DRAM（Dynamic Random Access Memory） 即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，它和 SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)一樣都是常見的系統(tǒng)內(nèi)存，也就是說我們個(gè)人電腦里的內(nèi)存條通常都是DRAM
2020-12-01 15:18:29
6409 
、SDRAM、EDO RAM都屬于DRAM（Dynamic RAM）,即動(dòng)態(tài)內(nèi)存。所有的DRAM基本單位都是由一個(gè)晶體管和一個(gè)電容器組成。請(qǐng)看下圖： [/hide]
2009-10-21 18:27:06
NAND 上面
都是壞塊怎么辦?。縰-boot 上執(zhí)行
nand bad 發(fā)現(xiàn)
nand 上
都是壞塊，下載內(nèi)核時(shí) ，執(zhí)行
nand scan 時(shí)
nand上也
都是壞塊!!難道 u-boot和內(nèi)核的
nand驅(qū)動(dòng)都寫錯(cuò)了？？請(qǐng) 南方大哥 指點(diǎn)一下?。。。?/div>
2019-05-20 03:50:13
最近工程師群里都會(huì)出現(xiàn)一個(gè)CS品牌的SD NAND的存儲(chǔ)芯片，那么很多人的疑問什么是SD NAND？今天就帶大家詳細(xì)的了解一下。SD NAND俗稱貼片式T卡，貼片式TF卡，貼片式SD卡，貼片式內(nèi)存
2019-06-24 17:09:28
` 本帖最后由 島嶼云煙 于 2016-6-14 15:40 編輯
知道USB Type-C的接口是怎么樣的不？就不告訴你！艾瑪，被打了。下面是科普時(shí)間引腳定義點(diǎn)擊看大圖點(diǎn)擊看大圖數(shù)據(jù)傳輸主要有
2016-06-03 17:53:22
您好，請(qǐng)教一下您這個(gè)ADS1294和ADS1298有啥區(qū)別??？還有帶R的和不帶R的有啥區(qū)別??？我看用的都是一個(gè)手冊(cè)。順便再問一下您，ADS1291和ADS1292有啥區(qū)別啊
2024-12-25 06:31:38
親愛的FPGA專家，美好的一天！有人可以告訴我BRAM，DRAM和DMA之間的區(qū)別嗎？在什么特定情況下，每個(gè)適合使用？我們正在使用xilinx zedboard設(shè)備。非常感謝你。最好的祝福，格倫以上
2019-04-29 10:24:38
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:01 編輯
EEPROM、EPROM、FLASH、SRAM、DRAM、SDRAM的區(qū)別.
2012-12-20 15:19:20
。===========================================ARM的nor flash與nand flash啟動(dòng)過程區(qū)別B，s3c2440啟動(dòng)過程詳解1:地址空間的分配2:開發(fā)板上一般都用SDRAM做內(nèi)存，flash（nor
2018-03-12 10:19:26
ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH的區(qū)別
2021-02-05 06:11:16
都是在掉電之后就丟失數(shù)據(jù)，典型的RAM就是計(jì)算機(jī)的內(nèi)存。RAM有兩大類，一種稱為靜態(tài)RAM（StaticRAM/SRAM），SRAM速度非?？?，是目前讀寫最快的存儲(chǔ)設(shè)備了，但是它也非常昂貴，所以只在要
2015-11-04 10:09:56
什么是SD NAND？它俗稱貼片式T卡，貼片式TF卡，貼片式SD卡，貼片式內(nèi)存卡，貼片式閃存卡，貼片式卡，貼片式U盤，貼片式UDP等等。雖然SD NAND 和TF卡稱呼上有些類似，但是SD NAND
2022-07-12 16:44:15
固態(tài)硬盤和U盤的區(qū)別，第一，主控算法不一樣，固態(tài)硬盤的速度數(shù)十倍的高于U盤。第二，壽命極大的延長(zhǎng)。第三，可以同時(shí)讀和寫。U盤容易丟失數(shù)據(jù)的原因是因?yàn)閁SB設(shè)備經(jīng)常插拔與不同的主機(jī)之間，不正確的插拔
2019-07-17 04:20:22
eMMC和SSD都是現(xiàn)在市場(chǎng)上主流的NAND Flash，關(guān)于它們之間的聯(lián)系和區(qū)別，有許多關(guān)注存儲(chǔ)行業(yè)的朋友還不了解，宏旺半導(dǎo)體ICMAX根據(jù)多年在存儲(chǔ)行業(yè)的經(jīng)驗(yàn)，給大家科普一下其中的eMMC
2019-06-24 17:04:56
都是在掉電之后就丟失數(shù)據(jù)，典型的RAM就是計(jì)算機(jī)的內(nèi)存。RAM有兩大類，一種稱為靜態(tài)RAM（Static RAM/SRAM），SRAM速度非常快，是目前讀寫最快的存儲(chǔ)設(shè)備了，但是它也非常昂貴，所以只在要
2018-08-09 10:37:07
都是在掉電之后就丟失數(shù)據(jù)，典型的RAM就是計(jì)算機(jī)的內(nèi)存。 RAM有兩大類，一種稱為靜態(tài)RAM（Static RAM/SRAM），SRAM速度非常快，是目前讀寫最快的存儲(chǔ)設(shè)備了，但是它也非常昂貴，所以只
2013-01-04 00:20:57
一般來說DRAM芯片的工作原理，比SRAM要復(fù)雜。這主要是由于DRAM在存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的過程中需要對(duì)于存儲(chǔ)的信息不停的刷新，這就成為了DRAM芯片和SRAM芯片之間的最大區(qū)別。一
2010-07-15 11:40:15
停止供電的時(shí)候仍然可以保持?jǐn)?shù)據(jù)，而RAM通常都是在掉電之后就丟失數(shù)據(jù)，典型的RAM就是計(jì)算機(jī)的內(nèi)存。
1.1 存儲(chǔ)器ROM介紹
rom最初不能編程，出廠什么內(nèi)容就永遠(yuǎn)什么內(nèi)容，不靈活。后來出現(xiàn)了
2023-05-19 15:59:37
固態(tài)硬盤與內(nèi)存條這兩者都是干什么用的呢？固態(tài)硬盤與內(nèi)存條之間有什么區(qū)別呢？固態(tài)硬盤與內(nèi)存條它們之間又有什么聯(lián)系呢？
2021-06-18 07:01:46
，悲劇了！由于我們判定項(xiàng)目是空調(diào)環(huán)境，選擇的都是消費(fèi)級(jí)的固態(tài)硬盤。上機(jī)后，陸續(xù)出現(xiàn)大量的故障，公司的維保人員和成本居高不下，開發(fā)部門更是頭疼的要死。然而我們那點(diǎn)采購量，大公司壓根看不上。后來勉強(qiáng)同意幫我
2019-04-20 23:47:48
新一代電子電氣架構(gòu)下的Arm汽車解決方案中，L3以上的算力提升后 集中式SOC對(duì)于DRAM，NOR FLASH，以及NAND FLASH的需求會(huì)有什么樣的變化？一臺(tái)車的搭載的內(nèi)存DRAM跟現(xiàn)在相比大概會(huì)差了幾倍？
2022-08-30 15:25:27
求DM3730用的NAND+DRAM 的線路和layout
2015-07-17 14:56:53
包括：DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH。DRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（Dynamic RAM），“動(dòng)態(tài)”二字指沒隔一段時(shí)間就會(huì)刷新充電一次，不然內(nèi)部的數(shù)據(jù)就會(huì)消失。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM的基本單元
2019-09-18 09:05:09
傳輸模式區(qū)別： 監(jiān)控硬盤除了有我們普通硬盤的傳輸模式外還增加了一個(gè)全新的模式，叫做不間斷傳輸模式。這種模式的傳輸速度峰值可以達(dá)到65MB/S。是基于硬盤對(duì)視頻流媒體存儲(chǔ)的支持，其穩(wěn)定性更好
2020-11-30 16:33:34
、DRAM和Nand Flash，區(qū)別在于其產(chǎn)品的最終形態(tài)不同，計(jì)算機(jī)內(nèi)部的形態(tài)為CPU+內(nèi)存條+硬盤，而手機(jī)則采用eMMC或eMCP兩種形式：“處理器+eMCP”或“集成了LPDDR的處理器+eMMC
2023-02-17 14:06:29
請(qǐng)問一下，怎么樣去找nand flash 和nor flash 和dram，其實(shí)就是材料的選型，不知道怎么樣找資料，謝謝
2012-04-16 11:28:33
第二部分：DRAM 內(nèi)存模塊的設(shè)計(jì)技術(shù)..............................................................143第一章 SDR 和DDR 內(nèi)存
2008-08-05 11:41:30
0
DIMM DRAM 168線內(nèi)存條
2009-02-12 10:39:121759 內(nèi)存市場(chǎng)日益擴(kuò)大，研調(diào)機(jī)構(gòu) IC Insights 最新報(bào)告預(yù)測(cè)，DRAM 與 NAND 閃存等，未來 5 年年均復(fù)合增長(zhǎng)率（CAGR）可達(dá) 7.3%，產(chǎn)值將從去年的 773 億美元擴(kuò)增至 1，099 億美元。
2017-01-10 11:28:23823 2016年全球PC市場(chǎng)繼續(xù)下滑，除了游戲相關(guān)的硬件之外，活得最滋潤(rùn)的就是DRAM內(nèi)存、NAND閃存了，2016下半年開始的缺貨、漲價(jià)使得相關(guān)廠商的營(yíng)收看漲。作為全球最大的DRAM內(nèi)存及NAND閃存
2017-01-16 10:40:24836 詳解HDD機(jī)械硬盤和SSD固態(tài)硬盤區(qū)別
2017-01-22 13:38:0845 固態(tài)硬盤與普通硬盤的區(qū)別有哪些
2017-09-18 11:30:4711 什么是DRAM？ DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電
2017-10-13 20:02:4610 硬盤是電腦主要的存儲(chǔ)媒介之一，由一個(gè)或者多個(gè)鋁制或者玻璃制的碟片組成。碟片外覆蓋有鐵磁性材料。內(nèi)存是計(jì)算機(jī)中重要的部件之一，它是與CPU進(jìn)行溝通的橋梁。計(jì)算機(jī)中所有程序的運(yùn)行都是在內(nèi)存中進(jìn)行的，因此內(nèi)存的性能對(duì)計(jì)算機(jī)的影響非常大。
2017-12-01 14:56:462507 近一年來了內(nèi)存價(jià)格的起伏不定，準(zhǔn)確的說是水漲船高，明年的市場(chǎng)狀況又將迎來如何的轉(zhuǎn)變。據(jù)悉明年上半年DRAM將持續(xù)吃緊、NAND恐供大于求。
2017-12-25 12:40:341532 NAND閃存芯片是智能手機(jī)、SSD硬盤等行業(yè)中的基礎(chǔ)，也是僅次于DRAM內(nèi)存的第二大存儲(chǔ)芯片，國(guó)內(nèi)的存儲(chǔ)芯片幾乎100%依賴進(jìn)口。好在國(guó)產(chǎn)NAND閃存目前已經(jīng)露出了曙光，紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)正在
2018-05-16 10:06:004167 內(nèi)存指標(biāo)大廠三星和美光釋出今年內(nèi)存市況分析，儲(chǔ)存型閃存（NAND Flash）和DRAM市況不同調(diào) 。三星和美光同指本季NAND價(jià)格持續(xù)下探，但DRAM價(jià)格在服務(wù)器及移動(dòng)設(shè)備、車用等應(yīng)用多元下，價(jià)格將持穩(wěn)到年底。
2018-06-21 18:45:001187 很多購買電腦的同學(xué)仍然還不清楚內(nèi)存和硬盤到底有什么區(qū)別，在電腦里面有什么作用，容易把內(nèi)存當(dāng)硬盤或把硬盤當(dāng)內(nèi)存，下面小編通俗易懂的來給大家講講硬盤跟內(nèi)存有和區(qū)別，在電腦中分別扮演的是什么角色。
2018-06-12 07:08:004746 
隨著移動(dòng)設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的興起，對(duì)于節(jié)能的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存與內(nèi)存技術(shù)需求日益增加。 目前的內(nèi)存技術(shù)以DRAM與NAND閃存為主流，但DRAM的讀寫速度快無法長(zhǎng)時(shí)間儲(chǔ)存數(shù)據(jù)；NAND Flash能保存數(shù)據(jù)， 但讀寫速度不佳。
2018-06-22 11:40:0012610 NOR Flash和NAND Flash作為存儲(chǔ)的兩大細(xì)分領(lǐng)域（另外還有DRAM），目前發(fā)展形勢(shì)一直受到業(yè)界人士關(guān)注。
2018-03-31 08:38:5123827 存儲(chǔ)器芯片領(lǐng)域，主要分為兩類：易失性和非易失性。易失性：斷電以后，存儲(chǔ)器內(nèi)的信息就流失了，例如 DRAM，主要用來做PC機(jī)內(nèi)存(如DDR)和手機(jī)內(nèi)存(如LPDDR)，兩者各占三成。非易失性：斷電以后
2018-04-09 15:45:33113864 根據(jù)Yole 預(yù)測(cè)2018年DRAM價(jià)格將上漲23%，NAND價(jià)格下降15％。
2018-06-28 17:05:016564 
DRAM就是我們一般在用的內(nèi)存，而NAND Flash 閃存，它在做的事情其實(shí)是硬盤。
2018-07-17 17:43:3919729 
硬盤與內(nèi)存的區(qū)別是很大的，這里只談最主要的三點(diǎn)：一、內(nèi)存是計(jì)算機(jī)的工作場(chǎng)所，硬盤用來存放暫時(shí)不用的信息。二、內(nèi)存是半導(dǎo)體材料制作，硬盤是磁性材料制作。三、內(nèi)存中的信息會(huì)隨掉電而丟失，硬盤中的信息可以長(zhǎng)久保存。
2018-08-14 11:48:0213544 日前DRAMeXchange發(fā)表報(bào)告稱Q3季度DRAM內(nèi)存價(jià)格微幅上漲2%，但Q4季度DRAM內(nèi)存價(jià)格下降幾成定局，這也意味著漲了三年的DRAM內(nèi)存價(jià)格終于要下跌了。與內(nèi)存相比，NAND閃存價(jià)格在
2018-09-10 16:26:322157 據(jù)TrendForce旗下的DRAMeXchange發(fā)布的最新報(bào)告顯示，本應(yīng)該是購物旺季的Q4，DRAM芯片和NAND Flash芯片的合約采購價(jià)均呈現(xiàn)疲軟的態(tài)勢(shì)，其中DRAM預(yù)估下滑5％或更多。所以大家所關(guān)心的內(nèi)存和SSD產(chǎn)品在接下來的一段時(shí)間內(nèi)有希望迎來一波降價(jià)浪潮。
2018-10-11 16:12:291048 可能很多人看過很多資料，可還是不是太了解集成電路，說到集成，那么可能大家會(huì)問，到底是什么集成的？什么又是電路呢？小編和大家一起科普一下集成電路是啥？說的不對(duì)的地方，歡迎大家在下方評(píng)論留言。
2018-11-16 10:52:3412901 大家都知道，機(jī)械硬盤和固態(tài)硬盤是現(xiàn)在常見的兩種硬盤類型。以前，電腦最開始的時(shí)候基本都是用的機(jī)械硬盤，而隨著固態(tài)硬盤問世，機(jī)械硬盤的地位也開始動(dòng)搖，尤其是對(duì)于熱愛玩網(wǎng)絡(luò)游戲的朋友而言，他們更加喜歡固態(tài)
2019-01-27 17:17:522130 存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存（SCM）這種RAM能夠像NAND閃存那樣保保存其內(nèi)容，但兼具DRAM的速度，最終將會(huì)取代閃存成為首選的高速存儲(chǔ)介質(zhì)。
2019-01-28 14:23:181033 存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存（SCM）克服了NAND閃存的局限性，因而勢(shì)必會(huì)取而代之。 存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存（SCM）這種RAM能夠像NAND閃存那樣保保存其內(nèi)容，但兼具DRAM的速度，最終將會(huì)取代閃存成為首選的高速存儲(chǔ)介質(zhì)。
2019-05-11 10:47:435407 固態(tài)硬盤相對(duì)與傳統(tǒng)硬盤而言，是電腦五大件中最后一個(gè)和摩爾定律掛鉤的硬件，它內(nèi)部完全由NAND存儲(chǔ)芯片構(gòu)成，通過高低電平和改變晶體管開關(guān)狀態(tài)，以此來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。而傳統(tǒng)硬盤內(nèi)部由盤片構(gòu)成，通過磁頭改寫盤片上的正負(fù)磁極來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。
2019-03-10 10:00:178461 說到內(nèi)存，很多人容易將電腦里面的內(nèi)存條跟內(nèi)存卡之類的混淆，其實(shí)，電腦里面的內(nèi)存跟手機(jī)運(yùn)行內(nèi)存是一樣的，它們都是運(yùn)行內(nèi)存。也可以說內(nèi)存條才是電腦真正的內(nèi)存，而硬盤是電腦的外存，屬于存儲(chǔ)設(shè)備，內(nèi)存決非
2019-03-12 15:23:0810423 DRAM與NAND Flash持續(xù)維持下降走勢(shì)。
2019-07-06 11:38:564189 的手機(jī)內(nèi)存都128G了，你讓我買8G的能做什么？真是大寫的尷尬呀。所以有必要為電腦小白們科普一下內(nèi)存容量和硬盤容量的區(qū)別。
2019-09-14 12:35:0034784 據(jù)韓媒BusinessKorea報(bào)道，市場(chǎng)研究公司預(yù)測(cè)，基于固態(tài)硬盤（SSD）密度和性能提升，明年全球NAND閃存需求將增加，5G通信、人工智能、深度學(xué)習(xí)和虛擬現(xiàn)實(shí)將引領(lǐng)明年全球DRAM和NAND閃存市場(chǎng)的增長(zhǎng)。
2019-12-20 15:18:463856 很多購買電腦的同學(xué)仍然還不清楚內(nèi)存和硬盤到底有什么區(qū)別，在電腦里面有什么作用，容易把內(nèi)存當(dāng)硬盤或把硬盤當(dāng)內(nèi)存，下面小編通俗易懂的來給大家講講硬盤跟內(nèi)存有和區(qū)別，在電腦中分別扮演的是什么角色。
2019-12-22 11:13:5311781 12 月 22 日訊，據(jù)韓媒報(bào)道，市場(chǎng)研究公司預(yù)測(cè)，基于固態(tài)硬盤密度和性能提升，明年全球 NAND 閃存需求將增加，5G 通信、人工智能、深度學(xué)習(xí)和虛擬現(xiàn)實(shí)將引領(lǐng)明年全球 DRAM 和 NAND 閃存市場(chǎng)的增長(zhǎng)。
2019-12-23 14:13:44976 今天我們來聊一聊固態(tài)硬盤和機(jī)械硬盤的，在固態(tài)硬盤誕生之前，我們使用的都是機(jī)械硬盤，很多朋友搞不清楚這兩兄弟的區(qū)別和他們優(yōu)劣性。
2020-03-21 11:00:2110465 內(nèi)存條對(duì)于電腦來說是至關(guān)重要的。隨著電腦技術(shù)的飛速發(fā)展，SSD固態(tài)硬盤也越來越普遍，那么內(nèi)存條和固態(tài)硬盤區(qū)別有什么？下面就為大家詳細(xì)介紹一下兩者之間的區(qū)別。
2020-05-25 10:12:5716409 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器已經(jīng)得到了廣泛的應(yīng)用，其中DRAM和SRAM是兩種常見形態(tài)的存儲(chǔ)器。DRAM的特點(diǎn)是需要定時(shí)刷新，才可以保存數(shù)據(jù)，SRAM只要存入數(shù)據(jù)了，不刷新也不會(huì)丟掉數(shù)據(jù)。DRAM和SRAM各有各的優(yōu)勢(shì)及不足，本文探討的DRAM和NAND當(dāng)前面臨的技術(shù)挑戰(zhàn)及發(fā)展前景。
2020-07-22 14:04:192373 DRAM是目前常見的存儲(chǔ)之一，但DRAM并非唯一存儲(chǔ)器件，NAND也是存儲(chǔ)設(shè)備。那么DRAM和NAND之間有什么區(qū)別呢？DRAM和NAND的工作原理分別是什么呢？如果你對(duì)DRAM和NAND具有興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
2020-10-31 11:51:2552915 
市場(chǎng)跟蹤數(shù)據(jù)顯示，DRAM和NAND閃存相關(guān)產(chǎn)品在10月份的價(jià)格暴跌，韓國(guó)科技媒體THE ELEC指出，出現(xiàn)這一現(xiàn)象的原因可能在于美國(guó)對(duì)華為的制裁生效。
2020-11-02 17:26:252697 日前，DRAMeXchange集邦科技公布了11月結(jié)束后DRAM內(nèi)存芯片和NAND閃存芯片的價(jià)格情況。
2020-12-02 09:51:262336 
很多電腦小白還會(huì)有疑問，就是內(nèi)存跟硬盤到底有什么區(qū)別？為什么同樣是300塊錢，買內(nèi)存只能買到8GB容量的，而硬盤能買到250GB以上的。 內(nèi)存又被稱為內(nèi)部存儲(chǔ)器，你可以把它理解成為硬盤數(shù)據(jù)跟CPU
2021-01-04 14:34:386321 緩存，大家都知道DDR內(nèi)存的帶寬遠(yuǎn)高于閃存，都是數(shù)GB/s甚至數(shù)十GB/s的，可以大幅提升SSD的讀寫速度。 但是另一方面，使用DRAM內(nèi)存做緩存的SSD也面臨著成本增加的問題，通常SSD中70-75
2021-01-26 11:31:302764 上周，美光科技調(diào)升了公司二季度營(yíng)收和利潤(rùn)的預(yù)期。而高盛分析師注意到，可以從調(diào)研分析預(yù)測(cè)當(dāng)前和未來幾個(gè)季度的NAND和DRAM市場(chǎng)狀況。
2021-03-08 14:50:173503 Flash Memory是一種非易失性的存儲(chǔ)器。在嵌入式系統(tǒng)中通常用于存放系統(tǒng)、應(yīng)用和數(shù)據(jù)等。在PC系統(tǒng)中，則主要用在固態(tài)硬盤以及主板BIOS中。絕大部分的U盤、SDCard等移動(dòng)存儲(chǔ)設(shè)備也都是
2022-01-25 17:25:1262317 
自旋轉(zhuǎn)移扭矩隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（STT-RAM）技術(shù)希望用其下一代MRAM取代DRAM，最終取代NAND。它結(jié)合了DRAM的成本優(yōu)勢(shì)，SRAM的快速讀寫性能以...
2022-01-26 18:32:390 【C語言進(jìn)階】“數(shù)組指針”和“指針數(shù)組”都是啥跟啥？
2022-08-31 13:21:592625 在定義方面它們有本質(zhì)的區(qū)別，硬盤屬于“ 非易失性存儲(chǔ)器”，而內(nèi)存是“隨機(jī)存取存儲(chǔ)器”，屬于“易失性存儲(chǔ)設(shè)備“。
2023-05-17 15:40:193918 內(nèi)存和外存是計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)的兩種不同形式，兩者雖然都是存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的方式，但是卻有許多區(qū)別。本文將從定義、結(jié)構(gòu)、速度、容量、使用、價(jià)格等方面探討內(nèi)存與外存的關(guān)鍵區(qū)別。
2023-06-10 15:06:0011288 閃存存儲(chǔ)設(shè)備：NAND芯片作為主要的閃存存儲(chǔ)媒介，被廣泛用于固態(tài)硬盤（SSD）、USB閃存驅(qū)動(dòng)器、內(nèi)存卡（如SD卡、MicroSD卡）和閃存盤等。
2023-06-28 16:25:4912803 相對(duì)于傳統(tǒng)機(jī)械硬盤，固態(tài)硬盤采用了閃存存儲(chǔ)技術(shù)，具有更高的數(shù)據(jù)訪問速度、更低的能耗、更小的體積和更好的抗震性能。其中，Nand Flash 技術(shù)的發(fā)展使得固態(tài)硬盤成為了相對(duì)便宜和可靠的存儲(chǔ)解決方案之一。
2023-07-05 15:37:075295 內(nèi)存芯片在驅(qū)動(dòng)ic市場(chǎng)和ic技術(shù)發(fā)展方面發(fā)揮了重要作用。市場(chǎng)上兩個(gè)主要的內(nèi)存產(chǎn)品分別是DRAM和NAND。
2023-09-01 09:43:0910429 
NAND Flash是一種非易失存儲(chǔ)器，也就是掉電不丟失類型，現(xiàn)在我們常見的存儲(chǔ)設(shè)備基本都是NAND Flash，比如U盤、固態(tài)硬盤，手機(jī)存儲(chǔ)等等，電腦傳統(tǒng)硬盤除外。
2023-09-11 14:48:232558 
單片機(jī)IO配置不同速度有啥區(qū)別？
2023-10-25 16:42:531603 
據(jù)消息人士透露，nand閃存價(jià)格從第三季度初的最低點(diǎn)開始逐漸反彈，到目前為止已經(jīng)上漲了10%以上。他表示：“nand價(jià)格上漲將為dram價(jià)格上漲營(yíng)造有利的市場(chǎng)氛圍。存儲(chǔ)器模塊制造企業(yè)正在密切關(guān)注dram價(jià)格反彈的時(shí)間。
2023-09-20 10:19:501370 從2024年第四季度開始，DRAM和NAND閃存的價(jià)格將全面上漲，這已經(jīng)導(dǎo)致國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器下游企業(yè)的閃存采購成本上漲了近20%，而內(nèi)存采購成本上漲了約30%。
2023-10-17 17:13:492193 門。盡管它們都是用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的，但在構(gòu)造、功能、性能和應(yīng)用方面存在很多區(qū)別。 首先，DRAM和NAND的構(gòu)造方式不同。DRAM是由一個(gè)個(gè)存儲(chǔ)單元組成的，每個(gè)存儲(chǔ)單元由一個(gè)電容和一個(gè)開關(guān)組成。在讀寫數(shù)據(jù)
2023-12-08 10:32:0011547 移動(dòng)硬盤和固態(tài)硬盤的區(qū)別？ 移動(dòng)硬盤和固態(tài)硬盤（SSD）是現(xiàn)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中常見的存儲(chǔ)設(shè)備。雖然它們都可用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，但在其內(nèi)部構(gòu)造和性能方面存在很大區(qū)別。本文將詳細(xì)介紹移動(dòng)硬盤和固態(tài)硬盤之間的區(qū)別
2023-12-11 10:40:498172 什么是SD NAND？它俗稱貼片式T卡，貼片式TF卡，貼片式SD卡，貼片式內(nèi)存卡，貼片式閃存卡，貼片式卡...等等。雖然SD NAND 和TF卡稱呼上有些類似，但是SD NAND和TF卡有著本質(zhì)上的區(qū)別。
2024-01-06 14:35:573344 
固態(tài)硬盤（SSD）和機(jī)械硬盤（HDD）是兩種不同類型的存儲(chǔ)設(shè)備，它們?cè)诩夹g(shù)原理、速度、可靠性、功耗、噪音等方面有著相當(dāng)大的區(qū)別。在本文中，將詳細(xì)介紹固態(tài)硬盤和機(jī)械硬盤的特點(diǎn)和區(qū)別。 一、技術(shù)
2024-01-18 09:43:564370 首先來看DRAM內(nèi)存，TrendForce原本預(yù)測(cè)2024年第二季度的合約價(jià)會(huì)上漲3~8%，現(xiàn)在已調(diào)整為13~18%。至于NAND閃存，原預(yù)測(cè)漲幅為13~18%，現(xiàn)已調(diào)整至15~20%，其中eMMC/UFS的漲幅相對(duì)較小，為10%。
2024-05-07 15:56:17922 在DRAM和NAND芯片的生產(chǎn)上，三星和SK海力士?jī)纱缶揞^依然保持謹(jǐn)慎態(tài)度。盡管四月份8Gb DDR4 DRAM通用內(nèi)存的合約價(jià)環(huán)比上漲，這一上漲主要?dú)w因于地震影響美光內(nèi)存產(chǎn)能，進(jìn)而推動(dòng)了通用內(nèi)存需求的短暫上升。
2024-05-22 14:54:491035 據(jù)集邦咨詢最新報(bào)告，全球DRAM內(nèi)存與NAND閃存市場(chǎng)正迎來前所未有的繁榮期。受市場(chǎng)需求強(qiáng)勁增長(zhǎng)、供需結(jié)構(gòu)持續(xù)優(yōu)化、價(jià)格顯著上揚(yáng)以及HBM（高帶寬內(nèi)存）技術(shù)興起的共同驅(qū)動(dòng)，兩大存儲(chǔ)芯片行業(yè)預(yù)計(jì)在2024年將實(shí)現(xiàn)爆炸性增長(zhǎng)。
2024-08-01 17:45:581290 、耐用性等方面具有顯著優(yōu)勢(shì)。SSD由控制單元和存儲(chǔ)單元（FLASH芯片、DRAM芯片）組成，其存儲(chǔ)介質(zhì)主要包括NAND閃存和DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）兩種。
2024-08-13 14:38:029028 近期，DRAM和NAND存儲(chǔ)行業(yè)再次遭遇消費(fèi)者需求下滑的沖擊，導(dǎo)致存儲(chǔ)合約價(jià)格在短短一個(gè)月內(nèi)出現(xiàn)大幅下跌。據(jù)分析公司DRAMeXchange的數(shù)據(jù)顯示，DRAM價(jià)格尤其受到重創(chuàng)，近一個(gè)月內(nèi)下跌近20%。
2024-10-09 17:08:431189 SATA硬盤與SSD的區(qū)別 1. 存儲(chǔ)介質(zhì) SATA硬盤 ：通常指的是機(jī)械硬盤（HDD），使用磁碟和讀寫頭來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在磁盤的磁性區(qū)域上，通過讀寫頭的移動(dòng)來訪問。 SSD ：使用閃存
2024-12-19 14:35:159214 近日，根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布的內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格趨勢(shì)報(bào)告，DRAM和NAND閃存市場(chǎng)近期呈現(xiàn)出截然不同的表現(xiàn)。 在DRAM方面，消費(fèi)者需求在春節(jié)過后依然沒有顯著回暖，市場(chǎng)呈現(xiàn)出疲軟態(tài)勢(shì)
2025-02-07 17:08:291018 TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布的內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格趨勢(shì)報(bào)告顯示，DRAM和NAND閃存市場(chǎng)近期呈現(xiàn)出不同的態(tài)勢(shì)。
2025-02-08 16:41:02930 
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