富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司今日宣布其低功耗鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器FRAM又添小封裝成員－SON-8封裝的MB85RC16。富士通的MB85RC16提供標(biāo)準(zhǔn)封裝SOP-8，SON-8是為該產(chǎn)品添加的新型封裝。
2012-11-27 10:00:23
6719 打造更先進(jìn)的功能，例如高級(jí)輔助駕駛系統(tǒng) (ADAS) 這類任務(wù)關(guān)鍵型功能。 為確保這些系統(tǒng)安全可靠地運(yùn)行，設(shè)計(jì)人員需要深入研究先進(jìn)的鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (F-RAM)，作為要求可靠性高、功耗低且比當(dāng)前 NVM 解決方案速度更快的低功耗汽車級(jí) NVM
2019-07-29 10:49:292115 
flash存儲(chǔ)轉(zhuǎn)換成鐵電存儲(chǔ),應(yīng)該怎么改代碼？需要注意哪些？
2023-01-29 10:56:32
鐵電存儲(chǔ)器FRAM是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，它將動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM的快速讀取和寫入訪問——它是個(gè)人電腦存儲(chǔ)中最常用的類型——與在電源關(guān)掉后保留數(shù)據(jù)能力（就像其他穩(wěn)定的存儲(chǔ)設(shè)備一樣，如只讀存儲(chǔ)器
2020-05-07 15:56:37
本帖最后由 skysoon33958085 于 2014-4-25 11:34 編輯
來源:與非網(wǎng) 摘要:鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)以其非揮發(fā)性,讀寫速度塊, 擦寫次數(shù)多,和低功耗等特點(diǎn)被廣泛應(yīng)用
2014-04-25 11:05:59
)、EEPROM和Flash。這些存儲(chǔ)器不僅寫入速度慢，而且只能有限次的擦寫，寫入時(shí)功耗大。鐵電存儲(chǔ)器能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術(shù)一樣，是一種非易失性的存儲(chǔ)器。鐵電存儲(chǔ)器在這兩類存儲(chǔ)類型間搭起了一座
2011-11-19 11:53:09
)、EEPROM和Flash。這些存儲(chǔ)器不僅寫入速度慢，而且只能有限次的擦寫，寫入時(shí)功耗大。鐵電存儲(chǔ)器能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術(shù)一樣，是一種非易失性的存儲(chǔ)器。鐵電存儲(chǔ)器在這兩類存儲(chǔ)類型間搭起了一座
2011-11-21 10:49:57
摘要：介紹鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）的一般要領(lǐng)和基本原理，詳細(xì)分析其讀寫操作過程及時(shí)序。將FRAM與其它存儲(chǔ)器進(jìn)行比較，分析在不同場(chǎng)合中各自的優(yōu)缺點(diǎn)。最后以FM1808為例說明并行FPGA與8051系列
2014-04-25 13:46:28
的非易失性存儲(chǔ)器，既可以進(jìn)行非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，又可以像RAM一樣操作。
本文將借助飛凌嵌入式OK3568-C開發(fā)板來為大家介紹一種采用FRAM的方案——使用SPI0掛載PB85RS2MC (FRAM
2023-10-19 09:28:15
我們公司是代理富士通鐵電存儲(chǔ)器FRAM，單片機(jī)和華邦的FLASH。因?yàn)閯傞_始接觸到這一塊，只大概了解是用在電表，工業(yè)設(shè)備等產(chǎn)品上。但是曾找了很多這種類型的客戶，都普遍很少用，只是有一些對(duì)產(chǎn)品性能要求
2014-03-13 10:00:54
富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司供稿鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器（FRAM） RFID由于存儲(chǔ)容量大、擦寫速度快一直被用作數(shù)據(jù)載體標(biāo)簽。內(nèi)置的串行接口可將傳感器與RFID連接在一起，從而豐富了RFID應(yīng)用。
2019-07-26 07:31:26
總線速度寫入而無須任何寫等待時(shí)間；●超低功耗。這種鐵電存儲(chǔ)器ＦＲＡＭ克服了以往ＥＥＰＲＯＭ和ＦＬＡＳＨ寫入時(shí)間長(zhǎng)、擦寫次數(shù)少的缺點(diǎn)，其價(jià)格又比相同容量的不揮發(fā)鋰電ＮＶ－ＳＲＡＭ低很多，因而可廣泛
2019-04-28 09:57:17
proteus 可以仿真鐵電存儲(chǔ)器FM25640嗎？或者直接用哪兒器件可以替代仿真嗎？
2015-07-27 17:24:15
集成鐵電存儲(chǔ)器的MCU，由于在MCU上集成了鐵電存儲(chǔ)器，該產(chǎn)品數(shù)據(jù)寫入速度比基于閃存和EEPROM的MCU快100倍,功耗降低250倍。它還可在所有的電源模式中提供數(shù)據(jù)保存功能、支持超過100萬億次
2021-11-10 08:28:08
介紹鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)的一般要領(lǐng)和基本原理，詳細(xì)分析其讀寫操作過程及時(shí)序。將FRAM與其它存儲(chǔ)器進(jìn)行比較，分析在不同場(chǎng)合中各自的優(yōu)缺點(diǎn)。最后以FM1808 為例說明并行FRAM 與8051
2009-04-15 09:48:25
66 鐵電存儲(chǔ)器FRAM 是具有低功耗、高寫入速度、高耐久力的新型非易失性存儲(chǔ)器，應(yīng)用范圍廣泛。本文介紹FRAM 及其應(yīng)用， 并給出FRAM 與MCS-51 單片機(jī)的接口電路和軟件設(shè)計(jì)。
2009-05-13 16:25:4525 介紹鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)的一般要領(lǐng)和基本原理，詳細(xì)分析其讀寫操作過程及時(shí)序。將FRAM與其它存儲(chǔ)器進(jìn)行比較，分析在不同場(chǎng)合中各自的優(yōu)缺點(diǎn)。最后以FM1808 為例說明并行FRAM 與8051
2009-05-16 14:19:5310 該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:08:13
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:13:33
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)
2023-11-27 16:37:59
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-11-27 16:41:47
鐵電存儲(chǔ)器FRAM詳解:
鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）產(chǎn)品將ROM的非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)特性和RAM的無限次讀寫、高速讀寫
2008-01-30 09:13:505083 
鐵電存儲(chǔ)器工作原理和器件結(jié)構(gòu)
?
1 鐵電存儲(chǔ)器簡(jiǎn)介
隨著IT技術(shù)的不斷發(fā)展，對(duì)于非易失性存儲(chǔ)器的需求越來越大，讀寫速度
2009-10-25 09:59:5013010 
FM25L256是由RAMTRON生產(chǎn)，以鐵電存儲(chǔ)介質(zhì)的256Kb（32K字節(jié)）串行3V非易失性存儲(chǔ)器，采用SPI總線控制，構(gòu)成的系統(tǒng)具有簡(jiǎn)單，占用硬件資源少，存取快速的特點(diǎn)。同時(shí)，由于鐵電存儲(chǔ)器（以下簡(jiǎn)稱FRAM）有著固有的優(yōu)勢(shì)，因此，可用于高可靠場(chǎng)合信息存儲(chǔ)設(shè)備。
2017-11-03 17:26:3822 的 MB85R2001和MB85R2002具有非易失性存儲(chǔ)器，具有高速數(shù)據(jù)寫入，低功耗和提供大量寫入周期的能力。 框圖 MB85R2001和MB85R2002 F
2020-06-28 16:04:161246 FRAM是一種鐵電存儲(chǔ)器，它使用鐵電膜作為電容來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，即使數(shù)據(jù)沒有電源也可以保存。采用鐵電薄膜作為電容器來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。具有ROM和RAM特性的FRAM在高速讀寫，高讀寫耐久性，低功耗，防篡改等方面
2020-09-27 14:32:312219 富士通型號(hào)MB85RS2MTA是采用262144字x8位的鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片，使用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)來形成非易失性存儲(chǔ)單元。能夠保持?jǐn)?shù)據(jù)，而無需使用SRAM所需的備用
2021-05-04 10:13:001522 
富士通FRAM（鐵電RAM）是新一代非易失性存儲(chǔ)器，性能優(yōu)于 E2PROM 和閃存等現(xiàn)有存儲(chǔ)器，功耗更低，速度更快和耐多次讀寫操作。FRAM是非易失性的，但在ram等其他方面運(yùn)行。這種突破性的存儲(chǔ)
2021-06-28 15:52:462230 
集成鐵電存儲(chǔ)器的MCU，由于在MCU上集成了鐵電存儲(chǔ)器，該產(chǎn)品數(shù)據(jù)寫入速度比基于閃存和EEPROM的MCU快100倍,功耗降低250倍。它還可在所有的電源模式中提供數(shù)據(jù)保存功能、支持超過100萬億次
2021-11-05 17:35:5918 的功耗。鐵電存儲(chǔ)器是一種具有高讀寫耐久性和快速寫入速度，功耗低等優(yōu)點(diǎn)的高性能和高可靠性存儲(chǔ)器。 本篇文章鐵電存儲(chǔ)器代理商英尚微電子介紹關(guān)于使用其他存儲(chǔ)芯片的常見問題和解決方案。 狀態(tài)：使用EEPROM 問題：由于寫耐久性規(guī)范的限制，難以更頻
2021-11-11 16:24:092080 拍字節(jié)VFRAM新型3D鐵電存儲(chǔ)器PB85RS128C適用于便攜式醫(yī)療刺激系統(tǒng)
2022-08-27 16:03:522081 鐵電存儲(chǔ)器稱FRAM或FeRAM，F(xiàn)RAM采用鐵電晶體材料作為存儲(chǔ)介質(zhì)，利用鐵電晶體材料電壓與電流關(guān)系具有特征滯后回路的特點(diǎn)來實(shí)現(xiàn)信息存儲(chǔ)。 ?? FRAM結(jié)構(gòu)圖 FRAM技術(shù)特點(diǎn)： 非易失性：斷電
2022-11-10 17:00:143282 
在基于LORA的采集系統(tǒng)中，先通過傳感器采集信息，并將信息進(jìn)行放大等調(diào)理后，傳輸?shù)街骺豈CU，最后主控MCU通過LORA的無線傳輸方式傳輸?shù)胶蠖耍?b class="flag-6" style="color: red">拍字節(jié)的容量為128Kb、支持SPI接口的鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（FRAM）設(shè)備PB85RS128就可應(yīng)用其中
2022-12-14 14:51:131015 國(guó)芯思辰接觸的一個(gè)客戶在做座椅控制的相關(guān)產(chǎn)品，需要外掛一個(gè)小的存儲(chǔ)器件用來存儲(chǔ)少量的數(shù)據(jù)。此前該客戶使用進(jìn)口的富士通MB85RS128B，現(xiàn)需要一個(gè)與MB85RS128B功能相符，可相互兼容的國(guó)產(chǎn)器件用作國(guó)產(chǎn)化備選方案
2022-12-20 16:23:041227 PB85RS128鐵電存儲(chǔ)器是不需要備用電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)，和EEPROM、FLASH等傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器相比，具有優(yōu)越的耐高溫、高速寫入、高讀寫耐久性和低功耗性能。
2023-02-03 14:25:321441 無人機(jī)通過高清光學(xué)相機(jī)拍攝視頻、機(jī)載SAR成像系統(tǒng)采集SAR圖像，可以收集到人工原本無法獲得的信息，完成原本無法做到的事，而信息的采集離不開數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)的支持
2023-02-28 09:18:251196 在門禁系統(tǒng)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的方案中，拍字節(jié)PB85RS128具有“高速數(shù)據(jù)擦寫”、“高擦寫耐久性”的特點(diǎn)（100萬次寫入周期、長(zhǎng)達(dá)25年以上的數(shù)據(jù)保存時(shí)效）。
2023-03-01 14:03:55943 PB85RS2MC是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元，對(duì)標(biāo)富士通和賽普拉斯從原料上能做到不含鉛，無污染。
2023-04-20 11:29:57740 鐵電存儲(chǔ)器硬件接線圖傳統(tǒng)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器，讀寫速度較慢，存儲(chǔ)單元反復(fù)擦寫后容易損壞，無法滿足機(jī)艙油氣濃度數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的要求，故此，國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器可快速讀寫，擦寫次數(shù)可達(dá)1E6 次讀/寫操作*1，是本方案最理想的選擇。
2023-05-18 12:39:21675 
PB85RS2MC應(yīng)用框圖 PB85RS2MC芯片為低功耗9微安（待機(jī)），工作電壓2.7伏至3.6伏，可以在-40℃-85℃的溫度范圍內(nèi)工作，芯片的數(shù)據(jù)在85℃工作環(huán)境下可以保存10年，在25℃工作環(huán)境下可以保存200年，且具有防潮、防電擊和抗震等特性，能滿足惡劣的環(huán)境條件。
2023-05-25 10:08:411614 
作為一種非易失性存儲(chǔ)器，鐵電存儲(chǔ)器兼具動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM的高速度與可擦除存儲(chǔ)器EEPROM非易失性優(yōu)點(diǎn)，雖然容量和密度限制了其大規(guī)模應(yīng)用，但在要求高安全性與高可靠性等工業(yè)應(yīng)用場(chǎng)合，鐵電存儲(chǔ)器以幾乎無限的讀寫次數(shù)、超低及高抗干擾能力得到用戶的青睞。
2023-06-01 10:57:52630 
使用國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)芯片PB85RS2MC是一種最理想的選擇。該芯片不但在功能上正好滿足上述要求，而且憑借獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)性能是其它存儲(chǔ)器都無法達(dá)到的。
2023-06-01 10:59:48653 
和耐久性設(shè)計(jì)，這些要求使國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC成為最佳的存儲(chǔ)選擇。PB85RS2MC配置為262,144×8位，是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元，該芯片不需要電池就可以
2023-06-12 14:55:121014 
從辦公室復(fù)印機(jī)、水電表、高檔服務(wù)器到汽車安全氣囊和娛樂設(shè)施，鐵電存儲(chǔ)器不斷改進(jìn)性能，逐漸在世界范圍內(nèi)得到廣泛的應(yīng)用。拍字節(jié)推出的新型3D鐵電存儲(chǔ)器(VFRAM)在在工藝和設(shè)計(jì)上創(chuàng)新性采用3D架構(gòu)
2022-05-06 10:36:321107 
無錫拍字節(jié)科技有限公司自成立以來，一直專注于新型存儲(chǔ)芯片研發(fā)與銷售的高新技術(shù)，尤其是新型3D鐵電存儲(chǔ)器（VFRAM）新材料的研發(fā)，3D架構(gòu)和工藝的創(chuàng)新設(shè)計(jì)以及相關(guān)產(chǎn)品的制造及量產(chǎn)。經(jīng)過不懈的努力，拍
2022-04-29 15:34:082856 信息，容量要求128K，SOP8封裝。這里提到拍字節(jié)VFRAMPB85RS128C（原P95S128KSWSP3TF），PB85RS128C是FRAM（鐵電隨機(jī)存
2022-08-19 14:08:111166 
在諸多工業(yè)、汽車等對(duì)可靠性有高要求的應(yīng)用場(chǎng)景中，通常會(huì)使用FRAM存儲(chǔ)器來儲(chǔ)存系統(tǒng)中的重要信息，這得益于FRAM本身的特性，數(shù)據(jù)保存期限久、耐久性出色、擦寫次數(shù)高，讓FRAM在眾多存儲(chǔ)器件中脫穎而出
2022-09-08 14:25:251210 
藍(lán)牙網(wǎng)關(guān)設(shè)備上，主控自帶的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)往往不夠用，這時(shí)候就需要外掛存儲(chǔ)器進(jìn)行數(shù)據(jù)的非易失性、安全存儲(chǔ)，本文主要提到采用拍字節(jié)的新型3D鐵電存儲(chǔ)器(VFRAM)PB85RS128C在藍(lán)牙網(wǎng)關(guān)設(shè)備中進(jìn)
2022-09-19 14:00:421566 
音頻電話會(huì)議需記錄會(huì)議中的重要信息，所以其用來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)模塊的存儲(chǔ)器要求具有安全、可靠的特性。下圖為音頻電話會(huì)議的簡(jiǎn)略框圖，該方案中存儲(chǔ)模塊采用拍字節(jié)的PB85RS128C，該器件可替換賽普拉斯
2022-09-30 15:36:331237 、128KB容量、低功耗、工作電壓低至2.8V，而且必須是SPI通訊。根據(jù)項(xiàng)目需求，我們提到了拍字節(jié)的PB85RS128C，兼容SPI通信接口，工作電壓2.7V~3.6
2022-10-13 14:29:371332 
，越是對(duì)使用有限制、有要求的場(chǎng)景，就越會(huì)使用FRAM來存儲(chǔ)系統(tǒng)中的重要信息，在一汽車尾門控制器中，就有使用拍字節(jié)的PB85RS128C，本文將詳細(xì)介紹相關(guān)參數(shù)及應(yīng)用
2022-10-18 17:50:291138 
本文簡(jiǎn)述國(guó)產(chǎn)拍字節(jié)鐵電存儲(chǔ)器(VFRAM)應(yīng)用于心率血壓測(cè)量裝置的方案。在全球老齡化趨勢(shì)加重、疫情持續(xù)影響衛(wèi)生系統(tǒng)的時(shí)代背景下，智慧醫(yī)療設(shè)備的應(yīng)用需求越來越廣泛，其中，心率血壓測(cè)量計(jì)作為基礎(chǔ)生物體
2022-10-24 09:35:241138 
字量采樣經(jīng)過ADC和光耦送入CPU進(jìn)行數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)和運(yùn)算。因此，一個(gè)合適的隨機(jī)存儲(chǔ)器必不可少。CPU控制系統(tǒng)圖本文主要提到拍字節(jié)的128Kb鐵電存儲(chǔ)器(VFRAM)PB
2022-10-27 16:12:311388 
進(jìn)行分析、跟蹤等。某工程師需要一個(gè)128K、低功耗的FRAM，本文主要提到的是拍字節(jié)的PB85RS128C，該器件和賽普拉斯FM25V01-G以及富士通MB85RS
2022-11-04 11:18:111264 
C，支持SPI和百萬次讀寫周期，-25℃~60℃的工作溫度范圍。PB85RS128C是拍字節(jié)的一款容量為128Kb的SPI接口FRAM，該鐵電存儲(chǔ)器用于智能照明燈有如
2022-11-17 14:37:321465 
PB85RS128C是國(guó)產(chǎn)128KbFRAM，其運(yùn)行電流為5mA，低功耗模式下電流在10μA以內(nèi)，滿足汽車鑰匙對(duì)存儲(chǔ)器的功耗要求。應(yīng)用優(yōu)勢(shì)：?在供電方面，拍字節(jié)鐵電存儲(chǔ)
2022-11-23 10:25:541343 
舞臺(tái)音響是一種用于舞臺(tái)演出的音響設(shè)備，舞臺(tái)音響通常會(huì)采用外掛小容量的器件來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，因此就要求存儲(chǔ)器具有安全、可靠的特性。下圖為舞臺(tái)音響的原理框圖，在本方案中，存儲(chǔ)采用拍字節(jié)的鐵電存儲(chǔ)器(FRAM
2022-11-25 09:27:521449 
的PB85RS128，該款鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）采用標(biāo)準(zhǔn)的SPI接口進(jìn)行通信，包含128Kb內(nèi)存容量。無線耳機(jī)的基本原理框圖在無線耳機(jī)中使用PB85RS128，會(huì)帶來
2022-11-29 10:25:591306 
MB85RS128B，現(xiàn)需要一個(gè)與MB85RS128B功能相符，可相互兼容的國(guó)產(chǎn)器件用作國(guó)產(chǎn)化備選方案，規(guī)格需求如下：容量128Kb、工作溫度-40℃~85℃、封裝最好是SOP8。
2022-12-02 15:01:311312 
在一些工業(yè)環(huán)境應(yīng)用中，測(cè)量重量等信息是必不可少的，有的設(shè)備還需要遠(yuǎn)程無線傳輸?shù)胶蠖恕?duì)此，基于LORA的信息采集系統(tǒng)應(yīng)運(yùn)而生。本文就此介紹了拍字節(jié)的PB85RS128在基于LORA的信息采集系統(tǒng)中
2022-12-08 17:57:551012 
存儲(chǔ)器不需要定時(shí)刷新，能在斷電情況下保存數(shù)據(jù)，特別適合在那些對(duì)寫入時(shí)間和次數(shù)有較高要求的應(yīng)用場(chǎng)合，而且與其MCU接口電路簡(jiǎn)單，應(yīng)用方便，本文介紹了國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC在其多MCU系統(tǒng)中的應(yīng)用。
2023-06-20 14:19:251320 
記錄儀器、數(shù)據(jù)采集、可移動(dòng)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器等方面的應(yīng)用。本文主要介紹鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC在智能配電箱中的應(yīng)用。
2023-06-29 09:39:031132 ，同時(shí)，外接計(jì)算機(jī)亦可通過串口通信數(shù)據(jù)線將儀器中的規(guī)程讀出及刪除。在規(guī)程存儲(chǔ)中，需要采用目前比較先進(jìn)的非易失性鐵電存儲(chǔ)器來存儲(chǔ)規(guī)程數(shù)據(jù)。
2023-07-20 09:28:481011 
國(guó)芯思辰，國(guó)產(chǎn)芯片替代
2023-10-07 09:49:081151 
PB85RS2MC可替換MB85RS2MT（富士通）/FM25V20A（賽普拉斯）
2023-08-22 09:56:0415 PB85RS128可替換MB85RS128B（富士通）/ FM25V01A-GTR（賽普拉斯）
2023-08-22 16:38:158 鐵電存儲(chǔ)器SF25C20兼容MB85RS2MT應(yīng)用于醫(yī)療血氧儀
2024-04-30 09:28:39908 
國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器SF25C20兼容MB85RS2MT廣泛用于邊緣計(jì)算
2024-05-10 09:30:46995 國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器SF25C20(MB85RS2MT)在公交IC卡中的應(yīng)用
2024-06-19 09:45:121101 鐵電存儲(chǔ)器SF25C20(MB85RS2MT)在新能源汽車BMS中應(yīng)用
2024-06-25 09:49:09925 鐵電存儲(chǔ)器SF25C20（MB85RS2MT）在電機(jī)控制中應(yīng)用
2024-07-01 10:00:341471 國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器SF25C20可兼容MB85RS2MT用于電力監(jiān)測(cè)儀
2024-07-04 09:59:32992 替代MB85RS2MT，國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器SF25C20用于打印機(jī)耗材
2024-08-16 09:57:161317 
國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器SF25C20( MB85RS2MT)用于輸液泵和呼吸機(jī)
2024-09-25 09:33:48970 鐵電存儲(chǔ)器（Ferroelectric RAM, FRAM）作為一種新興的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)，憑借其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)在存儲(chǔ)市場(chǎng)中占據(jù)了一席之地。然而，與任何技術(shù)一樣，鐵電存儲(chǔ)器也有其優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)。
2024-09-29 15:21:003410 鐵電存儲(chǔ)器（Ferroelectric RAM, FRAM）與閃存（Flash）是兩種不同類型的非易失性存儲(chǔ)器，它們?cè)诠ぷ髟怼⑿阅芴攸c(diǎn)、應(yīng)用場(chǎng)景等方面存在顯著的差異。
2024-09-29 15:25:324375 相比，鐵電存儲(chǔ)器具有一些獨(dú)一無二的特性，因此受到很大關(guān)注。今天Aigtek安泰電子就給大家介紹一下和鐵電材料密切相關(guān)的鐵電存儲(chǔ)器（FRAM），以及功率放大器在鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）鐵電疇的高壓極化測(cè)試中的應(yīng)用。 一、鐵電存儲(chǔ)器的定義 鐵電存儲(chǔ)
2024-11-27 11:57:08992 
鐵電存儲(chǔ)器SF25C20應(yīng)用于風(fēng)量監(jiān)控系統(tǒng)，替換MB85RS2MT
2024-11-28 10:04:13809 國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器SF25C128(MB85RS128)用于振動(dòng)檢測(cè)設(shè)備
2024-12-11 09:56:33893 
國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器SF24C512(MB85RS512)用于數(shù)字壓力校驗(yàn)表
2024-12-13 09:58:481057 
舜銘存儲(chǔ)鐵電存儲(chǔ)器SF24C512(MB85RS512)工廠自動(dòng)化系統(tǒng)機(jī)器人HMI中的應(yīng)用
2024-12-20 09:56:531155 舜銘存儲(chǔ)鐵電存儲(chǔ)器SF25C20替換MB85RS2MT性能及應(yīng)用優(yōu)勢(shì)有哪些？
2025-01-10 09:12:15905 
鐵電存儲(chǔ)器SF24C512替換MB85RS512/FM25V512優(yōu)勢(shì)顯著
2025-02-07 09:29:33909 
舜銘存儲(chǔ)鐵電存儲(chǔ)器SF25C20：替換FM25V20A/MB85RS2MT
2025-02-13 10:29:091169 鐵電存儲(chǔ)器SF24C64對(duì)標(biāo)MB85RC64性能、應(yīng)用深度分析
2025-02-25 09:40:591103 性鐵電存儲(chǔ)器SF24C64/FM24C64/MB85RC64性能及應(yīng)用介紹
2025-03-06 10:06:581473 
兼容FM25V20A/MB85RS2MT，國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器SF25C20助聽器應(yīng)用方案
2025-03-20 09:55:16676 
替換MB85RS128和FM25V01，舜銘存儲(chǔ)鐵電存儲(chǔ)器SF25C128電壓檢測(cè)儀應(yīng)用方案
2025-04-14 09:46:36720 多軸控制器可使用國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器SF25C20（MB85RS2MT）
2025-05-06 09:47:26589 
和耐久性設(shè)計(jì)，這些要求使國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC成為最佳的存儲(chǔ)選擇。 PB85RS2MC配置為262,144×8位，是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工
2023-05-26 10:14:23
存儲(chǔ)器不需要定時(shí)刷新，能在斷電情況下保存數(shù)據(jù)，特別適合在那些對(duì)寫入時(shí)間和次數(shù)有較高要求的應(yīng)用場(chǎng)合，而且與其MCU接口電路簡(jiǎn)單，應(yīng)用方便，本文介紹了國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB8
2023-06-08 09:52:17
的信息不會(huì)丟失，且鋰電池還存在使用壽命的問題，所以當(dāng)使用了FRAM（鐵電存儲(chǔ)器）上述問題就將迎刃而解。將國(guó)產(chǎn)FRAM PB85RS128替代以前SRAM組成的顯示屏
2023-06-28 11:43:30
發(fā)出警報(bào)聲。 本文主要介紹國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC用于醫(yī)療生命監(jiān)護(hù)儀的存儲(chǔ)方案中。對(duì)于這些應(yīng)用，鐵電存儲(chǔ)器與EEPROM相比可以更頻繁地寫入，設(shè)備可以
2023-08-16 10:30:26
眾所周知，鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機(jī)存取兩個(gè)特長(zhǎng)的鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器。本文所提到的國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC在數(shù)據(jù)保持上，不僅不需要備用電池，而且
2023-09-27 10:00:51
使用，需要增添片外存儲(chǔ)器。因此鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）是便攜式醫(yī)療設(shè)備的理想解決方案。1、高寫入耐久度PB85RS2MC是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存
2023-10-16 10:13:25
存儲(chǔ)中，鐵電存儲(chǔ)器在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方面的出色性能，可以應(yīng)用在大量的現(xiàn)代儀器儀表中，如水表、煤氣表、門禁系統(tǒng)、醫(yī)療設(shè)備、自動(dòng)取款機(jī)、汽車記錄儀、工業(yè)儀器等等。國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器
2023-11-21 09:59:20
易失性存儲(chǔ)和精確的實(shí)時(shí)時(shí)鐘，本文推薦使用國(guó)產(chǎn)PB85RS2MC鐵電存儲(chǔ)器用于該存儲(chǔ)系統(tǒng)中。鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC在系統(tǒng)主要是實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的非易失性存儲(chǔ)和的實(shí)時(shí)時(shí)
2023-11-27 10:17:05
嵌入式鐵電存儲(chǔ)器可實(shí)現(xiàn)超低功耗微控制器的設(shè)計(jì)。將鐵電存儲(chǔ)器添加到微控制器中可以進(jìn)行快速可靠的非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)與處理，是存儲(chǔ)系統(tǒng)狀態(tài)、數(shù)據(jù)記錄及在多種應(yīng)用的非易失性的理想選擇，例如傳感器與計(jì)量?jī)x表到
2024-03-06 09:57:22
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