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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電源/新能源>2022年開工第一天,派恩杰半導(dǎo)體在全球首推PD 快充的碳化硅應(yīng)用方案

2022年開工第一天,派恩杰半導(dǎo)體在全球首推PD 快充的碳化硅應(yīng)用方案

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黃興 :碳化硅行業(yè)將在2022上量爬坡,率先上“車”

是他對(duì)2022年半導(dǎo)體市場(chǎng)的分析與展望。 半導(dǎo)體(杭州)有限公司總裁、創(chuàng)始人黃興 加快布局車用碳化硅模塊 縱觀整個(gè)國(guó)產(chǎn)碳化硅行業(yè),原材料領(lǐng)域近幾年取得了長(zhǎng)足的發(fā)展,眾多碳化硅原材料工廠紛紛投產(chǎn)。封測(cè)加工環(huán)節(jié)國(guó)產(chǎn)化速度也
2021-12-27 08:59:003974

完成戰(zhàn)略融資,碳化硅產(chǎn)品獲得車企訂單并批量供貨

的GaN器件市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到20億美元,以導(dǎo)電型碳化硅襯底制備的SiC器件市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到25.62億美元。龐大的市場(chǎng)吸引了越來(lái)越多企業(yè)投身其中。 ? 近日,半導(dǎo)體正式宣布完成新輪戰(zhàn)略融資,投資方為東風(fēng)汽車旗下直投平臺(tái)東風(fēng)資管。表示,本輪融
2023-08-11 00:11:002652

半導(dǎo)體IPO:國(guó)內(nèi)碳化硅外延片行業(yè)第一,2024上半年陷入增收不增利困局

片銷量第一,營(yíng)收受市場(chǎng)價(jià)格下跌明顯 當(dāng)前,半導(dǎo)體已經(jīng)成為中國(guó)首家技術(shù)領(lǐng)先的專業(yè)碳化硅外延片供應(yīng)商,其及其技術(shù)可以用于汽車、5G基站、數(shù)據(jù)中心、雷達(dá)及家用電器等場(chǎng)景。同時(shí)也是中國(guó)首批實(shí)現(xiàn)4英吋及6英吋碳化硅外延片量產(chǎn)的公司之,以及中國(guó)首
2025-01-06 06:58:004475

650V/1200V碳化硅肖特基二極管如何選型

  碳化硅(SiC)具有禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、飽和電子漂移速度高、熱導(dǎo)率大、介電常數(shù)小、抗輻射能力強(qiáng)、化學(xué)穩(wěn)定性良好等特點(diǎn),被認(rèn)為是制作高溫、高頻、大功率和抗輻射器件極具潛力的寬帶隙半導(dǎo)體材料
2020-09-24 16:22:14

開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器中充分利用碳化硅器件的性能優(yōu)勢(shì)

技術(shù)需求的雙重作用,導(dǎo)致了對(duì)于可用于構(gòu)建更高效和更緊湊電源解決方案半導(dǎo)體產(chǎn)品擁有巨大的需求。這個(gè)需求寬帶隙(WBG)技術(shù)器件應(yīng)運(yùn)而生,如碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(SiC MOSFET) 。它們能夠提供設(shè)計(jì)人
2023-03-14 14:05:02

碳化硅(SiC)肖特基二極管的特點(diǎn)

PN結(jié)器件優(yōu)越的指標(biāo)是正向?qū)妷旱停哂械偷膶?dǎo)通損耗?! 〉栊ぬ鼗O管也有兩個(gè)缺點(diǎn),是反向耐壓VR較低,般只有100V左右;二是反向漏電流IR較大?! 《?、碳化硅半導(dǎo)體材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03

碳化硅半導(dǎo)體器件有哪些?

  由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能,碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體材料的種,主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場(chǎng)強(qiáng)等,因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中,碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管
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碳化硅MOSFET是如何制造的?如何驅(qū)動(dòng)碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管?

討論下SiC器件?! ?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅,不那么新的材料  第一次記錄在案的SiC材料實(shí)驗(yàn)是1849左右,這種材料已經(jīng)廣泛用于防彈背心或磨料。IGBT的發(fā)明者之早在1993就討論了與硅(Si)器件相比
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碳化硅SiC技術(shù)導(dǎo)入應(yīng)用的最大痛點(diǎn)

領(lǐng)域的創(chuàng)新步伐不斷加快,工程師們?cè)絹?lái)越多地尋找新的解決方案,并對(duì)技術(shù)提出更多的要求,以滿足消費(fèi)者和行業(yè)的需求。碳化硅半導(dǎo)體是滿足這些需求的優(yōu)選答案,其本身也不斷改進(jìn),以期提供與舊技術(shù)相比更具成本
2023-02-27 14:28:47

碳化硅與氮化鎵的發(fā)展

5G將于2020將邁入商用,加上汽車走向智慧化、聯(lián)網(wǎng)化與電動(dòng)化的趨勢(shì),將帶動(dòng)第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展。根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院估計(jì),2018全球SiC基板產(chǎn)值將達(dá)1.8
2019-05-09 06:21:14

碳化硅二極管選型表

應(yīng)用領(lǐng)域。更多規(guī)格參數(shù)及封裝產(chǎn)品請(qǐng)咨詢我司人員!附件是海飛樂技術(shù)碳化硅二極管選型表,歡迎大家選購(gòu)!碳化硅(SiC)半導(dǎo)體材料是自第一代元素半導(dǎo)體材料(Si、Ge)和第二代化合物半導(dǎo)體材料(GaAs
2019-10-24 14:21:23

碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV

碳化硅壓敏電阻由約90%的不同晶粒尺寸的碳化硅和10%的陶瓷粘合劑和添加劑制成。將原材料制成各種幾何尺寸的壓敏電阻,然后特定的大氣和環(huán)境條件下在高溫下燒結(jié)。然后將層黃銅作為電觸點(diǎn)噴上火焰。其他標(biāo)準(zhǔn)
2024-03-08 08:37:49

碳化硅器件是如何組成逆變器的?

進(jìn)步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13

碳化硅器件的特點(diǎn)是什么

今天我們來(lái)聊聊碳化硅器件的特點(diǎn)
2021-03-16 08:00:04

碳化硅基板——三代半導(dǎo)體的領(lǐng)軍者

超過(guò)40%,其中以碳化硅材料(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之。根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì),2019中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)規(guī)模達(dá)7562億元
2021-01-12 11:48:45

碳化硅深層的特性

碳化硅的顏色,純凈者無(wú)色透明,含雜質(zhì)(碳、硅等)時(shí)呈藍(lán)、天藍(lán)、深藍(lán),淺綠等色,少數(shù)呈黃、黑等色。加溫至700℃時(shí)不褪色。金剛光澤。比重,具極高的折射率, 和高的雙折射,紫外光下發(fā)黃、橙黃色光,無(wú)
2019-07-04 04:20:22

碳化硅的歷史與應(yīng)用介紹

硅與碳的唯合成物就是碳化硅(SiC),俗稱金剛砂。SiC 自然界中以礦物碳硅石的形式存在,但十分稀少。不過(guò),自1893 以來(lái),粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52

碳化硅的應(yīng)用

碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料,為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會(huì)受到部分限制呢?
2021-08-19 17:39:39

碳化硅肖特基二極管技術(shù)演進(jìn)解析

  01  碳化硅材料特點(diǎn)及優(yōu)勢(shì)  碳化硅作為寬禁帶半導(dǎo)體的代表性材料之,其材料本征特性與硅材料相比具有諸多優(yōu)勢(shì)。以現(xiàn)階段最適合用于做功率半導(dǎo)體的4H型碳化硅材料為例,其禁帶寬度是硅材料的3倍
2023-02-28 16:55:45

碳化硅肖特基二極管的基本特征分析

基于基本半導(dǎo)體碳化硅肖特基二極管1D20065K(650V/20A),電流特性(5A、10A、15A):  硅快速恢復(fù)二極管(環(huán)境溫度25℃)  碳化硅肖特基二極管(環(huán)境溫度25℃)  硅恢復(fù)二極管
2023-02-28 16:34:16

碳化硅陶瓷線路板,半導(dǎo)體功率器件的好幫手

已經(jīng)成為全球最大的半導(dǎo)體消費(fèi)國(guó),半導(dǎo)體消費(fèi)量占全球消費(fèi)量的比重超過(guò)40%,其中以碳化硅材料(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之。根據(jù)中國(guó)
2021-03-25 14:09:37

第一天

第一天 求關(guān)于數(shù)字濾波的labview教程
2015-06-19 01:20:00

第一天上班,簽到

本帖最后由 lee_st 于 2018-2-26 09:52 編輯 第一天上班,發(fā)個(gè)水貼,簽個(gè)到,新的一年開始了,加油!
2018-02-26 09:10:29

CISSOID碳化硅驅(qū)動(dòng)芯片

哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動(dòng)芯片有幾款,型號(hào)是什么
2020-03-05 09:30:32

TO-247封裝碳化硅MOSFET引入輔助源極管腳的必要性

對(duì)比  我們采用雙脈沖的方法來(lái)比較下基本半導(dǎo)體1200V 80mΩ 的碳化硅MOSFET的兩種封裝B1M080120HC(TO-247-3)和B1M080120HK(TO-247-4)相同條件下
2023-02-27 16:14:19

【華秋×薩科微】2023年半導(dǎo)體行業(yè)將迎全新發(fā)展良機(jī)

半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展概覽WSTS 預(yù)測(cè),2023全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將同比減少4.1%,降至 5,566億美元,但這波下行周期有望2023下半年出現(xiàn)拐點(diǎn),受益于國(guó)際行情,中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)占全球半導(dǎo)體
2023-03-17 11:08:33

【羅姆BD7682FJ-EVK-402試用體驗(yàn)連載】基于碳化硅功率器件的永磁同步電機(jī)先進(jìn)驅(qū)動(dòng)技術(shù)研究

項(xiàng)目名稱:基于碳化硅功率器件的永磁同步電機(jī)先進(jìn)驅(qū)動(dòng)技術(shù)研究試用計(jì)劃:申請(qǐng)理由:碳化硅作為最典型的寬禁帶半導(dǎo)體材料,近年來(lái)被越來(lái)越廣泛地用于高頻高溫的工作場(chǎng)合。為了提高永磁同步電機(jī)伺服控制系統(tǒng)的性能
2020-04-21 16:04:04

中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)份額進(jìn)步提升,2023將迎全新發(fā)展良機(jī)

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2023-03-17 11:13:35

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什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的?
2021-06-18 08:32:43

什么是MOSFET柵極氧化層?如何測(cè)試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

氧化層?如何測(cè)試碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?”讓我們起跟隨基本半導(dǎo)體市場(chǎng)部總監(jiān)魏煒老師的講解,揭開這技術(shù)領(lǐng)域的神秘面紗。
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從硅過(guò)渡到碳化硅,MOSFET的結(jié)構(gòu)及性能優(yōu)劣勢(shì)對(duì)比

定的短路能力。下表是半導(dǎo)體部分產(chǎn)品短路能力:表1 1200V/650V MOSFET器件短路耐量半導(dǎo)體針對(duì)柵極的可靠性是嚴(yán)格按照AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行,柵極分別加負(fù)壓和正壓(-4V
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2022-06-13 11:27:24

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能動(dòng)力碳化硅二極管ACD06PS065G已經(jīng)倍思120W氮化鎵中商用,與納微GaNFast高頻優(yōu)勢(shì)組合,高頻開關(guān)減小磁性元件體積,提高適配器功率密度。創(chuàng)能動(dòng)力是香港華智科技有限公司孵化出來(lái)的公司
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家族中的新成員?! ∠噍^于前兩代二極管,基本半導(dǎo)體第三代碳化硅肖特基二極管沿用6英寸晶圓工藝基礎(chǔ)上,實(shí)現(xiàn)了更高的電流密度、更小的元胞尺寸、更低的正向?qū)▔航?。  基?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體第三代碳化硅肖特基二極管繼承
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2016-02-14 15:24:52

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被稱為第三代半導(dǎo)體材料的碳化硅有著哪些特點(diǎn)

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請(qǐng)教碳化硅刻蝕工藝

最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅,采用的是ICP系列設(shè)備,刻蝕氣體使用的是SF6+O2,碳化硅上面沒有做任何掩膜,就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實(shí)際刻蝕過(guò)程中總是會(huì)在碳化硅
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2017CES第一天新品發(fā)布看點(diǎn)

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基本半導(dǎo)體推出國(guó)內(nèi)首創(chuàng)極致小尺寸PD碳化硅二極管!

2020,當(dāng)大部分充電源廠商還在探索65W氮化鎵市場(chǎng)時(shí),倍思開創(chuàng)性地推出了業(yè)界首款120W氮化鎵+碳化硅充充電器。也正是這款產(chǎn)品,第一次將“碳化硅”從設(shè)想變?yōu)楝F(xiàn)實(shí),開啟了碳化硅
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7月29日,基本半導(dǎo)體碳化硅功率模塊裝車測(cè)試發(fā)車儀式深圳成功舉行,搭載自主研發(fā)碳化硅模塊的測(cè)試車輛正式啟程。
2021-07-30 15:55:332145

碳化硅二極管用于PD的優(yōu)勢(shì)

當(dāng)下,隨著USB-PD技術(shù)的普及和氮化鎵技術(shù)的成熟,大功率充電源市場(chǎng)逐漸興起,碳化硅二極管也開始消費(fèi)類電源市場(chǎng)中嶄露頭角,被部分100W大功率氮化鎵產(chǎn)品選用。 碳化硅(SiC)是第三代寬
2021-08-20 09:23:535369

國(guó)內(nèi)碳化硅“先鋒”,基本半導(dǎo)體碳化硅新布局有哪些?

基本半導(dǎo)體是國(guó)內(nèi)比較早涉及第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件研發(fā)的企業(yè),率先推出了碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOSFET等器件,為業(yè)界熟知,并得到廣泛應(yīng)用。11月27日舉行的2021基本創(chuàng)新日活動(dòng)中
2021-11-29 14:54:089429

國(guó)內(nèi)首條!基本半導(dǎo)體汽車級(jí)碳化硅功率模塊專用產(chǎn)線正式通線

12月30日,基本半導(dǎo)體位于無(wú)錫市新吳區(qū)的汽車級(jí)碳化硅功率模塊制造基地正式通線運(yùn)行,首批碳化硅模塊產(chǎn)品成功下線。這是目前國(guó)內(nèi)第一條汽車級(jí)碳化硅功率模塊專用產(chǎn)線,采用先進(jìn)碳化硅專用封裝工藝技術(shù),打造
2021-12-31 10:55:433454

淺談碳化硅半導(dǎo)體的兩大優(yōu)勢(shì)

與普通硅相比,碳化硅可以承受更高的電壓,因此,碳化硅半導(dǎo)體中的電源系統(tǒng)需要更少的串聯(lián)開關(guān),從而提供了簡(jiǎn)化和可靠的系統(tǒng)布局。
2022-04-07 14:49:044200

意法半導(dǎo)體新廠2023開始投產(chǎn) 加強(qiáng)碳化硅組件及解決方案襯底供應(yīng)

意法半導(dǎo)體將于意大利興建座整合式碳化硅(Silicon Carbide;SiC)襯底制造廠,以支持意法半導(dǎo)體客戶對(duì)汽車及工業(yè)碳化硅組件與日俱增的需求,協(xié)助其向電氣化邁進(jìn)并達(dá)到更高效率。新廠預(yù)計(jì)2023開始投產(chǎn),以實(shí)現(xiàn)碳化硅襯底的供應(yīng)在對(duì)內(nèi)采購(gòu)及行業(yè)供貨間達(dá)到平衡。
2022-10-08 17:04:032489

寬禁帶半導(dǎo)體廠商杰作為白金合作伙伴出席CPEEC & CPSSC 2022

半導(dǎo)體(杭州)有限公司成立于20189月,是全國(guó)領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體功率器件供應(yīng)商。創(chuàng)始人黃興博士于09起深耕于碳化硅和氮化鎵功率器件的設(shè)計(jì)和研發(fā),師承IGBT發(fā)明人B.
2022-10-24 10:48:291904

意法半導(dǎo)體與 Soitec 就碳化硅襯底制造技術(shù)達(dá)成合作

? ? 雙方達(dá)成協(xié)議,將針對(duì)采用 Soitec 技術(shù)生產(chǎn) 200mm 碳化硅( SiC )襯底進(jìn)行驗(yàn)證 Soitec 關(guān)鍵的半導(dǎo)體技術(shù)賦能電動(dòng)汽車轉(zhuǎn)型,助力工業(yè)系統(tǒng)提升能效 ? 2022 12
2022-12-05 14:09:42929

2022完成數(shù)億元融資;僅車規(guī)功率MOS芯片營(yíng)收過(guò)半億

在這一年取得了優(yōu)秀的成績(jī)!近日,碳化硅功率器件設(shè)計(jì)及方案半導(dǎo)體(杭州)有限公司(下稱“半導(dǎo)體”)1月19日正式完成數(shù)億元A輪融資,不僅如此,壬寅,僅車規(guī)級(jí)功率MOS芯片
2023-01-22 13:53:449166

碳化硅技術(shù)壁壘分析:碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些

碳化硅技術(shù)壁壘分析:碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些 碳化硅芯片不僅是個(gè)新風(fēng)口,也是個(gè)很大的挑戰(zhàn),那么我們來(lái)碳化硅技術(shù)壁壘分析下碳化硅技術(shù)壁壘是什么?碳化硅技術(shù)壁壘有哪些? 1
2023-02-03 15:25:165682

碳化硅如何成為半導(dǎo)體行業(yè)的福音

的方法來(lái)構(gòu)建這此關(guān)鍵元素。碳化硅(SiC)半導(dǎo)體不同于普通的硅半導(dǎo)體。當(dāng)使用動(dòng)力電子設(shè)備和電力系統(tǒng)時(shí),它表現(xiàn)出有限的導(dǎo)熱性、某些應(yīng)用中難以改變頻率、低帶隙能量以及更多的功率損耗然而,它也有好處。以下是碳化硅
2023-02-20 15:51:553

碳化硅模塊上車高濕測(cè)試

碳化硅模塊上車高濕測(cè)試 ? 2021碳化硅很“熱”。比亞迪 半導(dǎo)體 、、中車時(shí)代電氣、基本半導(dǎo)體等國(guó)內(nèi)碳化硅功率器件供應(yīng)商的產(chǎn)品批量應(yīng)用在汽車上,浙江金華、安徽合肥等地碳化硅項(xiàng)目開始投建
2023-02-21 09:26:452

意法半導(dǎo)體供應(yīng)超千萬(wàn)顆碳化硅器件

意法半導(dǎo)體(ST)宣布與采埃孚科技集團(tuán)公司(ZF)簽署碳化硅器件長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議。從 2025 起,采埃孚將從意法半導(dǎo)體采購(gòu)碳化硅器件。
2023-04-26 10:18:512274

國(guó)際著名半導(dǎo)體公司英飛凌簽約國(guó)產(chǎn)碳化硅材料供應(yīng)商

援引英飛凌科技股份公司20235月3日官網(wǎng)消息: 【英飛凌公司正推動(dòng)其碳化硅(SiC)供應(yīng)商體系多元化,并與中國(guó)碳化硅材料供應(yīng)商北京科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司簽訂了份長(zhǎng)期供貨協(xié)議,以確保獲得更多
2023-05-04 14:21:061194

什么是碳化硅半導(dǎo)體

硅(Si)是電子產(chǎn)品中常用的純半導(dǎo)體個(gè)例子。鍺(Ge)是另種純半導(dǎo)體,用于些最早的電子設(shè)備。半導(dǎo)體也由化合物制成,包括砷化鎵 (GaAs)、氮化鎵 (GaN)、硅鍺 (SiGe) 和碳化硅 (SiC)。我們稍后將回到最后項(xiàng)。
2023-05-24 11:26:144444

碳化硅MOSFET什么意思

碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是種新型的功率半導(dǎo)體器件,其中"MOSFET"表示金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:152612

羅姆收購(gòu)Solar Frontier碳化硅工廠 計(jì)劃到2027碳化硅功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)達(dá)139億

羅姆收購(gòu)Solar Frontier碳化硅工廠 計(jì)劃到2027碳化硅功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)達(dá)139億 羅姆直看好碳化硅功率半導(dǎo)體的發(fā)展,一直在積極布局碳化硅業(yè)務(wù)。羅姆計(jì)劃到2025拿下碳化硅市場(chǎng)30
2023-07-19 19:37:011445

碳化硅是如何制造的?碳化硅的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用

碳化硅,也稱為SiC,是種由純硅和純碳組成的半導(dǎo)體基礎(chǔ)材料。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導(dǎo)體,或?qū)⑵渑c鈹,硼,鋁或鎵摻雜以形成p型半導(dǎo)體。雖然碳化硅存在許多品種和純度,但半導(dǎo)體級(jí)質(zhì)量的碳化硅僅在過(guò)去幾十中浮出水面以供使用。
2023-07-28 10:57:453686

半導(dǎo)體下行 碳化硅熱度卻愈演愈烈

半導(dǎo)體行業(yè)的下行周期中,也并非片低迷之聲,碳化硅就是萎靡之勢(shì)中的個(gè)反例。
2023-08-17 14:27:152151

國(guó)產(chǎn)碳化硅功率器件領(lǐng)先品牌半導(dǎo)體PCIM Asia 2023亮點(diǎn)回顧

平方米的展覽范圍中展示了各項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)。 杰作為國(guó)產(chǎn)碳化硅功率器件領(lǐng)先品牌,受展會(huì)主辦方邀請(qǐng)攜高壓SJ功率MOSFET、650V氮化鎵晶圓模塊以及評(píng)估板等產(chǎn)品重磅亮相,在上海新國(guó)際博覽中心W2-F02展位,全面展示了面向新能源產(chǎn)業(yè)的最新技術(shù)及穩(wěn)定可靠的功率半
2023-09-02 10:02:432016

基本半導(dǎo)體:功率半導(dǎo)體碳化硅時(shí)代

目前,全球碳化硅產(chǎn)業(yè)處于快速發(fā)展階段。據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè),未來(lái)幾年碳化硅市場(chǎng)將保持高速增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。根據(jù)公開信息統(tǒng)計(jì),2022全球碳化硅市場(chǎng)份額約為18億美元,該數(shù)據(jù)包括多家上市公司,如意法半導(dǎo)體、英飛凌、Wolfspeed和安森美羅姆等。
2023-12-06 17:17:372134

碳化硅是如何制造的?碳化硅的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用

碳化硅,又稱SiC,是種由純硅和純碳組成的半導(dǎo)體基材。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導(dǎo)體,或?qū)⑵渑c鈹、硼、鋁或鎵摻雜以形成p型半導(dǎo)體。雖然碳化硅的品種和純度很多,但半導(dǎo)體級(jí)質(zhì)量的碳化硅只是在過(guò)去幾十中才浮出水面。
2023-12-08 09:49:233791

半導(dǎo)體榮獲“年度車規(guī)芯片市場(chǎng)突破獎(jiǎng)”

半導(dǎo)體專注第三代半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域,產(chǎn)品涵蓋碳化硅MOSFET、碳化硅SBD以及氮化鎵HEMT等多個(gè)方向。始創(chuàng)于2018,公司擁有國(guó)內(nèi)最為全面的碳化硅功率器件產(chǎn)品。
2023-12-18 14:38:171818

氮化鎵半導(dǎo)體碳化硅半導(dǎo)體的區(qū)別

氮化鎵半導(dǎo)體碳化硅半導(dǎo)體是兩種主要的寬禁帶半導(dǎo)體材料,諸多方面都有明顯的區(qū)別。本文將詳盡、詳實(shí)、細(xì)致地比較這兩種材料的物理特性、制備方法、電學(xué)性能以及應(yīng)用領(lǐng)域等方面的差異。 、物理特性: 氮化
2023-12-27 14:54:184060

碳化硅相對(duì)傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體有什么有缺點(diǎn)

碳化硅(SiC)和傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體(Si)是兩種常見的半導(dǎo)體材料,它們電子器件制造中具有廣泛的應(yīng)用。然而,碳化硅相對(duì)于傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體具有定的優(yōu)缺點(diǎn)。 優(yōu)點(diǎn): 更高的熱導(dǎo)率:碳化硅的熱導(dǎo)率是傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體
2024-01-10 14:26:523996

河南第一塊8英寸碳化硅SiC單晶出爐!

平煤神馬集團(tuán)碳化硅半導(dǎo)體粉體驗(yàn)證線傳來(lái)喜訊——實(shí)驗(yàn)室成功生長(zhǎng)出河南省第一塊8英寸碳化硅單晶,全面驗(yàn)證了中宜創(chuàng)芯公司碳化硅半導(dǎo)體粉體長(zhǎng)晶方面的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。
2024-02-21 09:32:311666

國(guó)內(nèi)碳化硅功率半導(dǎo)體元件市場(chǎng)迎來(lái)高速增長(zhǎng)

電動(dòng)汽車和新能源的需求蓬勃增長(zhǎng)正在推動(dòng)碳化硅功率半導(dǎo)體元件市場(chǎng)的擴(kuò)張。中國(guó)的碳化硅外延片生產(chǎn)商,瀚天天成和半導(dǎo)體十多年的積累后,乘著新能源的東風(fēng),全球市場(chǎng)中迅速崛起。
2024-04-16 13:42:511160

亮相上海SNEC光伏展,展示碳化硅功率器件

6月13日-6月15日,SNEC第十七屆(2024)國(guó)際太陽(yáng)能光伏與智慧能源大會(huì)暨展覽會(huì)(以下簡(jiǎn)稱“SNEC光伏展”)于上海國(guó)家會(huì)展中心舉辦。本次展會(huì),碳化硅功率器件領(lǐng)先品牌半導(dǎo)體如約參展,攜
2024-06-18 15:04:221332

半導(dǎo)體閃耀SNEC光伏展

6月13日至15日,全球矚目的SNEC第十七屆(2024)國(guó)際太陽(yáng)能光伏與智慧能源大會(huì)暨展覽會(huì)(簡(jiǎn)稱“SNEC光伏展”)在上海國(guó)家會(huì)展中心隆重召開。碳化硅功率器件行業(yè)的佼佼者半導(dǎo)體如期而至,攜其前沿技術(shù)和創(chuàng)新方案亮相此次盛會(huì)。
2024-06-18 16:09:25988

碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的發(fā)展

碳化硅(SiC)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的發(fā)展呈現(xiàn)出蓬勃的態(tài)勢(shì),其獨(dú)特的物理和化學(xué)性質(zhì)使其成為新代高性能半導(dǎo)體材料的佼佼者。以下是對(duì)碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中發(fā)展的分析: 碳化硅的基本特性 碳化硅種無(wú)機(jī)物
2024-11-29 09:30:051573

碳化硅半導(dǎo)體中的作用

碳化硅(SiC)半導(dǎo)體中扮演著至關(guān)重要的角色,其獨(dú)特的物理和化學(xué)特性使其成為制作高性能半導(dǎo)體器件的理想材料。以下是碳化硅半導(dǎo)體中的主要作用及優(yōu)勢(shì): 碳化硅的物理特性 碳化硅具有高禁帶寬度、高
2025-01-23 17:09:352664

半導(dǎo)體完成近5億元融資

不僅彰顯了資本市場(chǎng)對(duì)技術(shù)實(shí)力與市場(chǎng)前景的高度認(rèn)可,更標(biāo)志著碳化硅產(chǎn)業(yè)升級(jí)浪潮中已搶占關(guān)鍵身位,即將開啟發(fā)展性的新篇章。
2025-02-21 15:35:271476

推出最新研發(fā)的高壓碳化硅功率器件與車規(guī)級(jí)碳化硅模塊產(chǎn)品

3月28日,在上海舉辦為期三且備受行業(yè)矚目的新能源汽車盛會(huì)——汽車動(dòng)力系統(tǒng)技術(shù)展覽會(huì)圓滿落幕,本次會(huì)上,展出了最新研發(fā)的高壓碳化硅功率器件與車規(guī)級(jí)碳化硅模塊產(chǎn)品,吸引了新能源汽車、工業(yè)
2025-03-29 09:10:551741

基本半導(dǎo)體碳化硅功率器件亮相PCIM Europe 2025

近日,全球電力電子領(lǐng)域的“頂流”盛會(huì)——PCIM Europe 2025德國(guó)紐倫堡會(huì)展中心盛大開幕。基本半導(dǎo)體攜全系列碳化硅功率器件及門極驅(qū)動(dòng)解決方案盛裝亮相,并隆重發(fā)布新碳化硅MOSFET
2025-05-09 09:19:101116

國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場(chǎng)格局重構(gòu)

SiC碳化硅MOSFET國(guó)產(chǎn)化替代浪潮:國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場(chǎng)格局重構(gòu) 1 國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)的崛起與技術(shù)突破 1.1 國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)從Fabless
2025-06-07 06:17:30911

基本半導(dǎo)體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用

基本半導(dǎo)體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用 、引言 電力電子技術(shù)飛速發(fā)展的今天,碳化硅(SiC)MOSFET 憑借其卓越的性能,成為推動(dòng)高效能電力轉(zhuǎn)換的關(guān)鍵器件
2025-06-10 08:38:54832

第四代碳化硅產(chǎn)品AI基建的應(yīng)用

AI 基建中,碳化硅(SiC)憑借高頻高效、耐高溫、高功率密度等特性,成為解決 “算力飆升與能耗、空間、散熱瓶頸” 矛盾的核心材料。從數(shù)據(jù)中心的電源系統(tǒng)到邊緣 AI 設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行,第四代碳化硅正深度滲透到 AI 基建的全鏈條。
2025-08-18 15:56:311137

碳化硅產(chǎn)品斬獲歐洲頭部車企訂單

近日,半導(dǎo)體順利斬獲歐洲頭部車企的量產(chǎn)訂單。這重大跨越標(biāo)志著碳化硅(SiC)功率器件領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力與產(chǎn)品質(zhì)量獲得國(guó)際頂尖車企的高度認(rèn)可,進(jìn)步推動(dòng)碳化硅技術(shù)全球新能源汽車產(chǎn)業(yè)中
2025-09-10 17:32:471194

Easy 3B碳化硅模塊的應(yīng)用場(chǎng)景

Easy 3B 碳化硅模塊基于第三代半導(dǎo)體材料特性,具有高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高熱導(dǎo)率、高電子飽和速度,高壓性能、功率密度、散熱效率及兼容性方面表現(xiàn)均衡,2000V 設(shè)計(jì)尤其適用于大規(guī)模光伏電站及儲(chǔ)能系統(tǒng),適配需要高電壓、高效率和高可靠性的應(yīng)用場(chǎng)景,減少電壓降和損耗,提高發(fā)電與儲(chǔ)能效率。
2025-10-09 18:11:321184

簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)博世碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)品

博世為智能出行領(lǐng)域提供全面的碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合,包括用于逆變器、車載充電器和直流/直流轉(zhuǎn)換器的碳化硅功率MOSFET和碳化硅功率模塊。這些解決方案已面向全球整車廠、級(jí)供應(yīng)商以及分銷商,產(chǎn)品
2025-12-12 14:14:06565

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