最新數(shù)據(jù)顯示，到2016年為止，全球半導體市場規(guī)模與上一年相比增長1.1%，達到3389億美元。預計到2017年將會繼續(xù)保持6.5%的增長速度，達到3610億美元。而這其中個存儲器市場將會以年增長12.8%遠超其他領域，總體市場規(guī)模也將達到866億美元。就半導體產業(yè)的細分市場而言，2017年，增長速度最快的將會是傳感器、模擬和存儲器市場。

JEDEC主席特助和委員會JC63及JC64.8副主席彭安先生彭安先生認為，推動DRAM市場快速發(fā)展的因素在于，大數(shù)據(jù)對于存儲產品的需求，以及手機市場的蓬勃發(fā)展對于低電壓型存儲產品的需求是DRAM市場增長的兩個主要原因。

最新數(shù)據(jù)顯示，到2016年為止，全球半導體市場規(guī)模與上一年相比增長1.1%，達到3389億美元。預計到2017年將會繼續(xù)保持6.5%的增長速度，達到3610億美元。而這其中個存儲器市場將會以年增長12.8%遠超其他領域，總體市場規(guī)模也將達到866億美元。就半導體產業(yè)的細分市場而言，2017年，增長速度最快的將會是傳感器、模擬和存儲器市場。

中國存儲器市場在全球的總份額不超過1%，并且沒有主要的相關技術支持，中國市場將會是全球存儲器企業(yè)的下一個戰(zhàn)場。中國企業(yè)的技術還相對落后，無法滿足市場的需求。中國DRAM和NANDFlash市場隨著手機市場的發(fā)展出現(xiàn)爆發(fā)式增長，即便如此中國的存儲器產品很多都依賴進口，每年中國大約消耗全世界30%左右的存儲器產品，這一市場是非常巨大的。

對于在中國，哪些企業(yè)可以崛起？目前長江存儲的機會最大。中國存儲器市場擁有著完整的產業(yè)鏈、巨大的市場，在中國也有著像長江存儲技術公司，福建晉華和萬億易創(chuàng)新這樣優(yōu)秀的存儲器公司。

長江存儲執(zhí)行長楊士寧

長江存儲執(zhí)行長楊士寧認為，從半導體存儲器技術分類來看，目前DRAM和NAND閃存儲存的總產值占全球存儲器產業(yè)的95%。未來10年，IBS數(shù)據(jù)預計，NAND閃存儲存的需求量還將持續(xù)增長10倍，主要應用在云端運算、智能終端機等領域。尤其大陸市場更有龐大的內在需求。大陸在先進IC的制造領域，大陸市占率為5~10%，同時在人才匯聚、國際合作的機遇和產業(yè)生態(tài)支持方面，大陸正面臨一個最好的時期。

他說，有人說長江存儲跨入此一市場對當前存儲半導體是“打破平衡”，然他卻認為正好相反，不論DRAM或是NAND市場都處于一個并“不平衡”的狀態(tài)，不平衡來自于都集中在一家獨大的公司，集中度越來越高。長江存儲作為新的參考者，正好是要來“平衡”此一狀況。

在正確的時間點，投入必要的領域就能獲得客觀條件的支持。大陸在全球存儲器市場中，擁有55%的市場需求，有強大內需支撐。而從資金方面，國家大基金從資金和政策給予及大支持，就要看第三：人才的縱深。三大縱深：市場、資金、人才，長江存儲三大發(fā)展到位。

楊士寧透露，有許多美國企業(yè)找上門來，希望與長存儲合作。長江存儲將通過自主研發(fā)與國際合作兩者相結合，抓住每一個購并投資的機遇。有好的機會“能購并就購并?！?/p>

以DRAM來中，兩個增加的難度存在，一方面是競爭對手手里仍有大量折舊完的產能存在，2D NAND也是如此。另一方面，現(xiàn)階段DRAM市場的增長需求變得相對緩慢，很難實現(xiàn)經(jīng)濟效益。所以不會再去拚產能，因為在怎么拚也拚不過折舊盡的廠商，發(fā)展DRAM更會選擇機遇尋找購并進一步實現(xiàn)DRAM產能的擴充。
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他指出，至于NAND方面尋找合作研發(fā)愿意聯(lián)合研發(fā)的伙伴。3D NAND不論從物理特性或其架構上都具備成本優(yōu)勢條件，未來10年內，現(xiàn)今所有NAND廠都將轉移到3D NAND建新的廠，所以論每家都面臨同樣的折舊壓力。長江存儲并不擔心，只要全力解決技術問題即可。他強調，長江存儲的目標是“在折舊期內實現(xiàn)盈利。”

據(jù)楊士寧透露，長江存儲32層3D NAND產品進展順利，電氣特性等各項指標非常好。他相當自豪的說，長江存儲預計2018年第1季進設備機臺，這是全球最大一層平面工廠，2019年就要達到產能滿載目標，目前“壓力巨大?！?/p>