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半導(dǎo)體下行 碳化硅熱度卻愈演愈烈

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫 ? 來源:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫 ? 2023-08-17 14:27 ? 次閱讀
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半導(dǎo)體行業(yè)的下行周期中,也并非一片低迷之聲,碳化硅就是萎靡之勢(shì)中的一個(gè)反例。

隨著電動(dòng)汽車功率半導(dǎo)體價(jià)值量的提升,以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體正在逆勢(shì)而上。需求殷切令各路廠商競相投資擴(kuò)大產(chǎn)能,并且在未來的五年里,它的熱度只會(huì)增不會(huì)減。這一趨勢(shì)在最近兩年碳化硅行業(yè)的投資并購動(dòng)作中也可窺見一二。

01 國內(nèi)上半年融資創(chuàng)三年之最

2021年有多家碳化硅企業(yè)獲得了投資機(jī)構(gòu)的青睞,相繼宣布完成融資,行業(yè)內(nèi)也隨之激起一番融資浪潮。2021年全年投融資及并購金額達(dá)到21.32億元,數(shù)量達(dá)到15起。

2022年也是碳化硅投融資熱度明顯的一年。據(jù)不完全統(tǒng)計(jì),2022年全年投融資及并購金額超過33億元,數(shù)量達(dá)到30余起。僅僅是在2022年12月,就有7個(gè)融資案,包括臻驅(qū)科技、芯聚能、邑文科技、瞻芯電子、南砂晶圓等。

2023年才剛剛行至過半,碳化硅企業(yè)的融資金額就已經(jīng)創(chuàng)了最近三年的新高。今年Q1,碳化硅領(lǐng)域共有21起融資,包含外延、襯底、材料、設(shè)備、功率器件……融資幾乎涵蓋了國內(nèi)碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈。在這21家企業(yè)中,除部分企業(yè)未公布融資金額外,有10家企業(yè)所獲融資金額過億,約占總數(shù)的50%。其中,融資規(guī)模最大的當(dāng)屬天域半導(dǎo)體,為12億。今年Q2又有10余起融資,總金額超50億元,其中融資規(guī)模最大的為長飛先進(jìn),超過38億元。

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02 并購風(fēng)起云涌

不只是融資熱,近年來碳化硅領(lǐng)域的并購動(dòng)作也讓這個(gè)賽道異常熱鬧。

并購似乎是國際的半導(dǎo)體大廠進(jìn)入新領(lǐng)域的絕佳路徑。羅姆自2009年收購了德國碳化硅晶圓廠商碳化硅rystal公司以來,構(gòu)筑了從碳化硅襯底到外延、晶圓到封裝的“一條龍”生產(chǎn)體制,這家碳化硅襯底供應(yīng)商的中期目標(biāo)是每年生產(chǎn)數(shù)十萬片碳化硅襯底,實(shí)現(xiàn)上億美元的營收,并且也開始向8英寸襯底進(jìn)軍,預(yù)計(jì)2023年批量生產(chǎn)。

2018年英飛凌收購了碳化硅晶圓切割領(lǐng)域的新銳公司Siltectra進(jìn)入上游襯底領(lǐng)域。

2019年安森美收購格芯位于紐約EastFishkill的300mm晶圓廠,從而獲得了大量的MOSFETIGBT產(chǎn)能及先進(jìn)的CMOS技術(shù)。

2020年8月II-VI宣布收購碳化硅外延片和器件企業(yè)AscatronAB的所有已發(fā)行股份,建立碳化硅垂直集成平臺(tái)。

之后在這些國際半導(dǎo)體巨頭身上發(fā)生的并購案件還有很多,比如羅姆日前宣布將收購SolarFrontier原國富工廠資產(chǎn),以擴(kuò)大碳化硅產(chǎn)能;安森美在2021年以4.15億美元收購GTAT;SK在2020年以4.5億美元收購杜邦碳化硅晶圓事業(yè)部;ST在2019年以1.375億美元收購NorstelAB;2021年Qorvo收購United碳化硅進(jìn)軍電動(dòng)汽車產(chǎn)業(yè);2023年Veeco收購Epiluvac以生產(chǎn)碳化硅化學(xué)氣相沉積(CVD)設(shè)備;同年,愛思強(qiáng)收購EpiGress;Veeco收購Epiluvac等。

隨著市場需求的確定性增加,為了提前鎖定上游材料貨源,國內(nèi)部分半導(dǎo)體廠商也采取了收購、合作等方式,整合上下游產(chǎn)業(yè)鏈資源以加速布局。

2016年安芯投資收購瑞典碳化硅襯底公司Norstel,2017年設(shè)立了北電新材料。隨后在2020年三安光電收購了北電新材料。

2021年天富能源發(fā)布公告稱,擬收購碳化硅芯片企業(yè)——北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司1000萬股份,收購價(jià)格為25元/股,交易總額為2.5億元。這是天富能源第3次收購天科合達(dá)股份,累計(jì)認(rèn)購金額近6億元。華為、比亞迪和華潤微電子等企業(yè)也曾入股天科合達(dá)。

2021年鴻海收購?fù)甑谌雽?dǎo)體碳化硅6英寸廠。未來鴻海將以廠房生產(chǎn)碳化硅功率元件,正式宣布進(jìn)軍第三代半導(dǎo)體制造

2022年3月長飛光纖發(fā)布公告稱,該公司及子公司武漢睿芯,擬合計(jì)出資約7.8億元,參與《蕪湖太赫茲工程中心有限公司與蕪湖啟迪半導(dǎo)體有限公司合并重組整體交易方案》。

2022年8月,納微半導(dǎo)體官網(wǎng)宣布收購碳化硅公司Gene。Gene碳化硅成立于2004年,2021年碳化硅功率器件營收全球排名第八,主要提供650V~6500V全系列車規(guī)級(jí)碳化硅MOS,產(chǎn)品主要由X-Fab代工,已經(jīng)在全球知名電動(dòng)汽車品牌大量出貨。

03 建廠擴(kuò)產(chǎn)愈演愈烈

根據(jù)化合物半導(dǎo)體市場統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示,上半年與碳化硅相關(guān)的擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目以及預(yù)期資本支出加起來總金額超上千億元(折合成人民幣),擴(kuò)產(chǎn)的內(nèi)容主要圍繞襯底、外延、器件,而應(yīng)用的方向也大多數(shù)以電動(dòng)汽車為主。在這其中,國際廠商是主力軍。

今年1月,德國博世集團(tuán)在蘇州發(fā)布重磅消息:再投10億美元打造新能源汽車核心部件及自動(dòng)駕駛研發(fā)制造基地項(xiàng)目,生產(chǎn)內(nèi)容包含碳化硅功率模塊等,主要目的是為當(dāng)?shù)仄囍圃焐烫峁┭邪l(fā)、測試和制造汽車零件以及自動(dòng)駕駛技術(shù)。隨后在4月,博世又決定收購半導(dǎo)體廠商TSI Semiconductors,再投資15億美元擴(kuò)張第三代半導(dǎo)體生產(chǎn),應(yīng)對(duì)電動(dòng)汽車市場需求。

安森美也一直在推進(jìn)碳化硅器件的全球化擴(kuò)張計(jì)劃。今年5月,安森美半導(dǎo)體高層表示,該公司有意投資20億美元用于增產(chǎn)碳化硅芯片,也正在考慮在美國、捷克共和國或韓國進(jìn)行擴(kuò)張,他們的目標(biāo)是到2027年占據(jù)碳化硅汽車芯片市場40%的份額。值得注意的是,去年11月份,安森美已經(jīng)實(shí)現(xiàn)碳化硅產(chǎn)能兩倍的增長,都是在原有工廠基礎(chǔ)上擴(kuò)張。

Wolfspeed也持續(xù)走在大尺寸材料擴(kuò)產(chǎn)賽道的前列。今年2月,美國半導(dǎo)體廠Wolfspeed正式宣布計(jì)劃在德國薩爾州建造全球最大、最先進(jìn)的碳化硅器件制造工廠。該工廠將成為全球最大的八英寸半導(dǎo)體工廠,采用創(chuàng)新性制造工藝來生產(chǎn)下一代碳化硅器件。Wolfspeed直言,歐洲工廠將與莫霍克谷器件工廠(已向中國終端客戶批量出貨碳化硅MOSFET)、JohnPalmour碳化硅制造中心(美國北卡羅來納州碳化硅材料工廠,目前正在建設(shè)中)共同構(gòu)成公司65億美元產(chǎn)能擴(kuò)張大計(jì)劃的重要組成部分。

同時(shí),中國對(duì)于碳化硅擴(kuò)產(chǎn)動(dòng)作也未停歇。

今年6月,三安光電與意法半導(dǎo)體聯(lián)合宣布,雙方擬出資32億美元(約合人民幣228億元)合資建造一座8英寸碳化硅外延、芯片代工廠。同時(shí),三安光電將在當(dāng)?shù)鬲?dú)資建立一個(gè)8英寸碳化硅襯底工廠作為配套,預(yù)計(jì)投資總額70億元。

同月,深圳市生態(tài)環(huán)境局公布了關(guān)于《比亞迪汽車工業(yè)有限公司碳化硅外延中試線量產(chǎn)項(xiàng)目環(huán)境影響報(bào)告書》受理公告。根據(jù)環(huán)評(píng)文件,此前(2021年12月),比亞迪已經(jīng)投資2億元建設(shè)碳化硅材料項(xiàng)目——建設(shè)一條碳化硅外延片生產(chǎn)線,生產(chǎn)規(guī)模為12000片/年。2022 年 1月,該項(xiàng)目開始建設(shè),目前已完成設(shè)備安裝,尚未正式運(yùn)營。此次擴(kuò)建,比亞迪擬投資約 2.14億元建設(shè)碳化硅外延中試線量產(chǎn)項(xiàng)目,擴(kuò)產(chǎn)后將新增碳化硅外延片產(chǎn)能6000片/年,合計(jì)產(chǎn)能達(dá)18000片/年。該項(xiàng)目建設(shè)內(nèi)容主要為設(shè)備安裝,施工期預(yù)計(jì) 3 個(gè)月,計(jì)劃 2023年6月開工,2023年9月建成。

此外還有天科合達(dá)、瀚天天成、天岳先進(jìn)等公司都公布了自己新的投資與擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃。以下是國內(nèi)碳化硅公司的具體產(chǎn)能狀況:

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04 中國種子選手

目前,國內(nèi)在碳化硅各個(gè)環(huán)節(jié)已經(jīng)涌現(xiàn)一批代表企業(yè)。襯底方面,天岳先進(jìn)、天科合達(dá)在國內(nèi)相對(duì)領(lǐng)先;外延材料方面,瀚天天成、東莞天域比較突出;下游的功率器件廠商有時(shí)代電氣、斯達(dá)半導(dǎo)、泰科天潤等。

襯底是碳化硅生產(chǎn)的難點(diǎn)之一,市場競爭格局集中,海內(nèi)外廠商發(fā)展模式差異大。國外企業(yè)多以IDM模式布局全產(chǎn)業(yè)鏈,如Wolfspeed、羅姆及意法半導(dǎo)體等。不過,國內(nèi)碳化硅襯底材料廠商也在紛紛加緊布局,試圖抓住機(jī)遇,擴(kuò)大市場影響力,現(xiàn)下已經(jīng)取得了一些成績。

2023年4月,天岳先進(jìn)2022年年報(bào)披露與博世集團(tuán)簽署長期協(xié)議;5月,英飛凌宣布與天科合達(dá)和天岳先進(jìn)2家碳化硅襯底廠商簽訂長期協(xié)議,并預(yù)計(jì)2家供應(yīng)量均將占到英飛凌長期需求量的兩位數(shù)份額。這是國產(chǎn)碳化硅的里程碑事件,體現(xiàn)國產(chǎn)碳化硅襯底龍頭獲國際器件大廠認(rèn)可,襯底良率和性能提升超預(yù)期。

在隨后的6月,意法半導(dǎo)體宣布將與三安光電在中國成立200mm碳化硅器件制造合資公司,三安光電將建造并單獨(dú)運(yùn)營一座新的200毫米碳化硅襯底制造廠,使用自己的碳化硅襯底工藝來滿足合資企業(yè)的需求。

再看外延。前不久,瀚天天成對(duì)外宣布,完成了具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的8英寸碳化硅外延工藝的技術(shù)開發(fā),正式具備國產(chǎn)8英寸碳化硅外延片量產(chǎn)能力,并于近期簽署多項(xiàng)長期合約,包括價(jià)值超過1.92億美元(約合人民幣13.91億元)的8英寸碳化硅外延片長期合約。這項(xiàng)技術(shù)的突破,標(biāo)志著我國已經(jīng)掌握商業(yè)化的8英寸碳化硅外延生長技術(shù),進(jìn)一步推動(dòng)碳化硅外延材料的國產(chǎn)化進(jìn)程,極大提升了我國在碳化硅外延領(lǐng)域的國際地位。

東莞天域是我國第一家獲得汽車質(zhì)量認(rèn)證的碳化硅半導(dǎo)體材料供應(yīng)鏈企業(yè)。同時(shí),天域半導(dǎo)體是國內(nèi)最早實(shí)現(xiàn)6英寸外延片量產(chǎn)的企業(yè),并提前布局國內(nèi)8英寸碳化硅外延片工藝線的建設(shè)。2022年4月,天域半導(dǎo)體8英寸碳化硅外延片項(xiàng)目落地東莞;同年8月,Coherent宣布與天域半導(dǎo)體簽訂1億美元訂單,向后者供應(yīng)碳化硅6英寸襯底,從當(dāng)季度開始到2023年底交付。






審核編輯:劉清

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原文標(biāo)題:碳化硅熱度,只增不減

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    碳化硅(SiC)在半導(dǎo)體中扮演著至關(guān)重要的角色,其獨(dú)特的物理和化學(xué)特性使其成為制作高性能半導(dǎo)體器件的理想材料。以下是碳化硅半導(dǎo)體中的主要作
    的頭像 發(fā)表于 01-23 17:09 ?2433次閱讀

    40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN!

    BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN! BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅M
    發(fā)表于 01-22 10:43

    安森美在碳化硅半導(dǎo)體生產(chǎn)中的優(yōu)勢(shì)

    此前的文章“粉末純度、SiC晶錠一致性……SiC制造都有哪些挑戰(zhàn)”中,我們討論了寬禁帶半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)及碳化硅制造挑戰(zhàn),本文為白皮書第二部分,將重點(diǎn)介紹碳化硅生態(tài)系統(tǒng)的不斷演進(jìn)及安森美(onsemi)在
    的頭像 發(fā)表于 01-07 10:18 ?847次閱讀

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    氧化層?如何測試碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?”讓我們一起跟隨基本半導(dǎo)體市場部總監(jiān)魏煒老師的講解,揭開這一技術(shù)領(lǐng)域的神秘面紗。
    發(fā)表于 01-04 12:37