繼標(biāo)準(zhǔn)型DRAM、儲(chǔ)存型快閃記憶體（NAND Flash）市況谷底反彈后，DDR3利基型記憶體在國(guó)際大廠全力沖刺高頻寬記憶體（HBM）、DDR5等高階應(yīng)用并空出DDR3市場(chǎng)帶動(dòng)下，推升DDR3芯片價(jià)格短線急漲近一成，本季合約價(jià)可望勁揚(yáng)10%至15%，明年首季持續(xù)看俏，華邦（2344）、鈺創(chuàng)、晶豪科等業(yè)者近期訂單涌進(jìn)，開始加大備貨力道，喜迎漲價(jià)商機(jī)。

法人指出，標(biāo)準(zhǔn)型DRAM與NAND芯片目前都由三星、SK海力士、美光等國(guó)際大廠主導(dǎo)，臺(tái)廠在芯片制造端無法與其抗衡，僅模組廠有望以低價(jià)庫(kù)存優(yōu)勢(shì)搭上DRAM與NAND芯片市況反彈列車；DDR3制造則是臺(tái)廠的天下，隨著DDR3跟著漲價(jià)，對(duì)臺(tái)灣記憶體業(yè)者幫助大。

業(yè)界人士分析，帶動(dòng)此波記憶體市況轉(zhuǎn)揚(yáng)的主要?jiǎng)幽埽谟趪?guó)際大廠陸續(xù)減產(chǎn)的效益發(fā)酵，近期隨著產(chǎn)能緊縮，更嚴(yán)格控制出貨，完全展現(xiàn)要支撐價(jià)格上漲的決心。

另一方面，三星、SK海力士、美光積極跨足AI應(yīng)用，將主要產(chǎn)能挪到生產(chǎn)高頻寬記憶體、DDR5等高階領(lǐng)域，也讓DDR3市場(chǎng)出現(xiàn)空間，近期客戶端回補(bǔ)庫(kù)存以及消費(fèi)性電子急單報(bào)到，研調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技（TrendForce）指出，DDR3報(bào)價(jià)從9月起陸續(xù)走揚(yáng)，DDR3 4Gb至今累計(jì)漲幅近一成，DDR3 2Gb累計(jì)漲幅則有14%。

合約價(jià)方面，集邦預(yù)期本季將勁揚(yáng)10%至15%，明年首季續(xù)強(qiáng)，有望再漲5%至10%。

DDR3相關(guān)業(yè)者均正向看待市況發(fā)展。鈺創(chuàng)認(rèn)為，隨著庫(kù)存消化告一段落，「循環(huán)谷底已過」，目前逐漸迎向復(fù)蘇的曙光．正向看待明年全球DRAM市場(chǎng)將迎來顯著成長(zhǎng)。

晶豪科方面，該公司不斷推進(jìn)自家產(chǎn)品的進(jìn)程，無論在DRAM、Flash以及MCP產(chǎn)品，都持續(xù)開發(fā)新品，并跨足不同市場(chǎng)，包括加速19納米DRAM記憶體IC研發(fā)、完成28納米Nand Flash產(chǎn)品量產(chǎn)，另外也研發(fā)車規(guī)用的利基型記憶體IC產(chǎn)品。

華邦總經(jīng)理陳沛銘指出，本季營(yíng)運(yùn)將優(yōu)于第3季，看好明年DRAM市況。

供應(yīng)鏈透露，隨著產(chǎn)業(yè)經(jīng)過逾一年庫(kù)存去化，近期終端消費(fèi)性電子急單大增，帶動(dòng)DDR3芯片需求噴發(fā)，因應(yīng)客戶需求，華邦、鈺創(chuàng)向載板協(xié)力廠備貨量激增，晶豪科投片量也有上升趨勢(shì)，顯示市況回溫以及價(jià)格反轉(zhuǎn)之際，業(yè)者無不積極備貨迎接盛況。

編輯：黃飛

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