Hi-Fi功率放大器電路和電源供電電路
圖表中所指示的（從20W到80W RMS ）.
一些解釋：
-你首先要作的是測(cè)試末極功率管的放大系數(shù)hfe or β.
2010-10-06 09:50:31
2893 放大倍數(shù)Av 與晶體管的直流電流放大系數(shù)hFE無(wú)關(guān)，而是由Rc與Re之比來決定
2020-09-07 15:30:0510361 
在實(shí)用放大電路中，幾乎都要引入這樣或那樣的反饋，以改善放大電路某些方面的性能。因此，掌握反饋的基本概念及判斷方法是研究實(shí)用電路的基礎(chǔ)。
2023-03-10 11:29:123101 
1、一些概念：（1）存儲(chǔ)容量存儲(chǔ)器多能存儲(chǔ)的二進(jìn)制信息的總位數(shù)存儲(chǔ)容量 = 存儲(chǔ)器總存儲(chǔ)單元數(shù)*每個(gè)存儲(chǔ)單元的位數(shù)（2）存儲(chǔ)器的速度①存取時(shí)間：對(duì)存儲(chǔ)器中某一個(gè)單元的數(shù)據(jù)進(jìn)行一次存（取)所需要的時(shí)間
2021-12-09 06:31:47
存儲(chǔ)器：用來存放計(jì)算機(jī)中的所有信息：包括程序、原始數(shù)據(jù)、運(yùn)算的中間結(jié)果及最終結(jié)果等?！ ≈蛔x存儲(chǔ)器（ROM）：只讀存儲(chǔ)器在使用時(shí)，只能讀出而不能寫入，斷電后ROM中的信息不會(huì)丟失。因此一般用來存放
2017-10-24 14:31:49
`存儲(chǔ)器：用來存放計(jì)算機(jī)中的所有信息：包括程序、原始數(shù)據(jù)、運(yùn)算的中間結(jié)果及最終結(jié)果等?！ ≈蛔x存儲(chǔ)器（ROM）：只讀存儲(chǔ)器在使用時(shí)，只能讀出而不能寫入，斷電后ROM中的信息不會(huì)丟失。因此一般用來存放
2017-12-21 17:10:53
輸入為1.5V 2.4V-VPP,輸出為1.8V 2V-VPP,仿真結(jié)果如下
測(cè)試方案為：輸入端供給恒定電平，萬(wàn)用表測(cè)試輸出電壓。由于放大系數(shù)一定，理論上輸出/輸入=放大系數(shù)。
（由于實(shí)驗(yàn)室
2023-11-20 06:12:03
DMA實(shí)驗(yàn)設(shè)置存儲(chǔ)器地址時(shí)，文中說假如要把數(shù)組Sendbuff作為存儲(chǔ)器，那么在該寄存器寫入&SendBuff就可以了 但是MYDMA_Config(DMA1_Channel4,(u32
2020-06-03 04:35:03
嵌入式系統(tǒng)的海量存儲(chǔ)器多采用Flash存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)擴(kuò)展，由于Flash存儲(chǔ)器具有有限寫入次數(shù)的壽命限制，因此對(duì)于Flash存儲(chǔ)器局部的頻繁操作會(huì)縮短Flash存儲(chǔ)器的使用壽命。如何設(shè)計(jì)出一個(gè)合理
2019-08-16 07:06:12
電荷放大器要求電荷靈敏度和電壓放大系數(shù)可調(diào)
2017-06-06 14:54:06
來選擇調(diào)節(jié)閥的開、關(guān)形式，然后再根據(jù)PID調(diào)節(jié)器、調(diào)節(jié)閥和對(duì)象的放大系數(shù)符號(hào)，以構(gòu)成負(fù)反饋控制系統(tǒng)的原則來選擇的。PID調(diào)節(jié)器 yunrun.com.cn/product/977.html先對(duì)控制系統(tǒng)組成
2018-01-03 23:02:14
我正在為我的項(xiàng)目編寫一個(gè)bootloader。我在STM8AF板上工作，我的寫存儲(chǔ)器命令有問題。我按照UM0560用戶手冊(cè)中的每條指令進(jìn)行操作。我的問題出現(xiàn)在序列的末尾，我從未收到最后的ACK或
2018-10-25 10:57:32
狀態(tài)取反寫入存儲(chǔ)器。如果讀出狀態(tài)不在車庫(kù)內(nèi)，則產(chǎn)生刷進(jìn)脈沖，在車庫(kù)內(nèi)刷出。大致思路是這樣，用74LS123進(jìn)行延時(shí)，延時(shí)信號(hào)觸發(fā)存儲(chǔ)器的讀寫端，數(shù)據(jù)通過74LS244傳輸，中間用74LS175固定和取反
2016-07-23 00:01:59
本期電子發(fā)燒友《反饋電路概念及實(shí)際運(yùn)用》為您詳細(xì)講解反饋電路，從概念分類到計(jì)算方法，從基礎(chǔ)概念到應(yīng)用拓展，加深您對(duì)反饋電路的了解與運(yùn)用，讓你在電路設(shè)計(jì)中可以的心應(yīng)手。你能從中學(xué)到什么概念及分類判斷
2020-07-18 08:30:00
了人體這個(gè)大電阻，雖然得到的電流會(huì)很小，但是經(jīng)過三極管放大作用，電流會(huì)乘以放大系數(shù)如IB，如果放大系數(shù)夠大，就可以點(diǎn)亮這個(gè)小燈泡。當(dāng)然也可以用導(dǎo)線連接兩個(gè)觸點(diǎn)，但必須串聯(lián)一個(gè)電阻在其中，防止電流
2023-04-13 17:16:51
本文所講解的此款前置放大器采用集成電路LM741運(yùn)放，可以提高麥克風(fēng)信號(hào)線的電平。麥克風(fēng)信號(hào)通過C1輸入，另一個(gè)端子為麥克風(fēng)供電（如果需要），這里是電源電壓的一半。電位器P1調(diào)節(jié)增益，放大系數(shù)可以設(shè)定為10?101倍。
2021-05-13 07:55:07
設(shè)三極管放大電路中第一級(jí)為共射級(jí)電路，第二級(jí)為共集電極電路，輸入電壓vi=10mv,負(fù)載RL=1K歐，輸出電壓要求1V，三極管用8050，放大系數(shù)210，我已經(jīng)確定了第一級(jí)電路中的參數(shù)，怎么確定第二級(jí)電路中各原件的參數(shù)啊··求助方法 （右邊第二級(jí)的參數(shù)有問題，求大家指點(diǎn)）
2011-10-19 12:54:25
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是指通過對(duì)半導(dǎo)體電路加以電氣控制，使其具備數(shù)據(jù)存儲(chǔ)保持功能的半導(dǎo)體電路裝置。與磁盤和光盤裝置等相比，具有數(shù)據(jù)讀寫快存儲(chǔ)密度高耗電量少耐震等特點(diǎn)。關(guān)閉電源后存儲(chǔ)內(nèi)容會(huì)丟失的存儲(chǔ)器稱作易失
2019-04-21 22:57:08
存儲(chǔ)器的選片及總線的概念 至此譯碼的問題解決了讓我們?cè)賮黻P(guān)注另外 一個(gè)問題送入每個(gè)字節(jié)的8根線又是從什么地方來的呢它就是從單片機(jī)的外部引腳上接過來的一般這8根線除了接一個(gè)存儲(chǔ)器之外還要接其它的器件
2012-03-07 15:38:33
這個(gè)放大電路的放大系數(shù)怎么算的？是不是和三極管的一些參數(shù)有關(guān)啊
2017-08-15 14:44:07
low、high的狀態(tài)用感測(cè)放大器進(jìn)行增幅通過觸發(fā)器電路存儲(chǔ)"1"、"0"
2019-05-27 20:59:42
(P1/P2)=20log (V1/V2)(P 代表功率，V代表電壓)。放大系數(shù)轉(zhuǎn)化為分貝的公式為：20×lgA，其中A為放大系數(shù)，所以，當(dāng)電路的放大倍數(shù)為85時(shí)，則轉(zhuǎn)化的算式為：20×lg85=20
2022-08-05 14:59:50
你好，我有一個(gè)帶有一些寄存器的簡(jiǎn)單硬件。我有內(nèi)核驅(qū)動(dòng)程序。我從內(nèi)核空間知道我可以使用iowrite32（）寫入一些硬件內(nèi)存并使用ioread32（）讀取。但我不知道如何從用戶空間向內(nèi)核空間發(fā)送一些值
2020-04-28 09:04:23
/383681#M3607我要將數(shù)據(jù)矩陣存儲(chǔ)在fpga而不是LUT的塊存儲(chǔ)器中作為內(nèi)存！因?yàn)榛谖揖帉懙拇a中的上述鏈接，它使用LUT作為內(nèi)存而不是fpga的塊內(nèi)存。所以它的容量很低.....我需要更多的空間來存儲(chǔ)像素?cái)?shù)據(jù)。能否指導(dǎo)我如何在塊存儲(chǔ)器中寫入和讀取矩陣？謝謝
2019-11-07 07:30:54
請(qǐng)教大家一個(gè)問題：我想用存儲(chǔ)器6264預(yù)先設(shè)置一些數(shù)據(jù)，再通過單片機(jī)讀出來控制LED燈的亮滅。請(qǐng)問，該如何對(duì)存儲(chǔ)器6264寫入數(shù)據(jù)呢？謝謝！
2017-11-28 23:19:24
將新的比特流圖像寫入SPI附加存儲(chǔ)器的過程是什么。理想情況下，圖像不應(yīng)位于@ 0x0000000并且正在替換圖像。我在U470中看到提到配置存儲(chǔ)器讀取過程是否存在配置存儲(chǔ)器寫入過程？該文件涉及FAR
2020-06-01 13:57:36
Access Memory”的縮寫，被譯為隨機(jī)存儲(chǔ)器。所謂“隨機(jī)存取”，指的是當(dāng)存儲(chǔ)器中的消息被讀取或寫入時(shí)，所需要的時(shí)間與這段信息所在的位置無(wú)關(guān)。這個(gè)詞的由來是因?yàn)樵缙谟?jì)算機(jī)曾使用磁鼓作為存儲(chǔ)器，磁鼓是順序讀寫設(shè)備，而RAM可隨讀取其內(nèi)部任意地址的數(shù)據(jù)，時(shí)間都是相同的，因
2021-12-10 07:09:20
做一個(gè)DSP的后置放大系統(tǒng)，有能做的同志速度與我聯(lián)系
2015-03-09 09:54:41
4Gb到100Gb的密度.談及循環(huán)及數(shù)據(jù)保留間的強(qiáng)相關(guān)性，使用N削D來獲得高寫入性能的系統(tǒng)經(jīng)常面對(duì)一個(gè)困難即在長(zhǎng)時(shí)間的休止?fàn)顟B(tài)下如何保證足夠的數(shù)據(jù)保留。變相存儲(chǔ)器：新的儲(chǔ)存器創(chuàng)建新的使用模式PCM 尺寸
2018-05-17 09:45:35
數(shù)據(jù)交換的接口，用于放大存儲(chǔ)單元讀出的信號(hào)，以及將輸入信號(hào)寫入到存儲(chǔ)陣列之中；輸入輸出控制模塊根據(jù)控制信號(hào)的時(shí)序要求，控制存儲(chǔ)器的讀出、寫入等操作；電源控制是一個(gè)可選的電路單元，主要是為了低功耗的要求
2022-11-17 16:58:07
麻煩哪位高手用虛短和虛斷的方式幫我分析下這個(gè)差分比例放大電路的放大系數(shù)，Vi+和Vi-接的是電橋
2017-01-05 16:37:43
我在用multisim仿真軟件時(shí)，在做三極管放大的電路中，發(fā)現(xiàn)當(dāng)輸入端電阻不同時(shí)，放大系數(shù)會(huì)不一樣，請(qǐng)問這是為什么？如果系數(shù)會(huì)不同，有什么辦法控制這個(gè)系數(shù)？如果這個(gè)系數(shù)會(huì)不同，那是不是就沒有辦法來控制輸出的放大電流？
2017-04-21 11:04:42
我的三極管上寫的是S9018，下一行寫的是 H 331，我查看網(wǎng)上的資料，9018分為D--I檔，其HFE從28--198倍，那么是不是我這個(gè)是屬于H檔的呢？我查了資料上說H檔的放大系數(shù)是97-146，可是我用數(shù)字萬(wàn)用表測(cè)試的結(jié)果是202，請(qǐng)問這到底是怎么回事？這里的H 331是表示什么呢？謝謝
2017-04-17 19:37:25
使用ST25DV中的用戶內(nèi)存區(qū)域來存儲(chǔ)產(chǎn)品信息。那么寫入和讀取用戶存儲(chǔ)器（EEPROM）的步驟應(yīng)該是什么？根據(jù)文檔，我必須禁用郵箱才能訪問 EEPROM。所以我使用動(dòng)態(tài)注冊(cè)禁用了郵箱。比通過密碼打開 I2C 會(huì)話
2022-12-07 06:29:42
負(fù)反饋放大電路電子教案教學(xué)基本要求教 學(xué) 基 本 要 求主 要 知 識(shí) 點(diǎn)熟練掌握正確理解一般了解反饋的基本概念√反饋的概念及類型負(fù)反饋放大電路的一般表達(dá)式√負(fù)反饋放大電路的基本類型及判別方法
2009-09-16 09:13:36
。正如你所猜想的一樣，被稱為只讀存儲(chǔ)器的東西肯定不容易進(jìn)行寫入操作，而事實(shí)上是根本不能寫入。所有由ROM技術(shù)研發(fā)出的存儲(chǔ)器則都具有寫入信息困難的特點(diǎn)。這些技術(shù)包括有EPROM(幾乎已經(jīng)廢止
2011-11-19 11:53:09
。正如你所猜想的一樣，被稱為只讀存儲(chǔ)器的東西肯定不容易進(jìn)行寫入操作，而事實(shí)上是根本不能寫入。所有由ROM技術(shù)研發(fā)出的存儲(chǔ)器則都具有寫入信息困難的特點(diǎn)。這些技術(shù)包括有EPROM(幾乎已經(jīng)廢止
2011-11-21 10:49:57
的連接方式與NOR閃速存儲(chǔ)器相同，寫入邏輯為反相（NOR寫人時(shí)V th 變高，而AND式則降低），命名為AND式?，F(xiàn)在的NOR閃速存儲(chǔ)器也致力于改良，目的在于將寫人操作也采用隧道方式以降低功耗，或者通過
2018-04-09 09:29:07
。因此，這是判斷浮柵中是否積累了電荷，也就是判斷是“1”還是“0”的機(jī)制。那么，寫入操作是提高了 V th 還是降低了 V th 呢？根據(jù)閃速存儲(chǔ)器的類型情況也有所不同。作為傳統(tǒng)EPROM的一般替代晶
2018-04-10 10:52:59
集成鐵電存儲(chǔ)器的MCU，由于在MCU上集成了鐵電存儲(chǔ)器，該產(chǎn)品數(shù)據(jù)寫入速度比基于閃存和EEPROM的MCU快100倍,功耗降低250倍。它還可在所有的電源模式中提供數(shù)據(jù)保存功能、支持超過100萬(wàn)億次
2021-11-10 08:28:08
我們正在構(gòu)建一個(gè)設(shè)備來測(cè)量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量，所以，我需要做一個(gè)每秒累加的方法。問題：非易失性內(nèi)存有寫入限制，所以我需要使用易失性內(nèi)存。寫入易失性存儲(chǔ)器是否有一些限制？我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫入易失性存儲(chǔ)器，每 10 分鐘寫入一次非易失性存儲(chǔ)器。
2023-05-30 08:48:06
半導(dǎo)體三極管及放大電路基礎(chǔ)：1. 半導(dǎo)體三極管（晶體管）NPN 型三極管結(jié)構(gòu)及符號(hào)晶體管的主要參數(shù)(1)電流放大系數(shù)(2)集-基極反向電流ICBO(3)集-射極反向電流ICEO2. 基
2009-07-05 21:39:37
57 存儲(chǔ)器的種類很多，按存儲(chǔ)類型來分，可分為FLASH存儲(chǔ)器、EPROM存儲(chǔ)器、EEPROM存儲(chǔ)器、SRAM存儲(chǔ)器等。FLASH的特點(diǎn)是必擦除以后才能編程；EEPROM寫入速度較慢，通常為ms（毫秒）級(jí)，不
2010-08-09 14:52:2059
電流放大系數(shù)B可變的晶體管電路圖
2009-06-30 13:30:13445 
正確選擇閃存寫入緩沖區(qū)大小，優(yōu)化擦寫速度
在各種電子技術(shù)快速發(fā)展和電子市場(chǎng)高速擴(kuò)大的今天，存儲(chǔ)器的需求量迅猛增長(zhǎng)。在眾多存儲(chǔ)器類型中，NOR型閃存由于具有隨
2009-11-23 10:00:04966 光盤寫入方式
2009-12-26 09:58:161781 光盤拷貝機(jī)寫入方式
制作不同類型的光盤時(shí)采用的寫入方式也不盡相同，目前較常用的寫入方式有以下幾種：一次寫盤（Disk At Once）
2009-12-30 10:07:06758 達(dá)林頓電路簡(jiǎn)介及應(yīng)用
兩只晶體管按如圖1的連接法叫做達(dá)林頓電路,其放大系數(shù)是兩只三極管的放大系數(shù)的乘積.
2010-05-24 09:59:119860 
PID調(diào)節(jié)器實(shí)際是一個(gè)放大系數(shù)可自動(dòng)調(diào)節(jié)的放大器，動(dòng)態(tài)時(shí)，放大系數(shù)較低，是為了防止系統(tǒng)出現(xiàn)超調(diào)與振蕩。靜態(tài)時(shí)，放大系數(shù)較高，可以蒱捉到小誤差信號(hào)，提高控制精度。
2017-11-24 09:11:056964 MSP430 FLASH型單片機(jī)的FLASH存儲(chǔ)器模塊根據(jù)不同的容量分為若干段，其中信息存儲(chǔ)器SegmengA及SegmentB各有128字節(jié)，其他段有512字節(jié)。SegmentB的地址
2018-04-10 17:16:388195 單片機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)由硬件和軟件組成，軟件的載體是硬件的程序存儲(chǔ)器，程序存儲(chǔ)器采用只讀存儲(chǔ)器，這種存儲(chǔ)器在電源關(guān)閉后，仍能保存程序，在系統(tǒng)上電后，CPU可取出這些指令重新執(zhí)行。只讀存儲(chǔ)器(Read
2018-05-07 17:21:0023923 最近筆者焊制了一部電子管耳放，選用了一只高放大系數(shù)、低失真的名管6c45做功率放大，只用單級(jí)放大就有合適的輸出功率。線路參見附圖。
2019-01-30 11:48:0010606 
RAM英文名random access memory，隨機(jī)存儲(chǔ)器，之所以叫隨機(jī)存儲(chǔ)器是因?yàn)椋寒?dāng)對(duì)RAM進(jìn)行數(shù)據(jù)讀取或寫入的時(shí)候，花費(fèi)的時(shí)間和這段信息所在的位置或寫入的位置無(wú)關(guān)。
2018-10-14 09:16:0036732 為了應(yīng)對(duì)QLC和SMR這兩種高容量存儲(chǔ)盤面臨的寫入限制挑戰(zhàn)，不能停留在介質(zhì)本身，而是要看整個(gè)數(shù)據(jù)的基礎(chǔ)架構(gòu)，因此西部數(shù)據(jù)提出了一個(gè)開源的標(biāo)準(zhǔn)化的分區(qū)存儲(chǔ)技術(shù)。
2019-09-26 17:10:01652 國(guó)際半導(dǎo)體電荷存儲(chǔ)技術(shù)中，“寫入速度”與“非易失性”兩種性能一直難以兼得。
2019-12-17 11:29:21548 記者從中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)獲悉，該校李曉光團(tuán)隊(duì)基于鐵電隧道結(jié)量子隧穿效應(yīng)，實(shí)現(xiàn)了具有亞納秒信息寫入速度的超快原型存儲(chǔ)器，并可用于構(gòu)建存算一體人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)，該成果日前發(fā)表在《自然通訊》雜志上。
2020-03-20 16:23:102128 結(jié)量子隧穿效應(yīng)，實(shí)現(xiàn)了具有亞納秒信息寫入速度的超快原型存儲(chǔ)器，并可用于構(gòu)建存算一體人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)，該成果以Sub-nanosecond memristor based on ferroelectric tunnel junction 為題在線發(fā)表在《自然-通訊》雜志上（Nat. Commun.）。
2020-04-09 14:11:582286 磁阻式隨機(jī)存儲(chǔ)器MRAM是一種新型存儲(chǔ)器，其優(yōu)點(diǎn)有讀取速度快和集成度高及非揮發(fā)性等。目前許多研究主要是致力于將MRAM運(yùn)用于計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)系統(tǒng)中。同時(shí)非易失性MRAM存儲(chǔ)器也應(yīng)用于各級(jí)高速緩存
2020-11-09 16:46:48628 。 以SC001 Active為例，其256GB的寫入壽命為170TBW，512GB為340TBW，1TB版的可達(dá)680TBW。 680TBW的壽命是什么概念？之
2020-11-10 18:09:445212 集成鐵電存儲(chǔ)器的MCU，由于在MCU上集成了鐵電存儲(chǔ)器，該產(chǎn)品數(shù)據(jù)寫入速度比基于閃存和EEPROM的MCU快100倍，功耗降低250倍。它還可在所有的電源模式中提供數(shù)據(jù)保存功能、支持超過100萬(wàn)億
2020-11-17 16:33:39571 只讀存儲(chǔ)器（Read-Only Memory，ROM）以非破壞性讀出方式工作，只能讀出無(wú)法寫入信息。信息一旦寫入后就固定下來，即使切斷電源，信息也不會(huì)丟失，所以又稱為固定存儲(chǔ)器。ROM所存數(shù)據(jù)通
2020-12-07 14:42:0842351 
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片中的只讀存儲(chǔ)器（Read Only Memory，ROM），是一種存儲(chǔ)固定信息的存儲(chǔ)器，在正常工作狀態(tài)下只能讀取數(shù)據(jù)，不能即時(shí)修改或重新寫入數(shù)據(jù)。
2020-12-28 15:33:035983 SSD如今被不少PC用戶所推崇，其優(yōu)勢(shì)在于讀寫速度快、工作無(wú)噪音，不過，缺點(diǎn)是壽命較機(jī)械硬盤差點(diǎn)。廠商對(duì)SSD通常都會(huì)標(biāo)注一個(gè)最大可寫入量（TBW），提醒用戶關(guān)注健康數(shù)據(jù)，以免掉盤等嚴(yán)重問題。 日前
2021-02-24 09:23:533565 SSD如今被不少PC用戶所推崇，其優(yōu)勢(shì)在于讀寫速度快、工作無(wú)噪音，不過，缺點(diǎn)是壽命較機(jī)械硬盤差點(diǎn)。廠商對(duì)SSD通常都會(huì)標(biāo)注一個(gè)最大可寫入量（TBW），提醒用戶關(guān)注健康數(shù)據(jù)，以免掉盤等嚴(yán)重問題。
2021-02-24 09:35:101889 在 tinyAVR? 1 系列器件上，與之前的 tinyAVR 器件相比，對(duì)閃存存儲(chǔ)器和 EEPROM 的訪問方式有所改變。這意味著，必須修改用于在舊款器件上寫入閃存和 EEPROM 的現(xiàn)有代碼
2021-04-01 09:14:518 FRAM是一種寫入速度快的非易失性存儲(chǔ)器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器（如EEPROM、閃存）相比，F(xiàn)RAM不需要用于數(shù)據(jù)保存的備用電池，具有更高的讀/寫耐久性、更快的寫入速度和更低的功耗。
2021-07-27 10:36:091055 集成鐵電存儲(chǔ)器的MCU，由于在MCU上集成了鐵電存儲(chǔ)器，該產(chǎn)品數(shù)據(jù)寫入速度比基于閃存和EEPROM的MCU快100倍,功耗降低250倍。它還可在所有的電源模式中提供數(shù)據(jù)保存功能、支持超過100萬(wàn)億
2021-11-05 17:35:5918 STM32 FLASH寫入失敗問題定位STM32F407 仿真過程進(jìn)行FLASH寫入的時(shí)候報(bào)錯(cuò)：FLASH_ERROR_PROGRAM (0x00000006)STM32F407 仿真過程進(jìn)行
2021-12-01 20:36:1416 。因此，ROM常用來存儲(chǔ)系統(tǒng)程序，具有開機(jī)自檢、鍵盤輸入處理、用戶程序翻譯、信息傳輸、工作模式選擇等功能。 ?2.隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器也稱為讀寫存儲(chǔ)器。當(dāng)信息被讀出時(shí)，內(nèi)存中的內(nèi)容保持不變；寫入時(shí)，新寫入的信息會(huì)覆蓋原始內(nèi)容。
2021-12-24 13:50:3513864 本教程演示了如何使用Menta OS提供的BlockDevice API使用Portenta H7的板載閃存來讀取和寫入數(shù)據(jù)。由于內(nèi)部存儲(chǔ)器的大小有限，我們還將...
2022-01-25 18:25:200 基于原子級(jí)銳利界面的范德瓦爾斯異質(zhì)結(jié)超快浮柵存儲(chǔ)器具有和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（10 ns）相當(dāng)?shù)木幊趟俣?，同時(shí)具備非易失、大容量的存儲(chǔ)特性。
2022-06-10 16:15:101522 
需要設(shè)計(jì)一些算法使得能對(duì)整個(gè)存儲(chǔ)器做均衡的訪問，而不是僅僅去對(duì)幾個(gè)特定的區(qū)域持續(xù)寫入，將對(duì)某些塊的操作分布到整片存儲(chǔ)器上，實(shí)現(xiàn)各塊寫入的平衡，這類算法就稱為損耗均衡（wear leveling）算法。
2022-10-13 15:00:55688 FRAM存儲(chǔ)器提供即時(shí)寫入功能，無(wú)限的耐用性和接近零的軟錯(cuò)誤率，以支持對(duì)功能安全標(biāo)準(zhǔn)的遵守。引起人們對(duì)用于汽車EDR的FRAM非易失性存儲(chǔ)技術(shù)的興趣，因?yàn)槠涫褂媒鉀Q了這些缺點(diǎn)。
2022-11-25 14:19:41327 
通常的寫入過程是把整個(gè)PLC的程序內(nèi)存進(jìn)行寫入，然而大多編寫程序往往并不需要寫入全部?jī)?nèi)存，所以我們需要通過調(diào)整PLC內(nèi)存
容量達(dá)成只寫入適量的步數(shù)程序，來避免不必要的寫入時(shí)間。
2023-04-17 14:31:450 MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫入能力，以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
2023-04-19 17:45:462548 ，輸出一個(gè)放大后的信號(hào)。放大器的放大倍數(shù)由放大器的放大系數(shù)決定，放大系數(shù)通常用增益來表示，單位為分貝（dB）。放大器的增益越高，輸出信號(hào)就越大。
2023-06-01 09:37:403243 隨機(jī)存儲(chǔ)器可以隨時(shí)從任何一個(gè)指定地址中讀出數(shù)據(jù)，也可以隨時(shí)將數(shù)據(jù)寫入任何一個(gè)指定的存儲(chǔ)單元中
2023-06-05 15:49:47785 
FRAM是一種非易失性存儲(chǔ)器，因?yàn)樗Y(jié)合了ram和非易失性存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)。相對(duì)于閃存/EEPROM的寫入優(yōu)勢(shì)和非易失性使其非常適合在斷電情況下存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。具有高讀寫耐久性和快速寫入速度。
2021-07-15 16:46:56697 
TBW（Total Bytes Written）是衡量閃存存儲(chǔ)器壽命和耐用性的重要指標(biāo)。但由于寫入放大的影響，實(shí)際TBW值可能會(huì)偏離理論值。本文將介紹TBW的概念以及寫入放大系數(shù)，并探討如何降低寫入放大對(duì)存儲(chǔ)器的影響。
2023-07-25 14:19:39254 TBW是衡量閃存存儲(chǔ)器壽命和耐用性的重要指標(biāo)。但由于寫入放大的影響，實(shí)際TBW值可能會(huì)偏離理論值。本文將介紹TBW的概念以及寫入放大系數(shù)，并探討如何降低寫入放大對(duì)存儲(chǔ)器的影響。
2023-07-25 14:38:09404 
TBW（Total Bytes Written）是衡量閃存存儲(chǔ)器壽命和耐用性的重要指標(biāo)。但由于寫入放大的影響，實(shí)際TBW值可能會(huì)偏離理論值。本文將介紹TBW的概念以及寫入放大系數(shù)，并探討如何降低寫入放大對(duì)存儲(chǔ)器的影響。
2023-07-25 14:34:02892 
在本文中，我將介紹如何使用 Python 和 pandas 庫(kù)讀取、寫入文件。 1、安裝 pip install pandas 2、讀取 import pandas as pd df
2023-09-11 17:52:32720 其實(shí)放大系數(shù)β與α有四個(gè)，分別各兩個(gè)。為了方便表示，小編還是寫出來吧。
2023-09-15 15:32:282033 
的一致性，避免CPU在讀寫過程中將Cache中的新數(shù)據(jù)遺失，造成錯(cuò)誤地讀數(shù)據(jù)，確保Cache中更新過程的數(shù)據(jù)不會(huì)因覆蓋而消失，必須將Cache中的數(shù)據(jù)更新及時(shí)準(zhǔn)確地反映到主存儲(chǔ)器中，這是一個(gè)Cache寫入過程，Cache寫入的方式通常采用直寫式、緩沖直寫式與回寫式三種，下面
2023-10-31 11:43:37532 。為了使單片機(jī)工作，我們需要向其非易失性存儲(chǔ)器中寫入程序。本文將介紹單片機(jī)芯片程序寫入的過程和方法。 單片機(jī)芯片程序寫入的基本概念 在開始之前，我們先來了解一些基本概念。單片機(jī)的程序由一系列指令組成，這些指令控制著單片機(jī)的操
2024-01-05 14:06:261459 Flash存儲(chǔ)器的寫操作具有特殊性，它只能將數(shù)據(jù)位從1寫成0，而不能從0寫成1。因此，在對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行寫入操作之前，必須先執(zhí)行擦除操作，將預(yù)寫入的數(shù)據(jù)位初始化為1。
2024-02-19 11:37:28541 
電表作為一個(gè)計(jì)量用電量的儀器，電表的精度不但與檢測(cè)芯片的精度有關(guān)，而且與其存儲(chǔ)方式有關(guān)，如果檢測(cè)到的電量數(shù)據(jù)不能隨機(jī)寫入存儲(chǔ)器或寫入存儲(chǔ)器過程出錯(cuò)電表的精度就會(huì)大大降低。 在智能電表數(shù)據(jù)
2023-11-21 09:59:20
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