電源系統(tǒng)的設(shè)
2025-12-25 15:00:09127

深入解析DS90URxxx - Q1:高效FPD - Link II串行解串器芯片組

深入解析DS90URxxx - Q1:高效FPD - Link II串行解串器芯片組 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,數(shù)據(jù)傳輸?shù)母咝院头€(wěn)定性一直是工程師們關(guān)注的焦點(diǎn)。DS90URxxx - Q1 5MHz 至
2025-12-26 09:25:09275

汽車(chē)級(jí)利器:MAX3232E - Q1 RS - 232收發(fā)器詳解

- Q1專(zhuān)為汽車(chē)應(yīng)用而設(shè)計(jì),符合或超過(guò)TIA/EIA - 232 - F和ITU v.28標(biāo)準(zhǔn)。它采用單3V至5.5V電源供電,通過(guò)電荷泵和四個(gè)外部小電容實(shí)現(xiàn)工作。該器
2025-12-26 10:20:09170

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