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　　三星電子宣布，將從本月開始在全球率先量產(chǎn)30納米級4Gb(bit) DDR3(Double Data Rate 3) DRAM基板的32GB(byte)內(nèi)存模塊。據(jù)悉，30納米級32GB DDR3內(nèi)存模組具有高性能、低功耗、大容量等特點，能夠在1.35伏的電壓下達(dá)到1.866Mbps傳輸速度，最適合應(yīng)用于最新高性能的服務(wù)器，和現(xiàn)有的40納米級32GB DDR3模組(1.5伏/1.333 Mbps )相比，不僅可以節(jié)省18%的能耗，而且將數(shù)據(jù)傳輸速度提高了40%。

　　而據(jù)記者的了解，原有的40納米 32GB DDR3內(nèi)存于2011年獲得了美國CES國際消費電子展評選的環(huán)保產(chǎn)品創(chuàng)新獎，這樣對比看來，30納米級32GB DDR3服務(wù)器模組可謂是目前全球功能最優(yōu)越的產(chǎn)品，這標(biāo)志著三星最早實現(xiàn)了服務(wù)器專用、超節(jié)能型30納米級32GB DDR3內(nèi)存模組量產(chǎn)。目前三星電子的4Gb DRAM生產(chǎn)工藝覆蓋了從服務(wù)器到筆記本一系列的產(chǎn)品，業(yè)內(nèi)人士表示，這些新產(chǎn)品或?qū)⒁I(lǐng)其從高性能、大容量服務(wù)器到移動市場的高速發(fā)展。

　　此外，與采用30納米級2Gb DDR3 DRAM生產(chǎn)的模組相比，30納米級4Gb DDR3 DRAM筆記本模組的性能依舊突出，擁有與前者相同的1.5伏/2.133Mbps的高性能。由于30納米級4Gb DDR3 DRAM的單位產(chǎn)能比40納米級4Gb DDR3 DRAM 高出50%多，它將在具有高性能、低能耗的下一代服務(wù)器市場和高端筆記本市場取代40納米級4Gb DDR3 DRA的同時，創(chuàng)造新的需求。

　　實際上，自從2011年2月起，三星就已經(jīng)批量生產(chǎn)30納米級(1納米相當(dāng)于10億分之一米)4Gb DDR3 DRAM，并于4月開始供應(yīng)16GB模組，緊接著在本月開始提供32GB DDR3模組和高端筆記本用的30納米級8GB DDR3模組，構(gòu)建成了高性能、大容量的“綠色 DDR3產(chǎn)品線”。

　　有分析認(rèn)為，從2011年3月開始，三星電子僅用了一個月的時間就實現(xiàn)了4Gb移動DRAM的量產(chǎn)到4Gb DRAM工藝大容量電腦用模組量產(chǎn)，這說明從移動市場到企業(yè)級服務(wù)器市場，三星電子將以最先進(jìn)的30納米級DRAM來推動企業(yè)對低耗能“綠色內(nèi)存”的需求。

　　目前，三星為了進(jìn)一步開展“綠色存儲器”推廣活動，將與大型服務(wù)器廠商以及電腦公司加強(qiáng)技術(shù)方面的交流與合作。同時，通過今年下半年舉辦的“半導(dǎo)體CIO論壇”，三星將與美國以及亞洲的跨國企業(yè)首席信息官共享綠色經(jīng)營(通過綠色存儲器重新創(chuàng)造價值)帶來的成果，與此同時，通過創(chuàng)造更為廣闊的合作機(jī)會來完成“綠色I(xiàn)T系統(tǒng)”。

　　三星電子半導(dǎo)體事業(yè)部存儲戰(zhàn)略營銷部負(fù)責(zé)人洪完勛副董事長對記者介紹說，“三星在去年2月份最早量產(chǎn)40納米級4Gb DDR3 DRAM后，僅僅一年的時間里就成功實現(xiàn)30納米級4Gb DDR3 DRAM的量產(chǎn)。可以說，我們在企業(yè)級服務(wù)器市場和移動市場等高端DRAM市場上確保了最高水平的產(chǎn)品競爭力和解決方案。為了適應(yīng)綠色I(xiàn)T市場的急速發(fā)展，我們計劃在下半年推出超節(jié)電型‘20納米級4Gb DRAM’。之后，我們也堅持不斷向顧客提供最高性能的‘綠色內(nèi)存解決方案’，并持續(xù)發(fā)展存儲器市場。”

　　記者從三星電子獲知，三星電子以本次30納米級4Gb DRAM批量生產(chǎn)為契機(jī)，將大幅度提高大容量DRAM的生產(chǎn)比重，爭取最晚在2012年，將這一比重提高至所有DRAM生產(chǎn)的10%以上。另據(jù)市場調(diào)查機(jī)構(gòu)調(diào)查顯示，4Gb DRAM的市場占有率從2011年起逐漸擴(kuò)大，到2012年，2013年，2014年將分別擴(kuò)大至10%、35%、57%，已經(jīng)成為DRAM市場的主力軍。

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