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拍字節(jié)專注新型3D鐵電存儲器(VFRAM),彌補(bǔ)兩大主流存儲器的巨大鴻溝

國芯思辰(深圳)科技有限公司 ? 2022-04-29 15:34 ? 次閱讀
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無錫拍字節(jié)科技有限公司自成立以來,一直專注于新型存儲芯片研發(fā)與銷售的高新技術(shù),尤其是新型3D鐵電存儲器(VFRAM)新材料的研發(fā),3D架構(gòu)和工藝的創(chuàng)新設(shè)計(jì)以及相關(guān)產(chǎn)品的制造及量產(chǎn)。經(jīng)過不懈的努力,拍字節(jié)公司克服了代工廠相關(guān)工藝缺乏、行業(yè)技術(shù)支持空白等種種困難,探索出替換傳統(tǒng)高污染鐵電材料的High-K材料。2019年10月完成芯片設(shè)計(jì);2019年11月開始流片;2020年3月流片實(shí)現(xiàn)讀寫功能;2020年7月實(shí)現(xiàn)良率突破;2020年12月實(shí)現(xiàn)第一代鐵電存儲器產(chǎn)品(存儲容量為64Kb-4Mb)的小批量試產(chǎn),打破美日壟斷(因傳統(tǒng)鐵電材料高污染的缺陷,使得全球只有美國和日本兩條專用產(chǎn)線),成為國內(nèi)第一款鐵電存儲器產(chǎn)品,截至目前已開始量產(chǎn);2021年之后,公司根據(jù)詳細(xì)的研發(fā)設(shè)計(jì)規(guī)劃和預(yù)期實(shí)現(xiàn)的目標(biāo),穩(wěn)步推進(jìn)第二代鐵電存儲器的產(chǎn)品(存儲容量64Mb-1Gb)及第三代鐵電存儲器產(chǎn)品(存儲容量為2Gb-8Gb)的研發(fā)、量產(chǎn)和上市。
拍字節(jié)新型3D鐵電存儲器(VFRAM)屬于FRAM的一種,這是融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機(jī)存取兩個(gè)特長的新型內(nèi)存。同EEPROM、FLASH等非易失性存儲器相比,具有優(yōu)越的耐高溫、高速寫入、高讀寫、耐久性和低功耗的優(yōu)點(diǎn),在所有存儲器中,性能是數(shù)一數(shù)二的。而傳統(tǒng)的鐵電存儲器存在強(qiáng)污染性,產(chǎn)量難提升,僅應(yīng)用于2D架構(gòu),存儲密度很難提升等弊端。據(jù)拍字節(jié)介紹,公司研發(fā)的新型3D鐵電存儲器在材料上創(chuàng)新性使用無污染材料的High-K材料,可以共用正規(guī)Fab里的 CMOS生產(chǎn)線,經(jīng)濟(jì)和快速地把產(chǎn)品推向市場;在工藝和設(shè)計(jì)上創(chuàng)新性采用3D架構(gòu),極大提升存儲密度。該新型鐵電存儲器不但具有一般鐵電存儲器的優(yōu)良性能,而且由于使用了新型的High-K材料和立體存儲架構(gòu),同時(shí)具備高密度和低成本的優(yōu)勢。使得新型鐵電存儲器具備高速度,高耐久度,低功耗及低成本的全面優(yōu)勢,能夠取代NOR閃存和DRAM產(chǎn)品并成為智能物聯(lián)新時(shí)代主流產(chǎn)品的能力。

綜合來看,新型3D鐵電存儲器(VFRAM)具有以下幾方面的優(yōu)勢和特性:1、非易失性:數(shù)據(jù)存儲時(shí)長是閃存的10倍;2、超低功耗:閃存的千分之一;3、高速讀寫:達(dá)到DRAM級別,速度是閃存的上千倍;4、高耐久度:達(dá)到萬億次讀寫,是閃存的上億倍;5、耐高溫:可在高溫下工作10年以上。 拍字節(jié)新型3D鐵電存儲器優(yōu)勢型號 P95S128KSWSP3TF P95S128KSWSP3TF描述 該FRAM芯片(鐵電隨機(jī)存取存儲器)配置為16,384×8位, 通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存儲單元和SRAM不同,該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。該芯片中使用的存儲單元可用于1E6次讀/寫操作,它的讀/寫耐久性大大超過FLASH和EEPROM,且不會像FLASH或EEPROM那樣需要很長的數(shù)據(jù)寫入時(shí)間,而且它不需要等待時(shí)間。 P95S128KSWSP3TF特點(diǎn) 容量:128Kb接口類型:SPI接口(模式0)工作電壓:2.7伏至3.6伏工作頻率:25兆赫茲功耗:5毫安(最大值@25兆赫茲)低功耗:10微安@待機(jī)耐久度:1E6讀/寫數(shù)據(jù)保持:20年@25℃高速讀特性:支持40MHZ高速讀命令工作環(huán)境溫度范圍:-25℃至60℃封裝形式:8引腳SOP封裝對標(biāo)賽普拉斯型號:FM25V01-G對標(biāo)富士通型號:MB85RS128B

使用說明:*由于FRAM存儲采用破壞性讀出機(jī)制操作,這里的耐久性的最小值定義為讀和寫的次數(shù)的總和。*請不要在回流焊之前寫入數(shù)據(jù),建議只做一次回流焊,不建議返工。
261c9d9c-c732-11ec-8521-dac502259ad0.jpg據(jù)拍字節(jié)方面透露,公司一代產(chǎn)品目前主要客戶為打印耗材廠商(與國內(nèi)頭部墨盒廠商都建立了良好的合作關(guān)系)及智能電表廠商。根據(jù)客戶反饋,公司產(chǎn)品在性能提升和國產(chǎn)化替代方面都有顯著的優(yōu)勢。

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