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采用55納米非易失性內(nèi)存的Qorivva MCU

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2018-01-02 19:04:400

基于內(nèi)存的持久化嵌入式內(nèi)存數(shù)據(jù)庫

/O操作的方式將數(shù)據(jù)庫的更新操作同步回外存,有極大的性能開銷.此外,這類數(shù)據(jù)庫即便直接部署在新型內(nèi)存(non-volatile memory,簡(jiǎn)稱NVM)中,也因?yàn)槿狈?b class="flag-6" style="color: red">內(nèi)存中的持久化機(jī)制而不能脫離外存,針對(duì)現(xiàn)有內(nèi)存數(shù)據(jù)庫的不足,提出
2018-01-04 13:42:221

如何選擇一款“極耐寒”的內(nèi)存

首先想要給燒友們介紹下什么是非內(nèi)存?是指當(dāng)電流關(guān)掉后,所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失者的電腦存儲(chǔ)器。 非易失性存儲(chǔ)器中,依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn),可分為二大類產(chǎn)品,即ROM
2018-06-25 14:11:274108

英睿達(dá)的內(nèi)存單條容量達(dá)32GB 通過了JEDEC標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證

Intel、美光聯(lián)合研發(fā)的3DX Point存儲(chǔ)技術(shù)正在逐步普及,雙方都發(fā)布了一些SSD固態(tài)硬盤產(chǎn)品(Intel的叫傲騰),現(xiàn)在兩家紛紛將其帶到了內(nèi)存領(lǐng)域。
2018-11-01 16:02:531477

AD512x/4x系列數(shù)字電位計(jì)的性能及應(yīng)用解決方案

ADI最新的AD512x / 4x系列數(shù)字電位計(jì)簡(jiǎn)介。最新的創(chuàng)新型專利解決了一個(gè)傳統(tǒng)的對(duì)數(shù)增益問題,確保寬輸出范圍和帶寬,且容差誤差小于1%。
2019-07-08 06:13:002889

可重復(fù)編程FPGA解決方案的應(yīng)用

事實(shí)上,除了這些傳統(tǒng)要求,在前兩代FPGA產(chǎn)品的經(jīng)驗(yàn)基礎(chǔ)上,萊迪思半導(dǎo)體(Lattice Semiconductor)公司還認(rèn)識(shí)到需要靈活的片上存儲(chǔ)器,以及作為FPGA新要求的用于現(xiàn)場(chǎng)邏輯更新的全面解決方案。
2019-06-16 09:48:472069

MAX 10 NEEK采用多點(diǎn)觸控顯示器簡(jiǎn)化FPGA中單芯片

Altera的MAX 10 FPGA和Nios II軟核嵌入式處理器。 MAX 10 NEEK是一個(gè)功能豐富的平臺(tái),為嵌入式設(shè)計(jì)人員提供了一種快速簡(jiǎn)便的方法,可以在FPGA中體驗(yàn)定制嵌入式處理器的功能。 MAX 10 NEEK由Altera及其主板合作伙伴Terasic聯(lián)合開發(fā)。
2019-08-12 14:14:292036

ROHM確立邏輯IC技術(shù)的可靠,已進(jìn)行批量生產(chǎn)

ROHM確立了邏輯IC技術(shù)的可靠,已經(jīng)開始進(jìn)行批量生產(chǎn)階段。此次采用邏輯CMOS同步式的技術(shù)開發(fā)了4 Pin邏輯計(jì)算IC“BU70013TL”。這個(gè)產(chǎn)品于2009年6月
2020-08-30 08:28:00917

關(guān)于NV-SRAM的簡(jiǎn)介,它的用途是什么

盡管閃存和其他存儲(chǔ)技術(shù)已廣泛用于實(shí)現(xiàn)嵌入式文件系統(tǒng),但對(duì)于某些嵌入式應(yīng)用程序來說可能太復(fù)雜了。在許多情況下的內(nèi)存可以最有效地用作已預(yù)先初始化的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)。這種方法需要對(duì)數(shù)據(jù)完整進(jìn)行某種管理
2020-09-11 16:09:322230

FRAM器件提供存儲(chǔ)

FRAM器件提供存儲(chǔ),用10年的數(shù)據(jù)保存時(shí)間,在與熟悉的閃存和EEPROM替代所需的功率的一小部分。利用現(xiàn)有的基于FRAM存儲(chǔ)器和MCU器件,工程師們可以放心地在他們盡管間歇的斷電操作
2020-09-19 11:56:482340

MRAM是一種的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器,它有什么優(yōu)點(diǎn)

MRAM是一種的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。所謂是指掉電后﹐仍可以保持存儲(chǔ)內(nèi)容完整,此功能與Flash閃存相同;而隨機(jī)存取是指處理器讀取資料時(shí),不定要從頭開始,隨時(shí)都可用相同的速率,從內(nèi)存的任何
2020-09-21 13:50:343890

NVSRAM存儲(chǔ)器的詳細(xì)講解

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《NVSRAM存儲(chǔ)器的詳細(xì)講解.pdf》資料免費(fèi)下載
2020-11-25 11:12:0026

關(guān)于存儲(chǔ)器SRAM基礎(chǔ)知識(shí)的介紹

可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。常見的設(shè)備如電腦硬盤、TF卡、SD卡、U盤等。 存儲(chǔ)器 存儲(chǔ)器是指在系統(tǒng)停止供電的時(shí)候數(shù)據(jù)丟失。常見的設(shè)備如電腦內(nèi)存、高速緩存、顯示器顯存等。 存儲(chǔ)器-RAM 存儲(chǔ)器主要是指隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器
2020-12-07 14:26:136410

關(guān)于0.13μmFRAM產(chǎn)品的增強(qiáng)的耐久性能

內(nèi)存耐久度指定為存儲(chǔ)單元可以寫入或擦除的次數(shù)。對(duì)于盡管嚴(yán)格和廣泛使用仍需要高數(shù)據(jù)完整的應(yīng)用程序,內(nèi)存耐用是關(guān)鍵的系統(tǒng)性能特征和設(shè)計(jì)考慮因素之一。鐵電RAM或FRAM是一種快速,和低功耗
2020-12-22 15:20:05794

NVDIMM-P內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)公布:斷電不丟數(shù)據(jù)、兼容DDR4

我們知道,傳統(tǒng)的DDR DIMM內(nèi)存的,也就是必須維持通電才能保持?jǐn)?shù)據(jù),一旦斷電就都沒了。 Intel創(chuàng)造了Optane傲騰持久內(nèi)存,做到了,也兼容DDR DIMM,但僅用于數(shù)據(jù)中心
2021-02-19 10:04:022325

NVDIMM-P內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)正式公布

我們知道,傳統(tǒng)的DDR DIMM內(nèi)存的,也就是必須維持通電才能保持?jǐn)?shù)據(jù),一旦斷電就都沒了。
2021-02-19 10:18:332198

富士通FRAM是斷電情況下也能保留數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器

富士通FRAM是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的、隨機(jī)存取兩個(gè)特長的鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器(內(nèi)存)。FRAM的數(shù)據(jù)保持,不僅不需要備用電池,而且與EEPROM、FLASH等傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器
2021-04-08 15:42:021621

ADM1260:帶芯片間總線和故障記錄數(shù)據(jù)表的超級(jí)序列器

ADM1260:帶芯片間總線和故障記錄數(shù)據(jù)表的超級(jí)序列器
2021-04-16 17:27:200

ADM1169:帶裕度控制和故障記錄數(shù)據(jù)表的超級(jí)序列器

ADM1169:帶裕度控制和故障記錄數(shù)據(jù)表的超級(jí)序列器
2021-04-17 10:06:150

ADM1166:帶余量控制和故障記錄的超級(jí)序列器

ADM1166:帶余量控制和故障記錄的超級(jí)序列器
2021-04-24 12:29:412

UG-932:使用芯片間總線和故障記錄評(píng)估ADM1260超級(jí)序列器

UG-932:使用芯片間總線和故障記錄評(píng)估ADM1260超級(jí)序列器
2021-04-24 14:38:011

面向內(nèi)存文件的NVM模擬與驗(yàn)證

現(xiàn)有內(nèi)存文件系統(tǒng)都以DRAM模擬內(nèi)存(Non- Volatile memory,NVM)進(jìn)行測(cè)試,而沒有充分考慮兩者間的寫時(shí)延和寫磨損特性差異,使得測(cè)試結(jié)果無法準(zhǔn)確反映文件系統(tǒng)在
2021-05-07 11:05:2013

64Kbit鐵電存儲(chǔ)器FM25640B的功能及特征

低功耗設(shè)計(jì)的植入人體的增強(qiáng)生命的患者監(jiān)護(hù)設(shè)備,小尺寸內(nèi)存,賽普拉斯FRAM 提供即時(shí)和幾乎無限的耐用,而不會(huì)影響速度或能源效率。本篇文章介紹64Kbit鐵電存儲(chǔ)器FM25640B。
2021-06-30 15:42:462410

血液透析機(jī)專用Everspin MRAM芯片

文章介紹一些應(yīng)用在血液透析機(jī)上的MRAM. 血液透析機(jī)使用Everspin 4Mb和16Mb MRAM產(chǎn)品是因?yàn)镸RAM固有的、不需要電池或電容器、無限的寫入耐久寫入周期和讀取周期的高速。這些獨(dú)特的MRAM屬性提高了
2021-11-11 16:26:49793

閃存內(nèi)存模塊VDRF128M16xS54xx2V90用戶手冊(cè)

VDRF128M16XS54XX2V90是一種128Mbit高密度同時(shí)讀/寫閃存內(nèi)存模塊組織為8M x 16位。
2022-06-08 11:02:482

閃存內(nèi)存模塊VDRF64M16xS54xx1V90用戶手冊(cè)

VDRF64M16XS54XX1V90是64Mbit高密度同時(shí)讀/寫閃存內(nèi)存模塊組織為4M×16位。
2022-06-08 10:57:401

SAP HANA如何使用內(nèi)存

由于HANA一體機(jī)的特點(diǎn),使用最新的NVM內(nèi)存需要的是整個(gè)軟硬件業(yè)界的共同努力。目前SAP HANA數(shù)據(jù)庫(HANA2 SPS03)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了對(duì)NVM的支持,SUSE LinuxEnterprise
2022-06-10 16:49:553580

FM18W08SRAM FRAM適配器

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2022-07-12 10:20:410

STT-MRAM存儲(chǔ)器特點(diǎn)及應(yīng)用

STT-MRAM隨機(jī)存取存儲(chǔ)器是一款像SRAM一樣 高速、高耐久、單字節(jié)訪問的工作,也可以像ROM/Flash一樣揮發(fā)性,保留時(shí)間長的存儲(chǔ)。MRAM供應(yīng)商英尚微支持提供相關(guān)技術(shù)支持。
2022-11-29 15:57:582187

簡(jiǎn)單的門控

作為使用PAL、GAL或CPLD器件實(shí)現(xiàn)門控功能的替代方案,這些電路使用串行接口控制的數(shù)字電位器(MAX5427或MAX5527)存儲(chǔ)門控信號(hào)(模塊或發(fā)送)。
2023-01-12 11:30:521731

Netsol存儲(chǔ)Parallel STT-MRAM系列

英尚微提供的Netsol的Parallel MRAM具有特性和幾乎無限的耐用。對(duì)于需要快速存儲(chǔ)和搜索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序來說,這是最理想的內(nèi)存。適用于工業(yè)設(shè)備中的代碼存儲(chǔ)、數(shù)據(jù)記錄、備份和工作存儲(chǔ)器??商娲鶱OR?Flash、FeRAM、nvSRAM等,具有卓越的性能和特性。
2023-02-23 14:52:55585

Netsol并口STT-MRAM存儲(chǔ)S3R8016

其數(shù)據(jù)始終是非的,可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM,并有助于簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)。由于STT-MRAM的和幾乎無限的續(xù)航特性,它適用于工業(yè)設(shè)計(jì)中的代碼存儲(chǔ)、數(shù)據(jù)記錄、備份存儲(chǔ)器和工作存儲(chǔ)器。
2023-05-12 16:31:39882

使用XOD訪問ESP32存儲(chǔ)

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2023-06-15 14:35:410

中芯國際獲存儲(chǔ)裝置及其制作方法專利

該專利涉及一種新型存儲(chǔ)裝置及其制作工藝。具體而言,其步驟如下:首先,制備包含器件區(qū)與器件區(qū)的基底;接著,在基底上依次沉積第一電極材料層及絕緣材料層;然后,在絕緣材料層上形成犧牲層,該層覆蓋器件區(qū)并露出器件區(qū);
2024-05-06 10:33:02886

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