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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲技術(shù)>美光率先為業(yè)界伙伴提供基于 32Gb 單裸片 DRAM 的高速率、低延遲 128GB 大容量 RDIMM 內(nèi)存

美光率先為業(yè)界伙伴提供基于 32Gb 單裸片 DRAM 的高速率、低延遲 128GB 大容量 RDIMM 內(nèi)存

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iPhone將擴(kuò)容512GB儲存容量,中國廠商搶先改裝升級iPhone SE容量

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九代酷睿處理器的內(nèi)存控制器可以支持16GB核心容量,32GB的DDR4內(nèi)存。
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開始研發(fā)16Gb容量的DDR5,計(jì)劃在2019年底量產(chǎn)

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為聯(lián)發(fā)科技最新款Helio智能手機(jī)平臺提供業(yè)界容量最高的單片式移動存儲器

關(guān)鍵詞:LPDDR4 , Helio , P90 12Gb LPDDR4X DRAM已在聯(lián)發(fā)科技Helio P90智能手機(jī)平臺的參考設(shè)計(jì)得到驗(yàn)證 芯片封裝的內(nèi)存容量翻倍,臺智能手機(jī)容量可達(dá)
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推出業(yè)界容量最高的單片式移動存儲器 并不增加占用空間

驗(yàn)證,適用于聯(lián)發(fā)科技新一代Helio P90智能手機(jī)平臺的參考設(shè)計(jì)。LPDDR4X能夠?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">單臺智能手機(jī)提供高達(dá)12GB1 的低功耗DRAM(LPDRAM)。它在單一封裝中堆疊多達(dá)8塊,相對于上一代產(chǎn)品,在不增加占用空間的情況下,實(shí)現(xiàn)內(nèi)存容量翻倍。
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威剛Premier DDR4系列高端內(nèi)存產(chǎn)品線今日全面升級32GB,桌面型的U-DIMM、筆記本型的SO-DIMM都有。
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由于三星和美推出了16Gb的新型內(nèi)存芯片,不少廠家都推出了32GB條的內(nèi)存條,現(xiàn)在芝奇也帶來了32GB版本的焰戟/皇家戟,最高頻率DDR4 4000。
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12月1日消息,從今年下半年開始,各大主板廠商都已經(jīng)支持了32GB內(nèi)存,32GB容量內(nèi)存也大量上市。現(xiàn)在,阿斯加特洛極51℃灰內(nèi)存條也全面升級為32GB,DDR4 2666頻率,售價(jià)為599元。
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芝奇發(fā)布DDR4-3200 CL14內(nèi)存 容量統(tǒng)一32GB

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芝奇發(fā)布新品內(nèi)存 容量統(tǒng)一都是32GB

我們知道,內(nèi)存的性能不僅僅取決于頻率高低,也要看延遲,甚至很多時(shí)候延遲的重要性要超過頻率。芝奇此前就發(fā)布過DDR4-4000 CL15高頻延遲內(nèi)存條8GB),現(xiàn)在又帶來了DDR4-3200 CL14,而且容量達(dá)32GB!
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芝奇推出高容量內(nèi)存,將在2020年Q1上市

隨著三星和美16Gb 內(nèi)存芯片出貨,32GB容量內(nèi)存也越來越多,價(jià)格在千元左右?,F(xiàn)在根據(jù)報(bào)道,芝奇也宣布即將發(fā)布一款全新的高容量延遲內(nèi)存,頻率為DDR4-3200,時(shí)序?yàn)镃L14-18-18-38。
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Redmi K30 5G的6GB+64GB128GB版將于明天上午正式開售

日前,@Redmi紅米手機(jī) 正式官宣,Redmi K30 5G的6GB+64GB/128GB版將于明天上午10點(diǎn)正式開售,售價(jià)分別為1999元和2298元,不過這兩個(gè)內(nèi)存版本只有“深海微光”一種顏色可選。
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容量內(nèi)存成新趨勢 32GB內(nèi)存成銳龍Threadripper 3000系列搭配首選

今年1月份內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格開始被熱炒,已經(jīng)有漲價(jià)的苗頭了,不過總體來看目前的內(nèi)存價(jià)位還是不錯的,8GB條還在300內(nèi)。2019年內(nèi)存還有個(gè)趨勢值得注意,那就是大容量條越來越多,32GB條就很受高玩
2020-02-04 15:34:523095

技嘉推出新款64GB內(nèi)存套條 高頻時(shí)序成賣點(diǎn)

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2020-02-06 14:11:093821

SMART Modular發(fā)布一款工業(yè)級32GB DDR4內(nèi)存條 大小比標(biāo)準(zhǔn)的DIMM小了大約2/3

無論臺式機(jī)還是筆記本,32GB容量內(nèi)存條越來越多,一些特殊領(lǐng)域也漸漸有了。特種存儲廠商SMART Modular今天就發(fā)布了一款工業(yè)級的32GB DDR4內(nèi)存條,不但容量大,而且身材迷你。
2020-02-15 14:57:543710

三星16GB LPDDR5內(nèi)存開始量產(chǎn),內(nèi)存速率有5500Mps

近日三星宣布開始量產(chǎn)封片16GB容量LPDDR5內(nèi)存,而16GB LPDDR5的內(nèi)存速率可以達(dá)5500Mps,是LPDDR4X-4266的1.3倍,功耗也降低了不少。
2020-02-26 16:52:293372

金士頓推出32GB條駭客神條,搭載16Gb內(nèi)存芯片

  2月28日金士頓在微信公眾號上宣布推出32GB條駭客神條,可選3600/3733MHz,有無光和RGB兩個(gè)版本。
2020-02-29 14:26:574011

金士頓32GB駭客神條內(nèi)存上架,8GB和16GB還有3733高頻版可選

在CES 2020上,金士頓公布了新款的臺式機(jī)/筆記本32GB駭客神條內(nèi)存,現(xiàn)已上架京東,32GB條DDR4 3200,售價(jià)1499元。
2020-03-10 13:52:433325

Redmi在海外推出國行Redmi 9的6GB/128GB兩個(gè)機(jī)型

近日,Redmi 在海外推出了搭載 Helio G80 SoC 和四后置攝像頭的 Redmi 9。 Redmi 9 具有 3GB/32GB 和 4GB/64GB 內(nèi)存配置,目前這款機(jī)型尚未在國內(nèi)推出。
2020-06-15 16:04:363062

8GB、16GB32GB的性能對比

然沒帶來明顯的性能提升,現(xiàn)在上32GB的意義就不大了,而且這些內(nèi)存肯定要占用更多插槽,以后升級比較麻煩。
2020-08-13 16:43:1811713

英特爾推出高速16GB內(nèi)存套裝并進(jìn)行高速套裝燒機(jī)測試

芝奇表示,16GB×2大容量內(nèi)存已成為許多高端玩家的新選擇,而DDR4-4400 CL16 16GB (8GB×2) 的高速內(nèi)存方案具有高頻率與延遲,可為玩家?guī)砗芎玫挠螒蝮w驗(yàn)。據(jù)芝奇介紹,新推出
2020-09-27 16:15:183061

特斯拉在中國官網(wǎng)正式上架售賣128GB U盤

特斯拉在中國官網(wǎng)上架128GB U盤。
2020-11-27 09:35:205362

32GB內(nèi)存價(jià)格600多 廠商:明年重新漲價(jià)

相比16到18年,這兩年內(nèi)存的價(jià)格總算跌回來了,今年依然在降價(jià),現(xiàn)在32GB內(nèi)存價(jià)格都只要600多塊了。不過內(nèi)存廠商對這樣的價(jià)格顯然是不滿意的,表態(tài)明年年中價(jià)格就會重回漲勢。 據(jù)調(diào)研公司報(bào)告
2020-11-29 11:13:472564

微軟 Surface Pro 8 即將面世,最高可選 32GB 內(nèi)存,還有 LTE 版本

內(nèi)存,還可選 LTE 版本。 Surface Pro 8 可選規(guī)格: Surface Pro 8 LTE i5 8/128GB Surface Pro 8 LTE i5 8/256GB
2020-12-17 09:24:233041

全球首創(chuàng)1αnm DRAM內(nèi)存芯片

今天宣布,已經(jīng)開始批量出貨基于1αnm工藝的DRAM內(nèi)存芯片,這也是迄今為止最先進(jìn)的DRAM工藝,可明顯提升容量密度、性能并降低功耗。
2021-01-27 16:16:513896

率先業(yè)界推出1α DRAM制程技術(shù)

的 1α 技術(shù)節(jié)點(diǎn)使內(nèi)存解決方案更節(jié)能、更可靠,并為需要最佳低功耗 DRAM 產(chǎn)品的移動平臺帶來運(yùn)行速度更快的 LPDDR5。
2021-01-28 17:28:081182

SK海力士成功開發(fā)出業(yè)界第一款HBM3 DRAM 內(nèi)存芯片

韓國SK海力士公司剛剛正式宣布已經(jīng)成功開發(fā)出業(yè)界第一款HBM3 DRAM內(nèi)存芯片,可以實(shí)現(xiàn)24GB業(yè)界最大的容量。HBM3 DRAM內(nèi)存芯片帶來了更高的帶寬,每秒處理819GB的數(shù)據(jù),相比上一代速度提高了78%。
2021-10-20 16:22:142672

DDR5 32GB VLP RDIMM工規(guī)內(nèi)存模塊的特點(diǎn)

隸屬于SGH (Nasdaq: SGH)控股集團(tuán)的全球?qū)I(yè)內(nèi)存與存儲解決方案領(lǐng)導(dǎo)者 SMART Modular世邁科技 (“SMART”)宣布推出新型DuraMemory? DDR5 32GB VLP RDIMM 工規(guī)內(nèi)存模塊,這也是業(yè)界首款DDR5 VLP RDIMM規(guī)格。
2022-03-24 11:40:473342

科技推出全新的16Gb容量GDDR6X內(nèi)存

上海 — 內(nèi)存和存儲解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology, Inc.(科技股份有限公司,納斯達(dá)克代碼:MU)今日宣布量產(chǎn)全新的 16Gb 容量 GDDR6X 內(nèi)存,并已搭載
2022-04-19 14:28:401911

出貨全球最先進(jìn)的1β技術(shù)節(jié)點(diǎn)DRAM

有限公司,納斯達(dá)克股票代碼:MU)今日宣布,其采用全球最先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的1β DRAM產(chǎn)品已開始向部分智能手機(jī)制造商和芯片平臺合作伙伴送樣以進(jìn)行驗(yàn)證,并做好了量產(chǎn)準(zhǔn)備。率先在低功耗LPDDR5X移動內(nèi)存上采用該新一代制程技術(shù),其最高速率可達(dá)每秒8.5Gb。該節(jié)點(diǎn)在性能、密度和能效方面都有
2022-11-02 11:31:271096

出貨全球最先進(jìn)的1β技術(shù)節(jié)點(diǎn)DRAM

β DRAM產(chǎn)品已開始向部分智能手機(jī)制造商和芯片平臺合作伙伴送樣以進(jìn)行驗(yàn)證,并做好了量產(chǎn)準(zhǔn)備。率先在低功耗LPDDR5X移動內(nèi)存上采用該新一代制程技術(shù),其最高速率可達(dá)每秒8.5Gb。該節(jié)點(diǎn)在性能
2022-11-02 17:27:481537

出貨全球最先進(jìn)1β工藝內(nèi)存:密度暴增35%

。 稱,1β工藝可將能效提高約15%,存儲密度提升35%以上,(Die)容量高達(dá)16Gb(2GB)。 目前,已經(jīng)在LPDDR5X移動內(nèi)存率先應(yīng)用1β工藝,還使用了第二代HKMG(高K金屬
2022-11-03 14:43:361577

蓄力向上!Longsys RDIMM企業(yè)級內(nèi)存條迎來重大突破

近日,江波龍正式發(fā)布Longsys AQUILA系列32GB 2R×4規(guī)格 DDR4 RDIMM企業(yè)級專用內(nèi)存條,速率可達(dá)3200MT/s。 這是公司成立近24年以來首次推出自主品牌×4規(guī)格的企業(yè)級
2023-03-11 12:45:04599

蓄力向上!Longsys RDIMM企業(yè)級內(nèi)存條迎來重大突破

近日,江波龍正式發(fā)布Longsys AQUILA系列32GB 2R×4規(guī)格 DDR4 RDIMM企業(yè)級專用內(nèi)存條,速率可達(dá)3200MT/s。這是公司成立近24年以來首次推出自主品牌×4規(guī)格的企業(yè)級
2023-03-14 09:50:261402

推出業(yè)界首款8層堆疊的24GB容量第二代HBM3內(nèi)存

Micron Technology Inc.(科技股份有限公司,納斯達(dá)克股票代碼:MU)今日宣布,公司已開始出樣業(yè)界首款 8 層堆疊的 24GB 容量第二代 HBM3 內(nèi)存,其帶寬超過
2023-07-28 11:36:401471

業(yè)界最快、容量最高的HBM?

來源:半導(dǎo)體芯科技編譯 業(yè)內(nèi)率先推出8層垂直堆疊的24GB容量HBM3 Gen2,帶寬超過1.2TB/s,并通過先進(jìn)的1β工藝節(jié)點(diǎn)實(shí)現(xiàn)“卓越功效”。 科技已開始提供業(yè)界首款8層垂直堆疊的24GB
2023-08-07 17:38:071470

推出CZ120內(nèi)存擴(kuò)展模塊

Micron Technology Inc.(科技股份有限公司,納斯達(dá)克股票代碼:MU)今日宣布已為客戶及合作伙伴出樣 CZ120 內(nèi)存擴(kuò)展模塊。該模塊擁有 128GB 和 256GB 兩種
2023-08-10 14:12:371440

推出內(nèi)存擴(kuò)展模塊,加速CXL 2.0推廣,并通過技術(shù)賦能計(jì)劃助力拓展CXL生態(tài)系統(tǒng)

128GB和256GB兩種容量,采用E3.S 2T外形規(guī)格,支持PCIe 5.0 x8接口。此外,CZ120模塊能夠提供高達(dá)36GB/s的內(nèi)存讀取/寫入帶寬[],并在需要增加內(nèi)存容量和帶寬時(shí)為標(biāo)準(zhǔn)
2023-08-11 10:15:25943

三星發(fā)布容量最大的12納米級32Gb DDR5 DRAM產(chǎn)品

在相同封裝尺寸下,容量是16Gb內(nèi)存模組的兩倍,功耗降低10%,且無需硅通孔(TSV)工藝即可生產(chǎn)128GB內(nèi)存模組
2023-09-01 10:14:291726

推出128GB DDR5服務(wù)器內(nèi)存:能效提升24%

在性能方面,公司表示,將128gb ddr5 rdimm產(chǎn)品的單位容量提高了45%以上,能源效率提高了24%,延時(shí)率大幅減少到16%,ai訓(xùn)練效率提高到了28%。
2023-11-29 14:08:511500

LLW DRAM:AI智能手機(jī)時(shí)代的財(cái)富密碼

LLW DRAM作為一種低功耗內(nèi)存,擁有寬I/O、延遲、每個(gè)模塊/堆棧提供128GB/s的帶寬,與一個(gè)128位DDR5-8000內(nèi)存子系統(tǒng)的帶寬相同。
2024-01-17 11:30:521199

推出業(yè)界首款標(biāo)準(zhǔn)低功耗壓縮附加內(nèi)存模塊

科技近日宣布推出業(yè)界首款標(biāo)準(zhǔn)低功耗壓縮附加內(nèi)存模塊(LPCAMM2),這款產(chǎn)品提供了從16GB至64GB容量選項(xiàng),旨在為PC提供更高性能、更低功耗、更緊湊的設(shè)計(jì)空間及模塊化設(shè)計(jì)。
2024-01-19 16:20:471222

三星電子硅谷實(shí)驗(yàn)室啟動3D DRAM研究,布局下一代芯片技術(shù)

值得強(qiáng)調(diào)的是,GbDRAM存儲密度單位,非GB;常見的內(nèi)存容量通常為8GB32GB,而服務(wù)器級內(nèi)存亦有128GB,均由不同數(shù)量DRAM構(gòu)成。
2024-01-29 11:29:451312

DRAM與NAND閃存產(chǎn)品線豐富,QLC顆粒已占總量2/3

 在產(chǎn)品方面,引領(lǐng)行業(yè)實(shí)現(xiàn)32Gb單層架構(gòu)的128GB服務(wù)器內(nèi)存,并預(yù)計(jì)在未來六個(gè)月內(nèi)帶來數(shù)億美元的營收。此外,在高速性能更高的MRDIMM領(lǐng)域,已經(jīng)開始供應(yīng)256GB的樣品。
2024-03-22 14:51:411204

SK海力士年內(nèi)推1bnm 32Gb DDR5內(nèi)存顆粒

新款32Gb顆粒不僅支持消費(fèi)級UDIMM和SODIMM 64GB容量,更能讓企業(yè)級RDIMM在無需硅通孔工藝3D堆疊的條件下,實(shí)現(xiàn)單模組128GB,滿足服務(wù)器對大內(nèi)存的需求。
2024-04-25 14:22:541365

率先出貨用于 AI 數(shù)據(jù)中心的關(guān)鍵內(nèi)存產(chǎn)品

– Micron Technology Inc.(科技股份有限公司,納斯達(dá)克股票代碼:MU)近日宣布在業(yè)界率先驗(yàn)證并出貨基于大容量 32Gb DRAM 芯片的128GB DDR5 RDIMM
2024-05-09 14:05:17519

科技推出基于大容量32GbDRAM芯片的128GB DDR5 RDIMM內(nèi)存

2024 年 5 月 9 日, Micron Technology Inc.(科技股份有限公司,納斯達(dá)克股票代碼:MU)近日宣布在業(yè)界率先驗(yàn)證并出貨基于大容量 32Gb DRAM 芯片的128GB DDR5 RDIMM 內(nèi)存,
2024-05-09 14:27:401669

率先出貨用于AI數(shù)據(jù)中心的關(guān)鍵內(nèi)存產(chǎn)品

科技近日在業(yè)界取得重大突破,成功驗(yàn)證并率先推出了一款針對AI數(shù)據(jù)中心的關(guān)鍵內(nèi)存產(chǎn)品。這款新產(chǎn)品基于大容量32GbDRAM芯片,構(gòu)建成了128GB DDR5 RDIMM內(nèi)存,其傳輸速率在主流服務(wù)器平臺上高達(dá)5600 MT/s,展現(xiàn)了卓越的性能。
2024-05-10 09:38:31838

出樣業(yè)界容量密度最高新一代 GDDR7 顯存

β(1-beta)DRAM 技術(shù)和創(chuàng)新架構(gòu),以優(yōu)化的功耗設(shè)計(jì)打造了速率高達(dá) 32 Gb/s 的高性能內(nèi)存。 GDDR7 的系統(tǒng)帶寬超過 1.5 TB/s,2?較 GDDR6 提升高達(dá) 60%,3?并配備四個(gè)獨(dú)立
2024-06-05 16:52:391851

科技推出多路復(fù)用雙列直插式內(nèi)存模塊(MRDIMM)

基礎(chǔ)設(shè)施的效能與價(jià)值。專為那些需要單個(gè)DIMM插槽內(nèi)存超過128GB的應(yīng)用場景設(shè)計(jì),MRDIMM在帶寬、容量延遲及能效方面均展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢,尤其在加速內(nèi)存密集型虛擬化多租戶環(huán)境、高性能計(jì)算(HPC)及人工智能(AI)數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載方面,相較于當(dāng)前主流的TSV RDIMM技術(shù),實(shí)現(xiàn)了性能的飛躍。
2024-07-19 14:12:251509

MRDIMM內(nèi)存發(fā)布,加速數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載

需要每個(gè) DIMM 插槽內(nèi)存超過 128GB 的應(yīng)用, MRDIMM 提供最高帶寬、最大容量、最低延遲以及更高的每瓦性能,在加速內(nèi)存密集型虛擬化多租戶、高性能計(jì)算和 AI 數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載方面
2024-07-22 14:06:361316

12層堆疊HBM3E 36GB內(nèi)存啟動交付

科技近期宣布,其“生產(chǎn)可用”的12層堆疊HBM3E 36GB內(nèi)存已成功啟動交付,標(biāo)志著AI計(jì)算領(lǐng)域的一大飛躍。這款先進(jìn)內(nèi)存正陸續(xù)送達(dá)主要行業(yè)合作伙伴手中,以全面融入并驗(yàn)證其在整個(gè)AI生態(tài)系統(tǒng)中的效能。
2024-09-09 17:42:371553

德明利DDR5內(nèi)存助力AI PC時(shí)代存儲性能與市場增長

側(cè)應(yīng)用落地高率、大容量、延遲與高帶德明利最新推出針對AIPC的DDR5SO-DIMM和U-DIMM內(nèi)存模組系列產(chǎn)品,內(nèi)存容量高達(dá)48GB,理論帶寬32GB/
2025-01-21 16:34:412426

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