(ADI),全球領(lǐng)先的高性能信號(hào)處理解決方案供應(yīng)商,最近推出一系列非易失性單通道、雙通道和四通道數(shù)字電位計(jì)(digiPOT)AD512x和AD514x
2012-11-12 09:12:59
4684 日前,德州儀器 (TI) 宣布推出業(yè)界首款應(yīng)用于嚴(yán)苛環(huán)境的高溫非易失性(nonvolatile)閃存器
2012-11-26 09:23:05
4270 為了實(shí)現(xiàn) 對(duì)非易失內(nèi)存的管理與利用、對(duì)文件數(shù)據(jù)緩存的管理與訪問,本文設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)了面向非易失內(nèi)存的MPI-IO接口優(yōu)化(NVMPI-IO)。本文的工作主要包括:
2022-10-09 10:53:10
2366 NAND Flash是一種非易失存儲(chǔ)器,也就是掉電不丟失類型,現(xiàn)在我們常見的存儲(chǔ)設(shè)備基本都是NAND Flash,比如U盤、固態(tài)硬盤,手機(jī)存儲(chǔ)等等,電腦傳統(tǒng)硬盤除外。
2022-11-10 17:08:32
2839 
并非所有非易失性或閃存 FPGA 器件都是一樣的。本文探討了真正的非易失性FPGA的優(yōu)勢(shì) - 包括顯著降低功耗、更快的響應(yīng)時(shí)間、無與倫比的可靠性和不折不扣的安全性 - 是無法復(fù)制的。
2022-11-14 15:34:19
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計(jì)算機(jī)、游戲機(jī)、電信、汽車、工業(yè)系統(tǒng)以及無數(shù)電子設(shè)備和系統(tǒng)都依賴于各種形式的固態(tài)存儲(chǔ)器進(jìn)行操作。設(shè)計(jì)人員需要了解易失性和非易失性存儲(chǔ)器件的各種選項(xiàng),以優(yōu)化系統(tǒng)性能。
2023-09-14 16:06:26
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新一代器件已通過QML-Q和高可靠性工業(yè)規(guī)格的認(rèn)證,支持苛刻環(huán)境下的非易失性代碼存儲(chǔ)和數(shù)據(jù)記錄應(yīng)用,包括航天和工業(yè)應(yīng)用。
2021-04-01 11:10:54
3053 0.13μm非易失性FRAM產(chǎn)品的增強(qiáng)的耐久性能
2021-02-04 07:15:14
我們正在構(gòu)建一個(gè)設(shè)備來測(cè)量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量,所以,我需要做一個(gè)每秒累加的方法。問題:非易失性內(nèi)存有寫入限制,所以我需要使用易失性內(nèi)存。寫入易失性存儲(chǔ)器是否有一些限制?我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫入易失性存儲(chǔ)器,每 10 分鐘寫入一次非易失性存儲(chǔ)器。
2023-05-30 08:48:06
隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)和OUM(Ovshinsky電統(tǒng)一隨機(jī)存取存儲(chǔ)器),三者科技內(nèi)涵各有所長,市場(chǎng)預(yù)測(cè)尚難預(yù)料。本篇文章Everspin MRAM代理商宇芯電子要介紹的是關(guān)于非易失性MRAM的單元結(jié)構(gòu)
2020-10-20 14:34:03
MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。
2020-12-16 07:21:39
MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。
2020-12-10 07:20:20
宇芯電子本篇文章提供智能電表或智能電子式電表的概述,并且說明在智能電子式電表的設(shè)計(jì)中用非易失性串行FRAM而不是使用EEPROM的優(yōu)勢(shì)。圖1顯示的是智能電子式電表的簡(jiǎn)化框圖。非易失性存儲(chǔ)器是一個(gè)電表
2021-07-12 07:26:45
非易失可重復(fù)編程FPGA的應(yīng)用有哪些?
2021-05-08 08:17:26
bq4011是一個(gè)非易失性262144位靜態(tài)RAM,按8位組織為32768字。集成控制電路和鋰能源提供可靠的非易失性,與標(biāo)準(zhǔn)SRAM的無限寫入周期相結(jié)合??刂齐娐烦掷m(xù)監(jiān)測(cè)單個(gè)5V電源是否超出公差條件。當(dāng)
2020-09-16 17:15:13
非易失性SRAM(nv SRAM)結(jié)合了賽普拉斯行業(yè)領(lǐng)先的SRAM技術(shù)和一流的SONOS非易失性技術(shù)。在正常操作下,nv SRAM的行為類似于使用標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)和時(shí)序的常規(guī)異步SRAM。nv SRAM執(zhí)行
2020-04-08 14:58:44
描述Dallas DS1230 - FM18W08 非易失性 SRAM FRAM 適配器來自達(dá)拉斯的流行的電池支持 SRAM 在 10 到 15 年后往往會(huì)忘記其寶貴的數(shù)據(jù)。通過這種引腳兼容的鐵電 RAM 升級(jí),您可以放心,因?yàn)樵谑覝叵?,它的?shù)據(jù)保留時(shí)間為 150 年,無需任何電池供電。
2022-07-14 07:51:06
第一代非易失性GW1N系列FPGA芯片小步快走,GW1N-6和GW1N-9在繼承了GW1N-1/2/4的眾多優(yōu)點(diǎn)的基礎(chǔ)上,加入了多項(xiàng)創(chuàng)新的特性,使得高云半導(dǎo)體在非易失性FPGA領(lǐng)域逐步建立了領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)
2017-08-30 10:18:00
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 內(nèi)核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的應(yīng)用程序中,我們需要將安全數(shù)據(jù)(例如密鑰)存儲(chǔ)在安全非易失性存儲(chǔ) (SNVS) 區(qū)域
2023-04-14 07:38:45
數(shù)字電位器存儲(chǔ)類型標(biāo)注具有“易失性”,他的意思是不是說,假設(shè)當(dāng)前已經(jīng)調(diào)節(jié)好電位器處于3.5kΩ這個(gè)位置,那么斷電再上電后,電位器就回到初始狀態(tài)位置,不再是3.5kΩ這個(gè)位置了。“非易失性”就是斷電再上電后還是3.5KΩ這個(gè)位置。是這個(gè)意思嗎
2024-11-21 07:15:57
親愛;我有Spartan?-3AN非易失性FPGA入門套件,我編寫了VHDL程序,用于地址分配到與FPGA芯片接口的兩個(gè)外部ROM。程序有(16位輸入端口)和(16位輸出端口),問題是:如何使用該套件在FPGA芯片上下載程序?如何確定哪個(gè)輸入引腳和哪個(gè)是輸出引腳?最好的祝福
2019-08-22 10:31:44
本文就如何充分利用mcu的非易失性存儲(chǔ)提供了一些想法。一定有工程師經(jīng)常需要8位微控制器提供的16、32、甚至64 KB的程序內(nèi)存的很大一部分。那么如何充分利用MCU的非易失性存儲(chǔ)呢?本文將會(huì)介紹
2021-12-20 06:42:35
保護(hù)您的嵌入式軟件免受內(nèi)存損壞本文的目的是提供一種軟件方法,解釋如何處理存儲(chǔ)在非易失性設(shè)備(如小型 EEPROM 或閃存)中的內(nèi)存數(shù)據(jù)集損壞。在微型嵌入式系統(tǒng)中看到這些數(shù)據(jù)集是很常見的,這些系統(tǒng)存儲(chǔ)
2021-12-24 07:27:45
我應(yīng)該用什么API來存儲(chǔ)非易失性數(shù)據(jù)?我使用CYW43907,手冊(cè)上說它支持外部閃存。我想知道我是否應(yīng)該使用WiDeDssFlash寫來存儲(chǔ)數(shù)據(jù),或者我是否可以使用WiDeEddCTyWrand保存
2018-11-13 15:19:09
預(yù)編程設(shè)備的引導(dǎo)加載,我們有一個(gè)困難,顯然制造商沒有對(duì)NVLS編程,因此引導(dǎo)加載程序拒絕重新編程閃存。有一個(gè)問題出現(xiàn)(對(duì)于PSoC 3和PSoC 5LP,我們使用在其他板上):如何讀取PSoC處理器的非易失性鎖存器?安德烈亞斯
2019-08-15 06:46:55
我想用非易失性密鑰獲取CMAC值(僅驗(yàn)證甚至可以)。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”項(xiàng)目。初始化 CSEc 模塊后,我使用給定的指令加載密鑰 ROM
2023-04-10 06:34:32
Xicro公司生產(chǎn)的X25Fxx 系列非易失性快速擦寫串行 RAM 具有功耗低, 擦寫速度快的特點(diǎn) ,它采用 SPI 三總線接口,可與各種單片機(jī)連接,且具有很完善的數(shù)據(jù)保護(hù)功能。本文從應(yīng)用角度出發(fā)
2009-04-25 16:01:35
18 X9511 ─ 按鍵式非易失性數(shù)字電位器簡(jiǎn)介X9511 是一個(gè)理想的按鈕控制電位器,其內(nèi)部包含了31 個(gè)電阻單元陣列,在每個(gè)電阻單元之間和任一端都有可以被滑動(dòng)端訪
2009-11-14 14:50:38
38 EPM1270F256C4N,ALTERA/阿爾特拉,即時(shí)開啟非易失性CPLD,處理器EPM1270F256C4N,ALTERA/阿爾特拉,即時(shí)開啟非易失性CPLD,處理器
2023-10-24 15:38:16
英特矽爾Intersil推出小型非易失性按鈕式數(shù)控電位器ISL22511/12
Intersil公司近日宣布推出全球最小的非易失性按鈕式數(shù)控電位器(DCP)ISL22511和ISL22512。Intersil
2008-08-05 09:23:55
1350 摘要:本文討論如何使用安全數(shù)字(SD)媒體格式擴(kuò)展MAXQ2000的非易失數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。 低功耗、低噪聲的MAXQ2000微控制器適合于多種應(yīng)用。MAXQ2000在閃存中存儲(chǔ)非易失性數(shù)據(jù),
2009-04-23 16:25:25
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充分利用MAXQ®處理器的非易失存儲(chǔ)服務(wù)
摘要:需要非易失數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的應(yīng)用通常都需要使用外部串行EEPROM。這篇文章介紹了僅使用MAXQ微控制器中已有的閃存提供非易失
2009-05-02 09:28:54
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非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的相變機(jī)制
非易失性存儲(chǔ)器(NVM)在半導(dǎo)體市場(chǎng)占有重要的一席之地,特別是主要用于手機(jī)和其它便攜電子設(shè)備的閃存芯片。今后幾年便攜電
2009-12-19 10:37:46
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非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的相變機(jī)制
非易失性存儲(chǔ)器(NVM)在半導(dǎo)體市場(chǎng)占有重要的一席之地,特別是主要用于手機(jī)和
2010-01-11 10:02:22
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相變內(nèi)存(Phase Change Memory,PCM)是一項(xiàng)以Intel、Numonys和三星等廠商為先驅(qū)的新型非易失性技術(shù),可以成為取代閃存的一種低成本、更可靠、更快速和更好的技術(shù)。
一些
2010-07-17 11:10:14
803 AGIGARAM非易失性產(chǎn)品系列中的這一新解決方案可提供高達(dá)8GB的存儲(chǔ)密度,從而為系統(tǒng)架構(gòu)師和設(shè)計(jì)者提供了充分的靈活性,可以專為某些特定應(yīng)用需求量身定制非易失性存儲(chǔ)器。AgigA
2010-08-20 09:27:26
1002 概述
可編程邏輯器件已經(jīng)越來越多地用于汽車電子應(yīng)用,以替代ASIC和ASSP器件。Actel FPGA基于非易失性技術(shù)(快閃和反熔絲),不易發(fā)生由中子引發(fā)的固件錯(cuò)誤,
2010-08-26 10:52:38
669 DS1747是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用戶可通過如圖1所示的單字節(jié)寬
2010-09-28 08:58:30
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DS1647為512k x 8非易失性靜態(tài)RAM,包括一個(gè)完備的實(shí)時(shí)時(shí)鐘,兩者均以字節(jié)寬度格式訪問。非易失性時(shí)間保持RAM功能等
2010-10-22 08:52:09
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DS1646是一個(gè)128K的× 8非易失性與全功能實(shí)時(shí)時(shí)鐘,都在一個(gè)字節(jié)寬的格式訪問靜態(tài)RAM。非易失性RAM是計(jì)時(shí)功能等同于
2010-10-22 08:55:09
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DS1345 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM,
2010-10-22 08:58:38
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DS1330 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM,按照8位、32,768字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電
2010-10-22 09:00:58
1904 
DS1225Y 64K非易失SRAM為65,536位、全靜態(tài)非易失RAM,按照
2010-11-03 09:26:23
2299 DS1250 4096k、非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM,按照8位、524,288字排列。每個(gè)完整的NV SRAM均自帶鋰電池及
2010-12-07 10:18:01
1741 
MAX5417/MAX5418/MAX5419為非易失性、線性變化的數(shù)字電位器,實(shí)現(xiàn)機(jī)械電位器的功能,采用簡(jiǎn)單的2線數(shù)字接口就取代了機(jī)
2010-12-21 09:51:06
1455 
DS1851雙路溫度控制非易失性(NV) DAC由兩路DAC,兩個(gè)EEPROM查詢表,和一個(gè)數(shù)字式溫度傳感器組成。兩個(gè)DAC可以編程為任意的溫度系數(shù),這意味著無需任何外部器件,就可以修正任何系統(tǒng)的溫度影響。
2011-01-22 09:29:11
735 
賽普拉斯半導(dǎo)體子公司AgigA技術(shù)公司日前宣布,推出業(yè)界最高存儲(chǔ)密度的DDR3解決方案,成為其無需電池供電的高速非易失性RAM系列產(chǎn)品中新的一員。AGIGARAM™非易失性產(chǎn)品系列中的這一新解決方案可提供高達(dá)8GB的存儲(chǔ)密度,從而為系統(tǒng)架構(gòu)師和設(shè)計(jì)者提供了充
2011-01-26 16:45:37
876 DS1243Y 64K非易失SRAM,帶有隱含時(shí)鐘是一個(gè)內(nèi)置的實(shí)時(shí)時(shí)鐘(8192字由8位)是由完全靜態(tài)非易失性內(nèi)存 。
2012-01-04 10:53:26
1584 
DS1314非易失控制器,帶有電池監(jiān)視器是一個(gè)CMOS電路,解決了轉(zhuǎn)換成非易失性內(nèi)存的CMOS RAM中的應(yīng)用問題。
2012-07-19 14:21:12
1865 
DS1312電池監(jiān)視器非易失控制器是CMOS電路,解決了轉(zhuǎn)換成非易失性內(nèi)存的CMOS RAM中的應(yīng)用問題。
2012-07-19 14:26:37
1109 
DS1210非易失控制器芯片是CMOS電路,解決了轉(zhuǎn)換成非易失性內(nèi)存的CMOS RAM中的應(yīng)用問題。
2012-07-19 14:30:07
4121 
DS1855雙路非易失性(NV)數(shù)字電位器和安全存儲(chǔ)器由一個(gè)100級(jí)線性變化電位器、一個(gè)256級(jí)線性變化電阻器、256字節(jié)EEPROM存貯器、和2線接口組成。
2013-02-19 16:53:30
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使用賽道存儲(chǔ)單元的近閾值非易失SRAM_孫憶南
2017-01-07 21:45:57
1 近日,英特爾宣稱即將推出的Optane非易失性內(nèi)存將在今年第二季度以16GB和32GB M.2擴(kuò)展卡形式發(fā)售。
2017-01-09 17:14:42
1451 非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的相變機(jī)制
2017-01-19 21:22:54
14 大型廠商的產(chǎn)品導(dǎo)入、存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存(SCM)的新興應(yīng)用以及五大邏輯代工廠的涉足將推動(dòng)非易失性存儲(chǔ)市場(chǎng)的增長。 新興非易失性存儲(chǔ)(NON-VOLATILE MEMORY, NVM)有利的市場(chǎng)環(huán)境 相變存儲(chǔ)
2018-07-04 11:55:00
7915 
影響,相關(guān)的存儲(chǔ)與事務(wù)處理技術(shù)是其中值得關(guān)注的重要環(huán)節(jié).首先,概述了事務(wù)型數(shù)據(jù)庫系統(tǒng)隨存儲(chǔ)環(huán)境發(fā)展的歷史與趨勢(shì);然后,對(duì)影響上層數(shù)據(jù)管理系統(tǒng)設(shè)計(jì)的非易失性存儲(chǔ)技術(shù)以及面向大數(shù)據(jù)應(yīng)用領(lǐng)域與硬件環(huán)境優(yōu)化的事務(wù)技術(shù)進(jìn)行綜述
2018-01-02 19:04:40
0 /O操作的方式將數(shù)據(jù)庫的更新操作同步回外存,有極大的性能開銷.此外,這類數(shù)據(jù)庫即便直接部署在新型非易失性內(nèi)存(non-volatile memory,簡(jiǎn)稱NVM)中,也因?yàn)槿狈?b class="flag-6" style="color: red">內(nèi)存中的持久化機(jī)制而不能脫離外存,針對(duì)現(xiàn)有內(nèi)存數(shù)據(jù)庫的不足,提出
2018-01-04 13:42:22
1 首先想要給燒友們介紹下什么是非易失性內(nèi)存?是指當(dāng)電流關(guān)掉后,所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失者的電腦存儲(chǔ)器。 非易失性存儲(chǔ)器中,依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn),可分為二大類產(chǎn)品,即ROM
2018-06-25 14:11:27
4108 Intel、美光聯(lián)合研發(fā)的3DX Point非易失性存儲(chǔ)技術(shù)正在逐步普及,雙方都發(fā)布了一些SSD固態(tài)硬盤產(chǎn)品(Intel的叫傲騰),現(xiàn)在兩家紛紛將其帶到了內(nèi)存領(lǐng)域。
2018-11-01 16:02:53
1477 ADI最新的AD512x / 4x系列非易失性數(shù)字電位計(jì)簡(jiǎn)介。最新的創(chuàng)新型專利解決了一個(gè)傳統(tǒng)的對(duì)數(shù)增益問題,確保寬輸出范圍和帶寬,且容差誤差小于1%。
2019-07-08 06:13:00
2889 事實(shí)上,除了這些傳統(tǒng)要求,在前兩代非易失FPGA產(chǎn)品的經(jīng)驗(yàn)基礎(chǔ)上,萊迪思半導(dǎo)體(Lattice Semiconductor)公司還認(rèn)識(shí)到需要靈活的片上非易失存儲(chǔ)器,以及作為非易失FPGA新要求的用于現(xiàn)場(chǎng)邏輯更新的全面解決方案。
2019-06-16 09:48:47
2069 Altera的非易失性MAX 10 FPGA和Nios II軟核嵌入式處理器。 MAX 10 NEEK是一個(gè)功能豐富的平臺(tái),為嵌入式設(shè)計(jì)人員提供了一種快速簡(jiǎn)便的方法,可以在非易失性FPGA中體驗(yàn)定制嵌入式處理器的功能。 MAX 10 NEEK由Altera及其主板合作伙伴Terasic聯(lián)合開發(fā)。
2019-08-12 14:14:29
2036 ROHM確立了非易失性邏輯IC技術(shù)的可靠性,已經(jīng)開始進(jìn)行批量生產(chǎn)階段。此次采用了非易失性邏輯CMOS同步式的技術(shù)開發(fā)了4 Pin非易失性邏輯計(jì)算IC“BU70013TL”。這個(gè)產(chǎn)品于2009年6月
2020-08-30 08:28:00
917 盡管閃存和其他非易失性存儲(chǔ)技術(shù)已廣泛用于實(shí)現(xiàn)嵌入式文件系統(tǒng),但對(duì)于某些嵌入式應(yīng)用程序來說可能太復(fù)雜了。在許多情況下的內(nèi)存可以最有效地用作已預(yù)先初始化的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)。這種方法需要對(duì)數(shù)據(jù)完整性進(jìn)行某種管理
2020-09-11 16:09:32
2230 FRAM器件提供非易失性存儲(chǔ),用10年的數(shù)據(jù)保存時(shí)間,在與熟悉的閃存和EEPROM替代所需的功率的一小部分。利用現(xiàn)有的基于FRAM存儲(chǔ)器和MCU器件,工程師們可以放心地在他們盡管間歇性的斷電操作
2020-09-19 11:56:48
2340 MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。所謂非易失性是指掉電后﹐仍可以保持存儲(chǔ)內(nèi)容完整,此功能與Flash閃存相同;而隨機(jī)存取是指處理器讀取資料時(shí),不定要從頭開始,隨時(shí)都可用相同的速率,從內(nèi)存的任何
2020-09-21 13:50:34
3890 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《非易失性NVSRAM存儲(chǔ)器的詳細(xì)講解.pdf》資料免費(fèi)下載
2020-11-25 11:12:00
26 可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。常見的設(shè)備如電腦硬盤、TF卡、SD卡、U盤等。 易失性存儲(chǔ)器 易失存儲(chǔ)器是指在系統(tǒng)停止供電的時(shí)候數(shù)據(jù)丟失。常見的設(shè)備如電腦內(nèi)存、高速緩存、顯示器顯存等。 易失性存儲(chǔ)器-RAM 易失性存儲(chǔ)器主要是指隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器
2020-12-07 14:26:13
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內(nèi)存耐久度指定為存儲(chǔ)單元可以寫入或擦除的次數(shù)。對(duì)于盡管嚴(yán)格和廣泛使用仍需要高數(shù)據(jù)完整性的應(yīng)用程序,內(nèi)存耐用性是關(guān)鍵的系統(tǒng)性能特征和設(shè)計(jì)考慮因素之一。鐵電RAM或FRAM是一種快速,非易失性和低功耗
2020-12-22 15:20:05
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我們知道,傳統(tǒng)的DDR DIMM內(nèi)存是易失性的,也就是必須維持通電才能保持?jǐn)?shù)據(jù),一旦斷電就都沒了。 Intel創(chuàng)造了Optane傲騰持久內(nèi)存,做到了非易失性,也兼容DDR DIMM,但僅用于數(shù)據(jù)中心
2021-02-19 10:04:02
2325 我們知道,傳統(tǒng)的DDR DIMM內(nèi)存是易失性的,也就是必須維持通電才能保持?jǐn)?shù)據(jù),一旦斷電就都沒了。
2021-02-19 10:18:33
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富士通FRAM是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機(jī)存取兩個(gè)特長的鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器(內(nèi)存)。FRAM的數(shù)據(jù)保持,不僅不需要備用電池,而且與EEPROM、FLASH等傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器
2021-04-08 15:42:02
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ADM1260:帶芯片間總線和非易失性故障記錄數(shù)據(jù)表的超級(jí)序列器
2021-04-16 17:27:20
0 ADM1169:帶裕度控制和非易失性故障記錄數(shù)據(jù)表的超級(jí)序列器
2021-04-17 10:06:15
0 ADM1166:帶余量控制和非易失性故障記錄的超級(jí)序列器
2021-04-24 12:29:41
2 UG-932:使用芯片間總線和非易失性故障記錄評(píng)估ADM1260超級(jí)序列器
2021-04-24 14:38:01
1 現(xiàn)有非易失性內(nèi)存文件系統(tǒng)都以DRAM模擬非易失性內(nèi)存(Non- Volatile memory,NVM)進(jìn)行測(cè)試,而沒有充分考慮兩者間的寫時(shí)延和寫磨損特性差異,使得測(cè)試結(jié)果無法準(zhǔn)確反映文件系統(tǒng)在
2021-05-07 11:05:20
13 低功耗設(shè)計(jì)的植入人體的增強(qiáng)生命的患者監(jiān)護(hù)設(shè)備,小尺寸內(nèi)存,賽普拉斯FRAM 提供即時(shí)非易失性和幾乎無限的耐用性,而不會(huì)影響速度或能源效率。本篇文章介紹64Kbit非易失性鐵電存儲(chǔ)器FM25640B。
2021-06-30 15:42:46
2410 文章介紹一些應(yīng)用在血液透析機(jī)上的非易失性MRAM. 血液透析機(jī)使用Everspin 4Mb和16Mb MRAM產(chǎn)品是因?yàn)镸RAM固有的非易失性、不需要電池或電容器、無限的非易失性寫入耐久性和非易失性寫入周期和讀取周期的高速。這些獨(dú)特的MRAM屬性提高了
2021-11-11 16:26:49
793 VDRF128M16XS54XX2V90是一種128Mbit高密度同時(shí)讀/寫非易失性閃存內(nèi)存模塊組織為8M x 16位。
2022-06-08 11:02:48
2 VDRF64M16XS54XX1V90是64Mbit高密度同時(shí)讀/寫非易失性閃存內(nèi)存模塊組織為4M×16位。
2022-06-08 10:57:40
1 由于HANA一體機(jī)的特點(diǎn),使用最新的NVM內(nèi)存需要的是整個(gè)軟硬件業(yè)界的共同努力。目前SAP HANA數(shù)據(jù)庫(HANA2 SPS03)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了對(duì)NVM的支持,SUSE LinuxEnterprise
2022-06-10 16:49:55
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電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《FM18W08非易失性SRAM FRAM適配器.zip》資料免費(fèi)下載
2022-07-12 10:20:41
0 STT-MRAM非易失性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器是一款像SRAM一樣 高速、高耐久性、單字節(jié)訪問的工作,也可以像ROM/Flash一樣非揮發(fā)性,保留時(shí)間長的存儲(chǔ)。MRAM供應(yīng)商英尚微支持提供相關(guān)技術(shù)支持。
2022-11-29 15:57:58
2187 作為使用PAL、GAL或CPLD器件實(shí)現(xiàn)非易失性門控功能的替代方案,這些電路使用串行接口控制的數(shù)字電位器(MAX5427或MAX5527)存儲(chǔ)門控信號(hào)(模塊或發(fā)送)。
2023-01-12 11:30:52
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英尚微提供的Netsol的Parallel MRAM具有非易失特性和幾乎無限的耐用性。對(duì)于需要快速存儲(chǔ)和搜索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序來說,這是最理想的內(nèi)存。適用于工業(yè)設(shè)備中的代碼存儲(chǔ)、數(shù)據(jù)記錄、備份和工作存儲(chǔ)器??商娲鶱OR?Flash、FeRAM、nvSRAM等,具有卓越的性能和非易失特性。
2023-02-23 14:52:55
585 其數(shù)據(jù)始終是非易失性的,可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM,并有助于簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)。由于STT-MRAM的非易失性和幾乎無限的續(xù)航特性,它適用于工業(yè)設(shè)計(jì)中的代碼存儲(chǔ)、數(shù)據(jù)記錄、備份存儲(chǔ)器和工作存儲(chǔ)器。
2023-05-12 16:31:39
882 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《使用XOD訪問ESP32非易失性存儲(chǔ).zip》資料免費(fèi)下載
2023-06-15 14:35:41
0 該專利涉及一種新型非易失性存儲(chǔ)裝置及其制作工藝。具體而言,其步驟如下:首先,制備包含器件區(qū)與非器件區(qū)的基底;接著,在基底上依次沉積第一電極材料層及絕緣材料層;然后,在絕緣材料層上形成犧牲層,該層覆蓋非器件區(qū)并露出器件區(qū);
2024-05-06 10:33:02
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評(píng)論