雖然EEPROM和閃存通常是大多數(shù)應(yīng)用中非易失性存儲器（NVM）的首選，但鐵電RAM（FRAM）為能量收集應(yīng)用中的許多低功耗設(shè)計（如無線傳感器節(jié)點）提供了明顯的優(yōu)勢。智能電表和其他數(shù)據(jù)記錄設(shè)計。憑借
2019-03-18 08:08:00
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在我們的項目中，時常會有參數(shù)或數(shù)據(jù)需要保存。鐵電存儲器的優(yōu)良性能和操作方便常常被我們選用。FM25xxx FRAM存儲器就是我們經(jīng)常使用到的一系列鐵電存儲器，這一篇我們將討論FM25xxx FRAM存儲器的驅(qū)動設(shè)計、實現(xiàn)及使用。
2022-12-08 14:56:551116 
雖然說使用EEPROM保存參數(shù)很有效，但操作及使用次數(shù)均有一下限制。當我們的一些參數(shù)需要不定時修改或存儲時，使用FRAM就更為方便一點。這一節(jié)我們就來設(shè)計并實現(xiàn)FM24xxx系列FRAM的驅(qū)動。
2022-12-08 15:09:11855 
對于做快速存儲采集數(shù)據(jù)類產(chǎn)品的用戶來說，在處理突發(fā)掉電情況時需要保存現(xiàn)有數(shù)據(jù)并避免數(shù)據(jù)丟失，這種情況下有很多種解決方案，鐵電存儲器(FRAM)就是個很好的選擇。FRAM是一種具有快速寫入速度
2023-09-22 08:01:59496 
FRAM存儲器提供即時寫入功能，無限的耐用性和接近零的軟錯誤率，以支持對功能安全標準的遵守。引起人們對用于汽車EDR的FRAM非易失性存儲技術(shù)的興趣，因為其使用解決了這些缺點。這些吸引人的特性是鋯鈦
2020-08-12 17:41:09
你好，我正在設(shè)計一個16或32個FRAM（SPI）設(shè)備的存儲器陣列，用于電池操作的數(shù)據(jù)表，用于遠程戶外位置。我已經(jīng)查閱了CY15B104Q（512K×8）數(shù)據(jù)表中的直流特性，特別是I/O電壓閾值
2019-10-10 09:57:35
FRAM器件提供非易失性存儲，用10年的數(shù)據(jù)保存時間，在與熟悉的閃存和EEPROM替代所需的功率的一小部分。利用現(xiàn)有的基于FRAM存儲器和MCU器件，工程師們可以放心地在他們盡管間歇性的斷電操作
2021-12-09 08:28:44
SRAM+電池+電源管理IC+EEPROM有什么特點？NVRAM+電池管理有什么特點？FRAM的存儲方式有什么特點？
2021-05-12 06:49:09
以及改進整個系統(tǒng)。而這正是我們采用 FRAM 的微控制器超越業(yè)界其他解決方案的優(yōu)勢所在。 FRAM 是一種非易失性 RAM，相較于其他非易失性存儲器技術(shù)，可實現(xiàn)更快速的數(shù)據(jù)存儲和幾乎無限的壽命。 這
2018-09-10 11:57:26
FRAM的特點是速度快，能夠像RAM一樣操作，讀寫功耗極低，不存在如E2PROM的最大寫入次數(shù)的問題；但受鐵電晶體特性制約，FRAM仍有最大訪問（讀）次數(shù)的限制。
2019-09-11 11:30:59
DEMO演示FRAM 特性——“多、快、省”寬泛的FRAM產(chǎn)品線——涵蓋SPI、IIC、并行接口，容量向16Mb邁進技術(shù)優(yōu)勢解決系列應(yīng)用瓶頸創(chuàng)新的FRAM 認證芯片促進應(yīng)用創(chuàng)新
2021-03-04 07:54:14
這幾種存儲器的共同特點其實是掉電后，所存儲的數(shù)據(jù)不會消失，所以可以歸類為非易失性存儲器(即Non-Volatile Memory)。SRAM、DRAM的共同特點是掉電后數(shù)據(jù)會丟失，所以也可稱為易失性
2012-01-06 22:58:43
單片機的實際接口，著重分析與使用一般SRAM的不同之處。關(guān)鍵詞：鐵電存儲器 FRAM原理 8051 存儲技術(shù)1 背景鐵電存儲技術(shù)最在1921年提出，直到1993年美國Ramtron國際公司成功開發(fā)
2014-04-25 13:46:28
概述：FM25640是RAMTRON公司生產(chǎn)的一款64Kb的 FRAM 串行存儲器。它具有100億次的讀寫次數(shù)，掉電數(shù)據(jù)可保持10年。該器件支持SPI的模式0&3，最大可達到5 MHz的總線速度，結(jié)構(gòu)容量為8192×8位。它采用8腳DIP封裝。
2021-05-18 07:15:49
操作是通過在MTJ兩端施加非常低的電壓來完成的，從而在部件使用壽命內(nèi)支持無限的操作。圖3：MRAM讀寫周期FRAM技術(shù)FRAM或鐵電隨機存取存儲器使用1個晶體管–1個鐵電電容器（1T-1FC）架構(gòu)，該
2022-11-17 15:05:44
MRAM與FRAM技術(shù)比較
2021-01-25 07:33:07
SRAM接口。所有這些實現(xiàn)都以某種形式的8引腳封裝提供?！ RAM和FRAM技術(shù)的常用功能 在最高級別上，SRAM和FRAM的基本功能是相同的-從Kilobits到即時存儲在內(nèi)存中的少量兆位的隨機存取存儲器的容量。該存儲器沒有特殊配置或頁面邊界，并且支持標準SPI物理引腳排列。
2020-12-17 16:18:54
/寫存儲器，在斷電時無需外部電池即可保留數(shù)據(jù)。Everspin不支持/ZZ睡眠功能。/ZZ可能需要上拉。表1概述：MB85R8M2TPBS與MR3A16ACMA35原作者：宇芯電子
2023-04-07 16:26:28
。 (富士通半導體提供)隨著使框架的非揮發(fā)性、晶體極化的使用提供了基于電荷存儲技術(shù)的許多優(yōu)點（見表1）。因為它避免了浮柵技術(shù)的潛在的降解效果，FRAM存儲器和其保存數(shù)據(jù)的功率損耗的面能力的壽命幾乎是無限
2016-02-25 16:25:49
：TI MSP430FR59xx MCU建立在超低功耗“Wolverine”技術(shù)平臺基礎(chǔ)之上，采用非易失性FRAM替代EEPROM或閃存提供高穩(wěn)健統(tǒng)一存儲器架構(gòu)，可簡化安全系統(tǒng)設(shè)計目前已經(jīng)出現(xiàn)了大量強制
2014-09-01 17:44:09
功耗要求?！痹陬愃迫缟纤龅南到y(tǒng)中，FRAM 可帶來多種優(yōu)勢。 結(jié)合我們 FRAM MCU 的非易失性、寫入速度和低功耗以及與 AES 模塊及存儲器保護單元的集成，使得諸如 MSP430FR5969
2018-09-10 11:57:29
對于做快速存儲采集數(shù)據(jù)類產(chǎn)品的用戶來說，在處理突發(fā)掉電情況時需要保存現(xiàn)有數(shù)據(jù)并避免數(shù)據(jù)丟失，這種情況下有很多種解決方案，鐵電存儲器(FRAM) 就是個很好的選擇。FRAM是一種具有快速寫入速度
2023-10-19 09:28:15
非易失性寫入性能優(yōu)于EEPROM。 EEPROM支持不同的頁面大小，在這種情況下的EEPROM中的較低頁面大小需要更多頁面寫操作和更多寫周期時間。因此造成額外的寫延遲。因為FRAM不是分頁的存儲器
2020-09-28 14:42:50
富士通FRAM存儲器有哪些特點？富士通FRAM存儲器在智能電表中有什么應(yīng)用？
2021-07-11 06:09:49
隨機存取存儲器（FRAM）是一種非易失性的獨立型存儲技術(shù)，本文將論述FRAM的主要技術(shù)屬性，同時探討可充分展現(xiàn)FRAM優(yōu)勢的具體用例。
2019-08-22 06:16:14
技術(shù)中關(guān)注哪些方面？ 雖然 TI 目前仍在為 Ramtron 生產(chǎn)獨立的 FRAM 存儲器，我們的內(nèi)部工作重心仍為 ?嵌入式 FRAM（作為數(shù)字化流程的 2 掩碼加法器）。 我們已成功設(shè)計出高達
2018-08-20 09:11:18
可從全新的地點獲得更多的有用數(shù)據(jù)北京2011年5月4日電 /美通社亞洲/ -- 日前，德州儀器(TI)宣布推出業(yè)界首款超低功耗鐵電隨機存取存儲器(FRAM)16位微控制器，從而宣告可靠數(shù)據(jù)錄入和射頻
2011-05-04 16:37:37
`最近學習RFID搜集了不少資料，發(fā)出來供有興趣了解物聯(lián)網(wǎng)RFID相關(guān)應(yīng)用的朋友們學習，也希望拋磚引玉啊，大家都上傳手上的寶貝吧，一起打造個RFID技術(shù)學習的分享站。資料中有幾個是與富士通FRAM
2013-10-24 15:16:41
MSP430FR2311這個單片機的fram存儲地址是什么還有如何設(shè)置
2021-06-06 18:21:25
最近抽空參加了2013富士通半導體的MCU/FRAM鐵電存儲器技術(shù)研討會，演講的是一個華裔日本人，趕腳講的還是比較中肯滴，他說：“由于FRAM產(chǎn)品采用并行接口，I2C和SPI，采用8引腳SOP封裝
2013-07-15 10:19:16
次(10E6) 。2.3 MSP430FRXX 系列MCU中FRAM 管理器簡介為了能夠充分發(fā)揮FRAM速度快，功耗低，掉電不易失，耐久性強的特點，MSP430FR5969 同時為其配置了同樣強大的存儲器
2019-06-12 05:00:08
便攜式和無線傳感應(yīng)用的電池壽命。FRAM是一種新型非易失性存儲器，集SRAM的速度、靈活性與耐用度和閃存的穩(wěn)定性和可靠性于一身，但總功耗更低。M24C16-WMN6TP FRAM MCU是世界上首款具...
2021-11-03 07:28:04
、9uA就可以把數(shù)據(jù)寫完。通過比較可以看到，如果要寫很多數(shù)據(jù)到Flash等傳統(tǒng)存儲器里，FRAM速度會更快而所需功耗卻最低。從擦寫數(shù)據(jù)次數(shù)來看，一般存儲器寫一萬來次就到了極限，可FRAM可以在寫了10
2021-11-24 07:19:40
鐵電存儲器FRAM是一種隨機存取存儲器，它將動態(tài)隨機存取存儲器DRAM的快速讀取和寫入訪問——它是個人電腦存儲中最常用的類型——與在電源關(guān)掉后保留數(shù)據(jù)能力（就像其他穩(wěn)定的存儲設(shè)備一樣，如只讀存儲器
2020-05-07 15:56:37
本帖最后由 skysoon33958085 于 2014-4-25 11:34 編輯
來源:與非網(wǎng) 摘要:鐵電存儲器(FRAM)以其非揮發(fā)性,讀寫速度塊, 擦寫次數(shù)多,和低功耗等特點被廣泛應(yīng)用
2014-04-25 11:05:59
介紹鐵電存儲器(FRAM)的一般要領(lǐng)和基本原理，詳細分析其讀寫操作過程及時序。將FRAM與其它存儲器進行比較，分析在不同場合中各自的優(yōu)缺點。最后以FM1808 為例說明并行FRAM 與8051
2009-04-15 09:48:25
66 鐵電存儲器FRAM 是具有低功耗、高寫入速度、高耐久力的新型非易失性存儲器，應(yīng)用范圍廣泛。本文介紹FRAM 及其應(yīng)用， 并給出FRAM 與MCS-51 單片機的接口電路和軟件設(shè)計。
2009-05-13 16:25:4525 介紹鐵電存儲器(FRAM)的一般要領(lǐng)和基本原理，詳細分析其讀寫操作過程及時序。將FRAM與其它存儲器進行比較，分析在不同場合中各自的優(yōu)缺點。最后以FM1808 為例說明并行FRAM 與8051
2009-05-16 14:19:5310 鐵電存儲器FRAM詳解:
鐵電存儲器（FRAM）產(chǎn)品將ROM的非易失性數(shù)據(jù)存儲特性和RAM的無限次讀寫、高速讀寫
2008-01-30 09:13:504172 
什么是閃存卡/U盤/SD卡/FIFO/FRAM
閃存卡（Flash Card）是利用閃存（Flash Memory）技術(shù)達到存儲電子信息的存儲器，一般應(yīng)用在數(shù)碼相機
2010-03-24 16:49:501649 鐵電隨機存儲器(FRAM) RFID由于存儲容量大、擦寫速度快一直被用作數(shù)據(jù)載體標簽。內(nèi)置的串行接口可將傳感
2010-12-10 10:36:05822 鐵電隨機存取存儲器（FRAM）是一種非易失性的獨立型存儲技術(shù)，本文將論述FRAM的主要技術(shù)屬性，同時探討可充分展現(xiàn)FRAM優(yōu)勢的具體用例。
2012-10-08 15:34:551835 
近幾年，FRAM（鐵電存儲器）比較火，特別是在三表的應(yīng)用中。網(wǎng)上也有不少對FRAM技術(shù)的討論。這不，小編看到了一篇分享，是某網(wǎng)友總結(jié)的FRAM應(yīng)用的心得，發(fā)布在這里供正在使用和將來要使用FRAM的筒子們參考~
2017-03-24 18:27:171915 傳統(tǒng)的閃存和EEPROM等存儲器是利用電荷注入來實現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲的，而FRAM是利用外部電場產(chǎn)生極化來實現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲的，因此它與傳統(tǒng)存儲器相比，不易α射線，x射線，γ射線，重離子等射線的影響。在醫(yī)院工作
2017-03-28 15:26:181564 
FRAM（鐵電隨機存取存儲器）是被稱為FeRAM。這種存儲器采用鐵電質(zhì)膜用作電容器來存儲數(shù)據(jù)。FRAM具有ROM（只讀存儲器）和RAM（隨機存取器）的特點，在高速讀寫入、高讀寫耐久性、低功耗和防竄改方面具有優(yōu)勢。
2017-03-28 18:05:301459 近年來隨著智能三表、物聯(lián)網(wǎng)、醫(yī)療器械及醫(yī)療電子標簽、汽車后裝設(shè)備、以及工業(yè)傳感網(wǎng)絡(luò)的快速增長，FRAM存儲器以及FRAM微控制器的應(yīng)用越來越多。似乎幾年前電子工程專輯的報道還傾向于把FRAM（那時候
2017-03-28 18:41:571055 與傳統(tǒng)非易失性存儲器相比，FRAM的功耗要低很多，而且寫入速度更快。對于類似的寫入，FRAM功耗只有EEPROM的1/1000。FRAM的寫入時間是EEPROM的1/40000，達到SRAM
2017-03-29 11:46:291659 
FRAM是集合了ROM和RAM兩種存儲器的優(yōu)勢。擅于進行高速寫入、具有長的耐久力和低功耗。 不同接口的產(chǎn)品各自都有哪些特點呢？
2017-09-04 14:46:3010691 
FRAM是集合了ROM和RAM兩種存儲器的優(yōu)勢。擅于進行高速寫入、具有長的耐久力和低功耗。富士通半導體可提供采用串行（I2C和SPI）和并行外設(shè)的FRAM產(chǎn)品。 不同接口的產(chǎn)品各自都有哪些特點呢？
2017-09-17 16:34:229447 
富士通在開發(fā)高質(zhì)量、高可靠性存儲器FRAM的方面，具有17年以上的豐富量產(chǎn)經(jīng)驗，并在智能卡及IC卡等卡片領(lǐng)域、電力儀表及產(chǎn)業(yè)設(shè)備等產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域，已取得卓越的應(yīng)用成果。與時俱進，富士通正積極投入
2017-09-20 12:43:0815 選用存儲器時主要考慮的指標包括安全性、使用壽命、讀寫速度、產(chǎn)品功耗和存儲容量等。FRAM(鐵電存儲器)由于具有ROM的非易失性和RAM的隨機存取特性，以及高速讀寫/高讀寫耐久性(高達1014
2018-06-02 02:46:0014464 FRAM是ferroelectric random access memor}r（鐵電隨機存取存儲器）的首字母縮寫，它是非易失性存儲器，即便在斷電后也能保留數(shù)據(jù)。盡管從名稱上說，FRAM是鐵電存儲器，但它不受磁場的影響，因為芯片中不含鐵基材料（鐵）。鐵電材料可在電場中切換極性，但是它們不受磁場的影響。
2018-04-04 09:07:309 FRAM 應(yīng)用介紹
2018-08-15 08:28:005742 關(guān)鍵詞：FRAM , 存儲器 引言： FRAM存儲器可為可穿戴電子產(chǎn)品帶來低功耗、小尺寸、高耐用性與低成本。 正文： 鐵電RAM(FRAM)存儲器廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制系統(tǒng)、工業(yè)自動化、關(guān)鍵任務(wù)空間
2018-09-28 15:56:01270 本文檔的主要內(nèi)容詳細介紹的是PIC18F87K90單片機讀寫FRAM鐵電存儲器的方法存儲器免費下載。
2019-01-23 16:41:2532 鐵電存儲器是美國Ramtran公司推出的一種非易失性存儲器件，簡稱FRAM。
2019-08-12 17:06:123517 FM24CL FRAM 存儲模塊
I2C接口 可排針或排座接入目標板 FRAM外擴存儲
型號 FM24CLXX FRAM Board
2019-12-30 09:45:531331 
相比于其他市場，汽車市場更為關(guān)注技術(shù)成熟度。目前FRAM在汽車行業(yè)的銷售數(shù)量已超過8億臺，技術(shù)已相當成熟，汽車行業(yè)的客戶完全可以對此放心無憂 為什么要在汽車中使用FRAM? 與EEPROM
2020-05-26 11:03:431080 
FRAM器件提供非易失性存儲，用10年的數(shù)據(jù)保存時間，在與熟悉的閃存和EEPROM替代所需的功率的一小部分。利用現(xiàn)有的基于FRAM存儲器和MCU器件，工程師們可以放心地在他們盡管間歇性的斷電操作
2020-07-03 10:27:44336 
鐵電存儲器（FRAM）是一種隨機存取存儲器，是一種特殊工藝的非易失性的存儲器，它將DRAM的快速讀取和寫入訪問，它是個人電腦存儲中最常用的類型，與在電源關(guān)掉后保留數(shù)據(jù)能力（就像其他穩(wěn)定的存儲設(shè)備一樣
2020-08-18 15:22:32721 
FRAM器件提供非易失性存儲，用10年的數(shù)據(jù)保存時間，在與熟悉的閃存和EEPROM替代所需的功率的一小部分。利用現(xiàn)有的基于FRAM存儲器和MCU器件，工程師們可以放心地在他們盡管間歇性的斷電操作
2020-09-19 11:56:481727 FRAM是一種鐵電存儲器，它使用鐵電膜作為電容來存儲數(shù)據(jù)，即使數(shù)據(jù)沒有電源也可以保存。采用鐵電薄膜作為電容器來存儲數(shù)據(jù)。具有ROM和RAM特性的FRAM在高速讀寫，高讀寫耐久性，低功耗，防篡改等方面
2020-09-27 14:32:311634 新型的存儲器既具有RAM的優(yōu)點，又有非失易失性特征，同時克服了非易失性寫入速度慢且寫入次數(shù)有限等缺點。 FRAM的核心技術(shù)是鐵電晶體材料。這一特殊材料使得鐵電存儲產(chǎn)品同時擁有隨機存取存儲器（RAM
2020-10-30 16:47:12802 “永久性存儲器”通常是指駐留在存儲器總線上的高性能，可字節(jié)尋址的非易失性存儲設(shè)備。MRAM（磁性只讀存儲器）和 FRAM（鐵電 RAM）都具有相似的性能優(yōu)勢：低電壓運行，長壽命和極高的速度。它們
2020-12-14 11:30:0038 獨特性能成就技術(shù)“硬核”，FRAM 是存儲界的實力派。除非易失性以外， FRAM 還具備三大主要優(yōu)勢：高讀寫入耐久性、高速寫入以及低功耗，這是絕大多數(shù)同類型存儲器無法比擬的。
2021-03-11 09:23:313503 相比，具有優(yōu)越的高速寫入、高讀寫耐久性和低功耗性能。 MB85R4002A是FRAM（鐵電隨機存取存儲器）芯片，由262，144字×16位非易失性存儲單元組成，這些單元使用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)制造。能夠保留數(shù)據(jù)，而無需使用SRAM所需的備用電池。MB85R4002A中使用的
2021-04-08 15:42:02824 
FRAM鐵電存儲器。它是一種采用鐵電材料（PZT等）的鐵電性和鐵電效應(yīng)來進行非易失性數(shù)據(jù)存儲的存儲器。FRAM具有ROM和RAM的特點，在高速讀寫入、高讀寫耐久性、低功耗和防竄改方面具有優(yōu)勢
2021-05-04 10:17:001850 
新能源汽車的核心技術(shù)，是大家所熟知的動力電池，電池管理系統(tǒng)和整車控制單元。而高性能存儲器FRAM將是提高這些核心技術(shù)的關(guān)鍵元件。無論是BMS，還是VCU，這些系統(tǒng)都需要實時和連續(xù)地對當前狀態(tài)信息進行
2021-05-04 10:18:00377 
不進行擦除或重寫，數(shù)據(jù)就不會改變。FRAM是一種與Flash相同的非易失性存儲器。 富士通FRAM技術(shù)和工作原理 FRAM是運用鐵電材料（PZT等）的鐵電性和鐵電效應(yīng)來進行非易失性數(shù)據(jù)存儲又可以像RAM一樣操作。 ?當一個電場被加到鐵電晶體時，
2021-05-04 10:16:00515 
FRAM鐵電存儲器是一種采用鐵電材料（PZT等）的鐵電性和鐵電效應(yīng)來進行非易失性數(shù)據(jù)存儲的存儲器。FRAM具有ROM和RAM的特點，在高速讀寫入、高讀寫耐久性、低功耗和防竄改方面具有優(yōu)勢。那么
2021-04-26 14:31:28544 富士通半導體主要提供高質(zhì)量、高可靠性的非易失性鐵電存儲器FRAM， 富士通半導體早在1995年已開始研發(fā)FRAM存儲器，FRAM應(yīng)用于智能卡及IC卡等卡片領(lǐng)域、電力儀表及產(chǎn)業(yè)設(shè)備等產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域，以及醫(yī)療
2021-04-26 15:49:16689 
開發(fā)和量產(chǎn)及組裝程序。富士通代理商宇芯電子本篇文章簡單介紹一下為何可以說FRAM車規(guī)級是滿足汽車電子可靠性和無延遲要求的優(yōu)先存儲器選擇。 為什么這么說？這就要從FRAM的產(chǎn)品特性開始說起。FRAM的學術(shù)名字叫做FERAM，利用鐵電晶體的鐵電效應(yīng)實現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲，
2021-05-11 17:17:09704 
FRAM是一種新型存儲器，具有高速、高密度、低功耗和抗輻射等優(yōu)點，與EEPROM、FLASH相比，FRAM的讀寫更快、壽命更長，FRAM已經(jīng)應(yīng)用于IC卡和MCU中，預(yù)計未來具有廣闊的市場前景。FRAM產(chǎn)品具有明顯的高新技術(shù)特點，符合科創(chuàng)板屬性，目前上市公司中尚沒有從事該產(chǎn)品的開發(fā)。
2021-05-11 17:32:202107 FRAM是電力計量系統(tǒng)中使用的主要存儲器，由于具有高耐用性、快速寫入和低能耗等優(yōu)點，FRAM在此領(lǐng)域迅速占領(lǐng)了市場；隨著電子設(shè)備和存儲數(shù)據(jù)需求的增多使得FRAM受到廣泛應(yīng)用，FRAM能用于如智能電表、水表和煤氣表等的常見的計量系統(tǒng)中。
2021-05-12 16:52:49616 賽普拉斯型號CY15B104Q-LHXI主要采用先進鐵電工藝的4Mbit非易失性存儲器。鐵電隨機存取存儲器或FRAM是非易失性的，并且執(zhí)行類似于RAM的讀取和寫入操作。它提供了151年的可靠數(shù)據(jù)保留，同時消除了由串行閃存，EEPROM和其他非易失性存儲器引起的復(fù)雜性，開銷和系統(tǒng)級可靠性問題。
2021-05-16 16:59:521643 
FM25CL64B-GTR是串行FRAM存儲器。存儲器陣列在邏輯上組織為8，192×8位，可使用行業(yè)標準的串行外圍設(shè)備接口（SPI）總線進行訪問。FRAM的功能操作類似于串行閃存和串行EEPROM
2021-06-08 16:35:041683 富士通FRAM是新一代非易失性存儲器，其性能優(yōu)于E2PROM和閃存等現(xiàn)有存儲器，功耗更低，提供更高的速度和耐多次讀寫操作。FRAM是非易失性的，但在RAM等其他方面運行。這種突破性的存儲介質(zhì)用于各種
2021-06-28 15:50:412599 
富士通FRAM（鐵電RAM）是新一代非易失性存儲器，性能優(yōu)于 E2PROM 和閃存等現(xiàn)有存儲器，功耗更低，速度更快和耐多次讀寫操作。FRAM是非易失性的，但在ram等其他方面運行。這種突破性的存儲
2021-06-28 15:52:461394 
FRAM只是一種像ram一樣運行的高速非易失性存儲器。這允許程序員根據(jù)需要靈活地分配ROM和RAM存儲器映射。它為最終用戶創(chuàng)造了在底層對FRAM進行編程以根據(jù)他們的個人喜好進行定制的機會。獨立
2021-06-29 15:12:471590 
FRAM是一種非易失性存儲器，因為它結(jié)合了ram和非易失性存儲器的優(yōu)點。相對于閃存/EEPROM的寫入優(yōu)勢和非易失性使其非常適合在斷電情況下存儲數(shù)據(jù)。具有高讀寫耐久性和快速寫入速度。英尚微存儲芯片供應(yīng)商可提供產(chǎn)品測試及技術(shù)支持。
2021-07-27 10:29:281158 FRAM是一種寫入速度快的非易失性存儲器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲器（如EEPROM、閃存）相比，FRAM不需要用于數(shù)據(jù)保存的備用電池，具有更高的讀/寫耐久性、更快的寫入速度和更低的功耗。
2021-07-27 10:36:091055 FRAM （鐵電RAM） 是一種具有快速寫入速度的非易失性存儲器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲器 （如EEPROM、閃存）相比，FRAM不需要備用電池來保留數(shù)據(jù)，并且具有更高的讀/寫耐久性，更快的寫入速度
2021-10-28 10:26:562565 便攜式和無線傳感應(yīng)用的電池壽命。FRAM是一種新型非易失性存儲器，集SRAM的速度、靈活性與耐用度和閃存的穩(wěn)定性和可靠性于一身，但總功耗更低。M24C16-WMN6TP FRAM MCU是世界上首款具...
2021-10-28 19:21:046 、9uA就可以把數(shù)據(jù)寫完。通過比較可以看到，如果要寫很多數(shù)據(jù)到Flash等傳統(tǒng)存儲器里，FRAM速度會更快而所需功耗卻最低。從擦寫數(shù)據(jù)次數(shù)來看，一般存儲器寫一萬來次就到了極限，可FRAM可以在寫了10次方后仍可繼續(xù)進行擦寫操作。由于FRAM速度和SDRAM寫的速度差不多相同，在整個MCU架構(gòu)
2021-11-16 10:21:018 本篇文章宇芯電子主要介紹用FRAM替換閃存或EEPROM的情況，以及如果將FRAM器件成功集成到新的汽車EDR設(shè)計中將需要滿足的要求。
2022-01-26 18:30:086 什么是FRAM？ FRAM（鐵電隨機存取存儲器）是一種非易失性存儲器，它使用鐵電薄膜作為電容器來存儲數(shù)據(jù)。FRAM兼具ROM（只讀存儲器）和RAM（隨機存取存儲器）的特性，具有寫入速度更快
2022-03-02 17:18:36766 鐵電存儲器FRAM是一種具有快速寫入速度的非易失性存儲器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲器相比，FRAM不需要備用電池來保留數(shù)據(jù)，并且具有更高的讀/寫耐久性，更快的寫入速度操作和更低的功耗。今天進行并口
2022-03-15 15:43:44741 鐵電存儲器稱FRAM或FeRAM，FRAM采用鐵電晶體材料作為存儲介質(zhì)，利用鐵電晶體材料電壓與電流關(guān)系具有特征滯后回路的特點來實現(xiàn)信息存儲。 ?? FRAM結(jié)構(gòu)圖 FRAM技術(shù)特點： 非易失性：斷電
2022-11-10 17:00:141785 
設(shè)計人員可以找到FRAM存儲器支持并行，SPI串行或I2C / 2線串行接口。例如，連同其平行的1Mb MB85R1001A FRAM，富士通提供1MB的SPI串行器，MB85RS1MT，使設(shè)計人員能夠采用典型的SPI主/從配置（圖1）設(shè)備的任意數(shù)字。
2022-11-18 16:48:271466 
FRAM存儲器提供即時寫入功能，無限的耐用性和接近零的軟錯誤率，以支持對功能安全標準的遵守。引起人們對用于汽車EDR的FRAM非易失性存儲技術(shù)的興趣，因為其使用解決了這些缺點。
2022-11-25 14:19:41327 
FRAM是一種非易失性存儲器，因為它結(jié)合了ram和非易失性存儲器的優(yōu)點。相對于閃存/EEPROM的寫入優(yōu)勢和非易失性使其非常適合在斷電情況下存儲數(shù)據(jù)。具有高讀寫耐久性和快速寫入速度。
2021-07-15 16:46:56697 
FRAM具有其他傳統(tǒng)內(nèi)存產(chǎn)品所不具備的四個突出特性。特點是：“非易失性”、“高讀寫耐久性”、“寫入速度快”和“低功耗”。
2023-12-15 11:35:46417
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