RFaxis第二代純CMOS單芯片/單硅片射頻前端集成電路的性能優(yōu)于基于砷化鎵/鍺硅的射頻前端解決方案
2012-09-27 09:17:24
5438 盡管存在硅的競爭，但無線通信的需求將繼續(xù)推動砷化鎵市場發(fā)展。
2016-01-07 08:19:552343 以莫倫科夫說法來看，代表高通旗下RF元件采用的PA制程，將由現(xiàn)行CMOS轉(zhuǎn)向砷化鎵，在這個架構(gòu)下，未來勢必還要調(diào)整代工廠，由目前的臺積電轉(zhuǎn)至穩(wěn)懋、宏捷科這類的砷化鎵代工廠。
2016-02-01 10:33:172061 555集成電路實用大全555集成電路實用大全介紹國內(nèi)外最通用的555時間集成電路（包括雙極型和MOS型，單雙時間電路）在38個應(yīng)用領(lǐng)域的500多個應(yīng)用實例，諸如安全、節(jié)電、充電、電話、傳真、遙控
2009-03-29 11:47:49
商用4G LTE無線基礎(chǔ)設(shè)施的擴展，逐漸實現(xiàn)了規(guī)模經(jīng)濟，為氮化鎵順利進入MMIC市場提供了有力支持，從而幫助系統(tǒng)設(shè)計人員實現(xiàn)更高水平的功能和設(shè)備集成，滿足新一代5G系統(tǒng)的需求。同時，隨著集成射頻、模擬
2019-07-31 07:47:23
氮化鎵向商用 4G LTE 無線基礎(chǔ)設(shè)施的擴展，逐漸實現(xiàn)了規(guī)模經(jīng)濟，為氮化鎵順利進入 MMIC 市場提供了有力支持，從而幫助系統(tǒng)設(shè)計人員實現(xiàn)更高水平的功能和設(shè)備集成，滿足新一代 5G 系統(tǒng)的需求。同時
2019-07-05 04:20:15
隨著人們訂購無線服務(wù)數(shù)量的激增、各種服務(wù)類型的多樣化，以及更低的便攜式設(shè)備接入因特網(wǎng)的費用，使得對于增加基礎(chǔ)設(shè)施容量的需求日益明顯。3G智能手機、3G上網(wǎng)本和3G平板電腦是引發(fā)對于無線數(shù)據(jù)服務(wù)和基站
2019-08-20 06:49:21
無線基礎(chǔ)設(shè)施容量面臨的挑戰(zhàn)是什么？
2021-05-20 06:47:50
高壓硅二極管具有低正向傳導(dǎo)壓降，但由于其反向恢復(fù)行為，會在功率轉(zhuǎn)換器中造成顯著的動態(tài)損耗。與硅相比，SiC二極管的反向恢復(fù)行為可以忽略不計，但確實表現(xiàn)出更高的體電容和更大的正向傳導(dǎo)降。由于砷化鎵技術(shù)
2023-02-22 17:13:39
砷化鎵銦微光顯微鏡(InGaAs)與微光顯微鏡(EMMI)其偵測原理相同，都是用來偵測故障點定位，尋找亮點、熱點(Hot Spot)的工具，其原理都是偵測電子-電洞結(jié)合與熱載子所激發(fā)出的光子。差別
2018-10-24 11:20:30
同時，集成電路市場又是高度變動的,約十年為一個漲落周期。 21世紀，要求移動處理信息，隨時隨地獲取信息、處理信息成為把握先機而制勝的武器。如果前20年P(guān)C是集成電路發(fā)展的驅(qū)動器的話，后20年除PC
2018-08-24 16:30:34
隨著集成電路的逐漸開發(fā)，集成電路測試儀從最開始的小規(guī)模集成電路逐漸發(fā)展到中規(guī)模、大規(guī)模甚至超大規(guī)模集成電路。集成電路測試儀分為三大類別：模擬與混合信號電路測試儀、數(shù)字集成電路測試儀、驗證系統(tǒng)、在線測試系統(tǒng)、存儲器測試儀等。目前，智能、簡單快捷、低成本的集成電路測試儀是市場上的熱門。
2019-08-21 07:25:36
隨著集成電路制造技術(shù)的進步，人們已經(jīng)能制造出電路結(jié)構(gòu)相當復(fù)雜、集成度很高、功能各異的集成電路。但是這些高集成度，多功能的集成塊僅是通過數(shù)目有限的引腳完成和外部電路的連接，這就給判定集成電路的好壞帶來不少困難。
2019-08-21 08:19:10
AN011: NV612x GaNFast功率集成電路(氮化鎵)的熱管理
2023-06-19 10:05:37
CMOS數(shù)字集成電路是什么？CMOS數(shù)字集成電路有什么特點？CMOS數(shù)字集成電路的使用注意事項是什么？
2021-06-22 07:46:35
LM3361集成電路的內(nèi)電路結(jié)構(gòu)是什么？LM3361集成電路的電性能參數(shù)與典型應(yīng)用電路有哪些？
2021-04-21 06:52:32
大批量生產(chǎn)并交付其他七種RFeIC。這將使RFaxis的供貨范圍拓展到更廣的無線/射頻領(lǐng)域。RFaxis第二代純CMOS單芯片/單硅片射頻前端集成電路的性能優(yōu)于基于砷化鎵/鍺硅的射頻前端解決方案
2020-06-04 17:20:31
TGF2040砷化鎵晶體管產(chǎn)品介紹TGF2040報價TGF2040代理TGF2040咨詢熱線TGF2040現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司, TGF2040是離散的400微米pHEMT由DC至
2018-07-18 12:00:19
5倍的晶體管速度。硅仍然是最廣泛使用的半導(dǎo)體材料，然而，鍺砷化物是專門用于高速，非常大規(guī)模集成電路(VLSI)設(shè)計。鍺還被用于某些用途。這三種材料---- 硅、鍺和砷化鎵---- 是最常用的半導(dǎo)體材料
2022-04-04 10:48:17
特定功能的電路。2集成電路的分類①功能結(jié)構(gòu)集成電路，又稱為IC，按其功能、結(jié)構(gòu)的不同，可以分為模擬集成電路、數(shù)字集成電路和數(shù)/模混合集成電路三大類。模擬集成電路又稱線性電路，用來產(chǎn)生、放大和處...
2021-07-29 07:25:59
微波集成電路技術(shù)是無線系統(tǒng)小型化的關(guān)鍵技術(shù).在毫米波集成電路中,高性能且設(shè)計緊湊的功率放大器芯片電路是市場迫切需求的產(chǎn)品.
2019-09-11 11:52:04
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場多年，無論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì)，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
關(guān)于TTL集成電路與CMOS集成電路看完你就懂了
2021-09-28 09:06:34
采用TDA4605集成電路的開關(guān)電源電路
2019-09-27 07:40:16
555集成電路應(yīng)用800例，很多很實用的電路，在生活中都很實用
2015-05-09 14:22:10
如何查看Soc基礎(chǔ)設(shè)施？
2022-03-07 06:08:57
文章主要介紹了當前射頻集成電路研究中的半導(dǎo)體技術(shù)和CAD技術(shù)，并比較和討論了硅器件和砷化鎵器件、射頻集成電路CAD和傳統(tǒng)電路CAD的各自特點。近年來，無線通信市場的蓬勃發(fā)展，特別是移動電話、無線
2019-07-05 06:53:04
砷化鎵晶圓代工廠。
公司主要從事砷化鎵微波集成電路(GaAs MMIC)晶圓之代工業(yè)務(wù)，提供HBT、pHEMT微波集成電路/離散組件與后端制程的晶圓代工服務(wù)，應(yīng)用于高功率基站、低噪聲放大器(LNA
2019-05-27 09:17:13
mg/°C。另外，這些加速度計配備有集成溫度傳感器，可用于漂移的熱補償。表1. 新系列MEMS加速度計的主要特性 結(jié)論如今對 MEMS 傳感器的需求已擴大到消電子應(yīng)用之外。工業(yè)和基礎(chǔ)設(shè)施市場正在創(chuàng)造
2018-10-30 15:00:04
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應(yīng)用
2023-06-19 12:05:19
推動了氮化鎵率先在有線電視行業(yè)開展商業(yè)應(yīng)用。盡管與砷化鎵相比，碳化硅基氮化鎵的價格更高，但有線電視基礎(chǔ)設(shè)施的成本壓力要比無線手機小得多，而且節(jié)省的運營成本可以超過增加的購置成本。但是，商業(yè) CATV市場
2017-08-15 17:47:34
的關(guān)鍵時刻。硅基氮化鎵相比于LDMOS技術(shù)的性能優(yōu)勢已經(jīng)過驗證，這推動了其在最新一代4G LTE基站中廣泛應(yīng)用，并使其定位為最適合未來5G無線基礎(chǔ)設(shè)施的實際促技術(shù)，其轟動性市場影響可能會遠遠超出手機連接領(lǐng)域
2018-08-17 09:49:42
在無線電設(shè)備中，集成電路的應(yīng)用愈來愈廣泛，對集成電路應(yīng)用電路的識圖是電路分析中的一個重點，也是難點之一。1．集成電路應(yīng)用電路圖功能▼▼▼ 集成電路應(yīng)用電路圖具有下列一些功能： ①它表達了集成電路
2015-08-20 15:59:42
特性。一般來說，線性集成芯片的乘積靈敏度為４×１０４Ｖ／（Ａ·Ｔ），比普通霍爾元件乘積靈敏度高２個數(shù)量級。３．特種霍爾器件利用離子注入法在高電阻率的砷化鎵 （ＧａＡｓ）單晶片表面上制成非常薄的Ｎ型
2018-01-02 16:40:28
從3G升級到LTE-Advance，對下一代移動通信基礎(chǔ)設(shè)施的設(shè)備和器件供應(yīng)商提出了諸多挑戰(zhàn)。下一代無線設(shè)備要求支持更寬的信號帶寬、更復(fù)雜的調(diào)制方式，以便在全球范圍內(nèi)部署的各種運行頻段上都能獲得更高
2019-07-31 06:29:26
的微型結(jié)構(gòu)；其中所有元件在結(jié)構(gòu)上已組成一個整體，使電子元件向著微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面邁進了一大步。它在電路中用字母“IC”表示。集成電路發(fā)明者為杰克·基爾比（基于鍺（Ge）的集成電路
2020-02-18 13:23:44
化鎵（砷化鎵有毒，所以一些劣質(zhì)電路板不要好奇分解它），鍺等半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體也像汽車有潮流。二十世紀七十年代，英特爾等美國企業(yè)在動態(tài)隨機存取內(nèi)存（D-RAM）市場占上風(fēng)。但由于大型計算機的出現(xiàn)，需要
2020-04-22 11:55:14
請問一下VGA應(yīng)用中硅器件注定要改變砷化鎵一統(tǒng)的局面？
2021-05-21 07:05:36
如何實現(xiàn)無線基礎(chǔ)設(shè)施使用的3.5GHz LNA的設(shè)計？
2021-04-20 07:02:50
各位大神，目前國內(nèi)賣銦鎵砷紅外探測器的有不少，知道銦鎵砷等III-V族化合物外延片都是哪些公司生產(chǎn)的嗎，坐等答案
2013-06-04 17:22:07
前端集成電路能提供業(yè)界最高水平的砷化鎵(GaAs)芯片整合。該公司所獨家特有的ANADIGICS InGaP-Plus制程技術(shù)將3大功能集于一個單一的砷化鎵裸片，使這么小的封裝體積成為可能
2018-08-27 16:00:11
Cree 的 CMPA0060002F1-AMP 是一種氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管(HEMT) 基于單片微波集成電路 (MMIC)。 GaN具有優(yōu)越的與硅或砷化鎵相比的特性，包括更高
2022-05-17 12:09:15
Cree 的 CMPA3135060S 是氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管(HEMT) 基于單片微波集成電路 (MMIC)。 GaN具有優(yōu)越的與硅或砷化鎵相比的特性，包括更高的擊穿率電壓，更高
2022-06-29 09:43:43
Strategy Analytics：砷化鎵和磷化銦支撐光纖網(wǎng)絡(luò)高增長，模擬芯片市場規(guī)模將增長至4.92億美元
Strategy Analytics 發(fā)布最新研究報告“光纖模擬芯片市場機會：2
2009-08-11 08:30:401063 模擬電路網(wǎng)絡(luò)課件 第十八節(jié):砷化鎵金屬-半導(dǎo)體場效應(yīng)管
4.2 砷化鎵金屬-半導(dǎo)體場效應(yīng)管
砷化鎵（G
2009-09-17 10:43:251376 
混合集成電路,混合集成電路是什么意思
由半導(dǎo)體集成工藝與?。ê瘢┠すに嚱Y(jié)合而制成的集成電路。混合集成電路是在基片上用成膜方法制作厚
2010-03-20 16:19:024419 文章主要介紹了當前射頻集成電路研究中的半導(dǎo)體技術(shù)和CAD技術(shù)，并比較和討論了硅器件和砷化鎵器件、射頻集成電路CAD和傳統(tǒng)電路CAD的各自特點
2011-04-20 11:55:501539 文章主要介紹了當前射頻集成電路研究中的半導(dǎo)體技術(shù)和CAD技術(shù)，并比較和討論了硅器件和砷化鎵器件、射頻集成電路CAD和傳統(tǒng)電路CAD的各自特點。
2011-06-29 09:34:372393 555集成電路實用大全，集成電路實用大全包括上百個555設(shè)計應(yīng)用電路圖。
2016-05-03 11:44:02
54 梯度凝固法（VGF）等。 （1）液封直拉法（Liquid Encapsulated Czochralski，簡稱LEC） LEC法是生長非摻半絕緣砷化鎵單晶（SI GaAs）的主要工藝，目前市場上80%以上的半絕緣砷化鎵單晶是采用LEC法生長的。LEC法采用石墨加熱器和PBN坩堝，以B2O3作為液封劑
2017-09-27 10:30:4244 文章主要介紹了當前射頻集成電路研究中的半導(dǎo)體技術(shù)和CAD技術(shù)，并比較和討論了硅器件和砷化鎵器件、射頻集成電路CAD和傳統(tǒng)電路CAD的各自特點。 近年來，無線通信市場的蓬勃發(fā)展，特別是移動電話、無線
2017-12-09 20:25:542619 ABI研究公司一位研究人員表示，對于那些通過氮化鎵(GaN)工藝技術(shù)來開發(fā)并生產(chǎn)設(shè)備的廠商來說，無線基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域所需的RF功率半導(dǎo)體可能并不是他們最好的機會。 除了一些軍事應(yīng)用和微波通信，GaN主要
2017-12-13 16:02:01771 砷化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料。屬Ⅲ－Ⅴ族化合物半導(dǎo)體。屬閃鋅礦型晶格結(jié)構(gòu)，晶格常數(shù)5.65×10-10m，熔點1237℃，禁帶寬度1.4電子伏。砷化鎵于1964年進入實用階段。砷化鎵可以制成電阻率比硅、鍺高3個數(shù)量級以上的半絕緣高阻材料
2018-03-01 14:55:4545813 制造集成電路所用的材料主要包括硅（Si）、 鍺（Ge）等半導(dǎo)體， 以及砷化鎵（GaAs）、鋁鎵砷（AlGaAs）、 銦鎵砷（InGaAs）等半導(dǎo)體的化合物，其中以硅最為常用。
2018-06-15 08:00:000 公司主要從事砷化鎵微波集成電路 （GaAs MMIC）晶圓之代工業(yè)務(wù)，提供HBT、pHEMT微波集成電路／離散元件與后端制程的晶圓代工服務(wù)，應(yīng)用于高功率基地臺、低雜訊放大器（LNA）、射頻切換器（RF Switch）、手機及無線區(qū)域網(wǎng)路用功率放大器 （ PA ）與雷達系統(tǒng)上。
2018-12-27 17:48:3112319 SEMICON CHINA，2019 年 3 月 20 日晶圓鍵合和光刻設(shè)備的領(lǐng)先供應(yīng)商EV集團(EVG)今日宣布，與總部位于中國寧波的特種工藝半導(dǎo)體制造公司中芯集成電路(寧波)有限公司(以下簡稱中芯寧波)合作，開發(fā)業(yè)界首個砷化鎵射頻前端模組晶圓級微系統(tǒng)異質(zhì)集成工藝技術(shù)平臺。
2019-03-20 14:00:412494 日前，在首屆“南湖之春”國際經(jīng)貿(mào)洽談會上，南湖區(qū)簽約45個項目，總投資超200億元，其中包括砷化鎵集成電路項目。
2019-05-13 16:20:405033 我們現(xiàn)在之所以能夠通過Wi-Fi或移動數(shù)據(jù)網(wǎng)絡(luò)無線上網(wǎng)，就是因為手機上的無線通訊模組，而其中關(guān)鍵的射頻元件，則是以砷化鎵材料所制作的功率放大器（PA），甚至連發(fā)射到太空中的人造衛(wèi)星上，也都裝配著穩(wěn)懋半導(dǎo)體生產(chǎn)的砷化鎵芯片。
2020-08-31 10:45:578283 根據(jù)Yole數(shù)據(jù)顯示，2019年下游GaAs元件的市場總產(chǎn)值為88.7億美元，預(yù)計到2023年，全球砷化鎵元件市場規(guī)模將達到142.9億美元，2019-2024年GAGR為10%。 此處下游GaAs
2020-10-09 10:34:425021 實用階段。砷化鎵可以制成電阻率比硅、鍺高3個數(shù)量級以上的半絕緣高阻材料,用來制作集成電路襯底、紅外探測器、γ光子探測器等。由于其電子遷移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速數(shù)字電路方面得到重要應(yīng)用。用砷化鎵制成的半導(dǎo)體器件具有高頻、高溫、低溫性能好、噪
2020-12-30 10:27:582926 ne555集成電路的結(jié)構(gòu)及原理說明。
2021-03-23 09:11:0467 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供氮化鎵、砷化鎵和LDMOS將共存嗎？資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-14 08:42:117 HMC788A：0.01千兆赫至10千兆赫，單片集成電路，砷化鎵，PHEMT射頻增益擋路數(shù)據(jù)表
2021-04-23 14:53:3910 無線電力傳輸集成電路
2021-05-16 14:39:239 砷化鎵電池及砷化鎵LED綜述
2021-08-09 16:39:520 《555集成電路應(yīng)用800例》pdf
2022-03-01 10:11:520 555集成電路應(yīng)用800例免費下載.
2022-03-24 15:10:430 在光電子激光、LED領(lǐng)域砷化鎵也占據(jù)很大的分量。作為成熟的第二代化合物半導(dǎo)體，砷化鎵功率芯片以及光電子芯片均是在砷化鎵基板上通過外延生長的手段長出不同的材料膜層結(jié)構(gòu)。
2022-04-07 15:32:577549 
砷化鎵集成單刀雙擲開關(guān)AS179-92LF英文手冊免費下載。
2022-04-12 15:00:575 砷化鎵可在一塊芯片上同時處理光電數(shù)據(jù)，因而被廣泛應(yīng)用于遙控、手機、DVD計算機外設(shè)、照明等諸多光電子領(lǐng)域。另外，因其電子遷移率比硅高6倍，砷化鎵成為超高速、超高頻器件和集成電路的必需品。
2022-04-25 10:58:4314403 砷化鎵是發(fā)光材料，加上泵浦源和諧振腔，即可選頻制成激光器。650nm-1300nm波長的低功率激光器都可以用砷化鎵材料設(shè)計，典型代表是VCSEL（垂直腔表面發(fā)射激光器），廣泛應(yīng)用在短距離數(shù)據(jù)中心光纖通信，TOF人臉識別等。
2022-11-30 09:35:3814210 砷化鎵太陽能電池最大效率預(yù)計可以達到23%～26%，它是目前各種類型太陽能電池中效率預(yù)計最高的一種。砷化鎵太陽能電池抗輻射能力強，并且能在比較高的溫度環(huán)境中工作。
2023-02-08 16:02:0718197 
砷化鎵是不是金屬材料 砷化鎵屬于半導(dǎo)體材料。砷化鎵（化學(xué)式：GaAs）是鎵和砷兩種元素所合成的化合物，也是重要的IIIA族、VA族化合物半導(dǎo)體材料，用來制作微波集成電路、紅外線發(fā)光二極管
2023-02-14 16:07:3810060 砷化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料，它具有優(yōu)異的電子特性，廣泛應(yīng)用于電子器件的制造。砷化鎵具有良好的電子性能，具有高電子遷移率、低漏電流、高熱穩(wěn)定性和高熱導(dǎo)率等優(yōu)點，因此在電子器件的制造中得到了廣泛的應(yīng)用。
2023-02-14 17:14:473762 砷化鎵二極管是一種半導(dǎo)體器件，它由砷化鎵（GaAs）材料制成，具有較高的電流密度、較低的功耗和較快的響應(yīng)速度。砷化鎵二極管的原理是，當電壓施加到砷化鎵二極管的兩個極性時，電子和空穴就會在砷化鎵材料中遷移，從而產(chǎn)生電流。
2023-02-16 15:12:592739 砷化鎵（GaAs）是一種半導(dǎo)體材料，它是由鎵（Ga）和砷（As）組成的化合物，具有較高的電子遷移率和較低的漏電流，因此在電子器件中有著廣泛的應(yīng)用。
2023-02-16 15:28:514882 氮化鎵可以取代砷化鎵。氮化鎵具有更高的熱穩(wěn)定性和電絕緣性，可以更好地抵抗高溫和電磁干擾，因此可以替代砷化鎵。
2023-02-20 16:10:1429358 砷化鎵芯片的制造工藝要求高，需要精確控制工藝參數(shù)，以保證芯片的質(zhì)量；砷化鎵芯片的制造過程中，由于砷化鎵的比表面積較大，容易形成氣泡，影響芯片的質(zhì)量；砷化鎵芯片的制造過程中，由于砷化鎵的比表面積較大，容易形成氣泡，影響芯片的質(zhì)量。
2023-02-20 16:32:248896 砷化鎵芯片和硅基芯片的最大區(qū)別是：硅基芯片是進行物理刻蝕線路工藝（凹刻），可以5-100納米工藝，而砷化鎵芯片采取的工藝是多層化學(xué)堆砌線路（凸堆），線路線寬40-100納米。所以，能做硅基芯片的公司是做不了砷化鎵芯片的。
2023-02-20 16:53:1010762 9.4化合物半導(dǎo)體第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊????????ADT12寸全自動雙軸晶圓切割機詳情：切割機(劃片機).ADT.823012寸全自動雙軸晶圓切割機成倍提高生
2022-01-17 09:18:47987 
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2022-01-12 10:01:08850 9.4化合物半導(dǎo)體第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊????????ADT12寸全自動雙軸晶圓切割機詳情：切割機(劃片機).ADT.823012寸全自動雙軸晶圓切割機成倍提高
2022-01-21 09:36:31977 9.4化合物半導(dǎo)體第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊????????ADT12寸全自動雙軸晶圓切割機詳情：切割機(
2022-01-13 11:22:04721 砷化鎵是一種半導(dǎo)體材料。它具有優(yōu)異的電子輸運性能和能帶結(jié)構(gòu)，常用于制造半導(dǎo)體器件，如光電器件和功率器件等。砷化鎵的禁帶寬度較小，使得它在電子和光學(xué)應(yīng)用中具有重要的地位。
2023-07-03 16:07:0810914 砷化鎵芯片的制造工藝相對復(fù)雜，需要使用分子束外延（MBE）或金屬有機化學(xué)氣相沉積（MOCVD）等專門的生長技術(shù)。而硅芯片的制造工藝相對成熟和簡單，可以使用大規(guī)模集成電路（VLSI）技術(shù)進行批量制造。
2023-07-03 16:19:5310679 目前高功率砷化鎵基單片微波集成電路(MMICs)已廣泛應(yīng)用于軍事、無線和空間通信系統(tǒng)。使用連接晶片正面和背面的襯底通孔，這些MMICs的性能顯著提高。
2023-07-13 15:55:021320 
555集成電路應(yīng)用800例
2023-10-19 09:37:27113 硅基氮化鎵（SiGaN）集成電路芯片是一種新型的半導(dǎo)體材料，具有廣闊的應(yīng)用前景。它將硅基材料與氮化鎵材料結(jié)合在一起，利用其優(yōu)勢來加速集成電路發(fā)展的速度。本文將介紹硅基氮化鎵集成電路芯片的背景、特點
2024-01-10 10:14:582335 氮化鎵（GaN）和砷化鎵（GaAs）都是半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的重要成員，它們在各自的應(yīng)用領(lǐng)域中都展現(xiàn)出了卓越的性能。然而，要判斷哪個更先進，并不是一個簡單的二元對立問題，因為它們的先進性取決于具體的應(yīng)用場
2024-09-02 11:37:167234
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