WSP4953WSD30L120WSD30150 WST3400WST3401WST3407WST3408 汽車應(yīng)急啟動(dòng)電源專用MOS管{WSF308530V 85A N管}{WSF70P03-30V70AP管
2018-08-08 09:31:46
惠海半導(dǎo)體 供應(yīng) 100V 3A MOS管 替代SI2328DS,mos原廠,庫存現(xiàn)貨熱銷100V MOS管 參數(shù):100V 3ASOT-23MOS管/場(chǎng)效應(yīng)管品牌:惠海半導(dǎo)體
2020-11-20 13:54:17
惠海半導(dǎo)體【中低壓MOS管廠家】,供應(yīng)中低壓壓N溝道場(chǎng)效應(yīng)管NMOS管 廠家直銷,質(zhì)優(yōu)價(jià)廉 大量現(xiàn)貨 量大價(jià)優(yōu) 歡迎選購,超低內(nèi)阻,結(jié)電容超小,采用溝槽工藝,性能優(yōu)越,惠海半導(dǎo)體專業(yè)20-150V
2020-09-25 15:55:42
深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng) 100V MOS管推薦 100V SOT-89香薰機(jī)MOS,HN0801,HN03N10D,原裝,庫存現(xiàn)貨熱銷HN0801 參數(shù):100V MOS管100V 8A
2021-05-08 15:10:13
,電弧打火機(jī)專用,火苗粗,打火時(shí)間長原廠直銷,價(jià)格有優(yōu)勢(shì),歡迎來電申請(qǐng)樣品測(cè)試型號(hào):HC018N10L參數(shù):100V39A ,類型:N溝道結(jié)MOS場(chǎng)效應(yīng)管,內(nèi)阻22毫歐, 低結(jié)電容1000pF, 封裝
2020-10-16 17:25:13
的優(yōu)點(diǎn)。【免費(fèi)提供方案及技術(shù)支持,免費(fèi)提供樣品測(cè)試~】MOS管型號(hào):HG021N10L-A參數(shù):100V25A(25N10)內(nèi)阻:25mR(VGS=10V)結(jié)電容:839pF類型:SGT工藝NMOS開啟電壓:1.4V封裝:TO-252
2021-02-23 16:22:55
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2020-10-15 11:51:46
`100V MOS管100V 貼片MOS 100V常用MOS推薦:HC160N10L,HC080N10L,HC240N10LS,原裝現(xiàn)貨,價(jià)格優(yōu)惠!100V 3A/5A/8A霧化器MOS管,3A
2020-11-12 16:25:57
`深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng) 10N10 100V 10A 香薰機(jī)MOS管 ,原裝,庫存現(xiàn)貨熱銷10N10參數(shù): TO-252/SOT-89100V10AN溝道 MOS場(chǎng)效應(yīng)管
2020-07-31 14:50:51
150V-2A,3A,15A,20A,150V-79A MOS管。其次是105A,150A,150V-310A 。250V-3A,7A,10A,18A,33A,44A,250V-58A MOS管
2021-01-07 10:56:57
惠海半導(dǎo)體 供應(yīng)30V 30ATO-252MOS管HC020N03L,原裝,庫存現(xiàn)貨熱銷HC020N03L參數(shù):30V 30A TO-252 N溝道 MOS管/場(chǎng)效應(yīng)管品牌:惠海
2020-11-11 17:32:09
惠海直銷30V 60V 100V mos管 3A5A10A15A 25A 30A 50A 貼片 mos管【惠海半導(dǎo)體直銷】惠海直銷30V 60V 100V mos管SOT23封裝 TO-252
2020-11-12 09:52:03
`30V 60V 100V mos管3A 5A 10A 15A 25A 30A 50A貼片mos管【惠海半導(dǎo)體直銷】30V 60V 100V mos管SOT23封裝 TO-252 SOP-8
2020-12-01 15:57:36
30V 60V 100V mos管3A 5A 10A 15A 25A 30A 50A貼片mos管【惠海半導(dǎo)體直銷】30V 60V 100V mos管SOT23封裝 TO-252 SOP-8 DFN3
2020-11-11 14:45:15
`30V 60V 100V mos管3A 5A 10A 15A 25A 30A 50A貼片mos管【惠海半導(dǎo)體直銷】30V 60V 100V mos管SOT23封裝 TO-252 SOP-8
2020-11-03 15:38:19
管,LED車燈強(qiáng)弱光切換專用MOS管100V5A(內(nèi)阻140mR) 30V8A SOT23-3封裝,MOS管專為LED汽車燈電源研發(fā)設(shè)計(jì),具體抗高溫、低內(nèi)阻、結(jié)電容小、溫升低特點(diǎn),LED車燈電源專用
2020-10-29 14:33:52
`深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng) 90N02 20V 90A 果汁機(jī)MOS管,SLD90N02T,,原裝,庫存現(xiàn)貨熱銷90N02參數(shù): 20V 90ATO-252 N溝道 MOS場(chǎng)效應(yīng)管
2021-03-30 14:22:40
10V黑孔地藍(lán)色孔是出自信號(hào)發(fā)生器的0~10V的方波 Q1為MOS管R1短路時(shí)A點(diǎn) (G極)有0/10V的方波信號(hào)R1接通后 電路不能正常工作
2016-04-10 08:02:14
如圖,請(qǐng)問一下,如果C1被短路,也就是MOS管的GD短路,最終會(huì)擊穿MOS管,使MOS管三個(gè)極都導(dǎo)通嗎?其中VCC是13V
2018-02-02 09:59:30
電路如下:MOS管IRF740,Vgs為20V,當(dāng)電源電壓為0V時(shí),測(cè)量到MOS管的導(dǎo)通電阻為0.6Ω;當(dāng)有電源電壓輸入時(shí)(從20V慢慢調(diào)整至70V),電阻R兩端電壓一直為16V,MOS管的管壓降
2015-06-25 17:19:50
MOS管的開關(guān)損耗測(cè)試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié),但很多工程師對(duì)開關(guān)損耗的測(cè)量還停留在人工計(jì)算的感性認(rèn)知上,PFCMOS管的開關(guān)損耗更是只能依據(jù)口口相傳的經(jīng)驗(yàn)反復(fù)摸索,那么該如何量化評(píng)估呢
2018-11-09 11:43:12
求助:請(qǐng)問一下大家對(duì)于MOS管參數(shù)的測(cè)試工裝有沒有了解的啊?
2019-04-10 17:35:38
單片機(jī)控制MOS管,有時(shí)一開機(jī)MOS管就擊穿,如圖。尖峰太高達(dá)78V。MOS管為STP60NF06.
2015-02-05 15:19:58
滿足Vgs》Vth時(shí)即可導(dǎo)通。Vth是mos管柵極閾值電壓,一般為3v。 當(dāng)我們使用Pmos時(shí),PMOS的特性是,VGS小于一定的值(3V以上)就會(huì)導(dǎo)通,適用于源極接VCC時(shí)的情況(高端驅(qū)動(dòng)
2021-01-15 15:39:46
的字符與常見的IR公司器件有較大差異,遂使用DF-80A型二極管正向壓降測(cè)試儀對(duì)此mos管進(jìn)行實(shí)際的ID-VDS曲線測(cè)試。先從官網(wǎng)下載IRF4905的ID-VDS曲線,可見當(dāng)Vgs為-6.5V時(shí),Id約在
2015-07-24 14:24:26
高端驅(qū)動(dòng)的MOS,導(dǎo)通時(shí)需要是柵極電壓大于源極電壓。而高端驅(qū)動(dòng)的MOS管導(dǎo)通時(shí)源極電壓與漏極電壓(VCC)相同,所以這時(shí)柵極電壓要比VCC大4V或10V.如果在同一個(gè)系統(tǒng)里,要得...
2021-10-29 06:54:59
MOS管的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)MOS管的工作機(jī)制MOS管的驅(qū)動(dòng)應(yīng)用
2021-03-08 06:06:47
MOS管瞬態(tài)熱阻測(cè)試(DVDS)失效品分析如何判斷是封裝原因還是芯片原因,有什么好的建議和思路
2024-03-12 11:46:57
1.開啟電壓VT 開啟電壓(又稱閾值電壓):使得源極S和漏極D之間開始形成導(dǎo)電溝道所需的柵極電壓;·標(biāo)準(zhǔn)的N溝道MOS管,VT約為3~6V;·通過工藝上的改進(jìn),可以使MOS管的VT值降到2
2018-11-20 14:10:23
揭秘mos管電路邏輯及mos管參數(shù) 1.開啟電壓VT 開啟電壓(又稱閾值電壓):使得源極S和漏極D之間開始形成導(dǎo)電溝道所需的柵極電壓;·標(biāo)準(zhǔn)的N溝道MOS管,VT約為3~6V;·通過工藝上的改進(jìn)
2018-11-20 14:06:31
最近在測(cè)試NMOSFET的時(shí)候,發(fā)現(xiàn)一個(gè)問題,求大神解答,具體問題如下問題一: 就是在測(cè)試MOS管的耐沖擊電流的是候,給個(gè)脈沖,然后用負(fù)載機(jī)帶電流去沖擊,脈沖分幾個(gè)擋位,比如10ms沖擊一次,就發(fā)現(xiàn)
2018-01-19 09:54:42
現(xiàn)在用全橋輸出拓?fù)漭^多經(jīng)??匆娫诿總€(gè)橋臂的MOS管G極前加一個(gè)阻值不大但是功率較大的電阻同時(shí)和MOS并聯(lián)的還有一個(gè)RCD(電阻+二極管+電容)電路現(xiàn)在知道這個(gè)RCD電路是用于吸收MOS管的突波或者
2017-08-11 09:20:17
探討一下,低壓MOS管的具體應(yīng)用場(chǎng)合!1、低壓應(yīng)用中當(dāng)使用5V電源,這時(shí)候如果使用傳統(tǒng)的圖騰柱結(jié)構(gòu),由于三極管的be有0.7V左右的壓降,導(dǎo)致實(shí)際最終加在gate上的電壓只有4.3V。這時(shí)候,我們選用
2018-11-14 09:24:34
MOS管的開關(guān)時(shí)間是怎么來測(cè)試的.怎么測(cè)試出來多少個(gè)ns?看資料上的上升時(shí)間和下降時(shí)間是不是對(duì)應(yīng)的mos管的開關(guān)的時(shí)間?
2014-12-15 19:48:12
什么是MOS管?MOS管的構(gòu)造MOS管的工作原理MOS管的特性MOS管的電壓極性和符號(hào)規(guī)則MOS管和晶體三極管相比的重要特性什么是灌流電路
2021-01-06 07:20:29
MOS管的漏電流是什么意思?MOS管的漏電流主要有什么組成?
2021-09-28 07:41:51
MOS管特性: 電壓控制導(dǎo)通, 幾乎無電流損耗。需要經(jīng)常插拔電池的產(chǎn)品中, 防止電池反接是必需考慮的. 最簡單最低成本的, 在電源輸入中串一個(gè)二極管, 但二極管有壓降(0.7V), 3.3V過去后
2021-11-12 07:24:13
源極電壓。而高端驅(qū)動(dòng)的MOS管導(dǎo)通時(shí)源極電壓與漏極電壓(VCC)相同,所以這時(shí)柵極電壓要比VCC大4V或10V。如果在同一個(gè)系統(tǒng)里,要得到比VCC大的電壓,就要專門的升壓電路了。很多馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器都集成
2019-02-14 11:35:54
集成電路芯片內(nèi)部通常是沒有的。2,MOS管導(dǎo)通特性導(dǎo)通的意思是作為開關(guān),相當(dāng)于開關(guān)閉合。NMOS的特性,Vgs大于一定的值就會(huì)導(dǎo)通,適合用于源極接地時(shí)的情況(低端驅(qū)動(dòng)),只要柵極電壓達(dá)到4V或10V就可以了
2021-01-11 20:12:24
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-1 09:28 編輯
四個(gè)MOS管這么排列,Q3Q4是打開,Q1Q2是關(guān)閉, 電源是12V為啥AB兩點(diǎn)的電壓也有11多V,MOS是如何導(dǎo)通的呢,體二極管也是對(duì)立的。
2018-05-31 19:41:07
二極管降了 0.6V,使得電池使用時(shí)間大減。??MOS 管防反接,好處就是壓降小,小到幾乎可以忽略不計(jì)?,F(xiàn)在的 MOS 管可以做到幾個(gè)毫歐的內(nèi)阻,假設(shè)是 6.5 毫歐,通過的電流為 1A(這個(gè)電流已經(jīng)
2020-11-16 09:22:50
`到驅(qū)動(dòng)波形Vgs關(guān)閉的時(shí)候Vds仍然導(dǎo)通導(dǎo)致,沒有死區(qū)時(shí)間 下面是波形 我母線通電30V電壓來測(cè)試的CH1是Vgs導(dǎo)通波形 CH2是 Vds波形中間有一段VGS下降了 MOS管還導(dǎo)通這是測(cè)兩個(gè)低端MOS管Vds的波形 沒有死區(qū)時(shí)間 另外我的尖峰脈沖是不是太高了 我上電300V的話會(huì)炸管嗎`
2017-08-02 15:41:19
的是,普遍用于高端驅(qū)動(dòng)的NMOS,導(dǎo)通時(shí)需要是柵極電壓大于源極電壓。而高端驅(qū)動(dòng)的MOS管導(dǎo)通時(shí)源極電壓與漏極電壓(VCC)相同,所以這時(shí)柵極電壓要比VCC大4V或10V。如果在同一個(gè)系統(tǒng)里,要得到比
2011-11-07 15:56:56
mos管測(cè)試的時(shí)候有個(gè)是測(cè)試GMP的這個(gè)是測(cè)試的什么?他和跨導(dǎo)GM是什么關(guān)系?
2015-08-13 16:45:08
`MOS管電路在通斷過程中,Vgs的波形是一個(gè)完整的方波,但是Vds的波形是一條5v的直線,這是什么原因`
2021-03-15 16:48:53
用TPS40200的EVM板測(cè)試時(shí),測(cè)量經(jīng)過限流電阻R2的電流波形如下。按我的理解,通過R2的電流等于MOS管的電流,在MOS管關(guān)斷時(shí)應(yīng)該為0。但為什么測(cè)出來的電流在MOS管關(guān)斷時(shí)線性下降?我
2019-04-18 11:17:05
24V 36V 48V 60V 72V 80V轉(zhuǎn)3V 9V 12V 24V 36V等不同的電壓輸出。
mos管選型建議
01需要抗電流沖擊的,普通邏輯開關(guān)或者工作頻率很低比如50kHZ以內(nèi)的,電流非常大
2024-01-20 15:30:35
N-MOS管的原理是什么?N-MOS管為什么會(huì)出問題?如何去控制步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器?
2021-07-05 07:39:44
目的:IO口控制第一個(gè)MOS管通斷來實(shí)現(xiàn)第二個(gè)MOS管柵極是否有15v加上繼而控制第二個(gè)MOS的快速通斷。措施一:如圖一所示,第一個(gè)MOS管G加IO口,此MOS管vgs(th)為0.45到1v
2018-10-17 15:16:30
,深圳市三佛科技有限公司,咨詢客服購買?!?**賴,0755-85279055】更多中低壓MOS管產(chǎn)品如下:【20V MOS N/P溝道】HN3415: -20V -4A SOT-23 P溝道 MOS管
2020-10-22 15:48:45
功能:STM32io輸出高電平,三極管導(dǎo)通,A點(diǎn)為0V,MOS管導(dǎo)通,在MOS的D極測(cè)得12V。STM32io輸出低電平,三極管截止,A點(diǎn)為5V,MOS管關(guān)閉,在MOS的D極測(cè)得0V。這個(gè)電路對(duì)嗎?
2018-11-02 14:07:03
使用ti的tps51621buck控制器,12V輸出1V輸出,高側(cè)的mos管會(huì)出現(xiàn)損壞造成12V對(duì)地短路的情況,MOS管高側(cè)選用的CSD16322Q5,參數(shù)滿足要求,板子放在機(jī)箱中,測(cè)試MOS管的表面溫度也不是很高。
2022-06-01 11:18:44
為什么一接上24V電壓,mos管就被燒毀
2019-05-21 01:53:44
什么是MOS管?MOS管的工作原理是什么?MOS管和晶體三極管相比有何特性呢?
2022-02-22 07:53:36
二極管的管壓降0.5v左右,同樣也應(yīng)該可以測(cè)得到電阻一般為幾千歐以內(nèi)。1.2 如何判斷MOS管是N型還是P型?2. MOS管驅(qū)動(dòng)電路分析下面是常見的MOS管驅(qū)動(dòng)電路(1)二極管D1的作用是什么?二極管D1在驅(qū)動(dòng)信號(hào)是低電平時(shí)起到快速關(guān)斷的作用。一般在H橋驅(qū)動(dòng)電路中需要加此二極管起到“慢開快關(guān)
2021-12-31 06:20:08
`【MOS管原廠】HC36012參數(shù):30V 10A TO-252 N溝道 MOS管 /場(chǎng)效應(yīng)管品牌:惠海型號(hào):HC36012VDS:30V IDS:10A 封裝:TO-252溝道:N溝道 【20V
2020-11-02 16:02:10
設(shè)計(jì)一個(gè)mos管作為負(fù)載的電池放電器,如何控制mos管的開關(guān)特性,Vgs又如何控制
2016-03-10 12:02:57
J5的1腳常供26V電壓,當(dāng)MOS管不導(dǎo)通的時(shí)候去量J5的Pin1和Pin2是沒有電壓的,因?yàn)镻in2沒有和低連到一起。但是當(dāng)MOS管導(dǎo)通后去量,為什么量出來J5Pin1和Pin2為21.5V,正常導(dǎo)通不應(yīng)該是26V嘛,是不是MOS管壞了,因?yàn)橹岸紱]問題量出來都是26V,就這一個(gè)量出來是21.5
2023-01-31 13:23:01
富的人力資源,在產(chǎn)品和市場(chǎng)上不斷開拓創(chuàng)新歡迎新老朋友、廠家來電商談合作事宜LED燈控制器MOS管、LED燈驅(qū)動(dòng)板用MOS管 、100V加濕器MOS管,100V香薰機(jī)MOS管,100V霧化器MOS管
2020-10-16 17:22:55
的電阻串聯(lián)二極管構(gòu)成的RCD吸收電路,測(cè)試波形如上圖所示,電容兩端的電壓充電至50V左右時(shí),電源輸出的電流會(huì)突增,mos管已被擊穿,想不明白mos管擊穿的原因,不知道這個(gè)電流是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">mos壞了才變大
2021-07-17 21:55:40
`如圖所示,MOS管的Vgs最低的時(shí)候也有3.6V左右,這樣可能關(guān)不斷mos管,這是為什么呢,有什么辦法可以解決嗎。`
2017-08-31 13:42:53
。不同使用的額外電壓也有所不同;一般,便攜式設(shè)備為20V、FPGA電源為20~30V、85~220VAC使用為450~600V. 第二步:確認(rèn)額外電流 第二步是挑選MOS管的額外電流。視電路結(jié)構(gòu)而定,該額外
2021-03-15 16:28:22
原先我們采用的是SM8S33A的TVS做ISO16750-25b的測(cè)試內(nèi)阻1Ω要承受瞬時(shí)200v時(shí)間 400ms的測(cè)試不通過,現(xiàn)在想問問哪位大神可以幫忙一下運(yùn)用MOS管助我通過測(cè)試。跪求,感激零涕
2019-05-31 20:26:26
想找一款開啟電壓大于5V的N溝道MOS管
2017-05-27 09:36:04
`用雙E逆變器進(jìn)行測(cè)試,中間沒接負(fù)載珊級(jí)波形正常,為啥ds波形會(huì)出現(xiàn)后面兩種情況?左邊波形是測(cè)左邊mos管ds波形,右邊是右邊的mos管ds波形第三個(gè)圖是雙E逆變器,中間沒接虛線框負(fù)載`
2020-07-01 23:03:13
想測(cè)試兩個(gè)MOS管的漏極電流,可在測(cè)試中發(fā)現(xiàn)Q1這了MOS管DS經(jīng)常擊穿,請(qǐng)問這個(gè)什么原因造成的?
2021-08-27 16:00:00
怎樣去計(jì)算MOS管柵極的驅(qū)動(dòng)電流呢?如何對(duì)MOS管的驅(qū)動(dòng)波形進(jìn)行測(cè)試呢?
2021-09-28 07:36:15
`【MOS管原廠】HC36012參數(shù):30V 10A TO-252 N溝道 MOS管 /場(chǎng)效應(yīng)管品牌:惠海型號(hào):HC36012VDS:30V IDS:10A 封裝:TO-252溝道:N溝道 【20V
2020-11-02 15:37:14
`惠海半導(dǎo)體【中低壓MOS管廠家】,供應(yīng)中低壓壓N溝道場(chǎng)效應(yīng)管NMOS管 廠家直銷,質(zhì)優(yōu)價(jià)廉 大量現(xiàn)貨 量大價(jià)優(yōu) 歡迎選購,超低內(nèi)阻,結(jié)電容超小,采用溝槽工藝,性能優(yōu)越,惠海半導(dǎo)體專業(yè)20-150V
2020-11-02 15:36:23
` MOS管最顯著的特性是開關(guān)特性好,所以被廣泛應(yīng)用在需要電子開關(guān)的電路中,常見的如開關(guān)電源和馬達(dá)驅(qū)動(dòng),也有照明調(diào)光?,F(xiàn)在的MOS管驅(qū)動(dòng),有幾個(gè)特別的需求: 1,低壓應(yīng)用 當(dāng)使用5V電源
2018-10-19 15:28:31
的?! ?b class="flag-6" style="color: red">MOS管導(dǎo)通特性 導(dǎo)通的意思是作為開關(guān),相當(dāng)于開關(guān)閉合。 NMOS的特性,Vgs大于一定的值就會(huì)導(dǎo)通,適用于源極接地的情況(低端驅(qū)動(dòng)),只要柵極電壓達(dá)到4V或10V就可以了?! MOS的特性
2018-12-03 14:43:36
的單向?qū)ǚ较蛞恢隆! ≡谝恍╇姵乇Wo(hù)電路中,常有兩個(gè)MOS管共漏極使用的情況,因?yàn)樵谶@些保護(hù)電路中,既要進(jìn)行過充檢測(cè)也要進(jìn)行過放檢測(cè)?! 〈蜷_該類MOS的規(guī)格書我們會(huì)看到許多如下參數(shù): 那么如何測(cè)試
2023-03-10 16:26:47
需求:耐壓50V左右,輸入12V,可承受電流5A,N溝道型MOS管,做開關(guān)管用,推薦時(shí)告知導(dǎo)通阻抗Rds
2019-10-12 15:39:52
使用5V的驅(qū)動(dòng)電壓,因此要根據(jù)系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)電壓選取不同閾值電壓VTH的功率MOS管?! ?shù)據(jù)表中功率MOS管的閾值電壓VTH也有確定的測(cè)試條件,在不同的條件下具有不同的值,VTH具有負(fù)溫度系數(shù)。不同的驅(qū)動(dòng)電壓
2018-11-19 15:21:57
`` 本帖最后由 王棟春 于 2018-10-19 21:32 編輯
在當(dāng)今的開關(guān)電源設(shè)備中,當(dāng)電源電壓在200v以下時(shí),主開關(guān)功率器件一般都使用MOS管。所以深入了解MOS管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作
2018-10-19 16:21:14
的小了很多說明MOS管并未損壞?! ?2)在加速過程中,如24V電源時(shí),MOS管柵極電壓應(yīng)為14V;36V電源時(shí),MOS管柵極電壓應(yīng)為26V。此時(shí)測(cè)試漏極(D)、源極(S)之間電壓應(yīng)隨加速而下降。若電壓
2018-12-27 13:49:40
`做了一個(gè)無刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)板,但是現(xiàn)在MOS管發(fā)熱太嚴(yán)(MOS管型號(hào)CSD18540)。測(cè)試波形如下圖。想問一下有沒有大佬知道怎么解決散熱問題?(增加散熱片沒什么效果)`
2020-03-26 16:46:00
是柵極電壓大于源極電壓。而高端驅(qū)動(dòng)的MOS管導(dǎo)通時(shí)源極電壓和漏極電壓(Vcc)相同,所以這是柵極電壓要比Vcc大4V或10V。如果在同一個(gè)系統(tǒng)里,要得到比Vcc大的電壓,就要專門的升壓電路了。很多馬達(dá)
2017-08-15 21:05:01
極電壓。而高端驅(qū)動(dòng)的MOS管導(dǎo)通時(shí)源極電壓和漏極電壓(Vcc)相同,所以這是柵極電壓要比Vcc大4V或10V。如果在同一個(gè)系統(tǒng)里,要得到比Vcc大的電壓,就要專門的升壓電路了。很多馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器都集成
2017-12-05 09:32:00
請(qǐng)教各位老師,我的MOS管經(jīng)常擊穿,是怎么回事.如何保護(hù).MOS管VDS為60V,ID=60A.負(fù)載為24V150W燈.驅(qū)動(dòng)脈沖100HZ.請(qǐng)看圖片.謝謝!!!
2013-10-24 08:47:33
1、開關(guān)電源輸出DC 30V,開關(guān)電源的輸出接MOS管對(duì)電源進(jìn)行開關(guān)控制,請(qǐng)問MOS管的VDS電壓根據(jù)什么來選擇?比如VDS=100V?200V?2、繼電器切換11A左右的DC直流負(fù)載,選擇
2018-05-25 17:49:22
如題,內(nèi)阻1mR的mos管,如aon6500。這樣的超低內(nèi)阻mos管,內(nèi)阻隨電流變化的曲線,怎么測(cè)試的?什么設(shè)備可以測(cè)試。
2019-05-22 09:18:59
我做了個(gè)高端驅(qū)動(dòng)的MOS管,然后連的atmega328p。但是現(xiàn)在的問題是低Vgs的時(shí)候MOS管不會(huì)完全打開。比如這個(gè)電路的Vgs大概是在5V左右,但是門極和源極之間測(cè)得的電壓只有2.1V。
2018-12-05 11:43:29
一般情況下普遍用于高端驅(qū)動(dòng)的MOS管,導(dǎo)通時(shí)需要是柵極電壓大于源極電壓。而高端驅(qū)動(dòng)的MOS管導(dǎo)通時(shí)源極電壓與漏極電壓(VCC)相同,所以這時(shí)柵極電壓要比VCC大4V或10V。如果在同一個(gè)系統(tǒng)里
2021-10-29 08:34:24
評(píng)論