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評估套件具有 Qorvo 的高性能無刷直流/永磁同步電機控制器/驅動器和 CGD 易于使用的 ICeGaN GaN 功率 IC 的性能
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英國劍橋 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環(huán)?？萍?a target="_blank">半導體公司，開發(fā)了一系列高能效氮化鎵（GaN） 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 正在與全球領先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo?（納斯達克股票代碼：QRVO）合作開發(fā) GaN 在電機控制應用中的參考設計和評估套件（EVK）。CGD 旨在加快 GaN 功率 IC 在無刷直流電機（BLDC）和永磁同步電機（PMSM）應用中的使用，打造更高功率、高效、緊湊和可靠的系統(tǒng)。Qorvo在為其PAC5556A高性能 BLDC/PMSM 電機控制器和驅動器設計的 EVK 中采用了 CGD的ICeGaN? （IC 增強型 GaN）技術。
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Giorgia longobardi | CGD 首席執(zhí)行官
“與其他同行提供的 GaN 性能不同，我們提供的 ICeGaN HEMT 提供了接口電路，沒有集成控制器；因此通過與高度集成的電機控制器和驅動 IC 進行簡單的結合，ICeGaN 就可以由例如 Qorvo 的 PAC5556A 600 V高性能 BLDC/PMSM 電機控制器和驅動器的驅動器輕松驅動。我們很高興與 Qorvo 合作，使其電機控制器和驅動器應用盡享 GaN 帶來的益處?！?/div>
JEff Strang | Qorvo功率管理事業(yè)部總經(jīng)理
“GaN 和碳化硅（SiC）等寬禁帶半導體因憑借其更高的功率密度和效率優(yōu)勢而被積極用于各種電機控制應用中。CGD的 ICeGaN 產(chǎn)品提供了易用性和可靠性，這些是電機控制和驅動設計師關心的兩個關鍵因素。我們很高興看到設計工程師將 CGD 的 ICeGaN 與我們高度集成的 PAC5556A 600V 無刷直流電機控制解決方案相結合時的反應?！?/p>
GaN 帶來的多種益處包括：更低的損耗，從而帶來更高的效率，進而增加了功率可用性和產(chǎn)生更少的熱量。這減少了對復雜、龐大和昂貴的熱管理解決方案的需求，從而產(chǎn)生更小、更強大、壽命更長的系統(tǒng)。GaN 還可以在低速時提供更高的扭矩，因此可以實現(xiàn)更精確的控制。此外，GaN 可實現(xiàn)高速開關，這可以減少可聽噪聲，這對于吊扇、熱泵和冰箱等家電尤其重要。
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除了易用性之外，與其他 GaN 器件相比，ICeGaN 還提供了以下幾個顯著的優(yōu)點。ICeGaN 的柵極驅動電壓與 IGBT 兼容。由于 ICeGaN 在 GaN IC 內(nèi)集成了米勒箝位，所以不需要負關斷電壓，并且可以使用低成本的電流驅動器。最后，ICeGaN 內(nèi)嵌電流感測功能，簡化了電路設計并減少了物料清單（BOM）。
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參考設計現(xiàn)已上市，EVK RD5556GaN 將在今年第3季度上市。該產(chǎn)品將于2024年6月11日至13日在德國紐倫堡舉行的 PCIM 展覽上首次公開展示。CGD的展位號為7-643。Qorvo展位號為7-406。
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2023-02-19 10:31:57947
947GaN:RX65T300的原理、特點及優(yōu)勢
、光伏發(fā)電、光伏逆變器等領域。 GaN功率器件有哪些優(yōu)勢？功率密度高，開關速度快，損耗低，功耗??；高頻高速，可以有效降低系統(tǒng)成本；可在更高頻率下工作；更高的散熱能力和可靠性。 GaN的優(yōu)勢 GaN功率器件是在傳統(tǒng)的硅基功率器件上疊加了
2023-04-21 14:05:421816
1816什么是GaN氮化鎵？Si、GaN、SiC應用對比
由于 GaN 具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢，GaN 充電器的運行速度，比傳統(tǒng)硅器件要快 100 倍。GaN 在電力電子領域主要優(yōu)勢在于高效率、低損耗與高頻率，GaN 材料的這一特性令其在充電器行業(yè)大放異彩。
2023-04-25 15:08:216118
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電機控制--FOC的優(yōu)勢
FOC（Field-Oriented Control），即磁場定向控制，也稱矢量變頻，是以數(shù)學、物理理論為基礎，對電機磁場矢量進行精確控制
的電機高級控制算法。FOC電機控制中涉及數(shù)學、物理
2023-05-05 11:14:0616
16CGD 與高品質服務領航者 DigiKey 達成全球分銷協(xié)議
為建立 GaN 生態(tài)系統(tǒng)造福全球工程師邁出重要一步 英國劍橋 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環(huán)?？萍及雽w公司，開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件
2023-06-30 17:22:171048
1048CGD 將首次亮相中國 PCIM Asia（上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會），推出易用可靠的 ICeGaN GaN HEMT 系列
誠邀您于 8 月 29 至 31 日蒞臨上海新國際博覽中心參觀 2G18 展位 英國劍橋 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環(huán)?？萍及雽w公司，開發(fā) 并大批量
2023-08-09 16:03:25694
694CGD 的 ICeGaN HEMT 榮獲臺積電歐洲創(chuàng)新區(qū)“最佳演示”
ICeGaN? GaN HEMT 片上系統(tǒng) (SoC) 在臺積電 2023 年歐洲技術研討會創(chuàng)新區(qū)榮獲“最佳演示”獎。 ? ? CGD 的 ICeGaN 已使用臺積電的 GaN 工藝技術為全球客戶進行大批量
2023-10-10 17:12:15964
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CGD與群光電能科技和劍橋大學技術服務部共同組建GaN生態(tài)系統(tǒng)
擁有系統(tǒng)和應用、研究和設備方面的專業(yè)知識，可生產(chǎn)創(chuàng)新、高性能的基于 GaN 的筆記本電腦和數(shù)據(jù)中心電源產(chǎn)品 ? 英國劍橋 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠
2023-11-06 17:32:311338
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CGD徐維利：生成式AI需求驟升，第三代半導體成關鍵
的分析與展望。 ? Cambridge GaN Devices（CGD）?是一家無晶圓廠環(huán)?？萍及雽w公司，開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。 ? CGD由劍橋大學
2023-12-26 14:15:2139995
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適配MOSFET柵極驅動器以驅動GaN FETs
GaN FETs以其體積小、切換速度快、效率高及成本低等優(yōu)勢，為電力電子產(chǎn)業(yè)帶來了革命性的變化。然而，GaN技術的快速發(fā)展有時超出了專門為GaN設計的柵極驅動器和控制器的發(fā)展。因此，電路設計師經(jīng)常轉向為硅MOSFETs設計的通用柵極驅動器，這就需要仔細考慮多個因素以實現(xiàn)最佳性能。
2024-02-29 17:54:081905
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CGD與中國臺灣工業(yè)技術研究院簽署GaN電源開發(fā)諒解備忘錄
為電動汽車、電動工具、筆記本電腦和手機應用開發(fā)功率密度超過 30 W/in3 的 140-240 W USB-PD 適配器 英國劍橋 - Cambridge GaN Devices (CGD
2024-05-30 09:12:01901
901CGD與中國臺灣綠能與環(huán)境研究所簽署GaN電源開發(fā)諒解備忘錄
為電動汽車、電動工具、筆記本電腦和手機應用開發(fā)功率密度超過30 W/ in3? 的140-240 W USB-PD適配器 （2024年5月30日，英國劍橋訊）Cambridge GaN
2024-05-30 13:43:21651
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CGD推出兩款新型 ICeGaN 產(chǎn)品系列 GaN 功率 IC封裝
GaN Devices (CGD) 開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 今日推出兩款新型 ICeGaN 產(chǎn)品系列 GaN 功率 IC 封裝，它們具有低熱阻并便于
2024-06-04 15:30:381341
1341CGD推出新款低熱阻GaN功率IC封裝
在追求環(huán)保與高效能的科技浪潮中，無晶圓廠環(huán)?？萍及雽w公司Cambridge GaN Devices（CGD）成功研發(fā)了一系列高性能的GaN功率器件。這些器件不僅能效高，還致力于推動電子器件的環(huán)保發(fā)展。
2024-06-05 11:25:341442
1442CGD開發(fā)GaN,致力于打造更環(huán)保電子器件
，構建出更高功率、高效、緊湊且穩(wěn)定的系統(tǒng)。值得一提的是，Qorvo在其PAC5556A高性能 BLDC/PMSM 電機控制器和驅動器的 EVK 設計中，采用了 CGD的ICeGaN?（IC 增強型 GaN）技術。
2024-06-07 14:40:041222
1222CGD推出高效環(huán)保GaN功率器件
近日，無晶圓廠環(huán)?？萍及雽w公司Cambridge GaN Devices（CGD）發(fā)布了一系列革命性的高能效氮化鎵（GaN）功率器件，旨在推動電子器件向更環(huán)保的方向發(fā)展。
2024-06-12 10:24:241287
1287GaN智能功率模塊(IPM)實現(xiàn)高效電機驅動
氮化鎵(GaN)在電力轉換應用中的優(yōu)勢為電源轉換器帶來了系統(tǒng)級的好處。智能功率模塊(IPM)通常用于提供緊湊、高效且安全的電機控制驅動。在本文中，我們將重點介紹基于GaN的IPM，目標應用包括
2024-06-17 11:32:132358
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Qorvo攜手CGD推出高效能電機控制評估套件
全球領先的連接和電源解決方案提供商Qorvo (納斯達克股票代碼: QRVO)最近攜手無晶圓廠環(huán)?？萍及雽w公司Cambridge GaN Devices (CGD)，合作推出了結合雙方先進技術的PAC5556A+ICeGaN評估套件（EVK），將行業(yè)領先的電機控制和能效技術整合在一起。
2024-12-26 10:51:301002
1002絕對式編碼器在伺服電機控制中的應用與優(yōu)勢分析
? ? ? 絕對式編碼器在伺服電機控制中的應用廣泛且重要，其優(yōu)勢顯著，以下是對其應用與優(yōu)勢的詳細分析： ? ? ??一、絕對式編碼器在伺服電機控制中的應用 ? ? ? 絕對式編碼器是一種常用的位置
2025-02-06 09:46:151722
1722
探討 GaN FET 在人形機器人中的應用優(yōu)勢
：探討在人形機器人中的應用優(yōu)勢.pdf 人形機器人系統(tǒng)挑戰(zhàn) ：人形機器人集成多個子系統(tǒng)，其中伺服控制系統(tǒng)空間受限。為實現(xiàn)類似人類的運動范圍，需部署約 40 部伺服電機（PMSM） ，不同部位電機功率需求差異大，且其伺服系統(tǒng)對控制精度、尺寸和散熱要求高于傳統(tǒng)系統(tǒng)。 GaN FET 在人
2025-02-14 14:33:331512
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CGD 獲得3,200萬美元融資，以推動在全球功率半導體領域的增長
? ????? CGD 的技術幫助電動汽車和數(shù)據(jù)中心提高能效，為全球功率半導體行業(yè)帶來重大機遇 ? 2025 年 2 月 18 日 英國劍橋 - 氮化鎵（GaN）功率器件的領先創(chuàng)新者 Cambridge GaN
2025-02-20 11:37:47375
375想讓步進電機控制更順滑？微步控制優(yōu)勢與挑戰(zhàn)全揭秘
步進電機依靠控制電脈沖信號的頻率和數(shù)量來調(diào)控轉動的步數(shù)與速度，具備分步控制的特性。為了讓步進電機的控制更加順滑，微步控制技術應運而生。以下是微步控制的優(yōu)勢與挑戰(zhàn)的詳細揭秘： 一、微步控制的優(yōu)勢 1.
2025-02-25 07:33:571103
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CGD 官宣突破100kW以上技術，推動GaN挺進超100億美元的電動汽車逆變器市場
（CGD）開發(fā)了一系列高能效氮化鎵（GaN）功率器件，使更加環(huán)保的電子產(chǎn)品非常易于設計和運行。CGD今日推出的 Combo ICeGaN? 解決方案使 CGD 利用其 ICeGaN? 氮化鎵（GaN
2025-03-11 09:47:45733
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氮化鎵（GaN）功率IC在電機逆變器中的應用: 優(yōu)勢、實際應用案例、設計考量
介紹了氮化鎵（GaN）功率IC在電機逆變器中的應用，對比傳統(tǒng)硅基解決方案，闡述了其優(yōu)勢、實際應用案例、設計考量及結論。 *附件
2025-03-12 18:47:172084
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英飛凌預測：2025 GaN將為電機行業(yè)帶來哪些革新？
近日，英飛凌發(fā)布了《2025年 GaN 功率半導體預測報告》，詳細分析了 GaN(氮化鎵)技術在未來幾年內(nèi)對多個行業(yè)的深遠影響。 其中，電機行業(yè)在能源效率和智能化技術的雙重推動下正迎來一場變革。該報
2025-08-14 15:38:19925
925CGD與格芯（GlobalFoundries）合作供應單芯片、高可靠性和高效率的 ICeGaN? 功率器件
合作將支持快速增長的應用市場，共同推廣 CGD 的可持續(xù)節(jié)能型 ICeGaN 技術 英國劍橋，2025 年 10 月 13 日 —— 無晶圓廠半導體公司 Cambridge GaN Devices
2025-10-15 09:39:57861
861芯干線GaN器件在電源系統(tǒng)的應用優(yōu)勢
自從氮化鎵（GaN）器件問世以來，憑借其相較于傳統(tǒng)硅基半導體的多項關鍵優(yōu)勢，GaN 被廣泛認為是快速充電與工業(yè)電源應用領域中的變革性技術。
2025-10-21 14:56:442575
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