前沿的制程技術(shù)使LPDDR5X如虎添翼，現(xiàn)已向移動生態(tài)系統(tǒng)出樣
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2022年11月2日——中國上?！獌?nèi)存與存儲解決方案領(lǐng)先供應商 Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）今日宣布，其采用全球最先進技術(shù)節(jié)點的1β DRAM產(chǎn)品已開始向部分智能手機制造商和芯片平臺合作伙伴送樣以進行驗證，并做好了量產(chǎn)準備。美光率先在低功耗LPDDR5X移動內(nèi)存上采用該新一代制程技術(shù)，其最高速率可達每秒8.5Gb。該節(jié)點在性能、密度和能效方面都有顯著提升，將為市場帶來巨大收益。除了移動應用，基于1β節(jié)點的DRAM產(chǎn)品還具備低延遲、低功耗和高性能的特點，能夠支持智能汽車和數(shù)據(jù)中心等應用所需的快速響應、實時服務、個性化和沉浸式體驗。
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繼2021年批量出貨基于1α（1-alpha）節(jié)點的產(chǎn)品后，美光推出全球最先進的1β節(jié)點DRAM，進一步鞏固了市場領(lǐng)先地位。1β技術(shù)可將能效提高約15%，內(nèi)存密度提升35%以上[1]，單顆裸片容量高達16Gb。
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美光技術(shù)和產(chǎn)品執(zhí)行副總裁Scott DeBoer表示：“1β DRAM產(chǎn)品融合了美光專有的多重曝光光刻技術(shù)、領(lǐng)先的制程技術(shù)及先進材料能力，標志著內(nèi)存創(chuàng)新的又一次飛躍。全球領(lǐng)先的1β DRAM制程技術(shù)帶來了前所未有的內(nèi)存密度，為智能邊緣和云端應用迎接新一代數(shù)據(jù)密集型、智能化和低功耗技術(shù)奠定了基礎(chǔ)?！?br /> ?
此前，美光已在今年7月出貨全球首款232層NAND，為存儲解決方案帶來了前所未有的性能和面密度。得益于美光在尖端研發(fā)與制程技術(shù)方面的深厚根基，這兩項業(yè)界首發(fā)預示著美光將繼續(xù)在內(nèi)存和存儲創(chuàng)新領(lǐng)域領(lǐng)跑市場。
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隨著LPDDR5X的出樣，移動生態(tài)系統(tǒng)將率先受益于1β DRAM產(chǎn)品的顯著優(yōu)勢，從而解鎖下一代移動創(chuàng)新和先進的智能手機體驗，并同時降低功耗。1β技術(shù)的速率和密度將使高帶寬用例在下載、啟動以及同時使用數(shù)據(jù)密集型的5G和人工智能應用時，提供更快的響應和流暢度。此外，基于1β節(jié)點的LPDDR5X不僅可以加速智能手機拍攝啟動，提升夜間模式和人像模式下的拍攝速度和清晰度，還可以實現(xiàn)無抖動、高分辨率8K視頻錄制和便捷的手機視頻編輯。
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1β制程技術(shù)能實現(xiàn)比以往更低的每比特功耗，為智能手機提供了目前市場上最節(jié)能的內(nèi)存技術(shù)。它將助力智能手機制造商推出更長續(xù)航的設備——消費者在使用高能耗、數(shù)據(jù)密集型應用時，延長電池續(xù)航時間將至關(guān)重要。
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全新JEDEC增強型動態(tài)電壓和頻率調(diào)節(jié)擴展核心（eDVFSC）技術(shù)使基于1β的LPDDR5X更加節(jié)能。在高達3200 Mbps[2]的雙倍頻率層上添加eDVFSC，可改善節(jié)能控制，從而基于獨特的終端用戶模式實現(xiàn)更低功耗。
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美光通過先進的光刻技術(shù)和納米級制造工藝挑戰(zhàn)物理定律
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美光領(lǐng)先業(yè)界的1β節(jié)點可在更小的尺寸內(nèi)實現(xiàn)更高的內(nèi)存容量，從而降低單位數(shù)據(jù)成本。DRAM的擴展性很大程度上取決于每平方毫米半導體晶圓面積上集成更多更快內(nèi)存的能力，這就需要縮小電路面積，從而在指甲大小的芯片上容納數(shù)十億個內(nèi)存單元。幾十年來，隨著工藝節(jié)點的不斷進步，半導體行業(yè)每年或每兩年都會縮小器件尺寸。但隨著芯片變得越來越小，在晶圓上定義電路圖案需要挑戰(zhàn)物理定律。
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為了克服這些技術(shù)挑戰(zhàn)，半導體行業(yè)開始使用具備極紫外光刻技術(shù)的新設備。但是，該技術(shù)仍處于發(fā)展初期。為規(guī)避技術(shù)風險，美光采用了其成熟的尖端納米制造和光刻技術(shù)。公司憑借專有的先進多重曝光技術(shù)和浸潤式光刻技術(shù)，以最高精度在微小尺寸上形成圖案?？s小器件尺寸從而提供更大容量，還將使智能手機和物聯(lián)網(wǎng)設備等外形尺寸較小的設備能夠在緊湊的空間里集成更大的內(nèi)存。
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為了在1β和1α節(jié)點取得競爭優(yōu)勢，美光在過去數(shù)年還積極提升卓越制造、工程能力和開創(chuàng)性研發(fā)。加速創(chuàng)新使美光比競爭對手提前一年率先實現(xiàn)1α節(jié)點技術(shù)量產(chǎn)，從而在公司的歷史上首次同時確立了在DRAM和NAND領(lǐng)域的領(lǐng)導地位[3]。多年來，美光已進一步投資數(shù)十億美元，將晶圓廠打造成高度自動化、可持續(xù)和人工智能驅(qū)動的先進設施。這其中包括對日本廣島工廠的投資，美光將在這里量產(chǎn)基于1β節(jié)點的DRAM產(chǎn)品。
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1β節(jié)點為無處不在的互聯(lián)和可持續(xù)世界奠定堅實基礎(chǔ)
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隨著機器對機器通信、人工智能和機器學習等高能耗應用興起，節(jié)能技術(shù)對企業(yè)顯得愈發(fā)重要，特別對那些希望滿足嚴格的可持續(xù)發(fā)展目標和降低運營支出的企業(yè)而言更是如此。研究人員發(fā)現(xiàn)，訓練單個人工智能模型所產(chǎn)生的碳排放量是一輛美國汽車全生命周期（包括制造）碳排放量的五倍。此外，到2030年，信息和通信技術(shù)預計將消耗全球20%的電力。
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互聯(lián)世界需要快速、無處不在、節(jié)能的內(nèi)存產(chǎn)品來助推數(shù)字化、最優(yōu)化和自動化，而美光的1β DRAM節(jié)點為此提供了一個全面的基礎(chǔ)?；?β節(jié)點的DRAM產(chǎn)品具備高密度、低功耗特點，能夠在數(shù)據(jù)密集型智能設備、系統(tǒng)和應用程序之間實現(xiàn)更節(jié)能的數(shù)據(jù)流動，并為智能邊緣和云端應用提供更強的智能特性。美光于未來的一年中將在諸如嵌入式、數(shù)據(jù)中心、客戶端、消費類產(chǎn)品、工業(yè)和汽車等其他應用中量產(chǎn)1β節(jié)點，推出包括顯示內(nèi)存和高帶寬內(nèi)存等產(chǎn)品。
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