電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 2025年末，存儲(chǔ)行業(yè)超級(jí)周期熱潮下，一則技術(shù)動(dòng)態(tài)引發(fā)產(chǎn)業(yè)鏈廣泛關(guān)注——三星半導(dǎo)體官網(wǎng)更新DRAM產(chǎn)品目錄，低調(diào)上架多款處于“樣品”階段的DDR5內(nèi)存顆粒新品。其中
2026-01-02 05:53:00
4512 12月23日，三星電子相關(guān)業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人一行到訪谷東智能，圍繞增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)（AR）近眼顯示核心光學(xué)技術(shù)及整機(jī)解決方案展開深入交流。來訪團(tuán)隊(duì)包括三星電子CSS 部門長Richard Hwang、LEDoS中國負(fù)責(zé)人 Hang Wang等。
2025-12-29 15:44:34132 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）2025年12月14日，知名硬件爆料人Tom(YouTube頻道Moore's Law Is Dead)爆料稱，三星計(jì)劃在2026年初預(yù)計(jì)CES展會(huì)后，宣布逐步退出
2025-12-16 09:40:355385 
2025年12月2日，三星電子正式發(fā)布Galaxy Z TriFold，進(jìn)一步鞏固了三星在移動(dòng)AI時(shí)代中針對(duì)形態(tài)創(chuàng)新的行業(yè)優(yōu)勢(shì)。
2025-12-03 17:46:221329 20000
H56G42AS2DX014NGDDR6 16Gb 227K
H56C8H24AIR-S2C GDDR6 8Gb 800K
A3T1GF40CBF-GM21+ DDR3 1Gb 1KK
2025-11-27 15:58:19
本章的實(shí)驗(yàn)任務(wù)是在 PL 端自定義一個(gè) AXI4 接口的 IP 核，通過 AXI_HP 接口對(duì) PS 端 DDR3 進(jìn)行讀寫測(cè)試，讀寫的內(nèi)存大小是 4K 字節(jié)。
2025-11-24 09:19:423467 
下面是HummingBird EV Kit給的版圖，其中DDR3_D0對(duì)應(yīng)的應(yīng)該是板子上的FPGA的C2引腳：?
不過我在配置MIG的時(shí)候，通過讀入ucf文件的方式配置DDR3 SDRAM的引腳
2025-11-06 07:57:09
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《DDR3 SDRAM參考設(shè)計(jì)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-11-05 17:04:01
4 三星、美光暫停 DDR5 合約報(bào)價(jià)引發(fā)的存儲(chǔ)芯片荒，正通過 AI 服務(wù)器需求鏈，悄然傳導(dǎo)至 PCB 行業(yè)。這場(chǎng)關(guān)聯(lián)的核心，并非簡單的 “芯片漲價(jià)帶動(dòng) PCB 漲價(jià)”，而是 AI 服務(wù)器對(duì)存儲(chǔ)芯片
2025-11-05 10:29:56561 由于FPGA內(nèi)部存儲(chǔ)資源有限，很多時(shí)候不能滿足需求，因此可以利用DDR對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行存儲(chǔ)擴(kuò)展。由于DDR3內(nèi)部控制十分復(fù)雜，因此可以基于AXI總線，利用Vivado提供的MIG IP對(duì)DDR3進(jìn)行控制
2025-10-29 07:16:34
前言：2025年，存儲(chǔ)市場(chǎng)持續(xù)“高燒”——-國際大廠停產(chǎn)DDR3/4，減產(chǎn)LPDDR4/4X，漲價(jià)50%只是起步-國產(chǎn)料號(hào)月更、周更，同一料號(hào)不同Die，顆粒參數(shù)“開盲盒”-更大的坑是：對(duì)于嵌入式
2025-10-24 11:59:51918 
DDR控制協(xié)議
DDR3讀寫控制器主要用于生成片外存儲(chǔ)器DDR3 SDRAM進(jìn)行讀寫操作所需要的時(shí)序，繼而實(shí)現(xiàn)對(duì)片外存儲(chǔ)器的讀寫訪問。由攝像頭采集得到的圖像數(shù)據(jù)通常數(shù)據(jù)量較大，使用片內(nèi)存儲(chǔ)資源
2025-10-21 14:30:16
由于e203內(nèi)部DTCM空間較小，所以本隊(duì)針對(duì)DDR200T開發(fā)板進(jìn)行針對(duì)e203的DDR3存儲(chǔ)器擴(kuò)展。
論壇中所給出的e203擴(kuò)展DDR的方法大致分為兩種，一種是直接將DDR存儲(chǔ)器的接口使用ICB
2025-10-21 12:43:40
蜂鳥DDR200T中DDR3的ip配置案列，提供DDR3引腳配置。具體參數(shù)可更具項(xiàng)目實(shí)際更改。
這里選用的axi接口
在賽靈思的IP配置中沒有MT41K28M6JT-125K內(nèi)存的信息，因此選用
2025-10-21 11:19:08
DDR3讀寫控制器主要用于生成片外存儲(chǔ)器DDR3 SDRAM進(jìn)行讀寫操作所需要的時(shí)序，繼而實(shí)現(xiàn)對(duì)片外存儲(chǔ)器的讀寫訪問。由攝像頭采集得到的圖像數(shù)據(jù)通常數(shù)據(jù)量較大，使用片內(nèi)存儲(chǔ)資源難以實(shí)現(xiàn)大量圖像數(shù)據(jù)
2025-10-21 10:40:28
DDR3讀寫控制器主要用于生成片外存儲(chǔ)器DDR3 SDRAM進(jìn)行讀寫操作所需要的時(shí)序，繼而實(shí)現(xiàn)對(duì)片外存儲(chǔ)器的讀寫訪問。由攝像頭采集得到的圖像數(shù)據(jù)通常數(shù)據(jù)量較大，使用片內(nèi)存儲(chǔ)資源難以實(shí)現(xiàn)大量圖像數(shù)據(jù)
2025-10-21 08:43:39
三星近期已向全球 OEM 客戶發(fā)出正式函件，明確旗下 DDR4 模組將于 2025 年底進(jìn)入產(chǎn)品壽命結(jié)束（EOL）階段，最后訂購日期定于 6 月上旬，最后出貨日期則為 12 月 10 日。此次停產(chǎn)
2025-10-14 17:11:371033 回收DDR2，回收DDR3，收購DDR2，收購DDR3 DDR4 DDR5長期現(xiàn)金高價(jià)回收DDR，回收三星DDR，回收海力士DDR，回收南亞DDR，回收爾必達(dá)DDR，回收美光DDR，回收DDR
2025-10-09 14:15:34
據(jù)外媒韓國媒體 ETNews 在9 月 2 日發(fā)文報(bào)道稱全球首款2nm芯片被曝準(zhǔn)備量產(chǎn)；三星公司已確認(rèn) Exynos 2600 將成為全球首款采用 2nm 工藝的移動(dòng) SoC 芯片，目前該芯片完成
2025-09-04 17:52:152149 憑借與紫光國芯的緊密合作，貞光科技能夠?yàn)榭蛻籼峁?b class="flag-6" style="color: red">DDR3、LPDDR4及LPDDR4X全系列車規(guī)級(jí)存儲(chǔ)產(chǎn)品。在產(chǎn)品覆蓋、技術(shù)支持和供應(yīng)保障等方面的綜合優(yōu)勢(shì)，使貞光科技成為車載電子領(lǐng)域可靠且高效
2025-08-26 16:12:151423 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，據(jù)報(bào)道，有業(yè)內(nèi)人士透露，三星在上個(gè)月向英偉達(dá)提供了HBM4樣品，目前已經(jīng)通過了初步的質(zhì)量測(cè)試，將于本月底進(jìn)入預(yù)生產(chǎn)階段。如果能通過英偉達(dá)最后的驗(yàn)證步驟，最早可能在11月或12月
2025-08-23 00:28:007162 英特爾? 酷睿? Ultra 200H處理器和32GB內(nèi)存的AI PC上，英特爾可變顯存技術(shù)（Intel Variable VRAM Technology）可以將VRAM分配比例從57%提升到87%1
2025-08-14 15:39:451226 給大家?guī)?b class="flag-6" style="color: red">三星的最新消息： 三星將在美國工廠為蘋果生產(chǎn)芯片 據(jù)外媒報(bào)道，三星電子公司將在美國德克薩斯州奧斯汀的芯片代工廠生產(chǎn)蘋果公司的下一代芯片。而蘋果公司在新聞稿中也印證了這個(gè)一消息，在新聞稿中
2025-08-07 16:24:081288 Performance Body-bias）方案的驗(yàn)證。Exynos 2600是全球首款2nm手機(jī)芯片。 如果三星Exynos 2600芯片測(cè)試進(jìn)展順利，三星將立即啟動(dòng)量產(chǎn)，三星GalaxyS26系列手機(jī)將首發(fā)
2025-07-31 19:47:071591 本文緊接著前一個(gè)文檔《AD設(shè)計(jì)DDR3時(shí)等長設(shè)計(jì)技巧-數(shù)據(jù)線等長 》。本文著重講解DDR地址線、控制信號(hào)線等長設(shè)計(jì)，因?yàn)榈刂肪€、控制信號(hào)線有分支，SOC有可能帶有2片DDR或者更多，我們叫做T型分支
2025-07-29 16:14:512 的講解數(shù)據(jù)線等長設(shè)計(jì)。? ? ? 在另一個(gè)文件《AD設(shè)計(jì)DDR3時(shí)等長設(shè)計(jì)技巧-地址線T型等長》中著重講解使用AD設(shè)計(jì)DDR地址線走線T型走線等長處理的方法和技巧。
2025-07-28 16:33:124 成為了全球存儲(chǔ)芯片巨頭們角逐的焦點(diǎn)。三星電子作為行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)，一直致力于推動(dòng) HBM 技術(shù)的革新。近日有消息傳出，三星電子準(zhǔn)備從 16 層 HBM 開始引入混合鍵合技術(shù)，這一舉措無疑將在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域掀起新的波瀾。 編輯 ? 編輯 ? 技術(shù)背景：HBM 發(fā)展的必然趨
2025-07-24 17:31:16630 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，據(jù)韓媒報(bào)道，三星電子近期已完成與博通就12層HBM3E產(chǎn)品的質(zhì)量測(cè)試，正就量產(chǎn)供應(yīng)展開磋商。當(dāng)前協(xié)商的供應(yīng)量按容量計(jì)算約為10億Gb級(jí)別左右，量產(chǎn)時(shí)間預(yù)計(jì)最早從今年下半年延續(xù)至
2025-07-12 00:16:003465 ? 本原創(chuàng)文章由深圳市小眼睛科技有限公司創(chuàng)作，版權(quán)歸本公司所有，如需轉(zhuǎn)載，需授權(quán)并注明出處（www.meyesemi.com)
1.實(shí)驗(yàn)簡介
實(shí)驗(yàn)?zāi)康模?完成 DDR3 的讀寫測(cè)試。
實(shí)驗(yàn)環(huán)境
2025-07-10 10:46:48
）這意味著三星電子預(yù)計(jì)其第二季度營業(yè)利潤暴跌39%。這也是三星六個(gè)季度以來的最低業(yè)績水平，同時(shí)，這也意味著三星業(yè)績連續(xù)第四個(gè)季度下滑。 業(yè)界分析師認(rèn)為銷售限制持續(xù)存在，而且三星尚未開始向英偉達(dá)供應(yīng)其12層堆疊HBM3E芯片是主要因素。而競爭對(duì)
2025-07-07 14:55:29587 作為三星MLCC授權(quán)代理商，我們貞光科技深耕汽車電子領(lǐng)域多年，見證了新能源汽車市場(chǎng)的爆發(fā)式增長。車規(guī)級(jí)MLCC需求激增，選擇專業(yè)可靠的代理商變得至關(guān)重要。三星車規(guī)MLCC——貞光科技核心代理產(chǎn)品技術(shù)
2025-07-01 15:53:42738 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，TrendForce報(bào)告顯示，6月初，DDR4和DDR5芯片在現(xiàn)貨市場(chǎng)上的價(jià)格已基本持平，有些DDR4芯片的價(jià)格甚至高于DDR5芯片，呈現(xiàn)“價(jià)格倒掛”現(xiàn)象。DDR4 16Gb
2025-06-27 00:27:004538 DDR內(nèi)存占據(jù)主導(dǎo)地位。全球DDR內(nèi)存市場(chǎng)正經(jīng)歷一場(chǎng)前所未有的價(jià)格風(fēng)暴。由于原廠加速退出DDR3/DDR4市場(chǎng)，轉(zhuǎn)向DDR5和HBM（高帶寬內(nèi)存）生產(chǎn)，DDR3和DDR4市場(chǎng)呈現(xiàn)供不應(yīng)求、供需失衡、漲勢(shì)延續(xù)的局面。未來，DDR5滲透率將呈現(xiàn)快速提升，市場(chǎng)份額增長的趨勢(shì)。
2025-06-25 11:21:152009 
隨著汽車產(chǎn)業(yè)向智能化、網(wǎng)聯(lián)化加速轉(zhuǎn)型，高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）和智能駕駛技術(shù)已成為現(xiàn)代汽車不可或缺的核心組件。紫光國芯作為國內(nèi)領(lǐng)先的存儲(chǔ)器芯片制造商，其車規(guī)級(jí)DDR3存儲(chǔ)產(chǎn)品在智能駕駛和ADAS
2025-06-05 16:50:171220 
PC處理器對(duì)DDR5的支持，DDR5內(nèi)存將更快滲透普及。相較于DDR4，所有電壓由主板供給，DDR5中內(nèi)存模組搭載PMIC，PMIC是實(shí)現(xiàn)高效供電的關(guān)鍵，能夠?yàn)橄冗M(jìn)的計(jì)算應(yīng)用提供突破性的性能表現(xiàn)。Rambus最近推出面向下一代AI PC內(nèi)存模塊的完整客戶端芯片組，包含兩款用于客戶端計(jì)算的全新電源
2025-05-29 09:11:208127 
深圳帝歐電子求購內(nèi)存SD卡2G,4G,8G,16G,32G,64G,128G,256G,512G......新卡，舊卡，拆機(jī)卡都有收，價(jià)高同行回收三星內(nèi)存TF卡、金士頓TF卡、閃迪TF卡、東芝TF卡
2025-05-21 17:48:25
深圳帝歐電子回收三星S21指紋排線，收購適用于三星S21指紋模組?；厥?b class="flag-6" style="color: red">三星指紋排線，收購三星指紋排線，全國高價(jià)回收三星指紋排線，專業(yè)求購指紋排線。
回收三星S系列指紋排線，回收指紋模組，回收三星
2025-05-19 10:05:30
DDR（Double Data Rate，雙倍數(shù)據(jù)速率）是一種廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)和電子設(shè)備的高性能內(nèi)存技術(shù)，DDR的主要應(yīng)用于計(jì)算機(jī)系統(tǒng)，移動(dòng)設(shè)備，嵌入式系臨時(shí)存儲(chǔ)和高速傳輸數(shù)據(jù)。因此，DDR是現(xiàn)代
2025-05-14 21:48:49622 
給大家?guī)硪恍I(yè)界資訊： 三星DDR4內(nèi)存漲價(jià)20%? 存儲(chǔ)器價(jià)格跌勢(shì)結(jié)束，在2025年一季度和第二季度，價(jià)格開始企穩(wěn)反彈。 據(jù)TrendForce報(bào)道稱，三星公司DDR4內(nèi)存開始漲價(jià)，在本月初三星
2025-05-13 15:20:111204 最新消息，三星電子本月初與主要客戶就提高DRAM芯片售價(jià)達(dá)成一致。DDR4 DRAM價(jià)格平均上漲兩位數(shù)百分比；DDR5價(jià)格上漲個(gè)位數(shù)百分比。據(jù)稱 DDR4 上調(diào) 20%，DDR5 上調(diào)約 5
2025-05-13 01:09:006843 下面是調(diào)用的DDR3模塊的，模塊的倒數(shù)第二行是，模塊的時(shí)鐘輸入，時(shí)鐘源來自PLL產(chǎn)生的系統(tǒng)時(shí)鐘的倍頻。
2025-05-03 10:21:001339 
受一些智能終端消費(fèi)者和企業(yè)客戶因?yàn)閾?dān)憂美國關(guān)稅而提前采購三星智能手機(jī)和通用芯片的影響，三星電子Q1營業(yè)利潤小幅增長；三星電子在2025年第一季度營業(yè)利潤達(dá)到6.7萬億韓元，同比增長1.5%，高于
2025-04-30 15:34:33637 TPS51116為 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18、DDR3/SSTL-15、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源。它將同步降壓控制器與 3A 灌電流/拉
2025-04-29 16:38:021031 
在高速PCB設(shè)計(jì)中，DDR模塊是絕對(duì)繞不過去的一關(guān)。無論你用的是DDR、DDR2還是DDR3，只要設(shè)計(jì)不規(guī)范，后果就是——信號(hào)反射、時(shí)序混亂、系統(tǒng)頻繁死機(jī)。
2025-04-29 13:51:032491 
TPS59116 為 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18 和 DDR3 內(nèi)存提供完整的電源 系統(tǒng)。它將同步降壓控制器與 3A 灌電流/拉電流跟蹤線性穩(wěn)壓器和緩沖低噪聲基準(zhǔn)集成在一起
2025-04-28 13:54:45814 
TPS51916 器件以最低的總成本和最小的空間為 DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源。它集成了同步降壓穩(wěn)壓控制器 （VDDQ），具有 2A 灌電流和 2A 源跟蹤 LDO （VTT） 和緩沖低噪聲基準(zhǔn) （VTTREF）。
2025-04-28 10:58:44657 
TPS51116為 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18、DDR3/SSTL-15、 和 LPDDR3 內(nèi)存系統(tǒng)。它將同步降壓控制器與 1A 灌電流/拉電流集成在一起 跟蹤線性穩(wěn)壓器和緩
2025-04-27 13:35:32741 
TPS51216-EP 以最低的總成本和最小的空間為 DDR2、DDR3 和 DDR3L 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源。它將同步降壓穩(wěn)壓控制器 （VDDQ） 與 2A 灌/拉跟蹤 LDO （VTT） 和緩
2025-04-26 11:12:30681 
只需要最小輸出 電容為 20 μF。TPS51200-EP 支持遙感功能和所有功率要求 用于 DDR、DDR2、DDR3、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 總線終端。
2025-04-26 10:26:351335 
1. 傳ASML 取消與三星合作的半導(dǎo)體研究設(shè)施，轉(zhuǎn)而尋求替代方案 ? 2023年末，三星與ASML簽署了一項(xiàng)價(jià)值1萬億韓元的協(xié)議，雙方將在韓國京畿道東灘投資建設(shè)半導(dǎo)體芯片研究設(shè)施，并在那里共同努力
2025-04-22 11:06:001488
三星電子在 HBM3 時(shí)期遭遇了重大挫折，將 70% 的 HBM 內(nèi)存市場(chǎng)份額拱手送給主要競爭對(duì)手 SK 海力士，更是近年來首度讓出了第一大 DRAM 原廠的寶座。這迫使三星在 HBM4 上采用
2025-04-18 10:52:53
在全球科技競爭加劇、國產(chǎn)替代加速推進(jìn)的背景下，紫光國芯憑借其在DDR3與RDIMM等高端內(nèi)存芯片領(lǐng)域的技術(shù)積累，不斷實(shí)現(xiàn)突破，推動(dòng)國產(chǎn)存儲(chǔ)芯片向高端市場(chǎng)邁進(jìn)。作為其核心代理商，貞光科技在市場(chǎng)推廣
2025-04-16 16:39:301342 對(duì)于網(wǎng)絡(luò)謠言三星晶圓代工暫停所有中國業(yè)務(wù)，三星下場(chǎng)辟謠。三星半導(dǎo)體在官方公眾號(hào)發(fā)文辟謠稱““三星晶圓代工暫停與中國部分公司新項(xiàng)目合作”的說法屬誤傳，三星仍在正常開展與這些公司的合作。 而且有媒體報(bào)道稱瑞芯微公司等合作客戶也表示與三星的相關(guān)工作在正常推進(jìn)。
2025-04-10 18:55:33770 DDR3 SDRAM(Double-Data-Rate ThreeSynchronous Dynamic Random Access Memory)是DDR SDRAM的第三代產(chǎn)品，相較于DDR2，DDR3有更高的運(yùn)行性能與更低的電壓。
2025-04-10 09:42:533930 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道?據(jù)多方消息來源推測(cè)，三星電子可能取消原計(jì)劃于?2027?年量產(chǎn)的?1.4nm（FS1.4）晶圓代工工藝。三星在?“Samsung?Foundry?Forum?2022”?上首
2025-03-23 11:17:401827 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 據(jù)多方消息來源推測(cè)，三星電子可能取消原計(jì)劃于 2027 年量產(chǎn)的 1.4nm（FS1.4）晶圓代工工藝。三星在 “Samsung Foundry Forum 2022” 上首
2025-03-22 00:02:002462 燦芯半導(dǎo)體（上海）股份有限公司（燦芯股份，688691）宣布推出基于28HKD 0.9V/2.5V 平臺(tái)的DDR3/4, LPDDR3/4 Combo IP。該IP具備廣泛的協(xié)議兼容性，支持DDR3
2025-03-21 16:20:03984 初次使用XC7A35T-FGG484做設(shè)計(jì)，用的是25MHZ有源晶振，有源晶振3.3V供電，DDR3的供電1.35V，現(xiàn)在接上晶振后，DDR3的供電變成1.8V
求助怎么解決。
2025-03-21 14:25:05
在現(xiàn)代電子制造業(yè)中，貼片電容作為電子元件的重要組成部分，其封裝形式與體積大小對(duì)于電路板的布局、性能及生產(chǎn)效率具有重要影響。三星作為全球知名的電子元器件供應(yīng)商，其貼片電容產(chǎn)品系列豐富，封裝多樣，滿足了
2025-03-20 15:44:591928 
據(jù)外媒曝料稱三星已量產(chǎn)第四代4nm芯片。報(bào)道中稱三星自從2021年首次量產(chǎn)4nm芯片以來，每年都在改進(jìn)技術(shù)。三星現(xiàn)在使用的是其最新的第四代4nm工藝節(jié)點(diǎn)（SF4X）進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)。第四代4nm工藝
2025-03-12 16:07:1713207 近日，三星電子系統(tǒng)LSI事業(yè)部宣布成功研發(fā)出一款名為S3SSE2A的安全芯片，以應(yīng)對(duì)不斷發(fā)展的量子電腦技術(shù)所帶來的網(wǎng)絡(luò)安全威脅。這款芯片不僅已完成樣品出貨準(zhǔn)備，更在行業(yè)內(nèi)率先采用了量子耐性口令
2025-03-05 13:56:54996 
DDR內(nèi)存控制器是一個(gè)高度集成的組件，支持多種DDR內(nèi)存類型（DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR2），并通過精心設(shè)計(jì)的架構(gòu)來優(yōu)化內(nèi)存訪問效率。
2025-03-05 13:47:403573 
三星電容的耐壓與容量是滿足不同電路需求的關(guān)鍵因素。以下是對(duì)三星電容耐壓與容量的詳細(xì)分析，以及如何根據(jù)電路需求進(jìn)行選擇的方法： 一、三星電容的耐壓值識(shí)別與選擇 1、耐壓值的概念 ：電容長期可靠地工作
2025-03-03 15:12:57975 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，日前，日媒報(bào)道由于DRAM內(nèi)存芯片價(jià)格持續(xù)下滑，全球三大原廠三星、SK海力士和美光計(jì)劃在2025年停產(chǎn)DDR4內(nèi)存芯片。 ? 數(shù)據(jù)顯示，2025年1月，DDR4 8Gb顆粒
2025-02-21 00:10:002803 據(jù)韓媒近日?qǐng)?bào)道，英偉達(dá)已在內(nèi)部成功研發(fā)出一種新型內(nèi)存模組，命名為SOCAMM。這一創(chuàng)新成果不僅標(biāo)志著英偉達(dá)在內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域的又一次突破，也預(yù)示著其在商業(yè)化應(yīng)用上的新進(jìn)展。 據(jù)報(bào)道，英偉達(dá)目前正與全球三
2025-02-19 11:41:411278 據(jù)報(bào)道，業(yè)內(nèi)人士透露，全球三大DRAM內(nèi)存制造商——三星電子、SK海力士和美光，有望在2025年內(nèi)正式停產(chǎn)已有多年歷史的DDR3和DDR4兩代內(nèi)存。 隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和消費(fèi)級(jí)平臺(tái)的更新?lián)Q代
2025-02-19 11:11:513460 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）近日有消息稱，英偉達(dá)正在與三星、SK海力士等存儲(chǔ)巨頭合作，推動(dòng)自家SOCAMM內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的商業(yè)化落地。SOCAMM即Space-Optimized CAMM空間優(yōu)化內(nèi)存
2025-02-19 09:06:553213 
近期，三星電子設(shè)備解決方案(DS)部門負(fù)責(zé)人兼副董事長全永鉉(Jun Young-hyun)與英偉達(dá)公司CEO黃仁勛，在加利福尼亞州桑尼維爾的英偉達(dá)總部舉行了一次重要會(huì)議。此次會(huì)議聚焦于三星電子改進(jìn)
2025-02-18 11:00:38978 HMCG88AEBRA和M321R4GA3BB6-CQK是兩款高性能的32GB DDR5 4800 EC8 RDIMM內(nèi)存條，專為需要高可靠性和高性能的應(yīng)用而設(shè)計(jì)。這些內(nèi)存條采用288-Pin
2025-02-14 07:02:20
據(jù)韓國媒體報(bào)道，三星電子正面臨其第六代1cnm DRAM的良品率挑戰(zhàn)，為確保HBM4內(nèi)存的順利量產(chǎn)，公司決定對(duì)設(shè)計(jì)進(jìn)行重大調(diào)整。
2025-02-13 16:42:511336 ;MTA9ASF1G72AZ-3G2R1是一款高性能的DDR3 SDRAM內(nèi)存模塊，專為滿足現(xiàn)代計(jì)算需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品以其高帶寬和低功耗的特性，廣泛應(yīng)用于個(gè)人電腦、服務(wù)器和嵌入式系統(tǒng)中，成為市場(chǎng)上備
2025-02-10 20:10:39
如需了解價(jià)格貨期等具體信息，歡迎在首頁找到聯(lián)系方式鏈接我。不要留言，留言會(huì)被吞，收不到留言。 8GB DDR4 ECC UDIMM 產(chǎn)品概述 8GB DDR4 ECC UDIMM
2025-02-10 20:07:47
如需了解價(jià)格貨期等具體信息，歡迎在首頁找到聯(lián)系方式鏈接我。不要留言，留言會(huì)被吞，收不到留言。 16GB DDR4 ECC UDIMM 產(chǎn)品概述 16GB DDR4 ECC
2025-02-10 20:05:15
個(gè)新的領(lǐng)導(dǎo)階段。 李大成在接任三星中國公司高層職務(wù)前，曾擔(dān)任三星電子中國臺(tái)灣地區(qū)總經(jīng)理，擁有豐富的市場(chǎng)運(yùn)營和管理經(jīng)驗(yàn)。2024年12月，李大成被正式任命為三星電子大中華區(qū)總裁，開始肩負(fù)起領(lǐng)導(dǎo)三星在中國市場(chǎng)發(fā)展的重任。
2025-02-10 13:48:431209 M425R2GA3PB0-CWM 是一款高性能的 DDR5 SO-DIMM 內(nèi)存模塊，具有 16GB 的容量，專為滿足現(xiàn)代移動(dòng)計(jì)算需求而設(shè)計(jì)。這款內(nèi)存條采用了 Samsung 的先進(jìn)技術(shù)，適用于各種
2025-02-10 07:49:16
M425R1GB4PB0-CWM 是一款高性能的 DDR5 SO-DIMM 內(nèi)存模塊，具有 8GB 的容量，專為滿足現(xiàn)代移動(dòng)計(jì)算需求而設(shè)計(jì)。這款內(nèi)存條采用了最新的 DDR5 技術(shù)，具有
2025-02-10 07:47:57
高性能的 DDR5 SDRAM 內(nèi)存模塊，具有 8GB 的容量，工作頻率為 PC4800。這款內(nèi)存條由三星（Samsung）生產(chǎn)，專為滿足現(xiàn)代計(jì)算需求而設(shè)計(jì)，適用
2025-02-10 07:44:13
產(chǎn)品均內(nèi)置了先進(jìn)的時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器(CKD)芯片，確保了數(shù)據(jù)傳輸?shù)母咚倥c穩(wěn)定。同時(shí)，為了滿足不同用戶的需求，威剛提供了8GB、16GB與32GB三種存儲(chǔ)容量選項(xiàng)，用戶可以根據(jù)自己的實(shí)際需求進(jìn)行選擇。 在
2025-02-08 10:20:131039 三星電子在近期舉行的業(yè)績電話會(huì)議中，透露了其高帶寬內(nèi)存（HBM）的最新發(fā)展動(dòng)態(tài)。據(jù)悉，該公司的第五代HBM3E產(chǎn)品已在2024年第三季度實(shí)現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)和銷售，并在第四季度成功向多家GPU廠商及數(shù)據(jù)中心供貨。與上一代HBM3相比，HBM3E的銷售額實(shí)現(xiàn)了顯著增長。
2025-02-06 17:59:001106 根據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Gartner的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，在2024年全球半導(dǎo)體行業(yè)營收達(dá)到6260億美元，同比增長18.1%。分廠商來看的話，三星登頂全球最大半導(dǎo)體廠商。 排名第一的是三星；得益于內(nèi)存價(jià)格大幅
2025-02-05 16:49:551828 
近日，三星電子發(fā)布了其2024年第四季度的財(cái)務(wù)報(bào)告。數(shù)據(jù)顯示，該季度三星電子的銷售額達(dá)到了75.79萬億韓元，表現(xiàn)強(qiáng)勁。同時(shí)，其凈利潤也達(dá)到了7.58萬億韓元，這一數(shù)字超出了市場(chǎng)此前的預(yù)估
2025-02-05 14:56:10811 近日，三星電子在美國加州圣何塞成功舉辦了年度“Galaxy Unpacked”發(fā)布會(huì)，會(huì)上不僅推出了備受矚目的新旗艦“Galaxy S25”系列手機(jī)，還展示了與谷歌聯(lián)合開發(fā)的Project Moohan頭顯設(shè)備。
2025-01-24 14:23:431394 創(chuàng)見（Transcend）近日宣布面向消費(fèi)領(lǐng)域推出DDR5 6400 CUDIMM內(nèi)存條，為硬件市場(chǎng)注入新活力。 該系列最先面世的型號(hào)為16GB容量單條模組，專為游戲玩家、內(nèi)容創(chuàng)作者、計(jì)算機(jī)DIY
2025-01-24 11:16:181754 近日，三星電子在美國加州圣何塞成功舉辦了其一年一度的“Galaxy Unpacked”發(fā)布會(huì)。會(huì)上，三星電子不僅推出了備受期待的新旗艦“Galaxy S25”系列手機(jī)，還展示了與谷歌共同研發(fā)
2025-01-24 10:22:431240 據(jù)報(bào)道，三星電子已正式否認(rèn)了有關(guān)其將重新設(shè)計(jì)第五代10nm級(jí)DRAM(即1b DRAM)的傳聞。這一否認(rèn)引發(fā)了業(yè)界對(duì)三星電子內(nèi)存產(chǎn)品策略的新一輪關(guān)注。 此前有報(bào)道指出，三星電子為應(yīng)對(duì)其12nm級(jí)
2025-01-23 15:05:11921 工廠和華城S3工廠。盡管投資規(guī)模有所縮減，但三星在這兩大工廠的項(xiàng)目推進(jìn)上并未止步。 平澤P2工廠方面，三星計(jì)劃將部分3nm生產(chǎn)線轉(zhuǎn)換到更為先進(jìn)的2nm工藝，以進(jìn)一步提升其半導(dǎo)體制造技術(shù)的競爭力。這一舉措顯示出三星在高端工藝領(lǐng)域的堅(jiān)定布局和持續(xù)
2025-01-23 11:32:151081 據(jù)DigiTimes報(bào)道，三星電子對(duì)重新設(shè)計(jì)其第五代10nm級(jí)DRAM（1b DRAM）的報(bào)道予以否認(rèn)。 此前，ETNews曾有報(bào)道稱，三星電子內(nèi)部為解決12nm級(jí)DRAM內(nèi)存產(chǎn)品面臨的良率和性能
2025-01-23 10:04:151360 據(jù)韓媒報(bào)道，三星電子已將其1c nm DRAM內(nèi)存開發(fā)的良率里程碑時(shí)間推遲了半年。原本，三星計(jì)劃在2024年底將1c nm制程DRAM的良率提升至70%，以達(dá)到結(jié)束開發(fā)工作、順利進(jìn)入量產(chǎn)階段的要求。然而，實(shí)際情況并未如愿。
2025-01-22 15:54:191001 (High Bandwidth Memory 4)內(nèi)存規(guī)劃方面產(chǎn)生影響。 原本，三星電子計(jì)劃在2024年12月前將1c nm制程DRAM的良率提升至70%，這是結(jié)束開發(fā)工作并進(jìn)入量產(chǎn)階段所必需的水平
2025-01-22 14:27:241107 近日，據(jù)韓媒最新報(bào)道，三星電子在面對(duì)其12nm級(jí)DRAM內(nèi)存產(chǎn)品的良率和性能雙重困境時(shí)，已于2024年底作出了重要決策。為了改善現(xiàn)狀，三星決定在優(yōu)化現(xiàn)有1b nm工藝的基礎(chǔ)上，全面重新設(shè)計(jì)新版1b
2025-01-22 14:04:071408 側(cè)應(yīng)用落地高率、大容量、低延遲與高帶德明利最新推出針對(duì)AIPC的DDR5SO-DIMM和U-DIMM內(nèi)存模組系列產(chǎn)品，單條內(nèi)存容量高達(dá)48GB，理論帶寬32GB/
2025-01-21 16:34:412426 
近日，有關(guān)三星考慮委托臺(tái)積電量產(chǎn)其Exynos芯片的消息引起了廣泛關(guān)注。據(jù)悉，這一消息最初由知名博主Jukanlosreve于2024年11月13日在X平臺(tái)上發(fā)布。該博主在推文中透露，三星正在尋求
2025-01-17 14:15:52887 近日，韓媒The Elec發(fā)布了一篇博文，披露了三星在智能手機(jī)領(lǐng)域的一項(xiàng)新動(dòng)向。據(jù)該報(bào)道，三星計(jì)劃在2025年第2季度正式量產(chǎn)其首款三折疊手機(jī)，這一創(chuàng)新產(chǎn)品預(yù)計(jì)將在市場(chǎng)上引發(fā)廣泛關(guān)注。 報(bào)道進(jìn)一步
2025-01-15 15:42:501274 近日，三星電子已做出決定，將減少其位于中國西安工廠的NAND閃存產(chǎn)量。這一舉措被視為三星電子為保護(hù)自身盈利能力而采取的重要措施。 當(dāng)前，全球NAND閃存市場(chǎng)面臨供過于求的局面，預(yù)計(jì)今年NAND閃存
2025-01-14 14:21:24866 億元人民幣)的激勵(lì)資金。 該工廠預(yù)計(jì)將于2026年全面投入大規(guī)模芯片生產(chǎn)，主要生產(chǎn)2納米和3納米工藝的先進(jìn)芯片。三星方面表示，他們計(jì)劃在2026年初引入所有必要的生產(chǎn)設(shè)備，并在年底前正式啟動(dòng)量產(chǎn)，以期在這一關(guān)鍵領(lǐng)域與全球領(lǐng)先的芯片制造
2025-01-14 13:55:41931 近日，三星在美國舉辦的2025 年國際消費(fèi)電子展（CES 2025）“First Look”活動(dòng)上，發(fā)布了三星Vision AI，旨在為用戶的日常生活帶來個(gè)性化的 AI屏幕體驗(yàn)。
2025-01-14 11:47:561234 復(fù)雜的實(shí)時(shí)嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用，支持多種內(nèi)存接口和豐富的外設(shè)端口，滿足多樣化場(chǎng)景需求。
通過硬核NPU，JPU，MIPI 來支持邊緣智能應(yīng)用，為FPGA市場(chǎng)注入新的活力。SOM模組標(biāo)配1GB DDR3
2025-01-10 14:32:38
近日，三星電子于1月8日正式發(fā)布了其202X年第四季度的財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)。根據(jù)財(cái)報(bào)顯示，該季度三星電子的營業(yè)利潤為6.50萬億韓元，這一數(shù)字明顯低于市場(chǎng)此前的預(yù)估值8.96萬億韓元。 同時(shí)，三星電子在
2025-01-09 10:40:28914 在電子元器件領(lǐng)域，三星貼片電容以其出色的性能和廣泛的應(yīng)用贏得了廣泛認(rèn)可。選擇適合的三星貼片電容不僅關(guān)乎電子設(shè)備的性能和穩(wěn)定性，還直接影響到產(chǎn)品的可靠性和成本。為了幫助買家更好地進(jìn)行選型，本文將詳細(xì)
2025-01-08 14:26:59806
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