TriQuint半導(dǎo)體公司(納斯達(dá)克代碼：TQNT)，推出完整、經(jīng)濟(jì)高效的 Ka 波段砷化鎵 (GaAs) 射頻芯片組
2012-10-17 15:10:46
2424 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李寧遠(yuǎn)）半導(dǎo)體材料的突破一直是推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的一大助力，為了滿足日益多元化的芯片需求，半導(dǎo)體材料從以硅、鍺為代表的第一代半導(dǎo)體，以砷化鎵、磷化銦為代表的第二代半導(dǎo)體逐步
2023-04-02 01:53:369067 
來源 華西證券編輯：智東西內(nèi)參作者：吳吉森等隨著 5G、IoT 物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代的來臨，以砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）為代表的化合物半導(dǎo)體市場有望快速崛起。其中，Ga...
2021-08-31 06:32:26
我國科學(xué)家成功在8英寸硅片上制備出了高質(zhì)量的氧化鎵外延片。我國氧化鎵領(lǐng)域研究連續(xù)取得突破日前，西安郵電大學(xué)新型半導(dǎo)體器件與材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室的陳海峰教授團(tuán)隊(duì)成功在8英寸硅片上制備出了高質(zhì)量的氧化鎵外延片
2023-03-15 11:09:59
半導(dǎo)體材料從發(fā)現(xiàn)到發(fā)展，從使用到創(chuàng)新，擁有這一段長久的歷史。宰二十世紀(jì)初，就曾出現(xiàn)過點(diǎn)接觸礦石檢波器。1930年，氧化亞銅整流器制造成功并得到廣泛應(yīng)用，是半導(dǎo)體材料開始受到重視。1947年鍺點(diǎn)接觸三極管制成，成為半導(dǎo)體的研究成果的重大突破。
2020-04-08 09:00:15
半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性對某些微量雜質(zhì)極敏感。純度很高的半導(dǎo)體材料稱為本征半導(dǎo)體，常溫下其電阻率很高，是電的不良導(dǎo)體。在高純半導(dǎo)體材料中摻入適當(dāng)雜質(zhì)后，因?yàn)殡s質(zhì)原子提供導(dǎo)電載流子，使材料的電阻率大為
2013-01-28 14:58:38
好像***最近去英國還專程看了華為英國公司的石墨烯研究，搞得國內(nèi)好多石墨烯材料的股票大漲，連石墨烯內(nèi)褲都跟著炒作起來了~~小編也順應(yīng)潮流聊聊半導(dǎo)體材料那些事吧。
2019-07-29 06:40:11
半導(dǎo)體材料的檢測與服務(wù)，其具體功能如下：透射電鏡樣品制備是TEM分析技術(shù)的關(guān)鍵一環(huán)，特別是制備半導(dǎo)體芯片樣品 ，由于電子束的穿透力很弱，因此用于TEM的樣品必須制備成厚度小于100nm的薄片。通常會
2022-03-15 12:08:50
后，這些芯片也將被同時(shí)加工出來。
材料介質(zhì)層參見圖3，芯片布圖上的每一層圖案用不同顏色標(biāo)示。對應(yīng)每一層的圖案，制造過程會在硅晶圓上制做出一層由半導(dǎo)體材料或介質(zhì)構(gòu)成的圖形。本文把這些圖形層稱之為材料介質(zhì)
2024-01-02 17:08:51
半導(dǎo)體是什么？芯片又是什么？半導(dǎo)體芯片是什么？半導(dǎo)體芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)是由哪些部分組成的？
2021-07-29 09:18:55
年代，當(dāng)材料的提純技術(shù)改進(jìn)以后，半導(dǎo)體才得到工業(yè)界的重視。常見的半導(dǎo)體材料有硅、鍺、砷化鎵等，而硅則是各種半導(dǎo)體材料中，在商業(yè)應(yīng)用上最具有影響力的一種。芯片芯片(chip)，又稱微芯片
2020-11-17 09:42:00
SiC器件的50%至70%?？捎眯?–砷化鎵作為一種材料已經(jīng)在射頻應(yīng)用中廣泛使用，是世界上第二大最常用的半導(dǎo)體材料。由于其廣泛使用，它可以從多個(gè)來源獲得，其制造工藝類似于硅。這些因素都支持該技術(shù)的低成本
2023-02-22 17:13:39
寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來的第三代半導(dǎo)體
2019-06-25 07:41:00
關(guān)鍵詞：AKM，旭化成，砷化鎵線性霍爾效應(yīng)IC，響拇指電子，Sumzi提要：AKM的HG106C砷化鎵線性霍爾效應(yīng)IC采用電子遷移率比硅大5～6倍的砷化鎵作為器件的半導(dǎo)體材料，而砷化鎵被譽(yù)為“半導(dǎo)體
2013-11-13 10:54:57
電子、汽車和無線基站項(xiàng)目意法半導(dǎo)體獲準(zhǔn)使用MACOM的技術(shù)制造并提供硅上氮化鎵射頻率產(chǎn)品預(yù)計(jì)硅上氮化鎵具有突破性的成本結(jié)構(gòu)和功率密度將會實(shí)現(xiàn)4G/LTE和大規(guī)模MIMO 5G天線中國，2018年2月12日
2018-02-12 15:11:38
MOS 管的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)MOS 管的工作機(jī)制
2020-12-30 07:57:04
5倍的晶體管速度。硅仍然是最廣泛使用的半導(dǎo)體材料，然而，鍺砷化物是專門用于高速，非常大規(guī)模集成電路(VLSI)設(shè)計(jì)。鍺還被用于某些用途。這三種材料---- 硅、鍺和砷化鎵---- 是最常用的半導(dǎo)體材料
2022-04-04 10:48:17
1、GaAs半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍，非常適合
2019-07-29 07:16:49
、磁阻元件、磁敏二極管、磁敏三極管等。主要材料有銻化銦、砷化銦、鍺和硅等。這類器件的優(yōu)點(diǎn)是結(jié)構(gòu)簡單，體積小，易于集成化，耐沖擊，頻響寬（從直流到微波），動(dòng)態(tài)范圍大，而且可以實(shí)現(xiàn)無接觸檢測，不存在磨損，抗污染，不產(chǎn)生火花，使用安全，壽命長，因此它在測量技術(shù)、自動(dòng)控制和信息處理等方面有廣泛的應(yīng)用。
2019-09-10 10:42:32
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場多年，無論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì)，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
與廠商合作關(guān)系***廠仍具有領(lǐng)先優(yōu)勢。
砷化鎵產(chǎn)業(yè)的功率放大器PA是最要的營收來源，那么是否有新技術(shù)能夠取代之將會是左右產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵，半導(dǎo)體CMOS制程的PA即與穩(wěn)懋的GaAs制程不同，擁有價(jià)格較低
2019-05-27 09:17:13
文章主要介紹了當(dāng)前射頻集成電路研究中的半導(dǎo)體技術(shù)和CAD技術(shù)，并比較和討論了硅器件和砷化鎵器件、射頻集成電路CAD和傳統(tǒng)電路CAD的各自特點(diǎn)。近年來，無線通信市場的蓬勃發(fā)展，特別是移動(dòng)電話、無線
2019-07-05 06:53:04
`砷化鎵GaAs半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7倍，非常適合
2016-09-15 11:28:41
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
產(chǎn)工藝，計(jì)劃最終可以確保***獲得性能更高，成本更加低廉的射頻元件。無線手機(jī)消費(fèi)需求的激增加速了砷化鎵成為主流商業(yè)應(yīng)用的步伐，這強(qiáng)有力地助推了規(guī)模經(jīng)濟(jì)?；衔?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體提供商斥資數(shù)億美元修建了大規(guī)模的砷化鎵
2017-08-15 17:47:34
激光器是20世紀(jì)四大發(fā)明之一，半導(dǎo)體激光器是采用半導(dǎo)體芯片加工工藝制備的激光器，具有體積小、成本低、壽命長等優(yōu)勢，是應(yīng)用最多的激光器類別。氮化鎵激光器（LD）是重要的光電子器件，基于GaN材料
2020-11-27 16:32:53
有著極為密切的關(guān)連。常見的半導(dǎo)體材料有硅、鍺、砷化鎵等，而硅更是各種半導(dǎo)體材料中，在商業(yè)應(yīng)用上最具有影響力的一種。物質(zhì)存在的形式多種多樣，固體、液體、氣體、等離子體等。我們通常把導(dǎo)電性差的材料，如煤
2020-02-18 13:23:44
的核心單元都和半導(dǎo)體有著極為密切的關(guān)連。常見的半導(dǎo)體材料有硅、鍺、砷化鎵等，而硅更是各種半導(dǎo)體材料中，在商業(yè)應(yīng)用上最具有影響力的一種?！ ?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類
2016-11-27 22:34:51
請問一下VGA應(yīng)用中硅器件注定要改變砷化鎵一統(tǒng)的局面？
2021-05-21 07:05:36
，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。隨著無線通信的發(fā)展，高頻電路應(yīng)用越來越廣，今天我們來介紹適合用于射頻、微波等高頻電路的半導(dǎo)體材料及工藝情況。
2019-06-27 06:18:41
納秒級脈寬砷化鎵激光器陳列:報(bào)導(dǎo)砷化鎵激光器陣列的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。該陣列光束的脈寬約0.7~5ns，近場光斑面積約100mm×6mm;已被用于觸發(fā)高功率電磁脈沖發(fā)生器中的半導(dǎo)體
2009-10-27 10:05:34
11 模擬電路網(wǎng)絡(luò)課件 第十八節(jié):砷化鎵金屬-半導(dǎo)體場效應(yīng)管
4.2 砷化鎵金屬-半導(dǎo)體場效應(yīng)管
砷化鎵（G
2009-09-17 10:43:251376 
半導(dǎo)體激光器的結(jié)構(gòu)和工作原理分析
現(xiàn)以砷化鎵（GaAs）激光器為例，介紹注入式同質(zhì)結(jié)激光器的工作原理。
2010-03-16 14:18:5110103 （二）砷化鎵單晶制備方法及原理 從20世紀(jì)50年代開始，已經(jīng)開發(fā)出了多種砷化鎵單晶生長方法。目前主流的工業(yè)化生長工藝包括：液封直拉法（LEC）、水平布里其曼法（HB）、垂直布里其曼法（VB）以及垂直
2017-09-27 10:30:4244 根據(jù)物體導(dǎo)電能力（電阻率）的不同，來劃分導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體。典型的半導(dǎo)體有硅Si和鍺Ge以及砷化鎵GaAs等。 硅和鍺的原子結(jié)構(gòu)簡化模型及晶體結(jié)構(gòu)
2017-11-23 11:37:1330 指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。 隨著無線通信的發(fā)展，高頻電路應(yīng)用越來越廣，今天我們來介紹適合用于射頻、微波等高頻電路的半導(dǎo)體材料及工藝情況。 砷化鎵 GaAs 砷化鎵的電子遷移速率
2017-11-24 06:54:523387 指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。 隨著無線通信的發(fā)展，高頻電路應(yīng)用越來越廣，今天我們來介紹適合用于射頻、微波等高頻電路的半導(dǎo)體材料及工藝情況。 砷化鎵GaAs 砷化鎵GaAs 砷化鎵的電子
2017-12-07 14:37:192680 砷化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料。屬Ⅲ－Ⅴ族化合物半導(dǎo)體。屬閃鋅礦型晶格結(jié)構(gòu)，晶格常數(shù)5.65×10-10m，熔點(diǎn)1237℃，禁帶寬度1.4電子伏。砷化鎵于1964年進(jìn)入實(shí)用階段。砷化鎵可以制成電阻率比硅、鍺高3個(gè)數(shù)量級以上的半絕緣高阻材料
2018-03-01 14:55:4545809 半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體;化合物半導(dǎo)體包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物（ 硫化鎘、硫化鋅等）、氧化物
2018-03-08 09:36:33122870 光學(xué)超材料是一種人造材料，因其特殊納米結(jié)構(gòu)而具備不尋常的光學(xué)性能。近20年來，研究人員已設(shè)計(jì)了多種超材料基器件，但其特性無法改變?；诖?，研究人員首先制備出由半導(dǎo)體納米顆粒陣列組成的砷化鎵薄膜，之后
2018-06-27 08:13:001769 以及塵土之中。硅雖然不是最好的半導(dǎo)體材料，但它是迄今最容易獲取的半導(dǎo)體材料。由此，硅材料在電子器件領(lǐng)域占據(jù)主要地位，比如傳感器、太陽能電池以及集成電路等。 砷化鎵、氮化鎵以及氟化鋰等材料的性能勝過硅材料，但是目前用它們制備
2018-10-17 15:43:01476 第二代半導(dǎo)體材料是指化合物半導(dǎo)體材料，如砷化鎵（GaAs）、銻化銦（InSb）、磷化銦（InP），以及三元化合物半導(dǎo)體材料，如鋁砷化鎵（GaAsAl）、磷砷化鎵（GaAsP）等。還有一些固溶體半導(dǎo)體
2018-11-26 16:13:4220571 目前廣泛應(yīng)用的半導(dǎo)體材料有鍺、硅、硒、砷化鎵、磷化鎵、銻化銦等．其中以鍺、硅材料的生產(chǎn)技術(shù)較成熟，用的也較多。
2019-03-29 15:21:5715426 導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料，叫做半導(dǎo)體．例如：鍺、硅、砷化鎵等． 半導(dǎo)體在科學(xué)技術(shù)，工農(nóng)業(yè)生產(chǎn)和生活中有著廣泛的應(yīng)用。
2019-12-13 17:44:526024 第一代半導(dǎo)體材料一般是指硅（Si）元素和鍺（Ge）元素，其奠定了20 世紀(jì)電子工業(yè)的基礎(chǔ)。第二代半導(dǎo)體材料主要指化合物半導(dǎo)體材料，如砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）、磷化鎵（GaP）、砷化銦（InAs）、砷化鋁（AlAs）及其合金化合物等，其奠定了20 世紀(jì)信息光電產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)。
2020-04-12 17:06:0710859 
我們現(xiàn)在之所以能夠通過Wi-Fi或移動(dòng)數(shù)據(jù)網(wǎng)絡(luò)無線上網(wǎng)，就是因?yàn)槭謾C(jī)上的無線通訊模組，而其中關(guān)鍵的射頻元件，則是以砷化鎵材料所制作的功率放大器（PA），甚至連發(fā)射到太空中的人造衛(wèi)星上，也都裝配著穩(wěn)懋半導(dǎo)體生產(chǎn)的砷化鎵芯片。
2020-08-31 10:45:578281 半導(dǎo)體材料是一類具有半導(dǎo)體性能、可用來制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。常見的半導(dǎo)體材料有硅、鍺、砷化鎵等，其中硅是商業(yè)應(yīng)用上最具有影響力的一種，其下游應(yīng)用十分廣泛，包括集成電路，通訊系統(tǒng)，光伏發(fā)電，人工智能等領(lǐng)域。
2020-09-04 15:34:366131 
，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。隨著無線通信的發(fā)展，高頻電路應(yīng)用越來越廣，今天我們來介紹適合用于射頻、微波等高頻電路的半導(dǎo)體材料及工藝情況。 砷化鎵 GaAs 砷化鎵的電子遷移速
2020-10-30 02:09:471689 半導(dǎo)體材料是一類具有半導(dǎo)體性能、可用來制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。常見的半導(dǎo)體材料有硅、鍺、砷化鎵等，其中硅是商業(yè)應(yīng)用上最具有影響力的一種，其下游應(yīng)用十分廣泛，包括集成電路，通訊系統(tǒng)，光伏發(fā)電，人工智能等領(lǐng)域。
2020-11-01 10:49:058864 
一種重要的半導(dǎo)體材料。屬Ⅲ－Ⅴ族化合物半導(dǎo)體?；瘜W(xué)式GaAs，分子量144.63，屬閃鋅礦型晶格結(jié)構(gòu)，晶格常數(shù)5.65×10-10m，熔點(diǎn)1237℃，禁帶寬度1.4電子伏。砷化鎵于1964年進(jìn)入
2020-12-30 10:27:582922 單晶半導(dǎo)體材料制備技術(shù)說明。
2021-04-08 11:53:2935 半導(dǎo)體合格測試報(bào)告：砷化鎵SD-A(QTR：2014-00094)
2021-04-24 19:00:0310 半導(dǎo)體芯片是指在半導(dǎo)體材料上進(jìn)行浸蝕，布線，制成的能實(shí)現(xiàn)某種功能的半導(dǎo)體電子器件。常見的半導(dǎo)體芯片有硅芯片、砷化鎵、鍺等。
2021-07-13 11:06:3319267 砷化鎵電池及砷化鎵LED綜述
2021-08-09 16:39:520 了一系列III-V材料以及各種各樣的設(shè)備。?最初，設(shè)計(jì)，制造和光學(xué)表征研究了鋁砷化鎵波導(dǎo)增強(qiáng)光學(xué)非線性文章全部詳情：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁耳相互作用。?基于我們的研究結(jié)果，我們提出了一種新型的AlGaAs集成非線性光學(xué)波導(dǎo)。波導(dǎo)是集成光子器件中極具吸引力的元件，
2023-04-19 10:04:00535 
之前的砷化鎵(GaAs)和橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)一樣，氮化鎵(GaN)是一項(xiàng)革命性技術(shù)，在實(shí)現(xiàn)未來的射頻、微波和毫米波系統(tǒng)方面能夠發(fā)揮巨大作用。不過，它并不是一劑“靈丹妙藥”，其他技術(shù)仍然可以發(fā)揮重要作用。
2022-03-22 13:01:546364 氮化鎵(GaN)是一種寬禁帶隙的半導(dǎo)體材料，在半導(dǎo)體行業(yè)是繼硅之后最受歡迎的材料。這背后的原動(dòng)力趨勢是led，微波，以及最近的電力電子。新的研究領(lǐng)域還包括自旋電子學(xué)和納米帶晶體管，利用了氮化鎵的一些
2022-03-23 14:15:082074 
在光電子激光、LED領(lǐng)域砷化鎵也占據(jù)很大的分量。作為成熟的第二代化合物半導(dǎo)體，砷化鎵功率芯片以及光電子芯片均是在砷化鎵基板上通過外延生長的手段長出不同的材料膜層結(jié)構(gòu)。
2022-04-07 15:32:577549 
砷化鎵可在一塊芯片上同時(shí)處理光電數(shù)據(jù)，因而被廣泛應(yīng)用于遙控、手機(jī)、DVD計(jì)算機(jī)外設(shè)、照明等諸多光電子領(lǐng)域。另外，因其電子遷移率比硅高6倍，砷化鎵成為超高速、超高頻器件和集成電路的必需品。
2022-04-25 10:58:4314399 第一代半導(dǎo)體材料主要是以硅和鍺為代表的IV族材料，而第二代和第三代半導(dǎo)體材料主要是化合物半導(dǎo)體（Compound Semiconductor）材料，其中砷化鎵(GaAs)和磷化銦（InP）是第二代半導(dǎo)體材料中的代表，氮化鎵（GaN)和碳化硅(SiC）是第三代半導(dǎo)體材料中的代表。
2022-09-16 09:56:081508 常見的半導(dǎo)體材料有硅（si）、鍺（ge），化合物半導(dǎo)體，如砷化鎵（gaas）等;摻雜或制成其它化合物半導(dǎo)體材料，如硼（b）、磷（p）、錮（in）和銻（sb）等。其中硅是最常用的一種半導(dǎo)體材料。
2022-09-22 15:40:086802 砷化鎵是發(fā)光材料，加上泵浦源和諧振腔，即可選頻制成激光器。650nm-1300nm波長的低功率激光器都可以用砷化鎵材料設(shè)計(jì)，典型代表是VCSEL（垂直腔表面發(fā)射激光器），廣泛應(yīng)用在短距離數(shù)據(jù)中心光纖通信，TOF人臉識別等。
2022-11-30 09:35:3814208 與第一代硅（Si）半導(dǎo)體材料和第二代砷化鎵（GaAs）半導(dǎo)體材料相比，碳化硅（SiC）或氮化鎵（GaN）的第三代半導(dǎo)體材料（也稱為寬帶隙半導(dǎo)體材料）具有更好的物理和化學(xué)特性，同時(shí)具有開關(guān)速度快、體積小、效率高、散熱快等
2022-12-08 09:56:031738 進(jìn)入90年代以后，第二代半導(dǎo)體砷化鎵、磷化銦等具有高遷移率的半導(dǎo)體材料逐漸出現(xiàn)，使得有線通訊技術(shù)迅速發(fā)展。隨后在本世紀(jì)初，碳化硅，氮化鎵等具有寬禁帶的第三代半導(dǎo)體材料也相繼問世，將當(dāng)代的信息技術(shù)推向了更高的臺階。
2023-02-06 17:02:523512 氮化鎵（GaN）主要是指一種由人工合成的半導(dǎo)體材料，是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表， 研制微電子器件、光電子器件的新型材料。氮化鎵技術(shù)及產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)初步形成，相關(guān)器件快速發(fā)展。第三代半導(dǎo)體氮化鎵產(chǎn)業(yè)范圍涵蓋氮化鎵單晶襯底、半導(dǎo)體器件芯片設(shè)計(jì)、制造、封測以及芯片等主要應(yīng)用場景。
2023-02-07 09:36:562410 
砷化鎵太陽能電池最大效率預(yù)計(jì)可以達(dá)到23%～26%，它是目前各種類型太陽能電池中效率預(yù)計(jì)最高的一種。砷化鎵太陽能電池抗輻射能力強(qiáng)，并且能在比較高的溫度環(huán)境中工作。
2023-02-08 16:02:0718195 
砷化鎵是不是金屬材料 砷化鎵屬于半導(dǎo)體材料。砷化鎵（化學(xué)式：GaAs）是鎵和砷兩種元素所合成的化合物，也是重要的IIIA族、VA族化合物半導(dǎo)體材料，用來制作微波集成電路、紅外線發(fā)光二極管
2023-02-14 16:07:3810056 砷化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料，它具有優(yōu)異的電子特性，廣泛應(yīng)用于電子器件的制造。砷化鎵具有良好的電子性能，具有高電子遷移率、低漏電流、高熱穩(wěn)定性和高熱導(dǎo)率等優(yōu)點(diǎn)，因此在電子器件的制造中得到了廣泛的應(yīng)用。
2023-02-14 17:14:473761 砷化鎵二極管是一種半導(dǎo)體器件，它由砷化鎵（GaAs）材料制成，具有較高的電流密度、較低的功耗和較快的響應(yīng)速度。砷化鎵二極管的原理是，當(dāng)電壓施加到砷化鎵二極管的兩個(gè)極性時(shí)，電子和空穴就會在砷化鎵材料中遷移，從而產(chǎn)生電流。
2023-02-16 15:12:592739 砷化鎵是第三代半導(dǎo)體，它是在第二代半導(dǎo)體的基礎(chǔ)上發(fā)展而來的，具有更高的電子遷移率、更高的熱導(dǎo)率、更高的光學(xué)性能、更高的熱穩(wěn)定性、更高的電磁屏蔽性能和更高的耐腐蝕性。
2023-02-16 15:59:542891 氮化鎵可以取代砷化鎵。氮化鎵具有更高的熱穩(wěn)定性和電絕緣性，可以更好地抵抗高溫和電磁干擾，因此可以替代砷化鎵。
2023-02-20 16:10:1429358 砷化鎵芯片的制造工藝要求高，需要精確控制工藝參數(shù)，以保證芯片的質(zhì)量；砷化鎵芯片的制造過程中，由于砷化鎵的比表面積較大，容易形成氣泡，影響芯片的質(zhì)量；砷化鎵芯片的制造過程中，由于砷化鎵的比表面積較大，容易形成氣泡，影響芯片的質(zhì)量。
2023-02-20 16:32:248892 砷化鎵芯片和硅基芯片的最大區(qū)別是：硅基芯片是進(jìn)行物理刻蝕線路工藝（凹刻），可以5-100納米工藝，而砷化鎵芯片采取的工藝是多層化學(xué)堆砌線路（凸堆），線路線寬40-100納米。所以，能做硅基芯片的公司是做不了砷化鎵芯片的。
2023-02-20 16:53:1010760 第一代半導(dǎo)體指硅(Si)、鍺(Ge)等元素半導(dǎo)體材料；第二代半導(dǎo)體指砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等具有較高遷移率的半導(dǎo)體材料
2023-02-23 14:57:165804 氮化鎵納米線是一種基于氮化鎵材料制備的納米結(jié)構(gòu)材料，具有許多優(yōu)異的電子、光學(xué)和機(jī)械性質(zhì)，因此受到了廣泛關(guān)注。氮化鎵材料是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的電子和光學(xué)性質(zhì)，也是氮化鎵納米線的主要材料來源。
2023-02-25 17:25:151497 冠以“半導(dǎo)體貴族”之稱，是光電子和微電子工業(yè)最重要的支撐材料之一。砷化鎵晶圓的脆性高，與硅材料晶圓相比，在切割過程中更容易產(chǎn)生芯片崩裂現(xiàn)象，使芯片的晶體內(nèi)部產(chǎn)生應(yīng)
2022-10-27 11:35:396454 
砷化鎵是一種半導(dǎo)體材料。它具有優(yōu)異的電子輸運(yùn)性能和能帶結(jié)構(gòu)，常用于制造半導(dǎo)體器件，如光電器件和功率器件等。砷化鎵的禁帶寬度較小，使得它在電子和光學(xué)應(yīng)用中具有重要的地位。
2023-07-03 16:07:0810908 眾所周知，鎵、鍺是半導(dǎo)體應(yīng)用中非常重要的材料。
2023-07-06 10:05:1915092 以氮化鎵（GaN）為代表的一系列具有纖鋅礦結(jié)構(gòu)的氮化物半導(dǎo)體是直接帶隙半導(dǎo)體材料，其組成的二元混晶或三元混晶在室溫下禁帶寬度從0.7 eV到6.28 eV連續(xù)可調(diào)，是制備藍(lán)綠光波段光電器件的優(yōu)選材料。
2023-08-04 11:47:572103 
在上周的推文中，我們回顧了半導(dǎo)體材料發(fā)展的前兩個(gè)階段：以硅(Si)和鍺(Ge)為代表的第一代和以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)為代表的第二代。（了解更多 - 泛林小課堂 | 半導(dǎo)體材料“家族史”大揭秘（上））
2023-09-14 12:19:112518 半導(dǎo)體，也稱為微芯片或集成電路（IC），通常由硅、鍺或砷化鎵等純元素制成。最常用的半導(dǎo)體材料是硅（Si），但也常用其他材料，例如鍺（Ge）、砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）。其電導(dǎo)率介于絕緣體（如非金屬）和導(dǎo)體（如金屬）之間，其電導(dǎo)率可隨雜質(zhì)、溫度或電場等因素而變化。
2023-10-16 14:02:505316 
盡管有這些優(yōu)點(diǎn)，但是砷化鎵材料仍不能取代硅材料進(jìn)而變成主流的半導(dǎo)體材料。原因在于我們必須要在實(shí)際的材料性能和加工難度這兩個(gè)關(guān)鍵因素之間進(jìn)行權(quán)衡。
2023-11-27 10:09:101364 
氮化鎵半導(dǎo)體和碳化硅半導(dǎo)體是兩種主要的寬禁帶半導(dǎo)體材料，在諸多方面都有明顯的區(qū)別。本文將詳盡、詳實(shí)、細(xì)致地比較這兩種材料的物理特性、制備方法、電學(xué)性能以及應(yīng)用領(lǐng)域等方面的差異。 一、物理特性： 氮化
2023-12-27 14:54:184062 不同。傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體芯片是以硅為基材，采用不同的工藝在硅上加工制造，而氮化鎵半導(dǎo)體芯片則是以氮化鎵為基材，通過化學(xué)氣相沉積、分子束外延等工藝制備。氮化鎵是一種全化合物半導(dǎo)體材料，具有較寬的能隙，電子遷移率高以及較高的飽
2023-12-27 14:58:242956 氮化鎵半導(dǎo)體并不屬于金屬材料，它屬于半導(dǎo)體材料。為了滿足你的要求，我將詳細(xì)介紹氮化鎵半導(dǎo)體的性質(zhì)、制備方法、應(yīng)用領(lǐng)域以及未來發(fā)展方向等方面的內(nèi)容。 氮化鎵半導(dǎo)體的性質(zhì) 氮化鎵（GaN）是一種寬禁帶
2024-01-10 09:27:324486 氮化鎵（GaN）是一種重要的寬禁帶半導(dǎo)體材料，其結(jié)構(gòu)具有許多獨(dú)特的性質(zhì)和應(yīng)用。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵的結(jié)構(gòu)、制備方法、物理性質(zhì)和應(yīng)用領(lǐng)域。 結(jié)構(gòu)： 氮化鎵是由鎵（Ga）和氮（N）元素組成的化合物。它
2024-01-10 10:18:336032 第二代半導(dǎo)體材料以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）為代表。第三代半導(dǎo)體材料主 要包括碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、硒化鋅（ZnSe）等，因其禁帶寬度較大，又被 稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。
2024-01-23 10:06:042219 
首期項(xiàng)目斥資15億人民幣，致力開發(fā)4/6英寸砷化鎵生產(chǎn)線。預(yù)計(jì)在2025年7月開始試運(yùn)行，此階段主要專注于砷化鎵半導(dǎo)體表面發(fā)射型鐳射VCSEL產(chǎn)品的生產(chǎn)，年產(chǎn)量設(shè)置為6萬片。
2024-02-28 16:38:562860 5月9日，河南澠池縣舉行了化合物半導(dǎo)體碳化硅材料與固廢綜合利用砷化鎵襯底項(xiàng)目的簽約儀式。在儀式上，化合物半導(dǎo)體材料團(tuán)隊(duì)執(zhí)行總監(jiān)李有群對該項(xiàng)目做了詳細(xì)介紹。
2024-05-10 16:54:272226 北京順義園內(nèi)的北京銘鎵半導(dǎo)體有限公司在超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵材料的開發(fā)及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)化方面取得了顯著進(jìn)展，其技術(shù)已領(lǐng)先國際同類產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)。
2024-06-05 10:49:071852 氮化鎵（GaN）和砷化鎵（GaAs）都是半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的重要成員，它們在各自的應(yīng)用領(lǐng)域中都展現(xiàn)出了卓越的性能。然而，要判斷哪個(gè)更先進(jìn)，并不是一個(gè)簡單的二元對立問題，因?yàn)樗鼈兊南冗M(jìn)性取決于具體的應(yīng)用場
2024-09-02 11:37:167233 銻化鎵是一種化合物晶體，化學(xué)式為GaSb。它由鎵（Ga）和銻（Sb）兩種元素組成。在半導(dǎo)體材料的研究與應(yīng)用領(lǐng)域中，銻化鎵（GaSb）晶體以其獨(dú)特的電子和光學(xué)性質(zhì)，占據(jù)著重要的地位。這種III-V族
2024-11-27 16:34:512415 
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