進(jìn)一步鞏固了在 DRAM 和 NAND 領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)先地位。

　　2021年 1 月 27 日，中國(guó)上海 — 內(nèi)存與存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology Inc. （美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU） 今日宣布批量出貨基于 1α （1-alpha） 節(jié)點(diǎn)的 DRAM 產(chǎn)品。該制程是目前世界上最為先進(jìn)的 DRAM 技術(shù)，在密度、功耗和性能等各方面均有重大突破。這是繼最近首推全球最快顯存和 176 層 NAND 產(chǎn)品后，美光實(shí)現(xiàn)的又一突破性里程碑，進(jìn)一步加強(qiáng)了公司在業(yè)界的競(jìng)爭(zhēng)力。

　　美光技術(shù)與產(chǎn)品執(zhí)行副總裁 Scott DeBoer 先生表示：“ 1α 節(jié)點(diǎn)印證了美光在 DRAM 領(lǐng)域的領(lǐng)先成就，同時(shí)也是我們對(duì)前沿設(shè)計(jì)和技術(shù)不懈追求的成果。對(duì)比我們上一代的 1z DRAM 制程，1α 技術(shù)將內(nèi)存密度提升了 40%，為將來(lái)的產(chǎn)品和內(nèi)存創(chuàng)新提供了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)?！?/p>

　　美光計(jì)劃于今年將 1α 節(jié)點(diǎn)全面導(dǎo)入其 DRAM 產(chǎn)品線，從而更好地支持廣泛的 DRAM 應(yīng)用領(lǐng)域——為包括移動(dòng)設(shè)備和智能車(chē)輛在內(nèi)的各種應(yīng)用提供更強(qiáng)的性能。

　　美光繼續(xù)領(lǐng)跑多個(gè)內(nèi)存應(yīng)用市場(chǎng)

　　美光執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官 Sumit Sadana 先生表示：“我們?nèi)碌?1α 技術(shù)將為手機(jī)行業(yè)帶來(lái)最低功耗的 DRAM，同時(shí)也使美光于數(shù)據(jù)中心、客戶端、消費(fèi)領(lǐng)域、工業(yè)和汽車(chē)領(lǐng)域的 DRAM 客戶受益匪淺。內(nèi)存和存儲(chǔ)預(yù)計(jì)是未來(lái)十年增長(zhǎng)最快的半導(dǎo)體市場(chǎng)，美光憑借領(lǐng)先業(yè)界的 DRAM 和 NAND 技術(shù)，將在這個(gè)快速增長(zhǎng)的市場(chǎng)中立于不敗之地。”

　　美光的 1α 技術(shù)節(jié)點(diǎn)使內(nèi)存解決方案更節(jié)能、更可靠，并為需要最佳低功耗 DRAM 產(chǎn)品的移動(dòng)平臺(tái)帶來(lái)運(yùn)行速度更快的 LPDDR5。美光為移動(dòng)行業(yè)提供最低功耗的 DRAM 平臺(tái)，實(shí)現(xiàn)了 15% 的節(jié)能，使 5G 用戶在不犧牲續(xù)航的同時(shí)能在手機(jī)上進(jìn)行更多任務(wù)操作。

　　美光的 1α 先進(jìn)內(nèi)存節(jié)點(diǎn)提供 8Gb 至 16Gb 的密度，將助力美光現(xiàn)有的 DDR4 和 LPDDR4 系列產(chǎn)品延長(zhǎng)生命周期，并能為美光在服務(wù)器、客戶端、網(wǎng)絡(luò)和嵌入式領(lǐng)域的客戶提供更低功耗、更可靠的產(chǎn)品及更全面的產(chǎn)品支持，從而降低客戶再次驗(yàn)證的成本。對(duì)于具備較長(zhǎng)產(chǎn)品生命周期的汽車(chē)嵌入式解決方案、工業(yè) PC 和邊緣服務(wù)器等應(yīng)用場(chǎng)景而言，1α 制程同樣保證了在整個(gè)系統(tǒng)生命周期內(nèi)更具優(yōu)勢(shì)的總體擁有成本。

　　供應(yīng)情況

　　美光位于臺(tái)灣地區(qū)的工廠已開(kāi)始批量生產(chǎn) 1α 節(jié)點(diǎn) DRAM，首先出貨的是面向運(yùn)算市場(chǎng)的DDR4 內(nèi)存以及英睿達(dá) （Crucial） 消費(fèi)級(jí) PC DRAM 產(chǎn)品。美光同時(shí)也已開(kāi)始向移動(dòng)客戶提供 LPDDR4 樣片進(jìn)行驗(yàn)證。公司將在 2021 自然年內(nèi)推出基于該技術(shù)的更多新產(chǎn)品。