為了實(shí)現(xiàn) 對(duì)非易失內(nèi)存的管理與利用、對(duì)文件數(shù)據(jù)緩存的管理與訪問，本文設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)了面向非易失內(nèi)存的MPI-IO接口優(yōu)化（NVMPI-IO）。本文的工作主要包括：
2022-10-09 10:53:10
2366 并非所有非易失性或閃存 FPGA 器件都是一樣的。本文探討了真正的非易失性FPGA的優(yōu)勢(shì) - 包括顯著降低功耗、更快的響應(yīng)時(shí)間、無(wú)與倫比的可靠性和不折不扣的安全性 - 是無(wú)法復(fù)制的。
2022-11-14 15:34:192378 
計(jì)算機(jī)、游戲機(jī)、電信、汽車、工業(yè)系統(tǒng)以及無(wú)數(shù)電子設(shè)備和系統(tǒng)都依賴于各種形式的固態(tài)存儲(chǔ)器進(jìn)行操作。設(shè)計(jì)人員需要了解易失性和非易失性存儲(chǔ)器件的各種選項(xiàng)，以優(yōu)化系統(tǒng)性能。
2023-09-14 16:06:263492 
新一代器件已通過QML-Q和高可靠性工業(yè)規(guī)格的認(rèn)證，支持苛刻環(huán)境下的非易失性代碼存儲(chǔ)和數(shù)據(jù)記錄應(yīng)用，包括航天和工業(yè)應(yīng)用。
2021-04-01 11:10:543054 0.13μm非易失性FRAM產(chǎn)品的增強(qiáng)的耐久性能
2021-02-04 07:15:14
內(nèi)存條是如何誕生的？內(nèi)存條容量是怎樣變化的？DDR4還是很年輕？還有發(fā)展空間嗎？
2021-06-18 07:24:30
我們正在構(gòu)建一個(gè)設(shè)備來測(cè)量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量，所以，我需要做一個(gè)每秒累加的方法。問題：非易失性內(nèi)存有寫入限制，所以我需要使用易失性內(nèi)存。寫入易失性存儲(chǔ)器是否有一些限制？我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫入易失性存儲(chǔ)器，每 10 分鐘寫入一次非易失性存儲(chǔ)器。
2023-05-30 08:48:06
MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無(wú)限次地重復(fù)寫入。
2020-12-16 07:21:39
MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無(wú)限次地重復(fù)寫入。
2020-12-10 07:20:20
宇芯電子本篇文章提供智能電表或智能電子式電表的概述，并且說明在智能電子式電表的設(shè)計(jì)中用非易失性串行FRAM而不是使用EEPROM的優(yōu)勢(shì)。圖1顯示的是智能電子式電表的簡(jiǎn)化框圖。非易失性存儲(chǔ)器是一個(gè)電表
2021-07-12 07:26:45
非易失可重復(fù)編程FPGA的應(yīng)用有哪些？
2021-05-08 08:17:26
非易失性SRAM（nv SRAM）結(jié)合了賽普拉斯行業(yè)領(lǐng)先的SRAM技術(shù)和一流的SONOS非易失性技術(shù)。在正常操作下，nv SRAM的行為類似于使用標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)和時(shí)序的常規(guī)異步SRAM。nv SRAM執(zhí)行
2020-04-08 14:58:44
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 內(nèi)核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的應(yīng)用程序中，我們需要將安全數(shù)據(jù)（例如密鑰）存儲(chǔ)在安全非易失性存儲(chǔ) (SNVS) 區(qū)域
2023-04-14 07:38:45
掛載8G16G(exFAT)容量的U盤均正常，32GB(FAT32)、64GB掛載失敗！何故？
2024-04-17 06:46:45
數(shù)字電位器存儲(chǔ)類型標(biāo)注具有“易失性”，他的意思是不是說，假設(shè)當(dāng)前已經(jīng)調(diào)節(jié)好電位器處于3.5kΩ這個(gè)位置，那么斷電再上電后，電位器就回到初始狀態(tài)位置，不再是3.5kΩ這個(gè)位置了。“非易失性”就是斷電再上電后還是3.5KΩ這個(gè)位置。是這個(gè)意思嗎
2024-11-21 07:15:57
親愛;我有Spartan?-3AN非易失性FPGA入門套件，我編寫了VHDL程序，用于地址分配到與FPGA芯片接口的兩個(gè)外部ROM。程序有（16位輸入端口）和（16位輸出端口），問題是：如何使用該套件在FPGA芯片上下載程序？如何確定哪個(gè)輸入引腳和哪個(gè)是輸出引腳？最好的祝福
2019-08-22 10:31:44
保護(hù)您的嵌入式軟件免受內(nèi)存損壞本文的目的是提供一種軟件方法，解釋如何處理存儲(chǔ)在非易失性設(shè)備（如小型 EEPROM 或閃存）中的內(nèi)存數(shù)據(jù)集損壞。在微型嵌入式系統(tǒng)中看到這些數(shù)據(jù)集是很常見的，這些系統(tǒng)存儲(chǔ)
2021-12-24 07:27:45
我應(yīng)該用什么API來存儲(chǔ)非易失性數(shù)據(jù)？我使用CYW43907，手冊(cè)上說它支持外部閃存。我想知道我是否應(yīng)該使用WiDeDssFlash寫來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，或者我是否可以使用WiDeEddCTyWrand保存
2018-11-13 15:19:09
我想用非易失性密鑰獲取CMAC值（僅驗(yàn)證甚至可以）。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”項(xiàng)目。初始化 CSEc 模塊后，我使用給定的指令加載密鑰 ROM
2023-04-10 06:34:32
你好，在閱讀我的32GB Intel Optane內(nèi)存模塊的細(xì)節(jié)時(shí)，我注意到一些奇怪的事情：在管理器軟件的“配置”選項(xiàng)卡中，它顯示“32 GB Intel Optane Memory = 27.3
2018-10-31 17:23:09
英特矽爾Intersil推出小型非易失性按鈕式數(shù)控電位器ISL22511/12
Intersil公司近日宣布推出全球最小的非易失性按鈕式數(shù)控電位器（DCP）ISL22511和ISL22512。Intersil
2008-08-05 09:23:551350 摘要：本文討論如何使用安全數(shù)字(SD)媒體格式擴(kuò)展MAXQ2000的非易失數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。 低功耗、低噪聲的MAXQ2000微控制器適合于多種應(yīng)用。MAXQ2000在閃存中存儲(chǔ)非易失性數(shù)據(jù)，
2009-04-23 16:25:251387 
相變內(nèi)存（Phase Change Memory，PCM）是一項(xiàng)以Intel、Numonys和三星等廠商為先驅(qū)的新型非易失性技術(shù)，可以成為取代閃存的一種低成本、更可靠、更快速和更好的技術(shù)。
一些
2010-07-17 11:10:14803 AGIGARAM非易失性產(chǎn)品系列中的這一新解決方案可提供高達(dá)8GB的存儲(chǔ)密度，從而為系統(tǒng)架構(gòu)師和設(shè)計(jì)者提供了充分的靈活性，可以專為某些特定應(yīng)用需求量身定制非易失性存儲(chǔ)器。AgigA
2010-08-20 09:27:261002 概述
可編程邏輯器件已經(jīng)越來越多地用于汽車電子應(yīng)用，以替代ASIC和ASSP器件。Actel FPGA基于非易失性技術(shù)(快閃和反熔絲)，不易發(fā)生由中子引發(fā)的固件錯(cuò)誤，
2010-08-26 10:52:38669 DS1747是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用戶可通過如圖1所示的單字節(jié)寬
2010-09-28 08:58:301444 
DS1647為512k x 8非易失性靜態(tài)RAM，包括一個(gè)完備的實(shí)時(shí)時(shí)鐘，兩者均以字節(jié)寬度格式訪問。非易失性時(shí)間保持RAM功能等
2010-10-22 08:52:091601 
DS1646是一個(gè)128K的× 8非易失性與全功能實(shí)時(shí)時(shí)鐘，都在一個(gè)字節(jié)寬的格式訪問靜態(tài)RAM。非易失性RAM是計(jì)時(shí)功能等同于
2010-10-22 08:55:091169 
這款新Qorivva微控制器(MCU)系列基于Power Architecture ·技術(shù)，采用獨(dú)特的55納米(nm)非易失性內(nèi)存(NVM)構(gòu)建而成，旨在
2010-11-11 18:05:131307 DS1250 4096k、非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個(gè)完整的NV SRAM均自帶鋰電池及
2010-12-07 10:18:011741 
賽普拉斯半導(dǎo)體子公司AgigA技術(shù)公司日前宣布，推出業(yè)界最高存儲(chǔ)密度的DDR3解決方案，成為其無(wú)需電池供電的高速非易失性RAM系列產(chǎn)品中新的一員。AGIGARAM™非易失性產(chǎn)品系列中的這一新解決方案可提供高達(dá)8GB的存儲(chǔ)密度，從而為系統(tǒng)架構(gòu)師和設(shè)計(jì)者提供了充
2011-01-26 16:45:37876 DS1243Y 64K非易失SRAM，帶有隱含時(shí)鐘是一個(gè)內(nèi)置的實(shí)時(shí)時(shí)鐘(8192字由8位)是由完全靜態(tài)非易失性內(nèi)存 。
2012-01-04 10:53:261584 
全球微電子產(chǎn)業(yè)領(lǐng)導(dǎo)標(biāo)準(zhǔn)制定機(jī)構(gòu)JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)宣布，成立專門小組委員會(huì)JC64.9制定非易失性無(wú)線存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)。設(shè)立于制定嵌入式存儲(chǔ)器與可插拔存儲(chǔ)卡標(biāo)準(zhǔn)的JC-64委員會(huì)之下的
2012-04-17 09:10:381136 DS1312電池監(jiān)視器非易失控制器是CMOS電路，解決了轉(zhuǎn)換成非易失性內(nèi)存的CMOS RAM中的應(yīng)用問題。
2012-07-19 14:26:371109 
DS1210非易失控制器芯片是CMOS電路，解決了轉(zhuǎn)換成非易失性內(nèi)存的CMOS RAM中的應(yīng)用問題。
2012-07-19 14:30:074121 
近日，英特爾宣稱即將推出的Optane非易失性內(nèi)存將在今年第二季度以16GB和32GB M.2擴(kuò)展卡形式發(fā)售。
2017-01-09 17:14:421451 非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的相變機(jī)制
2017-01-19 21:22:54
14 大型廠商的產(chǎn)品導(dǎo)入、存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存（SCM）的新興應(yīng)用以及五大邏輯代工廠的涉足將推動(dòng)非易失性存儲(chǔ)市場(chǎng)的增長(zhǎng)。 新興非易失性存儲(chǔ)（NON-VOLATILE MEMORY, NVM）有利的市場(chǎng)環(huán)境 相變存儲(chǔ)
2018-07-04 11:55:007915 
為適應(yīng)底層存儲(chǔ)架構(gòu)的變化，上層數(shù)據(jù)庫(kù)系統(tǒng)已經(jīng)經(jīng)歷了多輪的演化與變革．在大數(shù)據(jù)環(huán)境下，以非易失、大容量、低延遲、按字節(jié)尋址等為特征的新型非易失存儲(chǔ)器件（NVM）的出現(xiàn)，勢(shì)必對(duì)數(shù)據(jù)庫(kù)系統(tǒng)帶來重大
2018-01-02 19:04:400 /O操作的方式將數(shù)據(jù)庫(kù)的更新操作同步回外存，有極大的性能開銷．此外，這類數(shù)據(jù)庫(kù)即便直接部署在新型非易失性內(nèi)存（non-volatile memory，簡(jiǎn)稱NVM）中，也因?yàn)槿狈?b class="flag-6" style="color: red">內(nèi)存中的持久化機(jī)制而不能脫離外存，針對(duì)現(xiàn)有內(nèi)存數(shù)據(jù)庫(kù)的不足，提出
2018-01-04 13:42:221 對(duì)于速度有著狂熱偏好的芝奇今天又發(fā)布了全球最快的DDR4 SO－DIMM內(nèi)存條，頻率高達(dá)3800MHz，同時(shí)容量也達(dá)到了32GB，隸屬于其Ripjaws系列。
2018-07-05 08:07:005864 近日，經(jīng)過TüV北德集團(tuán)的嚴(yán)格審定，移遠(yuǎn)通信順利通過了IATF（International Automotive Task Force）認(rèn)證，并收到了IATF 16949:2016質(zhì)量管理體系認(rèn)證證書。
2018-01-23 09:23:348901 首先想要給燒友們介紹下什么是非易失性內(nèi)存？是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失者的電腦存儲(chǔ)器。 非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM
2018-06-25 14:11:274108 三星宣布推出基于10nm級(jí)（指10~18nm）的DDR4 SO-DIMM內(nèi)存模組，用于高性能筆記本產(chǎn)品。新的內(nèi)存模組容量達(dá)到32GB單條，頻率2666MHz，結(jié)構(gòu)上是由16個(gè)16Gb DDR4
2018-08-06 16:38:015722 九代酷睿處理器的內(nèi)存控制器可以支持16GB核心容量,單條32GB的DDR4內(nèi)存。
2018-10-25 14:21:405494 近日，一款全新的HMD諾基亞手機(jī)通過了藍(lán)牙認(rèn)證，出現(xiàn)在Bluetooth SIG網(wǎng)站上，據(jù)網(wǎng)站信息顯示，該設(shè)備型號(hào)為TA-1136，支持藍(lán)牙5.0。
2018-11-09 17:15:045256 。目前來說，主流游戲玩家的內(nèi)存容量就三個(gè)選擇——8GB、16GB及32GB，32GB內(nèi)存玩游戲時(shí)性能就一定比8GB內(nèi)存好嗎？
2018-12-25 14:53:427467 Intel最近為Z390平臺(tái)開放了單條32GB內(nèi)存條的支持，不過這種大容量條子在游戲市場(chǎng)上還很稀少，而在服務(wù)器、高性能計(jì)算領(lǐng)域就比較豐富了。臺(tái)灣研華科技（Adantech）今天就發(fā)布了全線32GB內(nèi)存。
2019-02-13 15:19:581249 事實(shí)上，除了這些傳統(tǒng)要求，在前兩代非易失FPGA產(chǎn)品的經(jīng)驗(yàn)基礎(chǔ)上，萊迪思半導(dǎo)體（Lattice Semiconductor）公司還認(rèn)識(shí)到需要靈活的片上非易失存儲(chǔ)器，以及作為非易失FPGA新要求的用于現(xiàn)場(chǎng)邏輯更新的全面解決方案。
2019-06-16 09:48:472069 據(jù)外媒報(bào)道，海盜船已經(jīng)推出第一款32GB單條內(nèi)存，售價(jià)149美元起，約合人民幣1000元。
2019-07-22 08:40:473606 威剛Premier DDR4系列高端內(nèi)存產(chǎn)品線今日全面升級(jí)單條32GB，桌面型的U-DIMM、筆記本型的SO-DIMM都有。
2019-09-06 14:50:253479 由于三星和美光推出了16Gb的新型內(nèi)存芯片，不少?gòu)S家都推出了32GB單條的內(nèi)存條，現(xiàn)在芝奇也帶來了32GB版本的焰光戟/皇家戟，最高頻率DDR4 4000。
2019-10-10 15:09:205922 Compute Module 3+ 32GB 樹莓派計(jì)算模塊 BCM2837B0，1GB內(nèi)存，32GB容量 型號(hào) Compute Module 3+ 32GB 關(guān)于Compute Module 3+
2020-01-15 10:50:342783 
12月1日消息，從今年下半年開始，各大主板廠商都已經(jīng)支持了32GB單條內(nèi)存，32GB大容量內(nèi)存也大量上市?，F(xiàn)在，阿斯加特洛極51℃灰內(nèi)存條也全面升級(jí)為32GB，DDR4 2666頻率，售價(jià)為599元。
2019-12-02 14:54:037992 我們知道，內(nèi)存的性能不僅僅取決于頻率高低，也要看延遲，甚至很多時(shí)候延遲的重要性要超過頻率。芝奇此前就發(fā)布過DDR4-4000 CL15高頻低延遲內(nèi)存（單條8GB），現(xiàn)在又帶來了DDR4-3200 CL14，而且單條容量達(dá)32GB！
2019-12-24 09:34:243947 我們知道，內(nèi)存的性能不僅僅取決于頻率高低，也要看延遲，甚至很多時(shí)候延遲的重要性要超過頻率。芝奇此前就發(fā)布過DDR4-4000 CL15高頻低延遲內(nèi)存（單條8GB），現(xiàn)在又帶來了DDR4-3200 CL14，而且單條容量達(dá)32GB！
2019-12-24 09:38:171125 在CES 2020上，金士頓展示了新款的駭客神條和Impact系列筆記本內(nèi)存條，容量都達(dá)到了32GB單條。
2020-01-13 15:48:084362 近日，外媒也曝出，特斯拉Model Y已經(jīng)通過了加州空氣資源委員會(huì)（CARB）的認(rèn)證。而按照以往的經(jīng)驗(yàn)，通過該項(xiàng)認(rèn)證后的一個(gè)月之內(nèi)，該款車型就該正式開始交付。
2020-01-15 14:32:05963 今年1月份內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格開始被熱炒，已經(jīng)有漲價(jià)的苗頭了，不過總體來看目前的內(nèi)存價(jià)位還是不錯(cuò)的，8GB單條還在300內(nèi)。2019年內(nèi)存還有個(gè)趨勢(shì)值得注意，那就是大容量單條越來越多，32GB單條就很受高玩
2020-02-04 15:34:523095 強(qiáng)于市面上絕大多數(shù)單條32GB內(nèi)存。譬如英睿達(dá)的單條32GB，在3200MHz頻率下，時(shí)序高達(dá)CL22。
2020-02-06 14:11:093821 根據(jù)TechPowerUp的官方消息，技嘉推出了Designare品牌的內(nèi)存條，DDR4-3200頻率，32GB×2套裝，時(shí)序低至CL16。
2020-02-07 17:09:103206 無(wú)論臺(tái)式機(jī)還是筆記本，單條32GB容量的內(nèi)存條越來越多，一些特殊領(lǐng)域也漸漸有了。特種存儲(chǔ)廠商SMART Modular今天就發(fā)布了一款工業(yè)級(jí)的32GB DDR4內(nèi)存條，不但容量大，而且身材迷你。
2020-02-15 14:57:543710 2月28日金士頓在微信公眾號(hào)上宣布推出32GB單條駭客神條，可選3600/3733MHz，有無(wú)光和RGB兩個(gè)版本。
2020-02-29 14:26:574011 在CES 2020上，金士頓公布了新款的臺(tái)式機(jī)/筆記本32GB駭客神條內(nèi)存，現(xiàn)已上架京東，32GB單條DDR4 3200，售價(jià)1499元。
2020-03-10 13:52:433325 ROHM確立了非易失性邏輯IC技術(shù)的可靠性，已經(jīng)開始進(jìn)行批量生產(chǎn)階段。此次采用了非易失性邏輯CMOS同步式的技術(shù)開發(fā)了4 Pin非易失性邏輯計(jì)算IC“BU70013TL”。這個(gè)產(chǎn)品于2009年6月
2020-08-30 08:28:00917 盡管閃存和其他非易失性存儲(chǔ)技術(shù)已廣泛用于實(shí)現(xiàn)嵌入式文件系統(tǒng)，但對(duì)于某些嵌入式應(yīng)用程序來說可能太復(fù)雜了。在許多情況下的內(nèi)存可以最有效地用作已預(yù)先初始化的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)。這種方法需要對(duì)數(shù)據(jù)完整性進(jìn)行某種管理
2020-09-11 16:09:322230 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《非易失性NVSRAM存儲(chǔ)器的詳細(xì)講解.pdf》資料免費(fèi)下載
2020-11-25 11:12:0026 相比16到18年，這兩年內(nèi)存的價(jià)格總算跌回來了，今年依然在降價(jià)，現(xiàn)在32GB單條內(nèi)存價(jià)格都只要600多塊了。不過內(nèi)存廠商對(duì)這樣的價(jià)格顯然是不滿意的，表態(tài)明年年中價(jià)格就會(huì)重回漲勢(shì)。 據(jù)調(diào)研公司報(bào)告
2020-11-29 11:13:472564 內(nèi)存耐久度指定為存儲(chǔ)單元可以寫入或擦除的次數(shù)。對(duì)于盡管嚴(yán)格和廣泛使用仍需要高數(shù)據(jù)完整性的應(yīng)用程序，內(nèi)存耐用性是關(guān)鍵的系統(tǒng)性能特征和設(shè)計(jì)考慮因素之一。鐵電RAM或FRAM是一種快速，非易失性和低功耗
2020-12-22 15:20:05794 
援引外媒 Root MyGalaxy 報(bào)道，諾基亞型號(hào)分別為 WT340 和 CN110 的兩塊新電池通過了 TV 萊茵集團(tuán)的認(rèn)證。 認(rèn)證信息顯示，WT340 電池的額定電池容量為 4900mAh
2020-12-28 17:21:333114 ，和普通用戶無(wú)關(guān)。 現(xiàn)在，JEDEC固態(tài)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)協(xié)會(huì)發(fā)布了DDR4 NVDIMM-P非易失內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范，序列編號(hào)JESD304-4.01，也可以在斷電后不丟失數(shù)據(jù)，而且完全兼容DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)。 根據(jù)規(guī)范，這種新內(nèi)存兼容普通的DIMM內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)、固件，可以最大程度減少對(duì)于現(xiàn)有設(shè)備、平臺(tái)的更改，同
2021-02-19 10:04:022325 我們知道，傳統(tǒng)的DDR DIMM內(nèi)存是易失性的，也就是必須維持通電才能保持?jǐn)?shù)據(jù)，一旦斷電就都沒了。
2021-02-19 10:18:332198 
ADM1166：帶余量控制和非易失性故障記錄的超級(jí)序列器
2021-04-24 12:29:412 現(xiàn)有非易失性內(nèi)存文件系統(tǒng)都以DRAM模擬非易失性內(nèi)存（Non- Volatile memory，NVM）進(jìn)行測(cè)試，而沒有充分考慮兩者間的寫時(shí)延和寫磨損特性差異，使得測(cè)試結(jié)果無(wú)法準(zhǔn)確反映文件系統(tǒng)在
2021-05-07 11:05:2013 美光公司近日推出了全新的 Crucial 英睿達(dá) DDR5 內(nèi)存，比之前英睿達(dá) DDR4內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸速度提高了將近50%，提供更快的速率滿足多核處理器的需求。
2021-10-29 10:52:162523 文章介紹一些應(yīng)用在血液透析機(jī)上的非易失性MRAM. 血液透析機(jī)使用Everspin 4Mb和16Mb MRAM產(chǎn)品是因?yàn)镸RAM固有的非易失性、不需要電池或電容器、無(wú)限的非易失性寫入耐久性和非易失性寫入周期和讀取周期的高速。這些獨(dú)特的MRAM屬性提高了
2021-11-11 16:26:49793 VDRF128M16XS54XX2V90是一種128Mbit高密度同時(shí)讀/寫非易失性閃存內(nèi)存模塊組織為8M x 16位。
2022-06-08 11:02:482 VDRF64M16XS54XX1V90是64Mbit高密度同時(shí)讀/寫非易失性閃存內(nèi)存模塊組織為4M×16位。
2022-06-08 10:57:401 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《FM18W08非易失性SRAM FRAM適配器.zip》資料免費(fèi)下載
2022-07-12 10:20:410 STT-MRAM非易失性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器是一款像SRAM一樣 高速、高耐久性、單字節(jié)訪問的工作，也可以像ROM/Flash一樣非揮發(fā)性，保留時(shí)間長(zhǎng)的存儲(chǔ)。MRAM供應(yīng)商英尚微支持提供相關(guān)技術(shù)支持。
2022-11-29 15:57:582187 作為使用PAL、GAL或CPLD器件實(shí)現(xiàn)非易失性門控功能的替代方案，這些電路使用串行接口控制的數(shù)字電位器（MAX5427或MAX5527）存儲(chǔ)門控信號(hào)（模塊或發(fā)送）。
2023-01-12 11:30:521731 
英尚微提供的Netsol的Parallel MRAM具有非易失特性和幾乎無(wú)限的耐用性。對(duì)于需要快速存儲(chǔ)和搜索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序來說，這是最理想的內(nèi)存。適用于工業(yè)設(shè)備中的代碼存儲(chǔ)、數(shù)據(jù)記錄、備份和工作存儲(chǔ)器?？商娲鶱OR?Flash、FeRAM、nvSRAM等，具有卓越的性能和非易失特性。
2023-02-23 14:52:55585 因需要持續(xù)、反復(fù)地保存數(shù)據(jù)，內(nèi)存需要快速的寫入速度與高耐久性。英尚微提供的非易失性存儲(chǔ)芯片NETSOL MRAM的主要優(yōu)勢(shì)包括:與SRAM不同，無(wú)需電壓控制器、電池及電池插座；與nvSRAM不同，無(wú)需電容器；寫入速度快；近乎無(wú)限的耐用性（100兆次的寫入次數(shù)）；斷電即時(shí)數(shù)據(jù)備份。
2023-03-22 14:41:071090 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《使用XOD訪問ESP32非易失性存儲(chǔ).zip》資料免費(fèi)下載
2023-06-15 14:35:410 美光 LPDDR5 是業(yè)界首款通過 ISO 26262 ASIL-D 認(rèn)證的內(nèi)存。美光內(nèi)存產(chǎn)品組合符合 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)并通過了汽車級(jí)認(rèn)證，可滿足汽車行業(yè)對(duì) LPDRAM 的要求，支持功能安全需求。
2023-07-12 10:43:091485 
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2023-10-18 11:02:571 提及英睿達(dá)，相信很多人都知道這個(gè)品牌，因?yàn)楫?dāng)年組裝電腦沒少使用英睿達(dá)的內(nèi)存，實(shí)際上英睿達(dá)是美光旗下的SSD和內(nèi)存高端品牌。英睿達(dá)所使用的的存儲(chǔ)顆粒也都是美光。
2023-12-16 11:34:193043 
3月8日，瞻芯電子開發(fā)的3款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品通過了嚴(yán)格的車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證（AEC-Q101 Qualified）。
2024-03-11 09:24:381470 
新款32Gb顆粒不僅支持消費(fèi)級(jí)UDIMM和SODIMM 64GB單條容量，更能讓企業(yè)級(jí)RDIMM在無(wú)需硅通孔工藝3D堆疊的條件下，實(shí)現(xiàn)單模組128GB，滿足服務(wù)器對(duì)大內(nèi)存的需求。
2024-04-25 14:22:541365 2024 年 5 月 9 日， Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU）近日宣布在業(yè)界率先驗(yàn)證并出貨基于大容量 32Gb 單塊 DRAM 芯片的128GB DDR5 RDIMM 內(nèi)存，
2024-05-09 14:27:401669 10月16日最新消息，美光公司在其位于美國(guó)愛達(dá)荷州博伊西的總部宣布，其消費(fèi)級(jí)品牌Crucial英睿達(dá)正式推出了首批CUDIMM和CSODIMM內(nèi)存條。這一舉措標(biāo)志著原廠品牌首次面向零售市場(chǎng)推出此類產(chǎn)品。
2024-10-16 15:20:291969 )、英睿達(dá)美光內(nèi)存條 ?· 300-500元 ?:阿斯加特32GB女武神、美商海盜船復(fù)仇者DDR4、金百達(dá)32GB內(nèi)存、金士頓內(nèi)存條(野獸系列) ? · 500-800元 ?:英睿達(dá)美光32GB
2024-10-25 11:01:394682
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