和?x16 配置中均可提供高達(dá)?2133Mbps 的數(shù)據(jù)傳輸速率，并可與1.5V DDR3實(shí)現(xiàn)100%兼容。目前，華邦的?DRAM 產(chǎn)品布局包括1Gb-4Gb DDR3、128Mb-2Gb DDR2
2022-04-20 16:04:03
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DDR是Double Data Rate的縮寫，即“雙比特翻轉(zhuǎn)”。DDR是一種技術(shù)，中國大陸工程師習(xí)慣用DDR稱呼用了DDR技術(shù)的SDRAM，而在中國臺灣以及歐美，工程師習(xí)慣用DRAM來稱呼。
2022-11-28 09:17:063907 DDR內(nèi)存1代已經(jīng)淡出市場，直接學(xué)習(xí)DDR3 SDRAM感覺有點(diǎn)跳躍；如下是DDR1、DDR2以及DDR3之間的對比。
2023-04-04 17:08:472871 
DDR內(nèi)存條經(jīng)歷了DDR內(nèi)存條、DDR2內(nèi)存條、DDR3內(nèi)存條三個(gè)時(shí)代。這里給出了DDR內(nèi)存條、DDR2內(nèi)存條、DDR3內(nèi)存條的對比分析。
2011-12-29 14:21:563148 DDR2 DDR3 dimm接口封裝文件，金手指接口
2017-12-03 22:22:02
從上表可以看出，在同等核心頻率下，DDR2的實(shí)際工作頻率是DDR的兩倍。這得益于DDR2內(nèi)存擁有兩倍于標(biāo)準(zhǔn)DDR內(nèi)存的4BIT預(yù)讀取能力。
2019-08-08 07:11:44
DDR2設(shè)計(jì)原理 DDR2 designBasic knowledge? Source Sync Bus Analysis? On-Die Terminations (ODT)? Slew Rate
2009-11-19 09:59:04
嗨，我是FPGA領(lǐng)域的新手?，F(xiàn)在我正在使用Genesys2。我必須控制DDR3內(nèi)存。我在Digilent網(wǎng)站上找到了一些使用micrlaze處理器的DDR3示例。但是，在我的情況下，我不必
2019-05-05 15:29:38
為了實(shí)現(xiàn)更強(qiáng)大的系統(tǒng)操作，DDR3 SDRAM驅(qū)動器設(shè)計(jì)通過降低電容得到了增強(qiáng)，動態(tài)片上端接（ODT）和新的校準(zhǔn)方案。電容減少來自于使用新的合并驅(qū)動器。使用新驅(qū)動程序，組成輸出驅(qū)動程序的電路共享用于ODT。DDR2上使用單獨(dú)的結(jié)構(gòu)作為輸出驅(qū)動器和終端阻抗。
2019-05-23 08:20:56
顆粒廠商也同時(shí)在研發(fā)DDR5的產(chǎn)品，但是最終的標(biāo)準(zhǔn)直到2020年下半年才正式登場！ 好，那我們趕緊開始說點(diǎn)關(guān)于DDR5的干貨吧。首先我們有一張表格可以基本總結(jié)了DDR4到DDR5有哪些重要的更新。高速
2021-08-12 15:42:06
DDR3芯片讀寫控制及調(diào)試總結(jié)，1. 器件選型及原理圖設(shè)計(jì)（1） 由于是直接購買現(xiàn)成的開發(fā)板作為項(xiàng)目前期開發(fā)調(diào)試使用，故DDR3芯片已板載，其型號為MT41J256M16HA-125，美光公司生產(chǎn)的4Gb容量DDR3芯片。采...
2021-07-22 08:33:54
的GDDR4則是基于DDR3的桌面記憶體架構(gòu)，采用的更高 8BIT的預(yù)取機(jī)制。最后 我們來總結(jié)一下顯卡記憶體吧?！ 】傮w來說：GDDR3是屬于DDR2架構(gòu)體系的專用與圖形處理的記憶體芯片。而最近的頂級
2011-02-23 15:27:51
江山科技最新推出JS-9500內(nèi)存檢測儀(SD/DDR/DDR2/DDR3)為領(lǐng)先業(yè)界的軟硬件測試系統(tǒng),采用國際內(nèi)存業(yè)界最先進(jìn)自動儲存器測試程序,能快速、準(zhǔn)確檢測內(nèi)存條, 內(nèi)存
2009-02-10 22:53:43
江山科技最新推出JS-9500內(nèi)存檢測儀(SD/DDR/DDR2/DDR3)為領(lǐng)先業(yè)界的軟硬件測試系統(tǒng),采用國際內(nèi)存業(yè)界最先進(jìn)自動儲存器測試程序,能快速、準(zhǔn)確檢測內(nèi)存條, 內(nèi)存
2009-03-12 16:05:56
向量自動識別各種頻率的DDR3/DDR2/DDR/SD 內(nèi)存條，內(nèi)存芯片測試范圍: DDR3----------0—16G DDR2
2009-08-17 22:58:49
頻率的DDR3/DDR2/DDR/SD 內(nèi)存條，內(nèi)存芯片測試范圍: DDR3----------0—16G DDR2---------0—8G  
2009-03-13 15:46:57
江山科技最新推出JS-9500內(nèi)存測試儀(SD/DDR/DDR2/DDR3)為領(lǐng)先業(yè)界的軟硬件測試系統(tǒng),采用國際內(nèi)存業(yè)界最先進(jìn)自動儲存器測試程序,能快速、準(zhǔn)確檢測內(nèi)存條, 內(nèi)存
2009-02-10 22:50:27
江山科技最新推出JS-9500內(nèi)存測試儀(SD/DDR/DDR2/DDR3)為領(lǐng)先業(yè)界的軟硬件測試系統(tǒng),采用國際內(nèi)存業(yè)界最先進(jìn)自動儲存器測試程序,能快速、準(zhǔn)確檢測內(nèi)存條, 內(nèi)存
2009-02-10 22:55:45
自動識別各種頻率的DDR3/DDR2/DDR/SD 內(nèi)存條，內(nèi)存芯片測試范圍: DDR3----------0—16G DDR2
2009-08-17 23:00:19
DDR3（double-data-rate three synchronous dynamic random accessmemory）是應(yīng)用在計(jì)算機(jī)及電子產(chǎn)品領(lǐng)域的一種高帶寬并行數(shù)據(jù)總線。DDR3 在 DDR2
2019-05-22 08:36:26
DDR3與DDR2外部電路和芯片內(nèi)部設(shè)計(jì)深層差異對比
2012-04-18 11:44:22
DDR4,DDR3,DDR2,DDR1及SDRAM有什么不同之處?
2021-03-12 06:22:08
的不同。從某種角度講，DDR3是為了解決DDR2發(fā)展所面臨的限制而催生的產(chǎn)物。 DDR2與DDR3的區(qū)別 針對Intel新型芯片的一代內(nèi)存技術(shù)（但目前主要用于顯卡內(nèi)存），頻率在800M以上
2011-02-27 16:47:17
DR2與DDR有哪些區(qū)別？DDR3與DDR2的區(qū)別是什么？
2021-10-26 06:15:07
大家好，我們可以在這里討論使用DDR2 / DDR3內(nèi)存與FIFO（我的好奇心）的差異/優(yōu)點(diǎn)/缺點(diǎn)。以上來自于谷歌翻譯以下為原文Hi All, Can we discuss here
2019-02-14 06:14:38
嗨，我找不到N2815A電纜的任何文件，所以我的問題是訂購哪種電纜（U4201A或N2815A）是正確的，以便與U4164A和DDR3探頭（電纜E5845A）或DDR2探頭（電纜E5384A
2018-10-18 16:57:26
效能，不會在零售市場成為技術(shù)主流）當(dāng)市場需求超過4GB的時(shí)候，64位CPU與操作系統(tǒng)就是唯一的解決方案，此時(shí)也就是DDR3內(nèi)存的普及時(shí)期。2、從外觀上說：DDR2代的是240PIN的 （中間部分有凹槽
2014-12-30 14:35:58
效能，不會在零售市場成為技術(shù)主流）當(dāng)市場需求超過4GB的時(shí)候，64位CPU與操作系統(tǒng)就是唯一的解決方案，此時(shí)也就是DDR3內(nèi)存的普及時(shí)期。2、從外觀上說：DDR2代的是240PIN的 （中間部分有凹槽
2014-12-30 14:36:44
和阻抗匹配問題，增加了穩(wěn)定性。DDR32007年，JEDEC協(xié)會正式推出 DDR3 SDRAM規(guī)范，DDR3開始走向舞臺。相比于DDR2，得益于生產(chǎn)工藝的精進(jìn)，DDR3的工作電壓從1.8V降到1.5V
2022-10-26 16:37:40
、DDR2與DDR3內(nèi)存的特性區(qū)別: 1、邏輯Bank數(shù)量 DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的設(shè)計(jì)，目的就是為了應(yīng)對未來大容量芯片的需求。而DDR3很可能將從2Gb容量起步，因此起始
2011-12-13 11:29:47
嗨， 我想知道哪個(gè)DDR3內(nèi)存部件可以與Spartan-6配合使用。 SP601上的DDR2部件是aEDE1116AEBG，但在Digikey，Avnet或Farnell上不可用。無論如何我會
2019-05-21 06:16:43
回收DDR內(nèi)存芯片全新原裝DDR收購回收DDR2，回收DDR3，收購DDR2，收購DDR3，DDR4帝歐電子先生 趙先生 135-3012-2202同步微信 QQ：8798-21252） 長期現(xiàn)金
2021-01-09 17:57:31
方案的硬件設(shè)計(jì)。DDR2 器件設(shè)計(jì)方法參考 DDR3 即可。兩者在體系結(jié)構(gòu)上差別很小，主要區(qū)別 DDR3 器件的總線速度更快，DDR3 器件供電電壓為 1.5V，而 DDR2器件供電電壓為 1.8V
2022-09-29 06:15:25
選擇。視頻處理和圖形生成需要存儲海量數(shù)據(jù)，F(xiàn)PGA內(nèi)部的存儲資源無法滿足存儲需求，因此需要配置外部存儲器。與DDR2 SDRAM相比，DDR3 SDRAM帶寬更好高、傳輸速率更快且更省電，能夠滿足
2019-06-24 06:07:53
嗨！我正在尋找Spartan-3A / 3ANFPGA入門KitBoard用戶指南（UG334）。具體來說第13章：DDR2 SDRAM和我不明白如何使用DDR2 SDRAM，因?yàn)槔邕@個(gè)內(nèi)存
2019-07-31 06:18:10
由于系統(tǒng)帶寬不斷的增加，因此針對更高的速度和性能，設(shè)計(jì)人員對存儲技術(shù)進(jìn)行了優(yōu)化。下一代雙數(shù)據(jù)速率（DDR）SDRAM芯片是DDR3 SDRAM。 DDR3 SDRAM具有比DDR2更多的優(yōu)勢。這些
2019-08-09 07:42:01
你好 ！ 我想設(shè)計(jì)一個(gè)框架，我們想出的設(shè)計(jì)具有以下特點(diǎn)： 1：DDR3（MT47H64M16HR-3 ofmicron inc。） 2：USB 但我不知道如何設(shè)計(jì)DDR2原理圖，而且我還沒有找到關(guān)于
2019-09-06 07:55:42
怎樣對DDR3芯片進(jìn)行讀寫控制呢？如何對DDR3芯片進(jìn)行調(diào)試？
2021-08-12 06:26:33
本人菜鳥初學(xué)者一個(gè)，求大神幫忙設(shè)計(jì)一個(gè)ddr2，ddr3供電電源，查了很多資料，自己也嘗試著設(shè)計(jì)了一下，但是發(fā)現(xiàn)問題很多，只能求助各位了，能幫我設(shè)計(jì)的本人必有酬謝，200元話費(fèi)。。。。。 求會的大神直接聯(lián)系我qq447420097
2014-03-25 23:02:56
DDR,DDR2,DDR3,DDR4,LPDDR區(qū)別文所有權(quán)歸作者Aircity所有1什么是DDRDDR是Double Data Rate的縮寫，即“雙比特翻轉(zhuǎn)”。DDR是一種技術(shù)，中國大陸工程師
2021-09-14 09:04:30
/DDR/DDR2芯片的datasheet細(xì)細(xì)比對，也許用這篇文比較也無法完全說明白他們的迥異，但是至少特權(quán)同學(xué)希望通過這篇文章能夠讓大家對他們之間的區(qū)別有一個(gè)大概的認(rèn)識，尤其一樣對SDR SDRAM
2014-12-30 15:22:49
如何測試ARM外接DDR2的正確連接？ ARM具有DDR3接口而沒有SDRAM接口，目前在調(diào)試過程中發(fā)現(xiàn)程序在DDR3中跑飛，不知道如何去查或者不知道怎么定位在那出現(xiàn)問題，敬請各位指教，不勝感激。
2020-06-17 06:20:38
blocks.2. Design DDR/DDR2/DDR3 memory PHY both for receiver and transmitter.3. Interact with the layout
2017-11-13 14:46:14
不只計(jì)算機(jī)存儲器系統(tǒng)一直需要更大、更快、功率更低、物理尺寸更小的存儲器，嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用也有類似的要求。本應(yīng)用指南介紹了邏輯分析儀在檢驗(yàn)DDR, DDR2 和DDR3 SDRAM 命令和
2010-08-06 08:29:49
79 MAX17000 完備的DDR2和DDR3電源管理方案
MAX17000 概述
MAX17000脈寬調(diào)制
2009-01-22 12:59:211018 
DDR2名詞解釋
DDR2的定義：
DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會）進(jìn)行開發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，它與上一代DDR內(nèi)
2009-04-26 18:02:221186 
DDR2內(nèi)存?zhèn)鬏敇?biāo)準(zhǔn) DDR2可以看作是DDR技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的一種升級和擴(kuò)展：DDR的核心頻率與時(shí)鐘頻率相等，但數(shù)據(jù)頻率為時(shí)鐘頻率的兩倍，也
2009-04-26 18:05:40786 
DDR3將是2010年最有前景市場
2009 年即將結(jié)束，DDR2 作為DRAM 市場之王的日子同樣所剩無幾。速度更快且功耗更低的DDR3 幾年前就已經(jīng)問世，iSuppli 公司認(rèn)為，它即將成為世
2009-12-15 10:28:14769 
什么是DDR2 SDRAM
DDR2的定義：
DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會）進(jìn)行開發(fā)的新生代內(nèi)存技
2009-12-17 11:17:59623 DDR2的定義：
DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會）進(jìn)行開發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，它與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)最大的不
2009-12-17 16:26:19731 DDR2內(nèi)存?zhèn)鬏敇?biāo)準(zhǔn)
DDR2可以看作是DDR技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的一種升級和擴(kuò)展：DDR的核心頻率與時(shí)鐘頻率相等，但數(shù)據(jù)頻率為時(shí)鐘頻率的兩倍，也就是說在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)必須傳輸
2009-12-24 14:53:28621 DDR2傳輸標(biāo)準(zhǔn)
DDR2可以看作是DDR技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的一種升級和擴(kuò)展：DDR的核心頻率與時(shí)鐘頻率相等，但數(shù)據(jù)頻率為時(shí)鐘頻率的兩倍，也就是說在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)必須傳輸兩次
2009-12-25 14:12:57434 臺灣DRAM廠商大舉轉(zhuǎn)產(chǎn)DDR3
2010年P(guān)C主流內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)從DDR2向DDR3的轉(zhuǎn)換正在逐步成為現(xiàn)實(shí)。據(jù)臺灣媒體報(bào)道，由于下游廠商的DDR2訂單量近期出現(xiàn)急劇下滑，多家臺系DRAM芯片
2010-01-18 09:25:13602 DDR2乏人問津 DRAM廠搶轉(zhuǎn)產(chǎn)能
DDR2和DDR3 1月上旬合約價(jià)走勢迥異，DDR2合約價(jià)大跌，DDR3卻大漲，凸顯世代交替已提前來臨，將加速DDR2需求急速降溫，快速轉(zhuǎn)移到DDR3身上，
2010-01-18 16:04:441094 廠商采取搭售策略 挽回DDR2銷售頹勢
全球DRAM市場正加速進(jìn)行世代交替，DDR3芯片因缺貨使得價(jià)格持續(xù)上漲，DDR2價(jià)格卻嚴(yán)重下跌，且累積庫存越來越多，近期韓系DRAM大
2010-01-20 09:24:18668 DDR2,DDR2是什么意思
DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會）進(jìn)行開發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，它與上一代DDR內(nèi)
2010-03-24 16:06:361381 金士頓：DDR2/DDR3價(jià)格可能會繼續(xù)上漲
據(jù)報(bào)道，存儲大廠金士頓亞太地區(qū)副總裁Scott Chen近日表示，雖然1Gb DDR2/DDR3的芯片價(jià)格已經(jīng)超過了3美元大關(guān)，
2010-04-09 09:11:05676 據(jù)報(bào)道，存儲芯片調(diào)研公司inSpectrum近日表示，7月份下半個(gè)月的主流DDR3內(nèi)存期貨價(jià)格已經(jīng)出現(xiàn)了小幅度下滑，這也反映出了市場的低需求。逐步退出內(nèi)存市場的DDR2內(nèi)
2010-07-26 10:09:02700 
MAX17000A脈寬調(diào)制(PWM)控制器為筆記本電腦的DDR、DDR2、DDR3存儲器提供完整的電源方案。該器件集成了一路降壓控制器、一路可
2010-11-25 09:26:24682 
從那時(shí)起，采用DDR2、甚至最新的DDR3 SDRAM的新設(shè)計(jì)讓DDR SDRAM技術(shù)黯然失色。DDR內(nèi)存主要以IC或模塊的形式出現(xiàn)。如今，DDR4雛形初現(xiàn)。但是在我們利用這些新技術(shù)前，設(shè)計(jì)人員必須了解如何
2011-07-11 11:17:145033 
本文章主要涉及到對 DDR2 和DDR3 在設(shè)計(jì)印制線路板(PCB)時(shí)，考慮信號完整性和電源完整性的設(shè)計(jì)事項(xiàng)，這些是具有相當(dāng)大的挑戰(zhàn)性的。文章重點(diǎn)是討論在盡可能少的PCB 層數(shù)，特別是4 層板
2011-07-12 17:31:100 SDRAM, DDR, DDR2, DDR3 是RAM 技術(shù)發(fā)展的不同階段, 對于嵌入式系統(tǒng)來說, SDRAM 常用在低端, 對速率要求不高的場合, 而在DDR/DDR2/DDR3 中，目前基本上已經(jīng)以DDR2 為主導(dǎo)，相信不久DDR3 將全面取代
2012-01-16 14:53:010 總結(jié)了DDR和DDR2，DDR3三者的區(qū)別，對于初學(xué)者有很大的幫助
2015-11-10 17:05:3736 DDR3是目前DDR的主流產(chǎn)品，DDR3的讀寫分離作為DDR最基本也是最常用的部分，本文主要闡述DDR3讀寫分離的方法。最開始的DDR, 芯片采用的是TSOP封裝，管腳露在芯片兩側(cè)的，測試起來相當(dāng)方便；但是，DDRII和III就不一樣了，
2017-11-06 13:44:108454 
DDR4提供比DDR3/ DDR2更低的供電電壓1.2V以及更高的帶寬，DDR4的傳輸速率目前可達(dá)2133～3200MT/s。DDR4 新增了4 個(gè)Bank Group 數(shù)據(jù)組的設(shè)計(jì)，各個(gè)Bank
2017-11-07 10:48:5152790 
雖然新一代電腦/智能手機(jī)用上了DDR4內(nèi)存，但以往的產(chǎn)品大多還是用的DDR3內(nèi)存，因此DDR3依舊是主流，DDR4今后將逐漸取代DDR3，成為新的主流，下面我們再來看看DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別。相比上一代DDR3，新一代DDR4內(nèi)存主要有以下幾項(xiàng)核心改變：
2017-11-08 15:42:2330895 SDRAM）：DDR4提供比DDR3/ DDR2更低的供電電壓1.2V以及更高的帶寬，DDR4的傳輸速率目前可達(dá)2133～3200 MT/s。
2017-11-17 13:15:4925152 最近發(fā)現(xiàn)越來越多的客戶使用DDR3了，據(jù)描述，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">DDR2使用的越來越少了，而且產(chǎn)量不多，所以現(xiàn)在價(jià)格不便宜，倒是DDR3隨著用戶量的增加，價(jià)格上已經(jīng)與DDR2相差無幾，所以DDR3不失為一個(gè)能讓
2018-04-24 16:08:2018 突發(fā)長度，由于DDR3的預(yù)期為8bit,所以突發(fā)傳輸周期（BL，Burst Length）也固定位8，而對于DDR2和早期的DDR架構(gòu)的系統(tǒng)，BL=4也是常用的，DDR3為此增加了
2018-06-21 09:20:5414616 
DDR3內(nèi)存與DDR2內(nèi)存相似包含控制器和存儲器2個(gè)部分，都采用源同步時(shí)序，即選通信號(時(shí)鐘)不是獨(dú)立的時(shí)鐘源發(fā)送，而是由驅(qū)動芯片發(fā)送。它比DR2有更高的數(shù)據(jù)傳輸率，最高可達(dá)1866Mbps；DDR3還采用8位預(yù)取技術(shù)，明顯提高了存儲帶寬；其工作電壓為1.5V，保證相同頻率下功耗更低。
2019-06-25 15:49:231736 DDR3 SDRAM是DDR3的全稱，它針對Intel新型芯片的一代內(nèi)存技術(shù)（但目前主要用于顯卡內(nèi)存），頻率在800M以上。DDR3是在DDR2基礎(chǔ)上采用的新型設(shè)計(jì)，與DDR2 SDRAM相比具有功耗和發(fā)熱量較小、工作頻率更高、降低顯卡整體成本、通用性好的優(yōu)勢。
2019-10-29 08:00:000 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是DDR和DDR2與DDR3的設(shè)計(jì)資料總結(jié)包括了：一、DDR的布線分析與設(shè)計(jì)，二、DDR電路的信號完整性，三、DDR Layout Guide，四、DDR設(shè)計(jì)建議，六、DDR design checklist，七、DDR信號完整性
2020-05-29 08:00:000 2021年的內(nèi)存市場，此前三星等大廠給出的預(yù)期是明年Q1季度繼續(xù)跌，Q2季度持平，下半年才會開始反彈。 不過這段時(shí)間內(nèi)存市場變數(shù)頗多，三星、SK海力士、美光三大廠商繼續(xù)削減2021年的內(nèi)存投資，供應(yīng)量會比預(yù)期減少，再加上DDR3等低端內(nèi)存產(chǎn)能逐漸退出
2020-12-31 16:27:012782 2021 年，DDR3內(nèi)存價(jià)格受缺貨影響預(yù)上漲 40%-50%，春節(jié)之后的價(jià)格就已經(jīng)上漲至3.3美元以上；三星2Gb DDR3價(jià)格再創(chuàng)歷史新高，從0.95美元漲至3美元左右。
2021-03-15 15:18:142472 用于 DDR 電源及終端的高效率、雙通道、±3A同步降壓型穩(wěn)壓器符合 DDR / DDR2 / DDR3 標(biāo)準(zhǔn)
2021-03-19 08:44:5013 15V、雙通道 3A 單片同步降壓型穩(wěn)壓器為 DDR1、DDR2 或 DDR3 存儲器供電
2021-03-20 15:29:106 用于 DDR 終端的高效率 ±6A 開關(guān)穩(wěn)壓器符合 DDR / DDR2 / DDR3 標(biāo)準(zhǔn)
2021-03-21 05:20:164 本文章主要涉及到對DDR2和DDR3在PCB設(shè)計(jì)時(shí)，考慮信號完整性和電源完整性的設(shè)計(jì)事項(xiàng)，這些是具有相當(dāng)大的挑戰(zhàn)性的。 文章重點(diǎn)是討論在盡可能少的PCB層數(shù)，特別是4層板的情況下的相關(guān)技術(shù)，其中
2021-03-25 14:26:013864 
DDR,DDR2,DDR3,DDR4,LPDDR區(qū)別作者：AirCity 2019.12.17Aircity007@sina.com 本文所有權(quán)歸作者Aircity所有1 什么是DDRDDR
2021-11-10 09:51:03154 當(dāng)時(shí)英特爾已經(jīng)指出了DDR2 800面臨的挑戰(zhàn)。第一，DDR2已經(jīng)跟不上處理器發(fā)展的趨勢，核心頻率超過200MHz的DDR2產(chǎn)品生產(chǎn)難度加大、良品率低，加上速度的提高，又造成了高功耗。
2022-09-05 14:59:092103 三星公司計(jì)劃在下半年再次削減DRAM制程的產(chǎn)能，而今年以來這一減產(chǎn)主要針對DDR4。業(yè)界普遍預(yù)期，三星的目標(biāo)是在今年年底之前將庫存水平降至合理水平。這一減產(chǎn)舉措可能會導(dǎo)致DDR4市場價(jià)格上漲，而目前
2023-09-15 17:42:08996 DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別？ 隨著計(jì)算機(jī)的日益發(fā)展，內(nèi)存也越來越重要。DDR3和DDR4是兩種用于計(jì)算機(jī)內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)。隨著DDR4內(nèi)存的逐漸普及，更多的人開始對兩者有了更多的關(guān)注。 DDR3
2023-10-30 09:22:003901 5片DDR2設(shè)計(jì)分享
2022-12-30 09:19:264 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《完整的DDR、DDR2和DDR3內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 10:16:450 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《完整的DDR2、DDR3和DDR3L內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器TPS51216數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 13:58:120 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《適用于DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4且具有VTTREF緩沖基準(zhǔn)的TPS51206 2A峰值灌電流/拉電流DDR終端穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 13:53:030
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