|作者：柯小行1,2,? 隋曼齡1,2,??

(1 北京工業(yè)大學(xué) 材料與制造學(xué)部)

(2 北京工業(yè)大學(xué) 固體微結(jié)構(gòu)與性能北京市重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室)

本文選自《物理》2022年第7期 ? ?
摘 要 透射電子顯微鏡(簡(jiǎn)稱透射電鏡)是能夠直觀分析材料微結(jié)構(gòu)的最重要工具之一。在透射電鏡近百年的發(fā)展歷史中，近些年來(lái)球差校正透射電鏡的研發(fā)與應(yīng)用乃是最具革命性的發(fā)展，不但進(jìn)一步延伸了通向微觀世界之路，更為材料科學(xué)的快速發(fā)展提供了關(guān)鍵的工具與研究方法。文章通過(guò)介紹球差校正透射電鏡的原理、優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用及發(fā)展，來(lái)回答“什么是球差校正透射電鏡”，“球差校正透射電鏡有什么突出作用”，“球差校正透射電鏡除了拍原子還能做什么”這三個(gè)問(wèn)題。 ? ? ?

2021年11月25日，Nature Materials?期刊在線發(fā)表了浙江大學(xué)和西安交通大學(xué)等合作團(tuán)隊(duì)在Ti-Mo合金研究方面的最新成果：利用球差校正透射電鏡原位觀察到了Mo原子的有序偏聚和結(jié)構(gòu)演變過(guò)程(圖1(a))，從而提出了航空及生物醫(yī)用鈦合金材料的非典型相變機(jī)制[1]。同日，Nature Nanotechnology?期刊在線發(fā)表了新加坡國(guó)立大學(xué)等團(tuán)隊(duì)在超高濃度單原子催化劑合成方面的進(jìn)展，并通過(guò)球差校正透射電鏡表征了超高濃度單原子催化劑的成功制備結(jié)果(圖1(b))[2]。同年11月22日，Nature Materials?報(bào)道了層狀鎳酸鹽的超導(dǎo)特性，并由球差校正透射電鏡表征了層狀鎳酸鹽的原子結(jié)構(gòu)(圖1(c))[3]。11月18日，Nature Catalysis?報(bào)道了蘇黎世聯(lián)邦理工學(xué)院、上海科技大學(xué)、福州大學(xué)合作團(tuán)隊(duì)在苯—乙烯催化形成苯乙烯上的重要成果，文中亦通過(guò)球差校正透射電鏡揭示了作為該反應(yīng)催化劑的MgO二維納米片上的Ir單原子分散[4]?？梢?jiàn)，僅一周內(nèi)Nature?重要子刊上就接連發(fā)表了4篇由球差校正透射電鏡表征提供重要研究數(shù)據(jù)的工作。然而，上述文章的發(fā)表僅僅是眾多應(yīng)用球差校正透射電鏡分析材料微結(jié)構(gòu)的部分代表。據(jù)不完全統(tǒng)計(jì)，以“aberration-corrected TEM”為關(guān)鍵詞在Scopus數(shù)據(jù)庫(kù)內(nèi)進(jìn)行檢索，可以看到相關(guān)研究論文從2008年開(kāi)始快速增長(zhǎng)(圖1(d))，已成為現(xiàn)如今材料科學(xué)研究的重要表征方法。

圖1 (a) Mo在Ti-Mo合金中有序偏聚的球差校正透射電鏡表征結(jié)果[1]；(b)高密度分散的單原子催化劑的球差校正透射電鏡表征結(jié)果[2]；(c)層狀結(jié)構(gòu)鎳酸鹽的球差校正透射電鏡表征結(jié)果[3]；(d)在 Scopus 數(shù)據(jù)庫(kù)檢索“aberration-corrected TEM”得到的研究文章發(fā)表數(shù)量的統(tǒng)計(jì)結(jié)果

十余年來(lái)，球差校正透射電鏡的應(yīng)用不僅對(duì)材料學(xué)科具有重要的貢獻(xiàn)，而且支撐了多學(xué)科的交叉發(fā)展。以單原子催化劑為例，低載量、高效率的單原子催化劑是近年來(lái)的研究熱點(diǎn)，在催化化學(xué)領(lǐng)域取得了巨大的成果和應(yīng)用。球差校正透射電鏡是表征單原子的負(fù)載與構(gòu)型最直觀且有效的手段，如圖1(b)所示的例子中對(duì)Pd、Ni單原子進(jìn)行了清晰的成像。類似的例子在結(jié)構(gòu)材料、功能材料的研究中舉不勝舉。然而，作為材料微結(jié)構(gòu)分析的一種重要手段，也有部分研究者對(duì)這種方法缺乏了解或存在誤解，比如“球差校正透射電鏡能看到原子”或者“普通透射電鏡認(rèn)為看不到的結(jié)構(gòu)，用球差校正透射電鏡就能看到了”。因此，我們希望能夠通過(guò)這篇文章的介紹，讓更多的讀者和研究者了解球差校正透射電鏡。本文將通過(guò)簡(jiǎn)述球差校正透射電鏡的原理、優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用與發(fā)展，就大家通常關(guān)注的問(wèn)題進(jìn)行簡(jiǎn)單地探討。

02 ? ?什么是球差校正透射電鏡？ ? ?

2.1? 透射電鏡的發(fā)展

透射電子顯微鏡(簡(jiǎn)稱透射電鏡)以被高壓加速后的高能電子束為入射光源，利用電子束與物質(zhì)的相互作用，對(duì)物質(zhì)的微結(jié)構(gòu)進(jìn)行成像與分析的一種儀器。高能電子束經(jīng)過(guò)電磁透鏡的逐級(jí)偏轉(zhuǎn)與會(huì)聚，輻照到極薄的樣品材料上。電子束與材料相互作用后得到不同的信號(hào)，如透射電子、彈性散射和非彈性散射電子、特征X射線等，由不同的探測(cè)手段捕獲并進(jìn)行分析，從而反映材料的結(jié)構(gòu)特征和物理化學(xué)特征，如圖2所示。

圖2?電子與材料相互作用示意圖

高能電子束的粒子性，是理解電子與材料進(jìn)行相互作用的基礎(chǔ)；而電子束的波動(dòng)性，是理解透射電鏡成像的基礎(chǔ)。眾所周知，波粒二象性由德布羅意于1924年提出。1928—1929年，德國(guó)科學(xué)家E. Ruska搭建了第一臺(tái)裝有單一電磁透鏡的“電子放大鏡”，并于1931年與M. Knoll制造出了裝有兩個(gè)電磁透鏡的電子顯微儀器，被公認(rèn)為歷史上第一臺(tái)真正意義上的透射電子顯微鏡；1939年，西門(mén)子公司對(duì)透射電鏡實(shí)現(xiàn)商業(yè)化并推向應(yīng)用[5]。自此，透射電鏡逐步進(jìn)入實(shí)驗(yàn)室和科研院所，分辨率由納米尺度發(fā)展到現(xiàn)在的亞埃尺度，成為少數(shù)能夠直接觀察到“原子”的表征手段之一。1986年，Ruska因發(fā)明透射電鏡榮獲一半的諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)(另一半由掃描隧道顯微鏡的發(fā)明者Binnig和Rohrer共享)。

透射電鏡在我國(guó)的發(fā)展也已經(jīng)走過(guò)半個(gè)多世紀(jì)的歷程。1949年新中國(guó)成立后，新政府在接收南京交通部廣播電臺(tái)時(shí)意外發(fā)現(xiàn)一臺(tái)嶄新設(shè)備，但不知為何物。錢(qián)臨照先生派人查看，原來(lái)是一臺(tái)英國(guó)Metropolitan-Vickers公司制造的EM2/1M型透射電子顯微鏡。這是新中國(guó)擁有的第一臺(tái)透射電子顯微鏡，被分配到中國(guó)科學(xué)院物理研究所，以此開(kāi)始了我國(guó)的電子顯微鏡工作。1957年，Ruska訪問(wèn)中國(guó)，在交流報(bào)告中提到中國(guó)完全有能力自己制造電子顯微鏡。1958年起，時(shí)在中國(guó)科學(xué)院長(zhǎng)春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所工作的黃蘭友等組織一批青年骨干開(kāi)始研制透射電子顯微鏡，并于1959年制造出第一臺(tái)國(guó)產(chǎn)透射電子顯微鏡，獻(xiàn)禮國(guó)慶十周年慶典[5，6]。1980年由我國(guó)電鏡研究領(lǐng)域的領(lǐng)袖郭可信院士、柯俊院士、黃友蘭院士等31位科學(xué)家發(fā)起并籌備的中國(guó)電子顯微鏡學(xué)會(huì)在成都正式成立，距今已走過(guò)41載春秋。據(jù)不完全統(tǒng)計(jì)，我國(guó)目前已有透射電鏡近2000臺(tái)，其中球差校正透射電鏡約170臺(tái)(截至2021年上半年)，為材料學(xué)科的發(fā)展做出了重要貢獻(xiàn)。

2.2 ?什么是球差？

透射電鏡的結(jié)構(gòu)示意圖如圖3(a)所示，對(duì)應(yīng)的圖3(b)為透射電鏡的剖面圖。大家所熟悉的光學(xué)顯微鏡，可見(jiàn)光被物鏡和目鏡偏轉(zhuǎn)，通過(guò)會(huì)聚、發(fā)散實(shí)現(xiàn)不同的放大倍數(shù)與聚焦等功能。在電子顯微鏡中，這個(gè)功能通過(guò)各級(jí)電磁透鏡實(shí)現(xiàn)，包括聚光鏡系統(tǒng)(C1，C2，C3)、物鏡(上物鏡，下物鏡)、中間鏡及投影鏡等(圖3(a))?，F(xiàn)代電鏡中使用的電磁透鏡是由銅芯線圈繞在中空的軟鐵圓柱上得到的，如圖3(c)所示。入射電子束穿過(guò)圓柱中軸線上的小孔時(shí)，受到通電線圈產(chǎn)生的磁場(chǎng)作用后，產(chǎn)生偏轉(zhuǎn)，從而實(shí)現(xiàn)了透鏡的功能。然而，電磁透鏡的磁場(chǎng)分布特點(diǎn)具有不可避免的缺陷，因此導(dǎo)致其并非理想透鏡，其對(duì)成像產(chǎn)生的影響統(tǒng)稱為像差。

圖3 (a)透射電鏡結(jié)構(gòu)示意圖；(b)透射電鏡剖面照片(我國(guó)第一臺(tái)高分辨透射電鏡JEOL-200CX，拍攝于中國(guó)科學(xué)院金屬研究所)；(c)電磁透鏡示意圖；(d)像差(球差及色差)示意圖

像差有很多種，其中對(duì)電鏡成像及分辨率影響較大的是“球差”和“色差”，如圖3(d)所示。球差是球面像差(spherical aberration)的簡(jiǎn)稱：當(dāng)電子束經(jīng)過(guò)透鏡時(shí)，接近透鏡中軸的電子束受到磁場(chǎng)的影響較弱，其偏折角度較小；而遠(yuǎn)離透鏡中軸(即更靠近線圈)的電子束受到磁場(chǎng)的影響較強(qiáng)，偏折角度較大。因此，經(jīng)過(guò)電磁透鏡后原本應(yīng)會(huì)聚于一點(diǎn)的電子束，卻形成一個(gè)彌散的圓斑，從而影響成像分辨率。同理，色差是指具有能量分散的電子束在經(jīng)過(guò)透鏡后無(wú)法會(huì)聚于一點(diǎn)的現(xiàn)象。雖然電子槍對(duì)電子束施加一定的加速電壓E，但是由于加速電壓的波動(dòng)、電子槍發(fā)射電子的能量分散，以及樣品環(huán)境的干擾等因素，導(dǎo)致電子束能量有一定的分布區(qū)間E±ΔE，因此實(shí)際得到的電子束具有一定波長(zhǎng)展寬。由物面上的一點(diǎn)發(fā)出的電子波在經(jīng)過(guò)電磁透鏡時(shí)，波長(zhǎng)較長(zhǎng)的電子束偏折角度較大，波長(zhǎng)較短的電子束偏折角度較小，從而在像面上擴(kuò)展成圓盤(pán)，即產(chǎn)生色差。

2.3 ?球差如何影響透射電鏡的成像？

球差和色差是如何影響透射電鏡成像的呢？我們首先介紹透射電鏡常用的三種工作模式：衍射(diffraction)、透射成像(TEM)、掃描透射成像(STEM)，然后分別簡(jiǎn)述像差如何影響每種工作模式。

2.3.1? 衍射模式

在衍射模式中，電子束經(jīng)過(guò)周期性的晶體結(jié)構(gòu)后產(chǎn)生衍射，并在背焦面上形成衍射花樣。衍射花樣是物質(zhì)結(jié)構(gòu)分析的基礎(chǔ)，雖然物鏡球差會(huì)使電子衍射(尤其是采用較小的選區(qū)光闌時(shí))產(chǎn)生離域效應(yīng)[7]，但是一般認(rèn)為電子衍射受到物鏡球差的影響較為有限，因此常規(guī)的衍射分析無(wú)需考慮球差的影響。

2.3.2??透射成像模式

TEM是最常用的成像模式，可以簡(jiǎn)單理解為：平行入射的電子束經(jīng)過(guò)樣品材料的散射后，透射的電子抵達(dá)熒光屏或者CCD等探測(cè)器時(shí)所形成的電子顯微像。根據(jù)像襯度產(chǎn)生機(jī)理，可以分為三種類型：質(zhì)厚襯度、衍射襯度和相位襯度。

質(zhì)厚襯度與樣品材料的元素組成、密度、厚度等因素相關(guān)。例如，對(duì)于同樣厚度的樣品，重元素對(duì)電子的散射程度大于輕元素，從而對(duì)應(yīng)更少的透射電子并產(chǎn)生較暗的襯度；而同樣元素組成的樣品，較厚的區(qū)域能夠透射的電子更少，從而產(chǎn)生較暗的襯度。衍射襯度與晶體取向有關(guān)，可以簡(jiǎn)單理解為：當(dāng)電子束透過(guò)同樣組成與厚度的樣品區(qū)域時(shí)，在一部分符合布拉格衍射條件的晶粒處產(chǎn)生衍射，亦即部分電子束被偏轉(zhuǎn)，從而與不符合衍射條件的晶粒產(chǎn)生不同的襯度。質(zhì)厚襯度與衍射襯度通常發(fā)生在較低的放大倍數(shù)下，受到球差的影響可以忽略不計(jì)。

相位襯度則是受到球差影響較大的襯度像。相位襯度發(fā)生在較高的放大倍數(shù)下，也就是我們常說(shuō)的高分辨TEM(HRTEM)像，一般對(duì)應(yīng)于原子分辨率的成像范疇。相位襯度的成像原理可以簡(jiǎn)單理解為：當(dāng)電子束經(jīng)過(guò)周期性晶體結(jié)構(gòu)時(shí)，電子波受晶體勢(shì)場(chǎng)影響，如圖4(a)所示，不同的晶體結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)不同的原子種類及排列(如圖中的A列和B列為不同類型的原子，呈周期排列)，從而具有不同的晶體勢(shì)場(chǎng)；當(dāng)入射電子波進(jìn)入晶體后，電子波受到晶體勢(shì)場(chǎng)的影響，經(jīng)過(guò)A列及其周?chē)牟ㄅc經(jīng)過(guò)B列的波具有不同的傳播路徑；在材料足夠薄的情況下，僅僅相位被晶體勢(shì)場(chǎng)改變，從而使離開(kāi)材料時(shí)的出射波具有不同的相位，因此得到的襯度稱為相位襯度[7，8]。

理解相位襯度是理解高分辨原子像的基礎(chǔ)，要點(diǎn)如下：(1)產(chǎn)生相位襯度的條件是弱相位物體近似(weak phase object approximation)，即電子束穿透樣品僅改變相位，而振幅的變化忽略不計(jì)，因此要求必須是薄晶體，也只有薄樣品才能拍到原子像；(2)不同厚度的晶體得到的相位襯度像僅有襯度的區(qū)別，而無(wú)周期性的改變；(3)入射電子波受晶體勢(shì)場(chǎng)影響之后的出射波的相位，反映了真實(shí)的晶體結(jié)構(gòu)；(4)高分辨原子像并不是原子的照片，而是離開(kāi)材料之后的出射波經(jīng)過(guò)物鏡、中間鏡等各級(jí)透鏡之后形成的襯度，即相位襯度。

那么像差是如何影響相位襯度像(高分辨原子像)的呢？如上所述，相位襯度像是出射波經(jīng)過(guò)物鏡等電磁透鏡之后在探測(cè)器上形成的圖像，而電磁透鏡的像差對(duì)相位襯度像的影響，可以由襯度傳遞函數(shù)(CTF)描述如下[9]：

H?為物鏡的后焦面，相當(dāng)于垂直于入射電子束且通過(guò)原點(diǎn)的倒易點(diǎn)陣平面內(nèi)的二維坐標(biāo)矢量。該函數(shù)依次描述了物鏡光闌、離焦和球差的綜合效應(yīng)、光源的時(shí)間相干性(即色差)，以及光源的空間相干性(即入射束的發(fā)散度)這四個(gè)因素對(duì)CTF的貢獻(xiàn)，簡(jiǎn)述如下：

(1)A(H)等于1(物鏡光闌孔內(nèi))或0(物鏡光闌孔外)；

(2)

，描述離焦?f?與球差Cs?的綜合效應(yīng)；

(3)

，D?是色差離焦擴(kuò)展，與色差有關(guān)；

(4)假設(shè)光源呈高斯分布的條件下，

，θ?為入射束的半發(fā)散角。

從公式上可以理解，電子波長(zhǎng)λ(受加速電壓影響)、離焦量?f以及球差系數(shù)Cs等都會(huì)影響HRTEM的成像質(zhì)量。典型的CTF如圖4(b)所示，黃色的包絡(luò)線描述空間相干性與色差的影響，黑色的振蕩部分受球差和離焦量的影響。

圖4 (a)薄晶體相位襯度產(chǎn)生示意圖，出射波平面的相位受不同原子列影響而產(chǎn)生差異；(b)襯度傳遞函數(shù)示意圖；(c)，(d)使用多片模型理論模擬的球差未校正和球差校正條件下，不同厚度MoS2系列的離焦像

CTF的重要性在于其從理論上給出了不同條件下的點(diǎn)分辨能力和信息分辨率極限。對(duì)于一定的Cs和λ，總能找到一個(gè)欠焦條件，使得CTF曲線在一個(gè)較寬的范圍內(nèi)是一個(gè)平坦區(qū)，且區(qū)域內(nèi)CTF值接近-1，這個(gè)欠焦條件稱Scherzer聚焦。點(diǎn)分辨能力(即最佳點(diǎn)分辨率)由Scherzer欠焦條件下CTF曲線與橫坐標(biāo)的第一個(gè)交點(diǎn)(零點(diǎn))對(duì)應(yīng)的空間頻率(即第一次襯度翻轉(zhuǎn)對(duì)應(yīng)的倒矢量)決定。信息分辨率則可以理解為，能夠從出射波平面?zhèn)鬟f到像平面的空間頻率極限，由光源的空間相干性和時(shí)間相干性(即色差)決定(圖4(b))。Cs對(duì)點(diǎn)分辨能力的影響，可以簡(jiǎn)化成為ρs≈0.66?Cs1/4λ3/4?[7，8]，因此減小Cs可以有效地提高點(diǎn)分辨能力，并逼近信息分辨極限。在常規(guī)TEM中，物鏡球差系數(shù)約為1—2 mm(最低可至約0.5 mm)；而經(jīng)過(guò)校正的球差系數(shù)可在亞微米范圍內(nèi)調(diào)節(jié)，甚至可以接近于0。

最后我們通過(guò)成像模擬演示CTF與球差對(duì)成像的影響。圖4(c)，(d)為MoS2的HRTEM像模擬，通過(guò)多片模型理論分別模擬了在物鏡球差未校正(Cs=1.2 mm)和球差校正(?Cs?=0 μm)條件下，不同厚度(2.5—12.5 nm)的MoS2的系列離焦像(?f?=-4—4 nm)。從圖中我們可以看到：(1)不同厚度的樣品會(huì)產(chǎn)生不同的襯度，驗(yàn)證了相位襯度的產(chǎn)生機(jī)理；(2)球差未校正的HRTEM只顯示六次對(duì)稱性，但圖像分辨率較低，而球差校正后的HRTEM不但揭示了六次對(duì)稱性，同時(shí)具有更高的分辨率，能夠區(qū)分Mo和S；(3)離焦量對(duì)圖像分辨率和襯度亦有影響，正焦條件下的圖像分辨率低于負(fù)焦，而實(shí)際工作中，最佳欠焦量Scherzer的焦點(diǎn)總是在負(fù)焦。

2.3.3??掃描透射成像模式

STEM是一種利用聚光鏡將電子束會(huì)聚成探針后在樣品上進(jìn)行掃描，通過(guò)收集電子探針與樣品相互作用產(chǎn)生的信號(hào)進(jìn)行成像或分析的工作模式，其工作原理如圖5(a)所示。以最常用的STEM成像為例：當(dāng)電子與材料作用發(fā)生盧瑟福散射時(shí)，散射電子的散射角與材料成分相關(guān)，重元素因具有更強(qiáng)的散射能力使更多的電子被散射到高角度，而輕元素對(duì)電子的散射較弱，一般采用高角環(huán)形暗場(chǎng)(HAADF)探測(cè)器進(jìn)行收集成像，能夠獲得對(duì)原子序數(shù)敏感的HAADF-STEM像。同理，利用X射線能譜(EDX)、電子能量損失譜(EELS)等探測(cè)器收集被電子探針激發(fā)出的樣品區(qū)域的特征X射線、非彈性散射電子等，可以在獲取結(jié)構(gòu)信息的同時(shí)獲取物理化學(xué)信息。

圖5 (a)STEM的光路示意圖(左圖)，及應(yīng)用STEM模式進(jìn)行成像/分析的示意圖(右圖)；無(wú)球差校正(b)和球差校正后(c)的電子束探針對(duì)應(yīng)的郎奇圖[11]

不難理解，提高STEM分析能力、實(shí)現(xiàn)原子分辨率甚至亞原子分辨率的關(guān)鍵，在于如何獲得小于原子尺寸且不受像差影響的電子探針。由于電子探針是由聚光鏡(C1，C2，C3)的逐級(jí)偏轉(zhuǎn)形成的(圖5(a))，因此消除聚光鏡的球差起到了提高分辨率的關(guān)鍵作用。STEM中電子束的球差校正一般通過(guò)郎奇圖(Ronchigram)進(jìn)行判定：郎奇圖可以簡(jiǎn)單理解為會(huì)聚束聚焦在非晶材料上形成的衍射斑，因與電子束探針的波函數(shù)相關(guān)，因此用于判定像差[10]。典型的郎奇圖如圖5(b)，(c)所示[11]：常規(guī)電鏡形成的電子束僅在11 mrad的半會(huì)聚角范圍內(nèi)不受球差影響，而最小的聚光鏡光闌(黑色圓圈及箭頭所示)無(wú)法消除球差帶來(lái)的畸變；而經(jīng)過(guò)球差校正的聚光鏡獲得的探針具有51 mrad的半會(huì)聚角(紅色箭頭所示)，大于光闌尺寸，從而可以通過(guò)選取光闌或調(diào)整半會(huì)聚角在較大范圍內(nèi)獲得不受球差影響的亞埃尺寸的電子探針，實(shí)現(xiàn)原子甚至亞原子分辨率。

2.4 ?如何校正

至此我們已經(jīng)了解，球差主要對(duì)高分辨原子像產(chǎn)生影響：HRTEM受物鏡球差影響，HRSTEM受聚光鏡球差影響。因此，對(duì)球差的校正也是針對(duì)物鏡和聚光鏡分別展開(kāi)：物鏡球差的校正通過(guò)在物鏡下方安裝球差校正器實(shí)現(xiàn)，而對(duì)聚光鏡球差的校正通過(guò)在三級(jí)聚光鏡(C3)的下方安裝球差校正器實(shí)現(xiàn)(圖6(a)，(b)[12])?；诖司筒浑y理解，我們平常提到的“雙球差”是指在一臺(tái)電鏡上同時(shí)安裝了物鏡球差校正器和聚光鏡球差校正器，而“單球差”則需要明確是物鏡球差還是聚光鏡球差校正電鏡，并根據(jù)實(shí)驗(yàn)需求(HRTEM或HRSTEM)選擇對(duì)應(yīng)的儀器。

我們?nèi)匀灰晕镧R球差校正器為例，簡(jiǎn)述球差校正器的工作原理。在上一小節(jié)中，我們提到相位襯度像受像差等因素影響，因此有像差函數(shù)如下[13]：

其中ω及互為共軛，與CTF函數(shù)中的H矢量含義一致，但為方便函數(shù)表達(dá)分解為互為共軛的參數(shù)[13]，A1，B2，C1，S3等代表各種像差，如A1…7代表n?(n=1，…，7)級(jí)像散，B2…6為n?(n=2，…，6)級(jí)慧差，C1為離焦量等，C3為球差系數(shù)。調(diào)整這些系數(shù)，便可調(diào)節(jié)像差對(duì)成像的影響。圖6(c)為球差校正軟件工作狀態(tài)下的截屏，顯示的正是這些像差的數(shù)值，而當(dāng)科研工作者調(diào)整校正器時(shí)，實(shí)際調(diào)節(jié)的即為像差系數(shù)。因此，球差校正器雖以球差命名，但實(shí)際通過(guò)調(diào)整各種像差，優(yōu)化CTF，提升圖像分辨率。類似地，聚光鏡球差校正器同樣通過(guò)優(yōu)化各項(xiàng)系數(shù)，獲得接近理想狀態(tài)的電子探針，具體過(guò)程不再贅述。

圖6 CEOS公司設(shè)計(jì)制造的球差校正透射電鏡構(gòu)造示意圖，? (a)當(dāng)球差校正器置于物鏡和選區(qū)衍射平面之間，可實(shí)現(xiàn)球差校正TEM；(b)當(dāng)球差校正器置于三級(jí)聚光鏡與樣品平面之間，可實(shí)現(xiàn)球差校正STEM。注意，圖中物鏡和選區(qū)衍射平面之間/三級(jí)會(huì)聚鏡和樣品平面之間為球差校正器，包含一系列透鏡和線圈，皆由英文簡(jiǎn)寫(xiě)標(biāo)識(shí)。其中兩個(gè)藍(lán)色長(zhǎng)方形標(biāo)識(shí)HP是六極電磁透鏡，四個(gè)灰色橢圓形標(biāo)識(shí)是圓形傳導(dǎo)透鏡[12]；(c)球差校正軟件工作界面；(d)六極子校正裝置示意圖[14]

雖然球差對(duì)成像影響的電子顯微理論在20世紀(jì)中期就已成熟，但是受限于技術(shù)難度，直至20世紀(jì)80年代才由H. Rose和M. Haider兩位德國(guó)科學(xué)家開(kāi)始了球差校正器的研發(fā)。他們?cè)O(shè)計(jì)了多極子校正裝置，通過(guò)多組可調(diào)節(jié)磁場(chǎng)的磁透鏡組對(duì)電子束的洛倫茲力作用逐步調(diào)節(jié)，實(shí)現(xiàn)對(duì)球差的校正；并按照設(shè)計(jì)思路初步制造了由六極、八極磁鐵和圓形透鏡共同組成的電子光學(xué)器件，在實(shí)驗(yàn)室初步取得了成效。1989年，兩位科學(xué)家與Jülich研究中心電子顯微實(shí)驗(yàn)室的主任K. Urban共同討論出兩個(gè)六極電磁透鏡和四個(gè)圓形傳導(dǎo)透鏡的組合設(shè)計(jì)方案(圖6(a)，(b))，其中六極子校正裝置如圖6(d)所示[14]。三位科學(xué)家討論的方案最終成功實(shí)施，并得到了令人欣喜的結(jié)果：1998年4月，Nature期刊正式發(fā)表由200 kV球差校正透射電鏡拍攝到的GaAs原子結(jié)構(gòu)像，使點(diǎn)分辨率突破了1.4?；Haider等人也創(chuàng)辦了CEOS公司，并致力于推動(dòng)像差校正器的商業(yè)化[5]。Rose，Haider和Urban三人作為球差校正透射電鏡的重要貢獻(xiàn)者，獲得了2011年的沃爾夫獎(jiǎng)。

圖7 球差校正前后單晶硅晶界的HRTEM像((a)，(b))及對(duì)應(yīng)的CTF((c)，(d))[11]

自此以后，球差校正透射電鏡逐步成熟，分辨率也逐步提升，以300 kV加速電壓為例，球差校正透射電鏡具有至少0.7?的點(diǎn)分辨能力。如圖7所示，在單晶硅樣品中對(duì)比球差校正前后的HRTEM((a)，(b))和CTF((c)，(d))，可以看到球差校正后能清晰地分辨Si(110)啞鈴狀結(jié)構(gòu)，且具有清晰的晶界，點(diǎn)分辨率逼近信息分辨極限。值得一提的是，有一種對(duì)球差校正透射電鏡的誤解是“只有球差校正透射電鏡能分辨原子”，這種說(shuō)法并不準(zhǔn)確，因?yàn)樵缭?0世紀(jì)70年代，透射電鏡的發(fā)展就已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了原子分辨率，即使非球差校正的場(chǎng)發(fā)射透射電鏡也能夠?qū)崿F(xiàn)約2?的點(diǎn)分辨率。球差校正透射電鏡的意義在于將點(diǎn)分辨率提高至亞埃級(jí)的同時(shí)，還能抑制離域效應(yīng)，對(duì)材料的表面和界面結(jié)構(gòu)研究尤其有利。我們將在下一個(gè)問(wèn)題里，討論球差校正透射電鏡對(duì)材料研究的幫助。

03 ???球差校正透射電鏡有什么突出作用？ ? ?

3.1 ?球差校正透射電鏡如何幫助我們研究材料？

球差校正透射電鏡的應(yīng)用對(duì)材料學(xué)科的發(fā)展起到了巨大的推動(dòng)作用。下面分別對(duì)TEM和STEM兩種模式進(jìn)行簡(jiǎn)單概括。

對(duì)TEM模式而言，物鏡球差校正的優(yōu)勢(shì)主要體現(xiàn)在三個(gè)方面：

(1)分辨率的提升。根據(jù)上面的介紹，物鏡球差校正能使Cs系數(shù)在微米至亞微米范圍內(nèi)調(diào)節(jié)，甚至可以接近于0，提升了HRTEM的空間分辨率。在此不做贅述。

(2)離域效應(yīng)(delocalization)的抑制。離域效應(yīng)可以簡(jiǎn)單理解為：本應(yīng)屬于一個(gè)像點(diǎn)的信息出現(xiàn)在附近像點(diǎn)對(duì)應(yīng)的位置上，通常會(huì)在HRTEM像中在材料界面附近或樣品邊緣出現(xiàn)了不該出現(xiàn)的襯度。離域效應(yīng)的產(chǎn)生與球差有密切關(guān)系，對(duì)于HRTEM而言，離焦量越接近Scherzer焦點(diǎn)，圖像分辨率越高，但離域效應(yīng)越顯著，唯有提高電壓或減小Cs能夠抑制離域效應(yīng)。因此，球差校正透射電鏡極大地推動(dòng)了材料表面和界面的研究。

(3)低壓條件下的成像。讓我們?cè)倩氐近c(diǎn)分辨能力公式ρs≈0.66?Cs1/4λ3/4，可見(jiàn)分辨率與Cs?和電子波長(zhǎng)λ?成正比。在高加速電壓下，電子波長(zhǎng)較小，能一定程度彌補(bǔ)Cs?對(duì)成像分辨率的影響，這也是20世紀(jì)六七十年代發(fā)展超高壓電鏡(高達(dá)兆伏)的原因之一。而電子波的粒子性又指出，高電壓意味著高能量的電子束，會(huì)對(duì)輻照敏感的材料帶來(lái)?yè)p傷。例如二維材料石墨烯、二硫化鉬等，其撞擊損傷電壓閾值僅為60—80 kV甚至更低。但是，低電壓加速的電子波長(zhǎng)更長(zhǎng)，在無(wú)球差校正的情況下，不但分辨率低，而且離域效應(yīng)會(huì)更加突出。因此，球差校正的HRTEM對(duì)低電壓成像有較顯著的改善。以圖8(a)—(c)的碳納米管為例，200 kV無(wú)球差校正的碳納米管表面有可見(jiàn)的損傷；120 kV無(wú)球差校正時(shí)損傷幾乎可忽略，但離域效應(yīng)明顯(箭頭所示處為材料表面的離域效應(yīng))；而80 kV及球差校正條件下，不但沒(méi)有損傷，實(shí)現(xiàn)了原子分辨率，而且沒(méi)有離域效應(yīng)，表面結(jié)構(gòu)清晰[15]。

圖8 (a)—(c)碳納米管在200 kV無(wú)球差校正、120 kV無(wú)球差校正及80kV球差校正條件下的HRTEM像[15]；(d)Pt-Co單原子催化劑的球差校正HAADF-STEM像[16]；(e)鐵電氧化物異質(zhì)結(jié)的球差校正HAADF-STEM像[17]；(f)鋰電材料的球差校正ABF-STEM像[18]

簡(jiǎn)單總結(jié)來(lái)說(shuō)，物鏡球差校正的HRTEM對(duì)于損傷機(jī)制以撞擊損傷為主的電子束敏感材料，例如石墨烯、碳納米管、二硫化鉬等二維材料，能夠在低電壓下獲得原子級(jí)的分辨率；對(duì)于材料的表面/界面分析，能夠通過(guò)抑制離域效應(yīng)獲得清晰的表界面結(jié)構(gòu)。需要額外指出的是，由于HRTEM是相位襯度像，因此需要結(jié)合像模擬理解原子結(jié)構(gòu)，切忌直觀地理解為襯度的強(qiáng)弱直接對(duì)應(yīng)于不同種類的原子或者真空(與質(zhì)厚襯度不同)。

對(duì)STEM模式而言，聚光鏡球差校正通過(guò)獲得亞原子尺度的電子探針實(shí)現(xiàn)亞埃級(jí)的分辨率。STEM的應(yīng)用比TEM更廣泛，且理解更直觀。以最常用的HAADF-STEM為例，被高角環(huán)形探測(cè)器捕獲的電子大部分是被重元素散射的電子，且襯度與對(duì)應(yīng)元素的原子序數(shù)相關(guān)，在獲得原子結(jié)構(gòu)像的同時(shí)能夠獲取成分的相對(duì)信息，因此在單原子催化劑(圖8(d))、復(fù)雜氧化物的界面表征(圖8(e))等方面有廣泛的應(yīng)用[16，17]。而應(yīng)用環(huán)形明場(chǎng)(ABF)探測(cè)器的ABF-STEM，對(duì)輕元素也能進(jìn)行成像，被Ikuhara等人首先應(yīng)用于鋰電材料的研究中，實(shí)現(xiàn)Li的原子級(jí)成像(圖8(f))[18，19]。需要注意的是，在中角度/低角度環(huán)形暗場(chǎng)(MAADF-/LAADF-)和ABF-STEM成像條件下，參與成像的電子則不僅僅是盧瑟福散射的電子，襯度中也包含相位襯度、衍射襯度，因此也需要借助像模擬來(lái)理解相襯度與結(jié)構(gòu)的關(guān)系。

除了成像之外，聚光鏡球差校正的STEM也極大地豐富了高空間分辨率下的化學(xué)信息表征。當(dāng)球差校正后的電子探針結(jié)合EDX、EELS等譜學(xué)分析，能夠在高空間分辨率成像的同時(shí)獲取元素信息、價(jià)鍵信息等。這部分的內(nèi)容，我們將在4.1節(jié)中進(jìn)一步補(bǔ)充。

3.2? 如何利用好球差校正透射電鏡

雖然球差校正透射電鏡有很大的優(yōu)勢(shì)，但也會(huì)有部分使用球差校正透射電鏡的研究者提出一些疑惑：為什么我費(fèi)心預(yù)約的球差校正透射電鏡機(jī)時(shí)沒(méi)有得到文獻(xiàn)中那樣的結(jié)果？是我的樣品不適合球差校正透射電鏡，還是操作的問(wèn)題？進(jìn)一步來(lái)說(shuō)，什么時(shí)候需要球差校正透射電鏡，什么時(shí)候用常規(guī)透射電鏡即可呢？下面我們從如何獲得高質(zhì)量結(jié)構(gòu)像的角度給出幾個(gè)簡(jiǎn)單的判據(jù)。

(1)樣品厚度。上文已經(jīng)介紹了HRTEM形成相位襯度像的原理，即球差校正是針對(duì)相位襯度像提出的校正，而獲取相位襯度像的前提條件是，樣品符合弱相位體近似條件，一般認(rèn)為中/輕元素組成的樣品材料厚度至少在5 nm以下才有可能符合弱相位體近似條件，一般情況下幾十納米厚度的樣品滿足贗弱相位物體近似或柱體近似[9]。對(duì)于納米材料而言，二維納米材料、納米顆粒、納米線等一般厚度較??；而對(duì)于塊材而言，則需要通過(guò)樣品減薄制備得到薄區(qū)，才有可能獲取高質(zhì)量的成像。因此，樣品制備是限制材料在球差校正透射電鏡上獲得理想分辨率的瓶頸之一。對(duì)于STEM而言，厚度條件會(huì)相對(duì)寬松一些。但總的來(lái)說(shuō)，樣品厚度是影響成像質(zhì)量的重要因素。很多時(shí)候，當(dāng)研究者用較厚的樣品進(jìn)行分析時(shí)，是很難利用到球差校正透射電鏡的優(yōu)勢(shì)的。

(2)結(jié)晶性。透射電子顯微學(xué)以晶體材料為研究對(duì)象，通常是沿著晶體結(jié)構(gòu)的特定晶向投影成像。但隨著材料學(xué)的發(fā)展，越來(lái)越多的納米晶甚至非晶材料由于具有優(yōu)異的性能而需要進(jìn)行結(jié)構(gòu)表征與研究。但由于其結(jié)晶性較差，通常難以獲得理想的成像效果。一個(gè)比較實(shí)際的建議是選擇TEM模式，相對(duì)較容易獲得晶格像，同時(shí)提高納米材料的分散度并使用超薄支撐膜。但從另一個(gè)角度講，球差校正透射電鏡也為非晶的研究提供了一個(gè)新的契機(jī)[20]，但前提是具有極薄的樣品厚度。

(3)用好電子衍射。對(duì)于某些材料，如樣品較厚、電子束極度敏感的材料，也可以通過(guò)電子衍射獲得豐富的信息，與成像互相輔助。電子衍射幾乎不會(huì)受到球差的影響，而且可以在極低的電子束劑量下工作，對(duì)于部分實(shí)驗(yàn)來(lái)說(shuō)是一個(gè)很好的方案。

當(dāng)我們理解了球差校正透射電鏡的工作原理、適用條件以后，可以為自己的材料表征實(shí)驗(yàn)進(jìn)行初步的判斷與規(guī)劃，真正利用好球差校正透射電鏡這個(gè)工具，并結(jié)合像模擬等手段正確理解球差校正透射電鏡獲得的圖像襯度，真正理解所研究材料的結(jié)構(gòu)。

04 ? ?球差校正透射電鏡除了拍原子還能做什么？ ? ?

提到球差校正透射電鏡，部分研究者或研究生會(huì)比較直觀地將其等同于拍原子像的工具。實(shí)際上，球差校正透射電鏡在近年來(lái)不斷發(fā)展，正在成為一個(gè)全面的研究工具。因篇幅有限，選取一部分功能簡(jiǎn)述如下。

4.1?結(jié)合譜學(xué)探測(cè)

在電子與材料相互作用的過(guò)程中，除了用于成像的透射電子、衍射電子、散射電子等，還有其他信號(hào)產(chǎn)生，例如特征X射線、非彈性散射能量損失電子、二次電子等(圖2)。因此在電鏡中，通過(guò)安裝X射線探測(cè)器、電子能量損失譜儀、二次電子探頭等，對(duì)這些信號(hào)進(jìn)行分析，在獲取形貌和微結(jié)構(gòu)信息的同時(shí)，得到元素、價(jià)態(tài)和配位等信息。結(jié)合球差校正STEM，通過(guò)亞原子尺度的電子探針，能夠在獲取原子分辨率圖像的同時(shí)，獲取原子分辨率的元素分布和價(jià)鍵信息等。以圖9(a)為例，在高溫合金材料中，同時(shí)獲取原子結(jié)構(gòu)像以及Cr，Pd，F(xiàn)e，Co，Ni元素的原子尺度分布[21]。再結(jié)合球差校正STEM與電子能量損失譜，能夠在原子尺度獲取石墨烯中不同配位的碳原子的價(jià)態(tài)和價(jià)鍵(圖9(b))[22]。因此，球差校正透射電鏡的應(yīng)用極大地拓展了我們?cè)谠映叨壬踔潦莵喸映叨葘?duì)材料物理化學(xué)的理解。

圖9?(a)高溫合金材料中的原子結(jié)構(gòu)像及原子尺度的元素分布[21]；(b)石墨烯不同配位的碳原子的STEM-EELS分析[22]。其中，(i)是石墨烯的原子分辨率環(huán)形暗場(chǎng)STEM圖像，綠色、藍(lán)色和紅色箭頭分別表示sp2雜化的C原子、雙原子配位的C原子和單原子配位的C原子；(ii)是(i)圖的示意圖，圓圈標(biāo)注為碳原子所在位置；(iii)是三種不同配位結(jié)構(gòu)C原子的結(jié)構(gòu)圖；(iv)是上述三種不同構(gòu)型C原子處獲得的碳-K(1s)能量損失近邊結(jié)構(gòu)譜，可以清晰地分辨不同配位環(huán)境對(duì)應(yīng)的電子結(jié)構(gòu)的異同

4.2? 結(jié)合原位實(shí)驗(yàn)

常規(guī)的透射電鏡實(shí)驗(yàn)都是在高真空的條件下獲得材料的靜態(tài)結(jié)構(gòu)信息，而實(shí)際應(yīng)用中不同的材料有其特定的服役條件或環(huán)境。如結(jié)構(gòu)材料在應(yīng)力加載的條件下進(jìn)行服役，而服役過(guò)程中的結(jié)構(gòu)變化與其強(qiáng)度、塑性等力學(xué)性質(zhì)密切相關(guān)；鐵電材料等功能材料，會(huì)在外場(chǎng)條件如溫度變化、電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)下發(fā)生相變；催化材料在液相或氣氛反應(yīng)環(huán)境中發(fā)生演變。而關(guān)注材料微結(jié)構(gòu)如何在外場(chǎng)作用或環(huán)境氛圍中發(fā)生變化，稱為原位實(shí)驗(yàn)，是目前重要的研究方法(圖10(a))[23]。結(jié)合球差校正透射電鏡，發(fā)展原位或使役條件的樣品臺(tái)，能夠在真實(shí)的反應(yīng)條件中直接觀察材料微結(jié)構(gòu)的變化。例如結(jié)合氣氛環(huán)境，能夠在原子尺度直接觀察TiO2表面吸附水分子及其演變(圖10(b))[24]。更多結(jié)合加熱、電場(chǎng)、氣氛、液體環(huán)境的原位電鏡方法正在開(kāi)展。需要指出的是，在氣氛或者液體環(huán)境中，由于一定濃度的氣體分子或液體會(huì)增強(qiáng)散射(等同于樣品厚度大大增加)，從而阻礙了原子尺度信息的獲取，因此也并不是所有的原位實(shí)驗(yàn)都能結(jié)合球差校正透射電鏡實(shí)現(xiàn)原子分辨率，需要結(jié)合實(shí)際情況進(jìn)行分析。

圖10 (a)原位TEM示意圖[23]；(b)TiO2表面原子結(jié)構(gòu)在原位氣氛中的動(dòng)態(tài)變化[24]。利用具有(1×4)重構(gòu)的納米晶銳鈦礦二氧化鈦(001)表面作為催化劑，在原位氣氛(通入CO和H2O)中動(dòng)態(tài)觀察到，隨著表面上的水吸附導(dǎo)致孿晶突起的形成(0 s，4 s，7.8 s)

4.3? 結(jié)合三維重構(gòu)

透射電鏡中的成像，無(wú)論是TEM還是STEM，都是三維物體在二維平面內(nèi)的投影，因此材料的三維結(jié)構(gòu)信息是部分缺失的。如何利用二維投影重構(gòu)材料的三維信息，也是當(dāng)前研究的一個(gè)前沿課題。球差校正透射電鏡通過(guò)獲取原子尺度的投影，為原子尺度的三維重構(gòu)提供了前提條件。例如通過(guò)多角度投影并結(jié)合傅里葉變換，獲取原子的三維分布[25]，甚至可以結(jié)合氣氛環(huán)境的原位實(shí)驗(yàn)獲取原子三維結(jié)構(gòu)的動(dòng)態(tài)變化[26]。另外還有電子疊層衍射(ptychography)、縱深剖析(depth profiling)等方法。雖然每種方法都有各自的限制條件與應(yīng)用范圍，但是球差校正透射電鏡為我們打開(kāi)了通向三維原子世界的大門(mén)。

05 ? ?展 望 ? ?

球差校正透射電鏡進(jìn)入應(yīng)用以來(lái)已有十余年的歷程。目前隨著球差校正透射電鏡的推廣與普及，以及面臨材料學(xué)研究涌現(xiàn)出的新問(wèn)題，相關(guān)技術(shù)也正在各研究領(lǐng)域蓬勃發(fā)展。

從像差校正的角度來(lái)說(shuō)，球差校正以后面臨的是色差的校正。事實(shí)上，已有少數(shù)科研單位開(kāi)始著手進(jìn)行色差校正器的應(yīng)用與研究，如德國(guó)于利希(Jülich)的Ruska研究中心等。然而，色差校正對(duì)分辨率的提升不如球差校正顯著，且造價(jià)高昂，因此除部分特殊研究工作的需要，色差校正器還沒(méi)有擴(kuò)大推廣。色差校正器的應(yīng)用更多的是結(jié)合EELS等譜學(xué)表征方法，為化學(xué)結(jié)構(gòu)、磁結(jié)構(gòu)等在原子尺度的表征提供可能性。

豐富的原位表征手段，包括硬件的發(fā)展與方法學(xué)的發(fā)展，是繼球差校正以后最主流的發(fā)展方向。尤其是面對(duì)多樣化的材料特點(diǎn)及其使役條件下的結(jié)構(gòu)變化，在原子尺度直觀觀察并深入理解微結(jié)構(gòu)在使役條件(如結(jié)合多種外場(chǎng)、不同的環(huán)境氛圍)下的動(dòng)態(tài)變化，與其他譜學(xué)方法相輔相成，具有巨大的潛力與發(fā)展空間。同時(shí)，深入理解電子束與環(huán)境氛圍的相互作用，正確理解環(huán)境氛圍中不同襯度的產(chǎn)生機(jī)理，才能正確理解構(gòu)效關(guān)系，因此相關(guān)理論亦迫切需要發(fā)展。

面對(duì)原位表征提出的要求，雖然球差校正器已經(jīng)從硬件上解決了空間分辨率的問(wèn)題，但是動(dòng)態(tài)的結(jié)構(gòu)表征對(duì)時(shí)間分辨率提出了更高的要求。因此，探測(cè)器是目前的一大發(fā)展方向。如近年來(lái)直接電子探測(cè)器的發(fā)展，能夠使數(shù)據(jù)采集能力達(dá)到毫秒甚至亞毫秒每幀。但同時(shí)產(chǎn)生大量的數(shù)據(jù)，因此需要發(fā)展相應(yīng)的大數(shù)據(jù)分析方法[27]。

電子束輻照敏感材料的表征，也是當(dāng)前發(fā)展的一個(gè)重要方向。以能源材料為例，如金屬有機(jī)框架(MOF)材料、有機(jī)無(wú)機(jī)雜化鹵素鈣鈦礦材料、純無(wú)機(jī)鹵素鈣鈦礦材料等，在電子束輻照的條件下結(jié)構(gòu)迅速降解，且降解機(jī)制復(fù)雜。除了在入射電子的能量(電壓)以及輻照劑量上進(jìn)行優(yōu)化，還可以采用冷凍樣品方法[28]、提升探測(cè)器的能力、發(fā)展電子顯微學(xué)方法學(xué)等實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量成像及分析。如通過(guò)應(yīng)用直接電子探測(cè)器或者集成差分相位對(duì)比(iDPC)探測(cè)器的方法，能夠獲得MOF材料的原子結(jié)構(gòu)[29，30]。而應(yīng)用疊層衍射等電子顯微方法學(xué)，也能通過(guò)低劑量電子輻照解析材料的原子結(jié)構(gòu)[31]。

另外，高通量透射電鏡、超快電鏡、冷凍電鏡也都在蓬勃發(fā)展，因篇幅有限，不再展開(kāi)敘述。

球差校正透射電鏡投入應(yīng)用與發(fā)展不過(guò)十余年，然而因突破了球差對(duì)分辨率的限制，將空間分辨率拓展到亞埃尺度，在短短十余間已經(jīng)產(chǎn)出了豐富的成果，并激發(fā)了多方法、多學(xué)科的交叉應(yīng)用與蓬勃發(fā)展，為材料科學(xué)領(lǐng)域(以及生命科學(xué)領(lǐng)域)的飛速發(fā)展提供了不可忽視的助力。

致 謝：

在本文寫(xiě)作過(guò)程中，感謝各位同行的幫助與指導(dǎo)。特別致謝中國(guó)科學(xué)院物理研究所王玉梅副研究員、浙江大學(xué)田鶴教授、華中科技大學(xué)唐江教授、上?？萍即髮W(xué)李軍研究員、松山湖材料實(shí)驗(yàn)室吳波博士、賽默飛資深電鏡專家及商務(wù)發(fā)展高級(jí)經(jīng)理王斌杰博士給予的幫助。

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編輯：黃飛

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