美光科技（Micron）16日宣布進一步推動DRAM產(chǎn)品的革新，其開始采用業(yè)界首個1z nm的工藝節(jié)點批量生產(chǎn)16Gb DDR4內(nèi)存。 與上一代1Y nm相比，該公司將使用1z nm節(jié)點來改善
2019-08-20 10:22:36
8531 1、美光科技：為Redmi K30 Pro提供LPDDR5 DRAM內(nèi)存 3月20日消息 Redmi K30 Pro手機將于3月24日發(fā)布。美光科技今日表示，將為Redmi K30 Pro提供
2020-03-21 09:33:325597 美光科技執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官Sumit Sadana認為，全新的 1α 技術(shù)將為手機行業(yè)帶來最低功耗的 DRAM，針對今年云端市場、5G手機和汽車內(nèi)存需求帶動DRAM產(chǎn)能緊缺，他也發(fā)表了專業(yè)的看法。
2021-02-02 17:07:448655 近日媒體報導，清華紫光集團出價230億美元，希望能并購美國DRAM大廠美光(Micron)。此事還未成真，但已引起臺灣的高度重視(或緊張)
2015-07-26 12:44:211434 DRAM大廠三星預定明年第1季率先量產(chǎn)1x（18奈米）DRAM，另一大廠SK海力士（SK Hynix）及美光（Micron）也將于明年跟進，三大DRAM廠明年進入1x奈米大戰(zhàn)；臺廠除南亞科（2408）也預約1x制程技術(shù)外，其余均專注利基型記憶體，避開戰(zhàn)火。
2015-12-31 08:20:551563 業(yè)界傳出，清華紫光集團有意拉武漢新芯，搶進NAND Flash市場，采取類似美光與臺DRAM大廠華亞科的合作模式，如此一來，紫光也可搭上武漢新芯構(gòu)建新廠的列車，并且與美光洽談技術(shù)授權(quán)，加速紫光集團發(fā)展壯大的時間。
2016-07-12 10:06:531504 美國內(nèi)存大廠美光（Micron）合并華亞科技后，中國臺灣地區(qū)成為美光的 DRAM 生產(chǎn)基地，內(nèi)部設(shè)定以超越三星為目標，并全力沖刺 DRAM 和 3D NAND Flash 先進制程腳步，去年及今年
2017-02-13 11:44:261043 華亞科并入美光后，本月正式更名為美光臺灣分公司桃園廠，美光也計劃擴大投資臺灣，將在臺中建立后段DRAM封測廠，相關(guān)投資將在標購達鴻位在后里中科園區(qū)的廠房后立即啟動。
2017-03-07 09:18:031065 日前，據(jù)韓國媒體報道，三星電子和SK海力士都將在DRAM生產(chǎn)中導入EUV技術(shù)，以建立更高的技術(shù)壁壘。對此，美光（Micron）企業(yè)副總裁、中國臺灣美光董事長徐國晉表示，美光不打算跟進，目前并無采用 EUV 計劃。
2020-10-09 10:34:452742 據(jù)國外媒體報道，12月3日下午，存儲芯片及存儲解決方案提供商美光科技位于桃園的工廠發(fā)生無預警停電事件。業(yè)內(nèi)消息人士稱，美光桃園工廠停電可能影響全球DRAM供應(yīng)，尤其是服務(wù)器部分。
2020-12-06 11:34:504269 美光宣布使用新型1α制造工藝生產(chǎn)的DRAM開始批量出貨，這是目前世界上最先進的DRAM制造技術(shù)。1α制造工藝最初會用于8Gb和16Gb的DDR4和LPDDR4內(nèi)存生產(chǎn)上，隨著時間的推移，未來將用
2021-01-27 15:37:313660 1月27日，美光宣布批量出貨基于1α (1-alpha) 節(jié)點的DRAM產(chǎn)品。對比美光上一代1z DRAM制程1α技術(shù)將內(nèi)存密度提升了40%。
2021-01-28 09:52:493182 技術(shù)的三星1z納米制程DRAM之后，發(fā)現(xiàn)EUV曝光技術(shù)除了提升了三星的生產(chǎn)效率，另外還縮小了DRAM的節(jié)點設(shè)計尺寸。而且，還將三星與美光的1z納米制程的DRAM進行了比較，采用了EUV曝光技術(shù)的三星DRAM在核心尺寸（Cell Size）方面同樣較小。
2021-02-22 10:31:363352 線寬。 ? 據(jù)了解，DRAM電路線寬被業(yè)界認定為衡量存儲器公司技術(shù)能力的重要指標，DRAM的電路線寬越窄，其功率效率就越高。 因此，過去DRAM業(yè)界的傳統(tǒng)就是不明確公開相關(guān)產(chǎn)品的確切電路線寬。 ? 并且，隨著DRAM制程技術(shù)在2016年進入10納米級制程后，DRAM制造商也普遍達
2021-05-07 10:25:352126 美光科技今日宣布，MediaTek Inc. （ 聯(lián)發(fā)科技 ） 已在其全新的 5G 旗艦智能手機芯片天璣 9000 平臺上完成了對美光 LPDDR5X DRAM 內(nèi)存的驗證。
2021-11-24 10:12:032305 
美光基于 1β 先進制程的 ?DRAM ?速率高達 ?8,000 MT/s，為生成式 ?AI ?等內(nèi)存密集型應(yīng)用提供更出色的解決方案 2023 年 11 月 22 日，中國上海 —— Micron
2023-11-24 15:08:022333 
數(shù)據(jù)中心 SSD 產(chǎn)品美光 9550 NVMe? SSD，性能業(yè)界領(lǐng)先，同時具備卓越的 AI 工作負載性能及能效。[1] 美光 9550 SSD 集成了自有的控制器、NAND、DRAM 和固件，彰顯了美光
2024-07-29 15:13:151395 產(chǎn)品的開發(fā)，包括終止UFS5的開發(fā)。 此項決策僅影響全球移動 NAND 產(chǎn)品的開發(fā)工作，美光將繼續(xù)開發(fā)并支持其他 NAND 解決方案，如SSD和面向汽車及其他終端市場的NAND解決方案。美光還將繼續(xù)在全球范圍內(nèi)開發(fā)和支持移動 DRAM 市場，并提供業(yè)界領(lǐng)先的 DRAM 產(chǎn)品組合。
2025-08-12 13:39:302945 美光科技公司宣布，將推出面向全球手機用戶的新型MT9D011低功耗200萬像素CMOS成像傳感器。 隨著消費者對手機、第三代智能電話等設(shè)備的高分辨率相機的要求，美光為此提供一種新款成像傳感器
2018-10-26 16:48:45
美光(Micron)在CMOS圖像傳感器(CMOS image sensor)領(lǐng)域領(lǐng)先于三星電子(Samsung Electronics)等對手。實際上，美光的圖像傳感器已獲得三星的desing
2018-11-20 16:03:30
EDB4416BBBH-1DIT-F-D內(nèi)存芯片EDB4416BBBH-1DIT-F-R美光科技(Micron Technology, Inc.) 宣布推出第三代低延遲DRAM (RLDRAMR 3
2022-01-21 08:22:09
量產(chǎn)，競爭對手三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)亦不甘示弱推出27奈米、26奈米制程技術(shù)；美光NAND Flash營銷總監(jiān)Kevin Killbuck指出，隨著內(nèi)嵌式
2022-01-22 08:05:39
MT29F512G08CUCABH3-10ITZ:A閃存MT29F1T08CUCBBH8-6R:B美系內(nèi)存大廠美光(Micron)在購并NOR Flash龍頭大廠恒憶(Numonyx)之后，加入2項
2022-01-22 08:14:06
大家好，我做FPGA開發(fā)，需要用到大的內(nèi)存，ise12只有美光和現(xiàn)代的庫，我對美光內(nèi)存使用有如下疑惑：美光2G內(nèi)存位寬16位，速率可達200M，4G內(nèi)存怎么才8位，速率還慢，才125M~150MHz.這樣的話，用更多的內(nèi)存反而降低性能？
2013-06-22 21:46:08
成。業(yè)界人看好南亞科及華邦電第二季也獲利跳增，第三季因價格持續(xù)看漲，營收及獲利可望再寫新高。無新產(chǎn)能，導致淡季變旺今年上半年包括三星、SK海力士、美光等記憶體大廠雖提高資本支出，但多數(shù)資金都用來進行
2017-06-13 15:03:01
說，是彌補部分工藝制程落后的不足，同時挑戰(zhàn)三星10 納米8 Gb DDR4 DRAM的最佳時機。拿下美光，清華紫光將得到DRAM、儲存型（NAND）快閃記憶體與編碼型（NOR）快閃記憶體技術(shù)，這將是中國半導體發(fā)展史上重要的紀事。這一切，或在后面的時間里實現(xiàn)！`
2016-07-29 15:42:37
Micron美光公司因其DRAM和NAND快閃存儲器技術(shù)創(chuàng)新獲得半導體Insight獎
美光科技股份有限公司近日宣布，Semiconductor Insights選擇美光公司兩項業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的D
2009-05-08 10:39:061236 爾必達40納米制程正式對戰(zhàn)美光
一度缺席全球DRAM產(chǎn)業(yè)50納米制程大戰(zhàn)的爾必達(Elpida)，隨著美光(Micron)2010年加入50納米制程，爾必達狀況更顯得困窘，在經(jīng)過近1年臥薪嘗
2010-01-08 12:28:52776 4大DRAM陣營競爭激烈 美光、爾必達提前導入40納米
DRAM陣營三星電子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)、爾必達(Elpida)和美光(Micron)戰(zhàn)場直接拉到40納米世代!繼爾必達跳過50納
2010-01-22 09:56:021061 美光(Micron)傳將斥資至少5億美元(約新臺幣150億元)入股爾必達(Elpida)，最快2月定案，成為此波DRAM市況不振下，首樁業(yè)界整合案例。美光、爾必達分別是南科、華亞科，以及力晶、瑞晶合
2012-02-01 09:12:14637 由于2011年DRAM價格的暴跌和蘋果前CEO喬布斯的去世導致美光技術(shù)有限公司經(jīng)歷非常艱難的一年。不過今年，該公司似乎有反彈的跡象。在今年五月，美光公司推出了專門為三星電子公司研
2012-07-19 11:12:091142 DRAM廠南科、華亞科本周三將召開法說會，市場傳出，臺塑集團為了拯救DRAM業(yè)，除給予資金上協(xié)助華亞科與南科30奈米制程轉(zhuǎn)進速度外，更將宣布與美光的最新合作模式。
2012-10-23 15:08:061080 全球三大DRAM廠三星、SK海力士（SK Hynix）及美光，近期不約而同相繼寄出存證信函給跳槽到大陸合肥長鑫、及為福建晉華負責研發(fā)的聯(lián)電核心成員，全力防堵DRAM技術(shù)流入中國大陸，讓全力發(fā)展自主DRAM研發(fā)的中國大陸踢到鐵板，也讓近期有意跳槽到大陸的華亞科核心技術(shù)人員，遭到空前恫嚇。
2016-12-26 09:44:481040 
美光科技有限公司推出的業(yè)界首款基于革命性四層單元（QLC）NAND 技術(shù)的固態(tài)硬盤現(xiàn)已開始供貨。美光 5210 ION 固態(tài)硬盤在美光 2018年分析師和投資者大會上首次亮相，面向之前由硬盤驅(qū)動器
2018-05-22 17:47:001143 聯(lián)電日前與大陸福建晉華合作開發(fā)DRAM技術(shù)的案子中，因有美光(Micron)的離職員工將技術(shù)帶到聯(lián)電任職，不只是員工個人被起訴，聯(lián)電也被臺中地檢署根據(jù)違反營業(yè)秘密法而被起訴，理由是未積極防止侵害他人營業(yè)秘密，因此視為共犯。我們可以從三大層面來探討聯(lián)電和大陸合作開發(fā)DRAM技術(shù)的案子。
2018-04-23 11:17:004427 7月10日報導，JP摩根目前對今明兩年DRAM市場銷售額、出貨量預估較上個月高出5-6%。JP摩根分析師Harlan Sur指出，美光科技的年度銷售額大約有30%來自服務(wù)器用DRAM。他預期服務(wù)器用DRAM將占整體產(chǎn)業(yè)銷售額的四分之一、超越PC用DRAM成為第二大產(chǎn)品（僅次于移動設(shè)備用DRAM）。
2018-08-09 15:50:541252 技術(shù)發(fā)展，并已快速完成了技術(shù)的轉(zhuǎn)變，2019年向96層3D NAND發(fā)展。DRAM也會面臨技術(shù)瓶頸的難題，但在美光看來，他們正在交由客戶驗證新一代1Ynm工藝DRAM芯片，未來還有1Z、1
2018-08-20 17:41:491479 DRAM制程推進已很緩慢，目前的制程是1y，有EUV的助力，也許可以推進到1z，但是1a呢？很多人持疑。即使可以，也是投資甚鉅、所得甚微的最后努力。對于一個商業(yè)公司，最合理的是采取收割策略，少量投資，改善良率，并且利用韓國機器設(shè)備3年折舊的制度，在未來的DRAM市場持續(xù)保有價格優(yōu)勢，獲得最大利益。
2018-10-14 09:38:555776 逐漸升溫，三星電子在2017年率先宣布量產(chǎn)第二代10納米(1y)制程DRAM，目前傳出進入第三代10納米(1z)制程開發(fā)。SK海力士(SK Hynix)和美光(Micron)也在不斷加速先進制
2018-11-12 18:04:02533 愛達荷州博伊西和德國慕尼黑，2018年11月13日 － 創(chuàng)新內(nèi)存和存儲解決方案的行業(yè)領(lǐng)導者——美光科技股份有限公司在Electronica 2018上推出業(yè)界首款1TB汽車級和工業(yè)級PCIe
2018-11-19 16:35:512184 驗證，適用于聯(lián)發(fā)科技新一代Helio P90智能手機平臺的參考設(shè)計。美光LPDDR4X能夠為單臺智能手機提供高達12GB1 的低功耗DRAM（LPDRAM）。它在單一封裝中堆疊多達8塊裸片，相對于上一代產(chǎn)品，在不增加占用空間的情況下，實現(xiàn)內(nèi)存容量翻倍。
2018-12-19 15:03:59978 DRAM產(chǎn)能受限，最終推動了DRAM價格的持續(xù)上漲。但是，三星、SK海力士、美光等DRAM大廠也可能存在“串謀限制DRAM內(nèi)存芯片供應(yīng)”，以操控DRAM價格的壟斷行為。
2019-01-15 14:51:205331 作為全球知名的存儲器廠商，近日，美光召開了2019年投資者大會，在大會中上，美光展示了DRAM和NAND Flash下一代技術(shù)的發(fā)展以及規(guī)劃。
2019-05-24 16:56:354645 繼臺積電、三星晶圓代工、英特爾等國際大廠在先進邏輯制程導入極紫外光（EUV）微影技術(shù)后，同樣面臨制程微縮難度不斷增高的DRAM廠也開始評估采用EUV技術(shù)量產(chǎn)。三星電子今年第四季將開始利用EUV技術(shù)生產(chǎn)1z納米DRAM，SK海力士及美光預期會在1α納米或1β納米評估導入EUV技術(shù)。
2019-06-18 17:20:313118 根據(jù)國外科技媒體《Anandtech》的報導指出，日前美系存儲器大廠美光科技（Micron）正式宣布，將采用第3代10納米級制程（1Znm）來生產(chǎn)新一代DRAM。而首批使用1Znm制程來生
2019-08-19 15:45:223762 全球第三大DRAM廠美商美光（Micron）加碼投資中國臺灣地區(qū)，要在現(xiàn)有中科廠區(qū)旁興建兩座晶圓廠，總投資額達新臺幣4，000億元（約合人民幣903億元），以生產(chǎn)下世代最新制程生產(chǎn)DRAM。時值DRAM仍供過于求，美光大手筆投資，震撼業(yè)界。
2019-08-26 16:34:174097 美國存儲器大廠美光（Micron）對于臺灣地區(qū)臺中廠擴建一案提出正式回應(yīng)說明。美光表示，如同美光于公布2019會計年度第三季度財報時所言，今年4月美光于臺中的無塵室擴建工程正式動土。
2019-09-03 16:23:573578 據(jù)消息報道，全球第三大DRAM廠美光（Micron）將在臺灣加碼投資，要在現(xiàn)有廠區(qū)旁興建2座晶圓廠，總投資額達4000億元新臺幣（約合人民幣903億元），以下代最新制程生產(chǎn)DRAM。報道稱，時值DRAM仍供過于求，美光大手筆投資，震撼業(yè)界。
2019-09-05 11:08:002990 美光科技股份有限公司推出業(yè)內(nèi)容量最高的單片式 16Gb 低功耗雙倍數(shù)據(jù)率 4X （LPDDR4X） DRAM。美光16Gb LPDDR4X 能夠在單個智能手機中提供高達 16GB1 的低功耗 DRAM （LPDRAM），顯示了美光為當前和下一代移動設(shè)備提供卓越內(nèi)存容量和性能的前沿地位。
2019-09-10 10:28:005101 根據(jù)美光官方消息，美光（Micron）今日宣布業(yè)界首款搭載 LPDDR5 DRAM 的通用閃存（UFS）多芯片封裝（uMCP）正式送樣。
2020-03-11 16:03:1521443 存儲器大廠美光（Micron Technology）于11日宣布，業(yè)界首款搭載LPDDR5 DRAM的通用快閃存儲器儲存（UFS）多芯片封裝（uMCP）正式送樣。新款UFS多芯片封裝（uMCP5）是基于美光在多芯片規(guī)格尺寸創(chuàng)新及領(lǐng)導地位所打造。
2020-03-12 11:06:324480 內(nèi)存和存儲解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology Inc.與摩托羅拉公司聯(lián)合宣布，摩托羅拉新推出的motorola edge+ 智能手機已搭載美光的低功耗 DDR5（LPDDR5）DRAM 芯片。
2020-04-25 10:32:51962 內(nèi)存和存儲解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商美光科技與摩托羅拉公司聯(lián)合宣布，摩托羅拉新推出的新款motorola edge+智能手機已搭載美光的低功耗DDR5 DRAM芯片，為用戶帶來完整的5G功能體驗。美光
2020-04-27 16:00:001254 美光今天宣布，已經(jīng)開始批量出貨基于1αnm工藝的DRAM內(nèi)存芯片，這也是迄今為止最先進的DRAM工藝，可明顯提升容量密度、性能并降低功耗。 不同于CPU、GPU等新品，DRAM內(nèi)存、NAND閃存
2021-01-27 17:28:332298 ，LPDDR5有望對下一代便攜電子設(shè)備（手機、平板）的性能產(chǎn)生巨大提升。 美光率先量產(chǎn)LPDDR5內(nèi)存，小米10首發(fā) 今年2月，內(nèi)存大廠美光率先宣布量產(chǎn)LPDDR5 DRAM芯片，并同時宣布首發(fā)于小米
2020-10-27 11:40:032918 
北京時間10月27日消息，內(nèi)存和存儲解決方案供應(yīng)商Micron Technology（美光科技）宣布量產(chǎn)業(yè)界首款基于低功耗DDR5（LPDDR5）DRAM的通用閃存存儲（UFS）多芯片封裝產(chǎn)品
2020-10-27 15:17:473518 美光計劃在 2021 年提出建設(shè) A5 廠項目的申請，持續(xù)加碼投資 DRAM，將用于 1Znm 制程之后的微縮技術(shù)發(fā)展。 據(jù)悉，目前美光在臺灣地區(qū)布局，包括中科的前段晶圓制造 A1、A2 廠和后段
2021-02-27 12:09:393676 
在3D閃存技術(shù)上，作為全球閃存最大廠商的三星一直是領(lǐng)先的，堆棧層數(shù)也是最多的，不過美光日前率先推出了176層堆棧的 3D閃存，進度比三星要快。 根據(jù)美光的說法，176層閃存其實是基于兩個88層疊
2020-11-14 10:01:202368 12 月 4 日消息，據(jù)國外媒體報道，昨天下午，存儲芯片及存儲解決方案提供商美光科技位于桃園的工廠發(fā)生無預警停電事件。業(yè)內(nèi)消息人士稱，美光桃園工廠停電可能影響全球 DRAM 供應(yīng)，尤其是服務(wù)器部分
2020-12-04 15:21:322444 根據(jù)韓國媒體《Etnews》報導指出，目前全球3大DRAM存儲器中尚未明確表示采用EUV極紫外光刻機的美商美光（Micron），因日前招聘網(wǎng)站開始征求EUV工程師，揭露美光也在進行EUV運用于DRAM先進制程，準備與韓國三星、SK海力士競爭
2020-12-25 14:33:101953 美光是繼三星電子和SK海力士之后，以20%的全球市占率排第三的DRAM廠商。本月初時美光臺灣DRAM工廠還因停電一小時導致工廠停產(chǎn)。截止到3季度時較好業(yè)績備受業(yè)界矚目。且在Nand Flash領(lǐng)域，也率先發(fā)布了全球首款176層產(chǎn)品。
2020-12-30 09:44:022535 1 月 27 日消息 內(nèi)存與存儲解決方案供應(yīng)商美光科技今日宣布批量出貨基于 1α （1-alpha） 節(jié)點的 DRAM 產(chǎn)品。該制程是目前世界上最為先進的 DRAM 技術(shù)，在密度、功耗和性能等各方面
2021-01-27 13:56:032777 美光今天宣布，已經(jīng)開始批量出貨基于1αnm工藝的DRAM內(nèi)存芯片，這也是迄今為止最先進的DRAM工藝，可明顯提升容量密度、性能并降低功耗。
2021-01-27 16:16:513896 
產(chǎn)品價格已上漲，市場對DRAM的需求程度將有增無減，供需緊張的情況將延續(xù)好幾年。 美光指出，美光在中國臺灣地區(qū)的DRAM廠已開始量產(chǎn)采用全球最先進制程技術(shù)1α（1-alpha）生產(chǎn)的DRAM產(chǎn)品，首批產(chǎn)品是為著重運算需求之客戶提供DDR4、和適用消費性PC的Crucial DRAM產(chǎn)品，此一里程碑會更鞏
2021-01-28 15:54:452392 提到要實現(xiàn)DRAM的規(guī)?；院芾щy。鑒于EUV技術(shù)帶來的性能優(yōu)化還無法抵消設(shè)備成本和生產(chǎn)困難，美光近期不打算引入EUV光刻技術(shù)，考慮在未來的1？？工藝中應(yīng)用EUV技術(shù)。 一、美光1α工藝位密度或提升40% 到目前為止，美光已經(jīng)將其DRAM生產(chǎn)的很大一部分轉(zhuǎn)移到其1Z制程，該制程為生產(chǎn)
2021-01-29 10:17:163024 
美光本周二公布其用于DRAM的1α新工藝，該技術(shù)有望將DRAM位密度提升40%，功耗降低15%。 1α工藝最初被用于生產(chǎn)DDR4和LPDDR4內(nèi)存，未來或?qū)⒌采w美光所有類型的DRAM。
2021-01-29 15:03:442841 美光的1αnm DRAM工藝可適用于各種不同的內(nèi)存芯片，尤其適用于最新旗艦手機標配的LPDDR5，相比于1z工藝可以將容量密度增加多達40％，同時還能讓功耗降低15％，能讓5G手機性能更好、機身更輕薄、續(xù)航更持久。
2021-01-31 10:16:422399 內(nèi)存與存儲解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼： MU）今日宣布，已開始出樣業(yè)內(nèi)首款車用低功耗 DDR5 DRAM （LPDDR5
2021-02-26 12:02:253366 了更微觀的領(lǐng)域——因為電荷的尺寸本身并不會改變，所以工藝制程到10nm以下后面臨的電荷積累的問題尤為突出。而對于DRAM器件而言，縮放的難度比起CPU等更為困難，但美光于業(yè)界率先實現(xiàn)了DRAM工藝制程的突破，將DRAM節(jié)點躍進到了第
2021-04-20 11:35:102375 合作伙伴推出美光 DDR5 服務(wù)器 DRAM,以支持下一代英特爾和 AMD DDR5 服務(wù)器及工作站平臺的行業(yè)資格認證。相比 DDR4 DRAM,DDR5 內(nèi)存產(chǎn)品能夠?qū)⑾到y(tǒng)性能提高至多85%。美光全新
2022-07-07 14:45:573042 有限公司，納斯達克股票代碼：MU）今日宣布，其采用全球最先進技術(shù)節(jié)點的1β DRAM產(chǎn)品已開始向部分智能手機制造商和芯片平臺合作伙伴送樣以進行驗證，并做好了量產(chǎn)準備。美光率先在低功耗LPDDR5X移動內(nèi)存上采用該新一代制程技術(shù)，其最高速率可達每秒8.5Gb。該節(jié)點在性能、密度和能效方面都有
2022-11-02 11:31:271096 
β DRAM 產(chǎn)品已開始向部分智能手機制造商和芯片平臺合作伙伴送樣以進行驗證，并做好了量產(chǎn)準備。美光率先在低功耗 LPDDR5X 移動內(nèi)存上采用該新一代制程技術(shù)，其最高速率可達每秒 8.5Gb。該節(jié)點在性能、密度和能效方面都有顯著提升，將為市場帶來巨大收益。除了移動應(yīng)用，基于 1β 節(jié)點的
2022-11-02 11:50:511703 β DRAM產(chǎn)品已開始向部分智能手機制造商和芯片平臺合作伙伴送樣以進行驗證，并做好了量產(chǎn)準備。美光率先在低功耗LPDDR5X移動內(nèi)存上采用該新一代制程技術(shù)，其最高速率可達每秒8.5Gb。該節(jié)點在性能
2022-11-02 17:27:481537 美光推出了最新的DRAM芯片，其采用了1-beta制造技術(shù)，大幅提高了芯片的能效和內(nèi)存密度。美光稱計劃在明年開始量產(chǎn)這種芯片。
2022-11-03 10:49:011189 2021年批量出貨1α(1-alpha)工藝產(chǎn)品后，美光今天宣布，采用全球最先進1β(1-beta)制造工藝的DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)送樣給部分手機制造商、芯片平臺合作伙伴進行驗證，并做好了量產(chǎn)準備
2022-11-03 14:43:361577 
最新消息，據(jù)日本共同社報道，美光科技位于日本廣島縣東廣島市的子公司“日本美光存儲器公司”，已于16日在該市廣島工廠啟動最尖端DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）的量產(chǎn)。 據(jù)悉，量產(chǎn)的最新產(chǎn)品名為“1
2022-11-28 10:40:521736 內(nèi)存與存儲解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商美光科技（Micron Technology Inc.）宣布，其采用全球最先進技術(shù)節(jié)點的1βDRAM產(chǎn)品已開始向部分智能手機制造商和芯片平臺合作伙伴送樣以進行驗證，并做好了量產(chǎn)準備。
2023-02-01 16:13:053032 美光公司表示，雖然2023年業(yè)界需求預測還處于較低水平，但業(yè)界整體供應(yīng)量大幅減少正在穩(wěn)定市場。去年11月，美光公司宣布將存儲器半導體減產(chǎn)20%。據(jù)業(yè)績內(nèi)容，美光公司致力于庫存管理和供應(yīng)調(diào)節(jié)，最近將dram和nand晶片的開工率減少了近30%，并預測減產(chǎn)將持續(xù)到2024年。
2023-06-30 11:05:271078 美光科技指出，為應(yīng)對資料中心工作負載所需，CPU 內(nèi)核數(shù)持續(xù)增加，為突破「存儲器墻」（Memory Wall）瓶頸，同時為客戶提供最佳化的總擁有成本，對于存儲器頻寬及容量需求也隨之大幅提升。美光
2023-10-19 16:03:001261 美光1β DDR5 DRAM支持計算能力向更高的性能擴展，能支持數(shù)據(jù)中心和客戶端平臺上的人工智能（AI）訓練和推理、生成式AI、數(shù)據(jù)分析和內(nèi)存數(shù)據(jù)庫（IMDB）等應(yīng)用。
2023-10-26 14:19:241574 美光科技近日宣布推出業(yè)界首款標準低功耗壓縮附加內(nèi)存模塊（LPCAMM2），這款產(chǎn)品提供了從16GB至64GB的容量選項，旨在為PC提供更高性能、更低功耗、更緊湊的設(shè)計空間及模塊化設(shè)計。
2024-01-19 16:20:471222 近期的演示會上，美光詳細闡述了其針對納米印刷與DRAM制造之間的具體工作模式。他們提出，DRAM工藝的每一個節(jié)點以及浸入式光刻的精度要求使得物理流程變得愈發(fā)復雜。
2024-03-05 16:18:241316 3 月 5 日消息，美光科技公司計劃率先支持佳能的納米印刷技術(shù)，從而進一步降低生產(chǎn) DRAM 存儲芯片的單層成本。 美光公司近日舉辦了一場演講，介紹在將納米印刷技術(shù)應(yīng)用于 DRAM 生產(chǎn)的一些細節(jié)
2024-03-06 08:37:35838 其中，美光的產(chǎn)能已轉(zhuǎn)向先進制程；其他三家公司主要停留在38/25nm節(jié)點，出貨量相對較少。因此，只有美光可能對全球DRAM位元產(chǎn)出產(chǎn)生一定影響，預計二季度總產(chǎn)出將減少不到1%。
2024-04-11 16:00:44813 – Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）近日宣布在業(yè)界率先驗證并出貨基于大容量 32Gb 單塊 DRAM 芯片的128GB DDR5 RDIMM
2024-05-09 14:05:17519 
2024 年 5 月 9 日， Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）近日宣布在業(yè)界率先驗證并出貨基于大容量 32Gb 單塊 DRAM 芯片的128GB DDR5 RDIMM 內(nèi)存，
2024-05-09 14:27:401669 美光科技近日在業(yè)界取得重大突破，成功驗證并率先推出了一款針對AI數(shù)據(jù)中心的關(guān)鍵內(nèi)存產(chǎn)品。這款新產(chǎn)品基于大容量32Gb單塊DRAM芯片，構(gòu)建成了128GB DDR5 RDIMM內(nèi)存，其傳輸速率在主流服務(wù)器平臺上高達5600 MT/s，展現(xiàn)了卓越的性能。
2024-05-10 09:38:31838 美光近期發(fā)布公告，將斥資45至55億美元在日本廣島建設(shè)DRAM芯片制造工廠，以引入頂尖EUV設(shè)備，預計最早于2027年末實現(xiàn)先進DRAM量產(chǎn)。
2024-05-28 16:38:401923 近日，美國芯片巨頭美光科技宣布了一項重大投資計劃。據(jù)悉，該公司將在日本廣島縣建設(shè)一家全新的DRAM芯片工廠，預計總投資將達到6000至8000億日元。
2024-05-29 09:16:201203 近日，美光科技宣布，將在日本廣島縣建立一座新的DRAM芯片生產(chǎn)工廠，預計最早于2027年底正式投入運營。該項目的總投資預估在6000億至8000億日元之間，體現(xiàn)了美光對于日本市場及全球半導體產(chǎn)業(yè)的堅定信心。
2024-05-31 11:48:231570 β（1-beta）DRAM 技術(shù)和創(chuàng)新架構(gòu)，以優(yōu)化的功耗設(shè)計打造了速率高達 32 Gb/s 的高性能內(nèi)存。美光 GDDR7 的系統(tǒng)帶寬超過 1.5 TB/s，2?較 GDDR6 提升高達 60%，3?并配備四個獨立
2024-06-05 16:52:391851 全球知名的DRAM大廠美光，早在去年就已宣布了其在日本廣島的重大投資計劃。據(jù)悉，美光計劃斥資6,000至8,000億日元，在廣島興建一座全新的DRAM工廠。這一項目預計將在2026年初破土動工，最快有望在2027年底前完成廠房建設(shè)、機臺設(shè)備安裝，并正式投入營運。
2024-06-14 09:53:101341 在存儲芯片領(lǐng)域，技術(shù)的每一次革新都牽動著行業(yè)的脈搏。近日，存儲芯片大廠美光科技在公布其2024財年第三財季財報的同時，也宣布了一個令人振奮的消息——該公司正在其位于日本廣島的Fab15工廠試產(chǎn)基于極紫外（EUV）光刻技術(shù)的1γ（1-gamma）DRAM，標志著美光在DRAM制造領(lǐng)域邁出了重要的一步。
2024-06-29 09:26:061438 美光科技股份有限公司（納斯達克股票代碼：MU）近日宣布，推出數(shù)據(jù)中心 SSD 產(chǎn)品美光 9550 NVMe SSD，性能業(yè)界領(lǐng)先，同時具備卓越的 AI 工作負載性能及能效。1美光 9550 SSD
2024-07-29 18:12:392002 全球領(lǐng)先的存儲解決方案提供商美光科技今日宣布了一項重大突破——其采用第九代（G9）TLC NAND技術(shù)的固態(tài)硬盤（SSD）已正式進入量產(chǎn)出貨階段，標志著美光成為業(yè)界首家達成此里程碑的企業(yè)。這一創(chuàng)新技術(shù)的推出，不僅彰顯了美光在制程技術(shù)和設(shè)計創(chuàng)新領(lǐng)域的卓越實力，更為數(shù)據(jù)存儲市場樹立了新的性能標桿。
2024-08-01 16:38:461251 據(jù)業(yè)內(nèi)消息，美光科技預計今年將繼續(xù)積極擴大其DRAM產(chǎn)能，與去年相似。得益于美國政府確認的巨額補貼，美光近期將具體落實對現(xiàn)有DRAM工廠進行改造的投資計劃。
去年底，美光科技宣布將在
2025-01-07 17:08:561311 及專業(yè)人士帶來卓越的性能與用戶體驗。4600 SSD采用美光G9 TLC NAND技術(shù)，是美光首款PCIe 5.0客戶端 SSD，性能較其前代產(chǎn)品高出一倍。1
2025-02-21 16:44:001102 美光業(yè)界首款高性能 1γ 節(jié)點技術(shù)，為數(shù)據(jù)中心、客戶端及移動平臺帶來卓越的性能與能效 ? 2025 年 2 月 26 日，中國上海 — ? 美光科技股份有限公司（納斯達克股票代碼：MU）今日宣布，已
2025-02-26 13:58:15533 開始 出貨全球首款采用1γ（1-gamma）制程節(jié)點的LPDDR5X內(nèi)存認證樣品 。該產(chǎn)品專為加速旗艦智能手機上的AI應(yīng)用而設(shè)計。美光LPDDR5X內(nèi)存具備業(yè)界領(lǐng)先的速率，達到每秒10.7 Gb（Gbps），同時功耗可降低高達20%1，為智能手機帶來更快、更流暢的移動體驗和更強的續(xù)航
2025-06-06 11:49:061454
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