受惠于全球智能手機的持續(xù)熱銷，DRAM產業(yè)在過去的一年獲利頗豐，TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange預估 2015年的DRAM總產值將達512億美元規(guī)模，年成長為12%，為市場穩(wěn)定增長獲利的一年。其中，2014年移動內存占整體DRAM產出的 36%，2015年將有機會突破40%大關。2015年第一季度，受DRAM合約均價下跌影響，加上筆記本電腦市場與智能手機步入傳統(tǒng)淡季，因此全球DRAM產業(yè)第一季總產值衰退達7.5%，營收僅120億美元。進入第二季度，***兩大DRAM廠南亞科和華亞科均保守預期，認為DRAM售價可能繼續(xù)下滑。華亞科財務長沈道邦認為：“Q2移動 DRAM價格將緩跌，平均銷售價格可能比Q1更差?！眮碜阅蟻喛瀑Y深副總李培瑛表示：“預期需求依然熱絡，相比Q1的微幅供過于求，Q2的DRAM整體市場將恢復平穩(wěn)，第三季度供不應求缺口不排除擴大，全年來看還是小幅供不應求?！?/p>

　　2015年Q1全球DRAM廠自有品牌

　　DRAM產業(yè)走過了景氣谷底，加上需求的持續(xù)保障，DRAM廠重新開始考慮建廠，從去年下半年開始陸續(xù)啟動擴建新廠，各家產能競賽再起，并穩(wěn)步升級工藝。今年以來，中國政府積極扶持自有DRAM產業(yè)，各項政策與收購動作浮上臺面，攪局這一競爭格局相當穩(wěn)定的市場。

　　韓臺廠商陸續(xù)擴產升級工藝

　　三星與SK海力士不約而同在2014年宣布擴建新廠的消息，產能競賽再起的傳聞甚囂塵上。但事實上，三星與SK海力士都將依據市場需求動態(tài)調整產能，三星在擴建Line17的同時，Line16DRAM產能已悄悄縮減并歸還給NAND事業(yè)部使用。而SK海力士M14預計在明年第四季才有少量投片，較大規(guī)模的投片將在2016年才會浮現(xiàn)。美光也啟動***R2廠部分空間。臺資廠商的產能擴充相對謹慎，擴廠步伐步步為營，以避免過去失控性擴張。南亞科總經理高啟全強調，此次投資400億元臺幣建廠，只是為了月產能維持在6萬片規(guī)模，原先構想將5~6萬片都升級到20nm，但是資金需求量劇增至600億臺幣而將投資規(guī)模縮減。華亞科也啟動美亞廠，維持現(xiàn)有產量。

　　DRAM廠的工藝升級與產品比重分配，也將影響供需、價格。韓系DRAM廠25nm工藝在2014年下半年已邁入成熟期，無論良率與投片規(guī)模都成為 DRAM主流規(guī)格。至于20nm工藝，三星已進入驗證階段，良率表現(xiàn)穩(wěn)健，預計年末產出比例將逼近60%，仍是DRAM廠中的技術領先者。SK海力士預計在明年第二季初進入市場，營收雖然受到價格下滑而減少，但工藝升級25nm所帶來成本降低，依然讓SK海力士有著穩(wěn)健的獲利。美光集團因為不少產能比重還在30nm工藝以下，20nm工藝升級也不如預期。

　　臺系廠商部分，南亞科目前在30nm微縮工藝順利導入，預計產出年末將超過50%，成本下降同時預計獲利也會持穩(wěn)，20nm工藝預計明年才有機會導入量產行列。力晶受到標準型內存價格下滑影響，營收衰退7.9%，但25nm工藝已進入試產階段，最快年末可以導入量產。華邦由于無標準型內存產品產出，多以利基型內存與移動內存為主，加上整體產能量滿載，營收僅小幅衰退1.3%。此外，在智能手機市場不斷擴大的同時，2015年移動內存市占也逼近全球市場的40%，相較于標準型內存27%的占比，移動內存已躍升全球DRAM 市場主流產品。從移動內存做觀察，2015年主流規(guī)格仍是LPDDR3，產出量達60%以上，而新規(guī)格LPDDR4將首度應用在旗艦智能手機機種，無論省電機制與頻率更勝LPDDR3，預計2015年市占率將達到15%。

　　中國踏上自有DRAM之路

　　三星半導體與SK海力士今年第一季度自有品牌內存市占率各為43%與27%，韓系廠商合計穩(wěn)占全球市場七成市占，而美系廠商掌握將近22.5%，臺系廠商瓜分剩余的5.4%。目前，三巨頭壟斷格局未改，市占率的餅圖分布輕易不會改變，除非有新競爭者加入。與此同時，DRAMeXchange統(tǒng)計顯示，2014年中國市場的DRAM消化量金額為102億美金，占全球營業(yè)額約20%。其中移動內存在中國的營業(yè)額更達到56億美金，占中國市場總金額的55%;標準型內存與服務器內存也都分占中國DRAM的19%與11%。而中國筆記本電腦出貨達2500萬臺，占全球14%;桌面計算機亦有3200萬臺，占全球25%，也顯示出中國市場強勁的消費潛力。DRAMeXchange指出，中國DRAM市場規(guī)模已達二座100K投片規(guī)模的半導體廠，往后的電子產品對內存的需求只會越來越大，潛在產值超過百億美元之上。

　　2014內存產品在中國市場的份額

　　中國此刻正積極發(fā)展自有半導體產業(yè)，意圖攪局DRAM產業(yè)。今年3月，中國武岳峰資本宣布以6.4億美元并購在美國上市的芯成半導體。此并購案雖為中國武岳峰資本主導，但尚包含eTownMemTekLtd.、清芯華創(chuàng)和華清基業(yè)，同時也與具官方色彩的上海市創(chuàng)業(yè)引導基金有合作，其中清芯華創(chuàng)也代表北京集成電路產業(yè)基金。因此，此次收購意味著上海與北京二大基金的合作，加上去年近期中國官方正式宣布了金額高達1200億人民幣的半導體政策，中國政府已在整合技術能量，往完整的DRAM之路積極邁進。國政府還與***DRAM業(yè)者洽談合作機會，希望能藉由整合技術、人力并與國際接軌的優(yōu)勢，并結合中國市場規(guī)模與***生產技術，大幅降低每年中國市場DRAM的入超現(xiàn)狀。據悉，目前有六個地方政府積極爭取設立DRAM廠，而中國中央政府將會選出其中一個地方政府設廠，整合上游廠商發(fā)展出具中國自有的技術并綁定中、下游的產業(yè)結構成為一條龍的供應鏈，形成群聚效應。

　　不過，面對中國進軍DRAM市場的雄心，***DRAM雙雄雙雙指出，由于欠缺關鍵技術，“未來五到十年，不會對***造成威脅?！比A亞科的沈道邦表示，“DRAM產業(yè)仰賴資金、人才與技術，目前技術都握在三大巨頭手上，分別是三星、海力士及美光，大陸的DRAM發(fā)展藍圖尚不明確，但從零開始，至少得花五到十年?！蹦蟻喛频睦钆噻舱J為，高技術門檻帶來了較高的難度，“唯一變數(shù)是，若三大廠愿意技術轉讓，并且提供蓋廠、工藝到驗證等支持，三年后就必須小心?！崩钆噻^續(xù)表示，南亞科的應對之道是改善產品組合、成本，舉例來說，30nm微縮產品今年首季占總產出五分之一，下半年將增至一半，未來升級 20nm技術，產品組合將更多元。