(文章來源:電子信息產(chǎn)業(yè)網(wǎng))
在存儲器技術(shù)繼續(xù)延續(xù)摩爾定律發(fā)展的同時,以新材料、新結(jié)構(gòu)、新器件為特點的超越摩爾定律為存儲器產(chǎn)業(yè)提供了新的發(fā)展方向。三維異質(zhì)器件系統(tǒng)集成成為發(fā)展趨勢,三星、鎂光、英特爾、海力士等企業(yè)在三維器件制造與封裝領(lǐng)域發(fā)展迅速。
英特爾聯(lián)合鎂光推出革命性的3D Xpoint新技術(shù);三星實現(xiàn)多層3D NAND閃存,成為存儲領(lǐng)域的顛覆性產(chǎn)品。海力士采用超均一垂直植入技術(shù)、高信賴多層薄膜構(gòu)成技術(shù)、超高速低電力線路設(shè)計等技術(shù),首次實現(xiàn)了128層堆棧4D NAND。
隨著市場需求的多樣化以及因工藝的限制及功耗的考慮,存儲器產(chǎn)業(yè)已進入一個必須評估及發(fā)展替代技術(shù)的時代,特別是開發(fā)出可以同時實現(xiàn)穩(wěn)定性和快速、低壓(低能量)的新型存儲器。經(jīng)過數(shù)十年的研發(fā),磁性存儲器(MRAM)、相變存儲器(PCRAM)和電阻式存儲器(ReRAM)等新型存儲器即將在不遠的未來投入商業(yè)化應用。
MRAM具備隨機讀寫速度快、非易失性和低功耗等眾多優(yōu)點,未來將成為物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的首選存儲器。ReRAM技術(shù)有多種實現(xiàn)形式,其特色在于即使擁有超高密度,仍能達到極小的平均讀取電流。PCRAM以熱量作為編程機制將高度非晶態(tài)的材料排列轉(zhuǎn)變?yōu)榫w排列,所以在使用過程中即使斷電,這種狀態(tài)也不會消失,同時還可以實現(xiàn)很快的擦寫速度。
? ? ? ?總之,DRAM、閃存等主流存儲器用了幾十年才走向成熟,而且仍在不斷發(fā)展。然而,這些存儲器的演進愈發(fā)困難,特別是性能、功率和成本方面。新興存儲器有望實現(xiàn)更高的性能、更低的功耗和更低的成本,是首選的補充方案,在某些情況下甚至可以替代當今的主流技術(shù)。
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