JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會，微電子產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)全球領(lǐng)導(dǎo)制定機(jī)構(gòu)，今天宣布正式發(fā)布JEDEC DDR3L規(guī)范。這是廣受期待的DDR3存儲器標(biāo)準(zhǔn)JESD79-3 的附件。這是DDR3作為當(dāng)今DRAM主導(dǎo)性標(biāo)準(zhǔn)演變的繼續(xù)
2010-08-05 09:10:50
4186 本文主要使用了Cadence公司的時域分析工具對DDR3設(shè)計進(jìn)行量化分析，介紹了影響信號完整性的主要因素對DDR3進(jìn)行時序分析，通過分析結(jié)果進(jìn)行改進(jìn)及優(yōu)化設(shè)計，提升信號質(zhì)量使其可靠性和安全性大大提高。##時序分析。##PCB設(shè)計。
2014-07-24 11:11:216350 
本文以Kintex-7系列XC7K410T FPGA芯片和兩片MT41J128M16 DDR3 SDRAM芯片為硬件平臺，設(shè)計并實現(xiàn)了基于FPGA的視頻圖形顯示系統(tǒng)的DDR3多端口存儲管理。##每片
2015-04-07 15:52:1013985 
講解xilinx FPGA 使用mig IP對DDR3的讀寫控制，旨在讓大家更快的學(xué)習(xí)和應(yīng)用DDR3。 本實驗和工程基于Digilent的Arty Artix-35T FPGA開發(fā)板完成。 軟件
2021-01-01 10:09:005268 
為了更好地管理各類DDR3內(nèi)存的特性，并提供一種簡便的、帶寬效率高的自動化方式來初始化和使用內(nèi)存，我們需要一款高效DDR3內(nèi)存控制器。
2021-02-09 10:08:0014491 
本實驗為后續(xù)使用DDR3內(nèi)存的實驗做鋪墊，通過循環(huán)讀寫DDR3內(nèi)存，了解其工作原理和DDR3控制器的寫法，由于DDR3控制復(fù)雜，控制器的編寫難度高，這里筆者介紹采用第三方的DDR3 IP控制器情況下的應(yīng)用，是后續(xù)音頻、視頻等需要用到DDR3實驗的基礎(chǔ)。
2021-02-05 13:27:0010988 
? 2022年4月20日，中國蘇州訊?—— 全球半導(dǎo)體存儲解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商華邦電子今日宣布，將持續(xù)供應(yīng)DDR3產(chǎn)品，為客戶帶來超高速的性能表現(xiàn)。 ? 華邦的?1.35V DDR3 產(chǎn)品在?x8
2022-04-20 16:04:033594 
以MT41J128M型號為舉例：128Mbit=16Mbit*8banks 該DDR是個8bit的DDR3，每個bank的大小為16Mbit，一共有8個bank。
2023-09-15 15:30:093825 
DDR3 SDRAM(Double-Data-Rate ThreeSynchronous Dynamic Random Access Memory)是DDR SDRAM的第三代產(chǎn)品，相較于DDR2，DDR3有更高的運(yùn)行性能與更低的電壓。
2025-04-10 09:42:533932 
嗨，我是FPGA領(lǐng)域的新手?，F(xiàn)在我正在使用Genesys2。我必須控制DDR3內(nèi)存。我在Digilent網(wǎng)站上找到了一些使用micrlaze處理器的DDR3示例。但是，在我的情況下，我不必
2019-05-05 15:29:38
規(guī)格和發(fā)展線路。我們可以通過顯存的演進(jìn)圖，明顯知道GDDR3與DDR3是兩種規(guī)格的顯存，DDR3提供和GDDR3一樣的性能，但是價格卻比GDDR3低很多，通過演進(jìn)圖的預(yù)測，以后的顯存市場將是GDDR5
2011-02-23 15:27:51
的數(shù)據(jù)傳輸率，最高可達(dá)1866Mbps；DDR3還采用8位預(yù)取技術(shù)，明顯提高了存儲帶寬；其工作電壓為1.5V，保證相同頻率下功耗更低?！ ?b class="flag-6" style="color: red">DDR3接口設(shè)計實現(xiàn)比較困難，它采取了特有的Fly-by拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，用
2014-12-15 14:17:46
DDR3（double-data-rate three synchronous dynamic random accessmemory）是應(yīng)用在計算機(jī)及電子產(chǎn)品領(lǐng)域的一種高帶寬并行數(shù)據(jù)總線。DDR3 在 DDR2
2019-05-22 08:36:26
共享交流一下，DDR3布線技巧
2016-01-08 08:17:53
CPU的DDR3總線只連了一片DDR3，也沒有復(fù)用總線將DDR3的CS直接拉到地的話，DDR3初始化不成功所以說DDR3的CS信號是通過沿采樣的嗎，電平采樣不行？無法理解啊還是有其他方面原因
2016-11-25 09:41:36
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-21 15:24 編輯
各位好！關(guān)于DDR3，之前有小結(jié)過如果進(jìn)行DDR3的SW leveling和進(jìn)行EMIF4寄存器的配置。但是調(diào)試時，如果進(jìn)行DDR3的問題定位，現(xiàn)小結(jié)一下，附上相關(guān)文檔。如有相關(guān)問題，可在樓下跟帖討論。謝謝！
2018-06-21 04:01:01
你好，ISE版本為13.3，modelsim版本為10.1c 64bit.MIG工具為ddr3生成mcb。modelsim的transcript窗口中的消息如下
2019-07-08 08:44:42
本次發(fā)布 Gowin DDR3參考設(shè)計。Gowin DDR3 參考設(shè)計可在高云官網(wǎng)下載，參考設(shè)計可用于仿真，實例化加插用戶設(shè)計后的總綜合，總布局布線。
2022-10-08 08:00:34
Achieving High Performance DDR3 Data Rates in Virtex-7 and Kintex-7 FPGAs。Xilinx官方DDR3資料。
2016-05-27 16:39:58
DDR3的IP核配置完畢后，產(chǎn)生了好多文件，請問如何調(diào)用這些文件實現(xiàn)DDR3的讀寫呢？看了一些文章，說是要等到local_init_done為高電平后，才能進(jìn)行讀寫操作。請問DDR3的控制命令如
2016-01-14 18:15:19
我這邊焊接了50片am3352的板子，有40多片都是可以正常執(zhí)行起來。但其中有四五個板子，就停在了continuing with ddr3。個人感覺是DDR出了問題，但是又不太確定。想問下，有沒有
2018-05-15 09:52:12
采用96球FBGA封裝，而DDR2則有60/68/84球FBGA封裝三種規(guī)格。并且DDR3必須是綠色封裝，不能含有任何有害物質(zhì)。3、突發(fā)長度（BL，Burst Length）由于DDR3的預(yù)取為
2011-12-13 11:29:47
4內(nèi)存從200元直接翻了一倍到目前的400元以上，DDR3內(nèi)存的價格也跟著水漲船高，將近翻了一番。全球內(nèi)存和閃存芯片市場的大幅漲價，手機(jī)、電腦等產(chǎn)品的價格也就水漲船高。不只手機(jī)存儲芯片的漲價，再加上
2018-10-12 14:24:20
DDR3這一塊要著重注意哪些方面。望詳細(xì)賜教，謝謝！
DDR3時鐘輸入是50Mhz,輸出時鐘設(shè)置為
2018-06-21 05:42:03
現(xiàn)在因為項目需要，要用DDR3來實現(xiàn)一個4入4出的vedio frame buffer。因為片子使用的是lattice的，參考設(shè)計什么的非常少。需要自己調(diào)用DDR3控制器來實現(xiàn)這個vedio
2015-08-27 14:47:57
picture attached. Could anyone help me for how to measure VOH(DC) of DDR3?Thanks,Huy附件DQ13_VOH_Driver34_ODT40_4.jpg109.7 KB
2019-04-17 13:59:13
2 1.8V）。 DDR3器件還提供其他的節(jié)約資源模式，如局部刷新。與DDR2相比，DDR3的另一個顯著優(yōu)點是更高的性能/帶寬，這是由于有更寬的預(yù)取緩沖（與4位的DDR2相比，DDR3為8位寬），以及更高
2019-08-09 07:42:01
MES50HP 開發(fā)板簡介
MES50HP 開發(fā)板集成兩顆 4Gbit（512MB）DDR3 芯片,型號為 MT41K256M16。DDR3 的總線寬度共為 32bit。DDR3 SDRAM 的最高
2023-05-19 14:28:45
本文介紹了DDR3 SDRAM 的基本特點和主要操作時序,給出了一種基于ALTMEMPHY宏功能的DDR3 SDRAM控制器的設(shè)計方法。詳述了控制器基本結(jié)構(gòu)和設(shè)計思想,分析了各模塊功能與設(shè)計注意事項,并
2010-07-30 17:13:55
30 MAX17000 完備的DDR2和DDR3電源管理方案
MAX17000 概述
MAX17000脈寬調(diào)制
2009-01-22 12:59:211311 
DDR3將是2010年最有前景市場
2009 年即將結(jié)束，DDR2 作為DRAM 市場之王的日子同樣所剩無幾。速度更快且功耗更低的DDR3 幾年前就已經(jīng)問世，iSuppli 公司認(rèn)為，它即將成為世
2009-12-15 10:28:141003 
臺灣DRAM廠商大舉轉(zhuǎn)產(chǎn)DDR3
2010年P(guān)C主流內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)從DDR2向DDR3的轉(zhuǎn)換正在逐步成為現(xiàn)實。據(jù)臺灣媒體報道，由于下游廠商的DDR2訂單量近期出現(xiàn)急劇下滑，多家臺系DRAM芯片
2010-01-18 09:25:13795 DDR3來臨2010年DRAM市場云開月明
2009年DRAM 市場烏云籠罩，廠商艱難度過黑暗時期，終于守得云開見月明。春季溫和復(fù)蘇，夏季迎來光明。價格在春季的基礎(chǔ)上持續(xù)上漲
2010-01-26 09:54:00787 DDR2芯片價格有望在下半年超過DDR3
報道，威剛主席Simon Chen今天表示，隨著DRAM制造商把重點放在DDR3芯片生產(chǎn)上，DDR2芯片的出貨量將開始減少，其價格有望在今年下半
2010-02-05 09:56:181177 Atom/DDR3首次聯(lián)姻 華擎迷你ION主板上市
支持DDR3內(nèi)存的Atom N4x5系列處理器要到第三季度才會面世，因此在那之前想要在Atom平臺上使用DDR3內(nèi)存，就只能
2010-02-10 09:22:11735 三星首家量產(chǎn)40nm級工藝4Gb DDR3綠色內(nèi)存芯片
三星電子宣布，該公司已經(jīng)在業(yè)內(nèi)第一家使用40nm級別工藝批量生產(chǎn)低功耗的4Gb DDR3內(nèi)存芯片。
這種內(nèi)存芯片支
2010-02-26 11:33:421106 金士頓：DDR2/DDR3價格可能會繼續(xù)上漲
據(jù)報道，存儲大廠金士頓亞太地區(qū)副總裁Scott Chen近日表示，雖然1Gb DDR2/DDR3的芯片價格已經(jīng)超過了3美元大關(guān)，
2010-04-09 09:11:05904 Quamtum-SI DDR3仿真解析
Automated DDR3 Analysis
2010-04-29 09:00:114760 
從那時起，采用DDR2、甚至最新的DDR3 SDRAM的新設(shè)計讓DDR SDRAM技術(shù)黯然失色。DDR內(nèi)存主要以IC或模塊的形式出現(xiàn)。如今，DDR4雛形初現(xiàn)。但是在我們利用這些新技術(shù)前，設(shè)計人員必須了解如何
2011-07-11 11:17:146408 
總結(jié)了DDR和DDR2，DDR3三者的區(qū)別，對于初學(xué)者有很大的幫助
2015-11-10 17:05:3736 用ise工具調(diào)用DDR3 IP核教程，內(nèi)容非常的詳細(xì)
2015-11-20 11:56:200 內(nèi)存顆粒廠家提供的，DDR3內(nèi)存條電路圖。onboard內(nèi)存的板子可以參考。
2015-12-31 14:15:39494 針對DDR2-800和DDR3的PCB信號完整性設(shè)計
2016-02-23 11:37:230 Xilinx FPGA工程例子源碼：Xilinx DDR3最新VHDL代碼(通過調(diào)試)
2016-06-07 14:54:5777 針對DDR2-800和DDR3的PCB信號完整性設(shè)計，要認(rèn)證看
2016-12-16 21:23:410 華芯半導(dǎo)體DDR3內(nèi)存顆粒 datasheet
2016-12-17 21:59:120 DDR3是目前DDR的主流產(chǎn)品，DDR3的讀寫分離作為DDR最基本也是最常用的部分，本文主要闡述DDR3讀寫分離的方法。最開始的DDR, 芯片采用的是TSOP封裝，管腳露在芯片兩側(cè)的，測試起來相當(dāng)方便；但是，DDRII和III就不一樣了，
2017-11-06 13:44:109412 
DDR4提供比DDR3/ DDR2更低的供電電壓1.2V以及更高的帶寬，DDR4的傳輸速率目前可達(dá)2133～3200MT/s。DDR4 新增了4 個Bank Group 數(shù)據(jù)組的設(shè)計，各個Bank
2017-11-07 10:48:5155968 
這段時間，DDR4內(nèi)存條價格持續(xù)處于高位，于是不少廠商和需求不高的用戶開始將目光轉(zhuǎn)向老一代的DDR3，畢竟無論是DDR3內(nèi)存本身還是相應(yīng)主板，都已經(jīng)十分廉價，組個入門機(jī)還挺合適。
2017-11-07 13:21:264947 雖然新一代電腦/智能手機(jī)用上了DDR4內(nèi)存，但以往的產(chǎn)品大多還是用的DDR3內(nèi)存，因此DDR3依舊是主流，DDR4今后將逐漸取代DDR3，成為新的主流，下面我們再來看看DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別。相比上一代DDR3，新一代DDR4內(nèi)存主要有以下幾項核心改變：
2017-11-08 15:42:2332470 DDR3 SDRAM（Double Data Rate Three SDRAM）：為雙信道三次同步動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存。
DDR4 SDRAM（Double Data Rate Fourth
2017-11-17 13:15:4928010 為了解決視頻圖形顯示系統(tǒng)中多個端口訪問DDR3的數(shù)據(jù)存儲沖突，設(shè)計并實現(xiàn)了基于FPGA的DDR3存儲管理系統(tǒng)。DDR3存儲器控制模塊使用MIG生成DDR3控制器，只需通過用戶接口信號就能完成DDR3
2017-11-18 18:51:257989 
最近發(fā)現(xiàn)越來越多的客戶使用DDR3了，據(jù)描述，因為DDR2使用的越來越少了，而且產(chǎn)量不多，所以現(xiàn)在價格不便宜，倒是DDR3隨著用戶量的增加，價格上已經(jīng)與DDR2相差無幾，所以DDR3不失為一個能讓
2018-04-24 16:08:2018 DDR3內(nèi)存已經(jīng)被廣泛地使用，專業(yè)的PCB設(shè)計工程師會不可避免地會使用它來設(shè)計電路板。本文為您提出了一些關(guān)于DDR3信號正確扇出和走線的建議，這些建議同樣也適用于高密度、緊湊型的電路板設(shè)計。
2018-06-16 07:17:0010446 
Cyclone 10 GX DDR3 示例設(shè)計的步驟
2018-06-20 00:12:006906 
突發(fā)長度，由于DDR3的預(yù)期為8bit,所以突發(fā)傳輸周期（BL，Burst Length）也固定位8，而對于DDR2和早期的DDR架構(gòu)的系統(tǒng)，BL=4也是常用的，DDR3為此增加了一個
2018-06-21 09:20:5416120 
繼儲存型快閃存儲器價格走跌之后，原本報價尖挺的DRAM也開始松動，其中，連續(xù)八季漲價的DDR3率先走跌，臺灣包括晶豪科、南亞科等業(yè)者都以DDR3為主要產(chǎn)品，將首當(dāng)其沖。
2018-08-08 10:31:144337 我們通過Configuration,Package,Speed...等DDR3的命名可知道DDR3的容量，封裝，速度等級等信息。
2019-03-03 11:04:152626 
DDR3內(nèi)存與DDR2內(nèi)存相似包含控制器和存儲器2個部分，都采用源同步時序，即選通信號(時鐘)不是獨立的時鐘源發(fā)送，而是由驅(qū)動芯片發(fā)送。它比DR2有更高的數(shù)據(jù)傳輸率，最高可達(dá)1866Mbps；DDR3還采用8位預(yù)取技術(shù)，明顯提高了存儲帶寬；其工作電壓為1.5V，保證相同頻率下功耗更低。
2019-06-25 15:49:232336 DDR3內(nèi)存與DDR2內(nèi)存相似包含控制器和存儲器2個部分，都采用源同步時序，即選通信號（時鐘）不是獨立的時鐘源發(fā)送，而是由驅(qū)動芯片發(fā)送。它比DR2有更高的數(shù)據(jù)傳輸率，最高可達(dá)1866Mbps；DDR3還采用8位預(yù)取技術(shù)，明顯提高了存儲帶寬；其工作電壓為1.5V，保證相同頻率下功耗更低。
2019-09-18 14:27:032005 
DDR3 SDRAM是DDR3的全稱，它針對Intel新型芯片的一代內(nèi)存技術(shù)（但目前主要用于顯卡內(nèi)存），頻率在800M以上。DDR3是在DDR2基礎(chǔ)上采用的新型設(shè)計，與DDR2 SDRAM相比具有功耗和發(fā)熱量較小、工作頻率更高、降低顯卡整體成本、通用性好的優(yōu)勢。
2019-10-29 08:00:000 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是DDR和DDR2與DDR3的設(shè)計資料總結(jié)包括了：一、DDR的布線分析與設(shè)計，二、DDR電路的信號完整性，三、DDR Layout Guide，四、DDR設(shè)計建議，六、DDR design checklist，七、DDR信號完整性
2020-05-29 08:00:000 從成本的角度來看，DDR3也許的確要比DDR4低一些，所以從這個角度可以講通。
2020-09-08 16:28:235268 近日，安捷倫科技公司推出目標(biāo)應(yīng)用為板級或嵌入式存儲器應(yīng)用的DDR3協(xié)議調(diào)試和測試套件，由硬件和軟件的組成。據(jù)說該套件是業(yè)界首個功能最齊全的DDR3測試工具，包含業(yè)界最快的（2.0-Gtransfer
2020-08-30 10:06:011315 2 月 1 日消息，據(jù)國外媒體報道，業(yè)內(nèi)人士表示，2021 年，DDR3 內(nèi)存價格預(yù)計將上漲 40%-50%，高于業(yè)內(nèi)人士此前估計的 30% 增幅。 DDR3 是一種電腦內(nèi)存規(guī)格，它屬于 SDRAM
2021-02-01 18:00:332959 了，未來幾年被取代是水到渠成的，不過DDR3內(nèi)存反而可能熱了。 目前DDR3內(nèi)存主要用于一些低端、嵌入式領(lǐng)域，比如Wi-Fi路由等，它們不需要多高端、多大容量的內(nèi)存，相比DDR4便宜不少，可以降低成本。 目前三星、美光、SK海力士等公司已經(jīng)停產(chǎn)或者減少DDR3內(nèi)存產(chǎn)能，現(xiàn)在主要廠商是臺灣的
2021-02-02 11:27:394194 用于 DDR 電源及終端的高效率、雙通道、±3A同步降壓型穩(wěn)壓器符合 DDR / DDR2 / DDR3 標(biāo)準(zhǔn)
2021-03-19 08:44:5013 據(jù)外媒消息，日益嚴(yán)重的DDR3短缺，導(dǎo)致價格飛漲，三星電子也因此放緩了減少低密度DRAM產(chǎn)能的計劃。
2021-03-19 10:45:262143 這篇文章我們講一下Virtex7上DDR3的測試?yán)蹋琕ivado也提供了一個DDR的example，但卻是純Verilog代碼，比較復(fù)雜，這里我們把DDR3的MIG的IP Core掛在Microblaze下，用很簡單的程序就可以進(jìn)行DDR3的測試。
2021-05-02 09:05:004229 
DDR4相比DDR3的相關(guān)變更點相比DDR3，DDR4存在諸多變更點，其中與硬件設(shè)計直接相關(guān)的變更點主要有：? 增加Vpp電源；? VREFDQ刪除；? CMD、ADD、CTRL命令的端接變更為
2021-11-06 20:36:0030 DDR3全稱double-data-rate 3 synchronous dynamic RAM，即第三代雙倍速率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器。所謂同步，是指DDR3數(shù)據(jù)的讀取寫入是按時鐘同步的;所謂動態(tài)
2022-02-21 17:51:455363 
日前，世界著名硬件網(wǎng)站TomsHardware上有消息表示，多家大廠都在考慮停止DDR3內(nèi)存的生產(chǎn)。DDR3內(nèi)存早在2007年就被引入，至今已長達(dá)15年，因為其不再泛用于主流平臺，即便退出市場也不會
2022-04-06 12:22:566223 ??這篇文章我們講一下Virtex7上DDR3的測試?yán)蹋琕ivado也提供了一個DDR的example，但卻是純Verilog代碼，比較復(fù)雜，這里我們把DDR3的MIG的IP Core掛在Microblaze下，用很簡單的程序就可以進(jìn)行DDR3的測試。
2022-08-16 10:28:583160 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《Gowin DDR3 Memory Interface IP用戶指南.pdf》資料免費(fèi)下載
2022-09-15 14:39:091 一、DDR3簡介 ? ? ? ? DDR3全稱double-data-rate 3 synchronous dynamic RAM，即第三代雙倍速率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器。所謂同步，是指DDR3數(shù)據(jù)
2022-12-21 18:30:055150 DDR3 SDRAM使用雙倍數(shù)據(jù)速率架構(gòu)來實現(xiàn)高速操作。雙倍數(shù)據(jù)速率結(jié)構(gòu)是一種8n
預(yù)取架構(gòu)，其接口經(jīng)過設(shè)計，可在I/O引腳上每個時鐘周期傳輸兩個數(shù)據(jù)字。
DDR3 SDRAM的單個讀或?qū)懖僮饔行У匕?/div>
2023-02-06 10:12:0014 DDR3的速度較高，如果控制芯片封裝較大，則不同pin腳對應(yīng)的時延差異較大，必須進(jìn)行pin delay時序補(bǔ)償。
2023-07-04 09:25:38936 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PI2DDR3212和PI3DDR4212在DDR3/DDR4中應(yīng)用.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-07-24 09:50:473 本文開源一個FPGA項目：基于AXI總線的DDR3讀寫。之前的一篇文章介紹了DDR3簡單用戶接口的讀寫方式：《DDR3讀寫測試》，如果在某些項目中，我們需要把DDR掛載到AXI總線上，那就要通過MIG IP核提供的AXI接口來讀寫DDR。
2023-09-01 16:20:377275 
本文介紹一個FPGA開源項目：DDR3讀寫。該工程基于MIG控制器IP核對FPGA DDR3實現(xiàn)讀寫操作。
2023-09-01 16:23:193353 
DDR3是2007年推出的，預(yù)計2022年DDR3的市場份額將降至8%或以下。但原理都是一樣的，DDR3的讀寫分離作為DDR最基本也是最常用的部分，本文主要闡述DDR3讀寫分離的方法。
2023-10-18 16:03:561889 
DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別？ 隨著計算機(jī)的日益發(fā)展，內(nèi)存也越來越重要。DDR3和DDR4是兩種用于計算機(jī)內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)。隨著DDR4內(nèi)存的逐漸普及，更多的人開始對兩者有了更多的關(guān)注。 DDR3
2023-10-30 09:22:0013842 法人方面解釋說：“標(biāo)準(zhǔn)型dram和nand目前由三星、sk hynix、美光等跨國企業(yè)主導(dǎo)，因此，中臺灣企業(yè)在半導(dǎo)體制造方面無法與之抗衡。”在ddr3 ddr3的情況下，臺灣制造企業(yè)表現(xiàn)出強(qiáng)勢。ddr3的價格也隨之上漲，給臺灣半導(dǎo)體企業(yè)帶來了很大的幫助。
2023-11-14 11:29:361476 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《DDR3寄存器和PLL數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-08-23 11:06:042 隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步，計算機(jī)內(nèi)存技術(shù)也在不斷發(fā)展。DDR（Double Data Rate）內(nèi)存條作為計算機(jī)的重要組成部分，其性能直接影響到電腦的運(yùn)行速度和穩(wěn)定性。DDR3和DDR4是目前市場上最常
2024-11-20 14:24:2211366 DDR3、DDR4、DDR5是計算機(jī)內(nèi)存類型的不同階段，分別代表第三代、第四代和第五代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（SDRAM）。以下是它們之間的性能對比： 一、速度與帶寬 DDR3 ：速度
2024-11-29 15:08:2819722 據(jù)報道，業(yè)內(nèi)人士透露，全球三大DRAM內(nèi)存制造商——三星電子、SK海力士和美光，有望在2025年內(nèi)正式停產(chǎn)已有多年歷史的DDR3和DDR4兩代內(nèi)存。 隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和消費(fèi)級平臺的更新?lián)Q代
2025-02-19 11:11:513468 的講解數(shù)據(jù)線等長設(shè)計。? ? ? 在另一個文件《AD設(shè)計DDR3時等長設(shè)計技巧-地址線T型等長》中著重講解使用AD設(shè)計DDR地址線走線T型走線等長處理的方法和技巧。
2025-07-28 16:33:124 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《DDR3 SDRAM參考設(shè)計手冊.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-11-05 17:04:014 已全部加載完成
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