看到了其前景并提前布局。AI推理也使得存儲HBM不再是唯一熱門，更多存儲芯片與AI推理芯片結(jié)合，擁有了市場機會。 ? 已經(jīng)有不少AI推理芯片、存算一體芯片將SRAM替代DRAM，從而獲得更快的訪問速度、更低的刷新延遲等。 ? 靜態(tài)隨機存取存儲器（Static
2025-03-03 08:51:57
2670 
藝的 1 - Mbit 非易失性存儲器，邏輯上組織為 128K × 8。它結(jié)合了鐵電隨機存取存儲器（F - RAM）的優(yōu)勢，既具備非易失性，又能像 RAM 一樣快
2026-01-04 17:25:09367 ——FM24V05，它是一款512 - Kbit（64 K × 8）的串行（I2C）F - RAM（鐵電隨機存取存儲器），具備諸多優(yōu)秀特性，非常適合需要頻繁或快速寫入的非易失性存儲器應(yīng)用場景。 文件下載
2025-12-31 16:40:23727 ——FM25L04B 4-Kbit串行F-RAM。 文件下載： FM25L04B-GTR.pdf 產(chǎn)品概述 FM25L04B是一款由Cypress（現(xiàn)屬英飛凌）開發(fā)的4-Kbit非易失性鐵電隨機存取存儲器
2025-12-31 16:05:1885
– 4us超低功耗喚醒時間
? 存儲容量
–最大 256K 字節(jié) FLASH，數(shù)據(jù)保持 25 年 @85℃
–最大 24K 字節(jié) RAM，支持奇偶校驗
–128 字節(jié) OTP 存儲器
2025-12-29 06:15:18
容量
–64K 字節(jié)FLASH，數(shù)據(jù)保持25年@85℃
–8K 字節(jié)RAM，支持奇偶校驗
–128字節(jié)OTP存儲器
? CRC 硬件計算單元
? 復(fù)位和電源管理
–低功耗模式（Sleep
2025-12-26 06:51:13
全球存儲器缺貨、價格飆漲的風(fēng)口下，力積電的銅鑼新廠成了國際大廠爭搶的核心資源 —— 繼晟碟之后，美光也正在與力積電洽談合作，希望借助這座已建成、仍有 4-5 萬片月產(chǎn)能余量的工廠快速落地存儲器產(chǎn)能，雙方已敲定三種合作方向，只待力積電最終確認。
2025-12-22 11:43:221285 
探索DS280MB810：高性能低功耗8通道線性中繼器的卓越之選 在高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)念I(lǐng)域中，信號的穩(wěn)定傳輸和有效擴展一直是工程師們關(guān)注的焦點。德州儀器（TI）推出的DS280MB810低功耗
2025-12-19 09:55:09187 @85℃
–8K 字節(jié)RAM，支持奇偶校驗
–128字節(jié)OTP存儲器
? CRC 硬件計算單元
? 復(fù)位和電源管理
–低功耗模式（Sleep，DeepSleep）
–上電和掉電復(fù)位（POR/BOR
2025-12-16 07:59:10
在存儲技術(shù)快速迭代的今天，MRAM芯片（磁阻隨機存取存儲器）以其獨特的性能，逐漸成為業(yè)界關(guān)注焦點。它不同于傳統(tǒng)的閃存或DRAM，利用磁性而非電荷來存儲數(shù)據(jù)，兼具高速、耐用與非易失性特點。
2025-12-15 14:39:04242 電流不可能無止盡的小，為了維持工作穩(wěn)定，總是要消耗一點點電流的。做得過小反而不利于工作穩(wěn)定。
以國產(chǎn)低功耗MCU為例，我們來看看CW32L是什么情況？
CW32L是武漢芯源半導(dǎo)體有限公司的低功耗系列
2025-12-12 07:43:25
鐵電工藝的4 - Kbit非易失性存儲器。鐵電隨機存取存儲器（F - RAM）具有非易失性，讀寫操作類似于RAM，能提供長達151年的數(shù)據(jù)保留時
2025-12-10 17:15:021628 
SRAM（靜態(tài)隨機存儲器）是一種在通電狀態(tài)下可保持數(shù)據(jù)不丟失的存儲器件，無需刷新即可持續(xù)工作，因此具有高速讀寫、響應(yīng)及時的特點，廣泛應(yīng)用于對實時性要求高的場景。
2025-12-08 16:51:57442 
在計算機和電子設(shè)備中，存儲器扮演著數(shù)據(jù)臨時存放與快速交換的關(guān)鍵角色。其中，DDR SDRAM（雙數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機存取存儲器）已成為現(xiàn)代內(nèi)存的主流技術(shù)之一。它不僅在速度上顯著超越前代產(chǎn)品，更憑借其高效傳輸機制，廣泛應(yīng)用于電腦、服務(wù)器、移動設(shè)備及各類嵌入式系統(tǒng)中。
2025-12-08 15:20:44293 在內(nèi)存技術(shù)持續(xù)革新的今天，SRAM（靜態(tài)隨機存取存儲器）和DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）依然是計算系統(tǒng)中最核心的存儲組件。盡管出現(xiàn)了MRAM、ReRAM等新興存儲方案，但二者憑借成熟的設(shè)計與明確
2025-12-02 13:50:46867 在當今高速發(fā)展的3C領(lǐng)域（計算機外設(shè)、通信及消費電子），對存儲器的性能與功耗提出了更高要求。DRAM動態(tài)隨機存取存儲器作為核心存儲部件，其性能表現(xiàn)直接影響設(shè)備整體效能。Etron憑借其活緩沖DRAM
2025-12-01 13:42:00253 在各類存儲設(shè)備中，SRAM（靜態(tài)隨機存儲器）因其高速、低功耗和高可靠性，被廣泛應(yīng)用于高性能計算、通信和嵌入式系統(tǒng)中。其中，雙口SRAM靜態(tài)隨機存儲器憑借其獨特的雙端口設(shè)計，在高帶寬和多任務(wù)場景中表現(xiàn)尤為出色，成為提升系統(tǒng)效率的重要組件。
2025-11-25 14:28:44272 在存儲技術(shù)快速演進的今天，一種名為STT-MRAM（自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻隨機存取存儲器）的新型非易失存儲器，正逐步走入產(chǎn)業(yè)視野。它不僅繼承了MRAM的高速讀寫能力與非易失特性，更通過“自旋電流”技術(shù)實現(xiàn)了信息寫入方式的突破，被視為第二代MRAM技術(shù)的代表。
2025-11-20 14:04:35244 富士通16Kbit FRAM憑借微秒級寫入速度與10萬億次擦寫壽命，為圖傳模塊提供高可靠性數(shù)據(jù)存儲。其SPI接口與工業(yè)級溫度范圍（-40℃~85℃）完美適配無人機、安防監(jiān)控等場景的實時數(shù)據(jù)記錄需求。
2025-11-18 09:48:00317 
MS32C001-C 系列微控制器采用高性能的 32 位 ARM? Cortex?-M0+ 內(nèi)核，寬電壓工作范圍的 MCU。嵌入 18 KB Flash 和 1.5 KB SRAM 存儲器，最高
2025-11-05 09:34:26320 
STMicroelectronics M95P32超低功耗32Mb SPI頁面EEPROM針對移動和可穿戴設(shè)計進行了優(yōu)化。M95P32 32Mb SPI頁面EEPROM具有豐富的特性集、超低功耗
2025-10-28 14:30:32401 
STMicroelectronics M95P16超低功耗16Mb SPI頁面EEPROM基于非易失性存儲器（NVMe）技術(shù)。該EEPROM具有字節(jié)靈活性、頁面可更改、高頁面循環(huán)性能和超低功耗
2025-10-25 15:44:001210 
QSPI PSRAM是一種集成了QSPI接口與PSRAM存儲功能的高效芯片。QSPI（四線串行外設(shè)接口）是一種高速串行通信接口，用于連接外部設(shè)備；而PSRAM（偽靜態(tài)隨機存儲器）則結(jié)合了快速隨機訪問與動態(tài)存儲的特性。
2025-10-23 15:40:17379 富士通MB85RC04VPNF-G-JNERE1 4Kbit工業(yè)級FRAM，150ns極速寫入、1萬億次擦寫、-40℃~+85℃寬溫，I2C接口低功耗，SOP-8小封裝，為PLC、電表、編碼器等邊緣節(jié)點提供高可靠非易失存儲。
2025-10-10 09:45:00307 
Microchip Technology 23AA04M和23LCV04M 4Mb SPI/SDI/SQI SRAM是隨機存取存儲器器件，可通過兼容串行外設(shè)接口 (SPI) 的串行總線訪問。SRAM
2025-10-09 11:16:59540 Microchip Technology 23AA02M和23LCV02M 2Mb SPI/SDI/SQI SRAM是可以通過串行外設(shè)接口 (SPI) 兼容總線訪問的隨機存取存儲器器件。該SRAM
2025-10-09 11:12:55559 nRF54LM20A 以高存儲版本拓展了 nRF54L 系列產(chǎn)品線，其搭載 2MB 非易失性存儲器（NVM）與 512KB 隨機存取存儲器（RAM）；同時，該芯片保留了系列一致的微控制器（MCU）核心
2025-09-29 01:20:31
、多達 66 個 GPIO 和高速 USB 概述 nRF54LM20A 以高存儲版本拓展了 nRF54L 系列產(chǎn)品線，其搭載 2MB 非易失性存儲器（NVM）與 512KB 隨機存取存儲器（RAM
2025-09-29 00:54:30605 
HBM通過使用3D堆疊技術(shù)，將多個DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）芯片堆疊在一起，并通過硅通孔（TSV，Through-Silicon Via）進行連接，從而實現(xiàn)高帶寬和低功耗的特點。HBM的應(yīng)用中，CowoS（Chip on Wafer on Substrate）封裝技術(shù)是其中一個關(guān)鍵的實現(xiàn)手段。
2025-09-22 10:47:471611 ，還請大家海涵，如有需要可看文尾聯(lián)系方式，當前在網(wǎng)絡(luò)平臺上均以“ 愛在七夕時 ”的昵稱為ID跟大家一起交流學(xué)習(xí)！ 一提到“存儲器”，相信很多朋友都會想到計算機。是的，在計算機的組成結(jié)構(gòu)中，有一個很重要的部分，就是
2025-09-19 11:04:071443 
富士通256Kbit FRAM MB85RS256BPNF-G-JNERE1為LED顯示系統(tǒng)提供高速、高耐久性數(shù)據(jù)存儲方案，支持納秒級寫入與10^12次擦寫，解決傳統(tǒng)存儲器延遲高、壽命短問題，適用于智能交通、戶外廣告等嚴苛環(huán)境，顯著提升系統(tǒng)響應(yīng)與可靠性。
2025-09-11 09:45:00480 
，性能優(yōu)異，順序讀取速度高達300MB/s，順序?qū)懭胨俣雀哌_200MB/s，具有更高的性能、大容量與低功耗的核心優(yōu)勢，并已應(yīng)用于行業(yè)知名品牌！
2025-08-28 10:01:4831106 
ARM Cortex - M0+
**存儲器：**最大 64Kbytes flash 存儲器，最大 8Kbytes SRAM。
低功耗： STOP模式下：<4.5uA（VDD=1V
2025-08-21 11:50:09
國產(chǎn)替代最優(yōu)解 易沖半導(dǎo)體推出12/16通道ADB大燈LED矩陣控制器
2025-08-08 16:21:2126227 
昂科技術(shù)作為芯片燒錄領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者，在其新版燒錄軟件發(fā)布之際，宣布擴展了兼容芯片型號列表。新增型號包含了意法半導(dǎo)體的超低功耗微控制器STM32L476RCT。目前，該芯片已獲得昂科通用燒錄平臺
2025-07-21 11:38:33621 
HBM（High Bandwidth Memory）即高帶寬存儲器，是一種基于 3D 堆疊技術(shù)的高性能 DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）。其核心設(shè)計是通過硅通孔（TSV）和微凸塊（Microbump
2025-07-18 14:30:122949 半導(dǎo)體的一款基于ARM Cortex-M0+內(nèi)核的32位微控制器，主頻高達48MHz，具備64KB Flash和4KB RAM存儲空間。該芯片在溫控器應(yīng)用中展現(xiàn)出多項顯著優(yōu)勢：
超低功耗
2025-07-02 09:46:08
近日，紫光國芯自主研發(fā)的PSRAM（低功耗偽靜態(tài)隨機存儲器）芯片系列產(chǎn)品正式發(fā)布，并同步上線天貓官方旗艦店。此次上新的PSRAM產(chǎn)品兼容業(yè)界主流接口協(xié)議Xccela，容量覆蓋32Mb，64Mb
2025-07-01 16:42:501443 富士通株式會社發(fā)布了《Technology and Service Vision 2025(富士通技術(shù)與服務(wù)愿景2025)》，對商業(yè)與社會的未來愿景進行了總結(jié)與展望。借助人機智能協(xié)作驅(qū)動的跨行業(yè)
2025-06-28 10:15:081235 ，是信息時代的基石。
2. 核心分類：斷電后數(shù)據(jù)還在嗎？
這是最根本的分類依據(jù)：
易失性存儲器：斷電后數(shù)據(jù)立刻消失。
特點：速度快，通常用作系統(tǒng)運行的“工作臺”。
代表：DRAM (動態(tài)隨機存取存儲器
2025-06-24 09:09:39
FM33A0xx系列
簡介：
FM33A0xx系列芯片是ARM Cortex-M0內(nèi)核的32位低功耗MCU芯片，最大可支持512KB FLASH程序存儲器和 64KB RAM，集成LCD驅(qū)動、帶溫補
2025-06-12 18:03:47
選擇，滿足不同應(yīng)用需求。隨機存取存儲器（SRAM）：最高支持 8KB（基礎(chǔ)）+1KB（額外，支持奇偶校驗），確保數(shù)據(jù)穩(wěn)定性和安全性。系統(tǒng)存儲器（4KB）：既可作為啟動加載程序（Bootloader
2025-06-05 08:58:44
CSS6404LS-LI通過 >500MB/s帶寬、105℃高溫運行及μA級休眠功耗三重突破，成為高清語音設(shè)備的理想存儲器
2025-06-04 15:45:23565 
，最低功耗小于0.6uA（看門狗工作）；
內(nèi)置32位真隨機數(shù)發(fā)生器；
支持cJTAG 2線調(diào)試接口；
工作電壓范圍：1.8~3.6V；
超低功耗，最低功耗達1.6uA（MCU處于掉電模式，無線收發(fā)模塊
2025-06-01 18:41:12
PY32F002B 系列單片機采用高性能的 32 位 ARM? Cortex?-M0+內(nèi)核，寬電壓工作范圍的 MCU。嵌入了24Kbytes Flash 和 3Kbytes SRAM 存儲器，最高
2025-05-29 16:57:05
CSS1604S 是凱芯（Cascadeteq Inc）推出的16Mb Quad-SPI偽靜態(tài)隨機存取存儲器（PSRAM），專為高性能、低功耗和小型化設(shè)備設(shè)計。
核心特性包括：
接口與性能：支持
2025-05-22 15:00:09
? 定時器— 1 個 16 位高級控制定時器 (TIM1)— 1 個通用的 16 位定時器 (TIM14)— 1 個低功耗定時器 (LPTIM)，支持從 stop 模式喚醒— 1 個獨立看門狗定時器
2025-05-13 14:51:46
主控MCU芯片CW32L010介紹
CW32L010 是基于 eFlash 的單芯片低功耗微控制器，集成了主頻高達 48MHz 的 ARM? Cortex?-M0+ 內(nèi)核、高速嵌入式存儲器（多至 64K
2025-05-13 14:06:45
靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)和嵌入式閃存、一個提供時鐘、復(fù)位和電源管理功能的模擬子系統(tǒng)以及模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)子系統(tǒng)組成。
2025-05-08 14:56:39840 
處理器和微控制器單元 (MCU) 子系統(tǒng)。ADuCM300 具有 128 kB 程序閃存/EE、4 kB 數(shù)據(jù)閃存/EE 和 6 kB 靜態(tài)隨機存取存儲器 (SRAM)。
2025-05-08 14:26:44809 
在半導(dǎo)體存儲器測試中，測試圖形（Test Pattern）是檢測故障、驗證可靠性的核心工具。根據(jù)測試序列長度與存儲單元數(shù)N的關(guān)系，測試圖形可分為N型、N2型和N3/?型三大類。
2025-05-07 09:33:371222 
多軸控制器可使用國產(chǎn)鐵電存儲器SF25C20（MB85RS2MT）
2025-05-06 09:47:26585 
，與CPU直接交互，支持實時數(shù)據(jù)存取，承擔變量、堆棧、中斷向量表等動態(tài)數(shù)據(jù)的存儲功能。 主要類型? SRAM（靜態(tài)隨機存取存儲器）?：無需刷新電路，速度快、功耗低，但密度較低，廣泛用于MCU主內(nèi)存。 eDRAM（嵌入式動態(tài)隨機存取存儲器）?：部分高端MCU采用
2025-04-30 14:47:081123 門控
在運行模式下，外設(shè)和存儲器的時鐘可以隨時停止，以減少功耗。
為了進一步降低睡眠模式下的功耗，可以在執(zhí)行WFI或WFE指令之前禁用外圍時鐘。
3. 睡眠模式
3.1 進入睡眠模式
休眠模式通過執(zhí)行
2025-04-21 11:29:57
開發(fā)創(chuàng)新應(yīng)用，包括更多需要大容量內(nèi)存的人工智能應(yīng)用。 ◆?xMemory基于意法半導(dǎo)體專有相變存儲器（PCM）技術(shù)，2025年底投產(chǎn)。 意法半導(dǎo)體（簡稱ST）推出內(nèi)置xMemory的Stellar車規(guī)級微控制器。xMemory是Stellar系列汽車微控制器內(nèi)置的新一代可改變存儲配置的存
2025-04-17 11:25:191744 在國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的進程中，小華半導(dǎo)體作為率先投身超低功耗微控制單元（MCU）領(lǐng)域的先鋒企業(yè)，一直以來都在積極推動技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)品革新。近期，小華半導(dǎo)體正式推出極具競爭力的新一代超低功耗微控制器產(chǎn)品——HC32L021。
2025-04-16 16:46:481796 
替換MB85RS128和FM25V01，舜銘存儲鐵電存儲器SF25C128電壓檢測儀應(yīng)用方案
2025-04-14 09:46:36718 
便攜式醫(yī)療鐵電存儲器SF25C20(FM25V20A)的替換方案
2025-04-07 09:46:03626 
保持25年@85℃
–3K 字節(jié)RAM，支持奇偶校驗
–22字節(jié)OTP存儲器
? CRC 硬件計算單元
? 復(fù)位和電源管理
–低功耗模式（Sleep，DeepSleep）
–上電和掉電復(fù)位（POR
2025-04-03 15:13:57
總體描述DA14531 是一款超低功耗片上系統(tǒng)（SoC），集成了 2.4GHz 收發(fā)器以及帶有 48KB 隨機存取存儲器（RAM）的 Arm? Cortex-M0 + 微控制器，還有 32KB
2025-04-03 14:57:10
人工智能與高性能計算（HPC）正以空前的速度發(fā)展，將動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）和NAND閃存等傳統(tǒng)存儲技術(shù)發(fā)揮到極致。為了滿足人工智能時代日益增長的需求，業(yè)界正在探索超越傳統(tǒng)存儲技術(shù)的新興存儲技術(shù)。
2025-04-03 09:40:411709 設(shè)計公司、上游服務(wù)供應(yīng)商、熱門模塊/設(shè)計方案和熱門產(chǎn)品。 深耕存儲，創(chuàng)新不斷，3月27日頒獎晚宴上，東芯半導(dǎo)體3.3V 64Mb SPI NOR Flash–DS25Q64A-13IA4很榮幸獲選了
2025-04-02 16:12:361088 FLASH，數(shù)據(jù)保持 25 年 @-40℃ ~ +85℃，支持擦寫保護、讀保護和安全運行庫保護
功能
? 最大 6K 字節(jié) RAM，支持硬件奇偶校驗
? 22 字節(jié) OTP 存儲器
●
CRC 硬件計算單元
2025-04-01 09:26:05
PIMCHIP-S300 芯片是蘋芯科技基于存算一體技術(shù)打造的多模態(tài)智慧感知決策 AI 芯片。其搭載基于靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM）的存算一體計算加速單元，讓計算在存儲器內(nèi)部發(fā)生，有效減少
2025-03-28 17:06:352254 
替換FM25V20A醫(yī)療物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備可使用鐵電存儲器SF25C20
2025-03-28 10:31:41716 
nRF54L10和nRF54L15可以支持更多功能和無線協(xié)議。主要特點-超低功耗多協(xié)議2.4GHz無線電-集成的多功能MCU功能-128 MHz Arm Cortex-M33處理器-0.5MB
2025-03-25 11:26:48
兼容FM25V20A/MB85RS2MT，國產(chǎn)鐵電存儲器SF25C20助聽器應(yīng)用方案
2025-03-20 09:55:16675 
特性64 千比特鐵電隨機存取存儲器（F - RAM），邏輯上組織為 8K×8高達 100 萬億次（\(10^{14}\)）讀 / 寫耐久性151 年的數(shù)據(jù)保存期限（詳見 “數(shù)據(jù)保存期限和耐久性表
2025-03-19 11:35:49
近日，意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)宣布推出新一代STM32U3微控制器(MCU)，旨在為物聯(lián)網(wǎng)(IoT)設(shè)備帶來革命性的超低功耗解決方案。這款新產(chǎn)品不僅延續(xù)了意法半導(dǎo)體在超低功耗
2025-03-13 11:09:051358 
鐵電存儲器SF25C20/SF25C512在人工智能邊緣計算中應(yīng)用
2025-03-13 09:46:30772 
富士通采用 AMD Zynq RFSoC 數(shù)字前端（ DFE ）器件來提供具有成本效益、高容量和高能效的無線電，以滿足不同市場需求。
2025-03-12 17:12:141256 RZ/A1M 系列微處理器單元（MPU）功能齊全，配備運行頻率為 400MHz 的 Arm? Cortex?-A9 內(nèi)核以及 5MB的片上靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM）。憑借 5MB 的片上
2025-03-11 15:04:111127 
RZ/A1LU 系列微處理器單元（MPU）性價比高，具備運行頻率達 400MHz 的 Arm? Cortex? - A9 內(nèi)核以及 3MB的片上靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM）。憑借 3MB 的片上
2025-03-11 14:22:18990 
RZ/A1LC 微處理器單元（MPU）是 RZ/A1 系列中最具成本效益的產(chǎn)品，其特點是配備運行頻率為 400MHz 的 Arm?Cortex?-A9 內(nèi)核以及 2MB 的片上靜態(tài)隨機存取存儲器
2025-03-11 14:07:401036 
RZ/A1L 系列微處理器（MPU）采用了運行頻率達 400MHz 的 Arm? Cortex? - A9 內(nèi)核，并配備 3MB的片上靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM）。憑借這 3MB 的片上 SRAM
2025-03-10 16:14:20977 
隨機存取存儲器的“寫入”周期。AD7524 采用先進的基于 CMOS 的薄膜制造工藝，可提供 1/8LSB 的精度，典型功耗小于 10 毫瓦。新改進的設(shè)計消除了肖特基
2025-03-10 11:05:42
性鐵電存儲器SF24C64/FM24C64/MB85RC64性能及應(yīng)用介紹
2025-03-06 10:06:581473 
Cortex-M33 處理器，處理能力比 nRF52840 提高了一倍，同時降低了功耗。它擁有 1.5 MB 非易失性存儲器和 256 KB RAM，足以同時運行多個無線協(xié)議。
高級安全性
2025-03-05 18:17:29
鐵電存儲器SF24C64對標FM24C64性能、應(yīng)用和成本分析
2025-03-03 10:25:451304 鐵電存儲器SF24C64對標MB85RC64性能、應(yīng)用深度分析
2025-02-25 09:40:591103 的備份SRAM，滿足大量程序代碼和數(shù)據(jù)存儲需求?。
3、豐富的外設(shè)接口?：提供三個ADC、兩個DAC、兩個超低功耗比較器、一個低功耗RTC、一個高分辨率定時器、12個通用16位定時器、兩個用于電機控制
2025-02-21 14:59:12
旋轉(zhuǎn)編碼器選用國產(chǎn)鐵電存儲器(?SF24C512)的5個理由
2025-02-20 09:42:03906 ? 動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）是現(xiàn)代計算機系統(tǒng)中不可或缺的核心組件，廣泛應(yīng)用于個人計算機、服務(wù)器、移動設(shè)備及高性能計算領(lǐng)域。本文將探討DRAM的基本工作原理、存儲單元結(jié)構(gòu)及制造工藝演進，并分析
2025-02-14 10:24:401442 
MT48LC4M32B2P-6A:L是一款高性能的動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM），由MICRON制造，專為滿足各種電子設(shè)備的內(nèi)存需求而設(shè)計。該產(chǎn)品具備出色的存儲性能和穩(wěn)定性，適用于多種應(yīng)用場景。目前
2025-02-14 07:28:17
舜銘存儲鐵電存儲器SF25C20：替換FM25V20A/MB85RS2MT
2025-02-13 10:29:091167 微源半導(dǎo)體超低功耗耳機充電倉電源管理芯片-LP7801D 一、芯片介紹LP7801D電源管理芯片是一款專為小容量鋰電池充電/放電應(yīng)用設(shè)計的單芯片解決方案IC，集成了線性充電管理
2025-02-10 09:27:29
產(chǎn)品概述 Korchip DCS5R5334H 是一款高性能的低功耗 SRAM（靜態(tài)隨機存取存儲器），專為高速數(shù)據(jù)存儲和處理而設(shè)計。該器件具有快速的訪問時間和較高的數(shù)據(jù)傳輸速率，廣泛應(yīng)用
2025-02-09 22:38:10
產(chǎn)品概述Adesto AT45DB321E 是一款高性能的串行閃存存儲器，具有 32Mb 的存儲容量，采用 SPI 接口進行數(shù)據(jù)傳輸。該產(chǎn)品專為嵌入式系統(tǒng)設(shè)計，提供快速的數(shù)據(jù)讀寫能力
2025-02-09 22:26:30
鐵電存儲器SF24C512替換MB85RS512/FM25V512優(yōu)勢顯著
2025-02-07 09:29:33907 
在數(shù)字存儲技術(shù)的快速發(fā)展中，閃速存儲器（Flash Memory）以其獨特的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，成為了連接隨機存取存儲器（RAM）與只讀存儲器（ROM）之間的重要橋梁。本文將深入探討閃速存儲器的技術(shù)特性、分類及其在現(xiàn)代電子設(shè)備中的應(yīng)用。
2025-01-29 16:53:001683 閃速存儲器之所以得名“閃速”，主要源于其擦除操作的高效性。傳統(tǒng)的EPROM（可擦除可編程只讀存儲器）和EEPROM（電可擦除可編程只讀存儲器）在擦除數(shù)據(jù)時，往往需要較長的時間，且操作相對繁瑣。而閃速
2025-01-29 15:14:001378 隨著AI技術(shù)的快速發(fā)展，特別是大規(guī)模語言模型（如ChatGPT和Sora）的出現(xiàn)，對數(shù)據(jù)處理能力和存儲技術(shù)提出了全新的需求。傳統(tǒng)存儲器架構(gòu)在能效比和計算效率上的限制，逐漸成為瓶頸。如何實現(xiàn)更高
2025-01-23 17:30:312078 
舜銘存儲鐵電存儲器SF25C20能否替換賽普拉斯FM25V20A
2025-01-23 09:03:29953
SWD接口
存儲器：
EFUSE：256位
SRAM:80KB
串行閃存：1MB
ICache RAM：8KB
時鐘：
32MHz和32.768kHz晶體振蕩器
32MHz和32.768kHz RC振蕩器
2025-01-20 13:37:07
特點16-Kbit 鐵電隨機存取存儲器 (F-RAM)為 2 K × 8 ? 高耐久性 100 萬億次（1014）讀/寫 ? 151 年數(shù)據(jù)保留期（請參閱數(shù)據(jù)保留期
2025-01-16 14:14:37
舜銘存儲鐵電存儲器SF25C20替換FM25V20A參數(shù)分析及應(yīng)用
2025-01-16 10:17:061232 
舜銘存儲鐵電存儲器SF25C20替換MB85RS2MT性能及應(yīng)用優(yōu)勢有哪些？
2025-01-10 09:12:15901 
。 MPU控制器的組成 MPU控制器通常包括以下幾個主要部分： 中央處理單元（CPU） ：執(zhí)行程序指令和處理數(shù)據(jù)。 存儲器 ：包括隨機存取存儲器（RAM）和只讀存儲器（ROM），用于存儲程序和數(shù)據(jù)。 輸入/輸出（I/O）接口 ：允許MPU控制器與其他硬
2025-01-08 09:23:041480 近日，株式會社電裝（以下簡稱“電裝”）與富士電機株式會社（以下簡稱“富士電機”）共同推出的“半導(dǎo)體供應(yīng)保障計劃”獲得批準并正式啟動。該計劃總投資規(guī)模達2,116億日元，其中包含705億日元的專項補助
2025-01-06 17:09:051342 國產(chǎn)舜銘存儲SF25C20對標MB85RS2MT性能、優(yōu)勢全面解析
2025-01-06 10:20:57918
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