燒結(jié)銀：3D封裝中高功率密度和高密度互連的核心材料
2025-12-29 11:16:01
110 eMMC全稱為 embedded Multi Media Card，主要用于非易失性存儲，它彌補了 FPGA 芯片自身存儲能力的不足，為 FPGA 提供一個高集成度、大容量、低成本、且易于使用的“硬盤”或“固態(tài)硬盤”解決方案。
2025-12-23 14:19:283965 
XCede HD高密度背板連接器：小尺寸大作為 在電子設備不斷向小型化、高性能發(fā)展的今天，背板連接器的性能和尺寸成為了設計的關鍵因素。XCede HD高密度背板連接器憑借其獨特的設計和出色的性能
2025-12-18 11:25:06164 全球存儲解決方案領域的領軍企業(yè)Kioxia Corporation今日宣布，已研發(fā)出具備高堆疊性的氧化物半導體溝道晶體管技術(shù)，該技術(shù)將推動高密度、低功耗3D DRAM的實際應用。這項技術(shù)已于12月
2025-12-16 16:40:501027 基于開放計算標準（OCP OAI/OAM）設計的高密度AI加速器組，通過模塊化集成，在單一節(jié)點內(nèi)聚合高達1 PFLOPS（FP16）與2 POPS（INT8）的峰值算力。其配備大容量GDDR6內(nèi)存
2025-12-14 13:15:111123 
Amphenol ICC 3000W EnergyEdge? X-treme 卡邊連接器：高功率與高密度的完美結(jié)合 在電子設備不斷向高功率、高密度方向發(fā)展的今天，連接器的性能和設計顯得尤為重要
2025-12-12 13:55:06195 Amphenol ICC DDR5 SO - DIMM連接器：高速高密度的理想之選 在當今高速發(fā)展的電子科技領域，內(nèi)存連接器的性能對于系統(tǒng)的整體表現(xiàn)起著至關重要的作用。Amphenol ICC推出
2025-12-12 11:15:12314 景，下面我們來詳細了解一下。 文件下載： Amphenol Times Microwave Systems TF-047微型同軸電纜組件.pdf 產(chǎn)品概述 TF - 047 是一款多功能的微同軸電纜，有散裝和電纜組件兩種形式可供選擇，并且提供多種接口。它在緊湊的尺寸下，實現(xiàn)了高性能和高可靠性，為高密度應用
2025-12-11 15:15:02229 Amphenol FCI Basics DensiStak? 板對板連接器：高速高密度連接解決方案 在電子設備設計中，板對板連接器的性能對于設備的整體性能和穩(wěn)定性起著至關重要的作用。今天，我們來深入
2025-12-11 09:40:15346 設備的品質(zhì)與壽命。工程師們在選型時，常常面臨一個核心矛盾：如何在追求更高密度的同時，確保連接的長久穩(wěn)定與生產(chǎn)的高效可靠？近期，一款在內(nèi)部結(jié)構(gòu)、插拔體驗和安全防護上
2025-12-09 16:52:201966 
在AI芯片與高速通信芯片飛速發(fā)展的今天，先進封裝技術(shù)已成為提升算力與系統(tǒng)性能的關鍵路徑。然而，伴隨芯片集成度的躍升，高密度互連線帶來的信號延遲、功耗上升、波形畸變、信號串擾以及電源噪聲等問題日益凸顯，傳統(tǒng)設計方法在應對這些復雜挑戰(zhàn)時已面臨多重瓶頸。
2025-12-08 10:42:442624 數(shù)據(jù)中心、電信基礎設施和大型網(wǎng)絡每天都面臨著不斷增長的數(shù)據(jù)處理和存儲需求。需要更快、更可靠和更高效的解決方案來滿足這些需求，這就是高密度光纖布線技術(shù)發(fā)揮作用的地方。這些布線解決方案節(jié)省了網(wǎng)絡基礎設施
2025-12-02 10:28:03292 2025年11月，英國濱?？死祟D：高性能舌簧繼電器全球領導者Pickering Electronics擴展了超高密度舌簧繼電器125系列。該系列提供業(yè)界最小的2 Form A 雙刀單擲(DPST)舌簧
2025-11-24 09:28:50349 
固態(tài)疊層高分子電容（MLPC）作為替代MLCC的車載PCB高密度布局方案，具有體積小、容量大、ESR低、高頻特性好、安全性高等優(yōu)勢，適用于高功耗芯片供電、車載充電機（OBC）、電池管理系統(tǒng)（BMS
2025-11-21 17:29:47760 
全球連接與傳感領域領軍企業(yè)TE Connectivity (TE)近日宣布推出的高密度(HD)+ 金手指電源連接器是市場上可實現(xiàn)最高電流密度的金手指電源連接器，能夠支持高達3千瓦的電源功率，從而
2025-11-20 16:33:20
Molex EMI濾波高密度D-Sub連接器為要求苛刻的電子系統(tǒng)中的電磁干擾 (EMI) 集成提供了可靠的解決方案。該高效系列采用標準、高密度和混合布局連接器，可增強信號完整性 (SI) 并符合監(jiān)管
2025-11-18 10:45:35367 Molex MMC線纜組件有助于數(shù)據(jù)中心優(yōu)化空間和密度，以滿足AI驅(qū)動的要求，并采用超小尺寸 (VSFF) 設計，在相同占位面積內(nèi)實現(xiàn)更高密度。106292系列線纜組件每個連接器有16或24根光纖
2025-11-17 11:23:41584 ，適用于NAS服務器、家庭實驗室系統(tǒng)、緊湊型工作站及小型企業(yè)服務器。該產(chǎn)品結(jié)合高密度存儲與ICYDOCK標志性的免工具可拆卸式托盤設計，支持快速熱插拔和便捷維護，同
2025-11-14 14:25:50614 
在云計算跨域災備、5G 骨干網(wǎng)傳輸與廣域數(shù)據(jù)互聯(lián)需求下，40G 光模塊需兼顧短距高密度與長距突破。易天（ETU-LINK）拓展出 80km 超遠距型號，形成 100 米 - 80 公里全距離覆蓋矩陣，以多技術(shù)路徑適配場景，成為數(shù)據(jù)中心跨城互聯(lián)、5G 承載網(wǎng)的優(yōu)選方案。
2025-11-12 18:12:311907 
英康仕ESU-1B-838機架式工控機，正是針對這類高密度接入場景的專業(yè)解決方案。本款工控機憑借16個串口與10路AI/DI+4路DO的硬件配置，在標準1U機箱內(nèi)實現(xiàn)了前所未有的接口密度，為數(shù)據(jù)采集與設備控制建立了優(yōu)勢。
2025-11-12 10:15:52618 
三星、美光暫停 DDR5 報價的背后，是存儲芯片產(chǎn)業(yè)向高附加值封裝技術(shù)的轉(zhuǎn)型 ——SiP（系統(tǒng)級封裝）正成為 DDR5 與 HBM 的主流封裝方案，而這一轉(zhuǎn)型正倒逼 PCB 行業(yè)突破高密度布線技術(shù)，其核心驅(qū)動力，仍是國內(nèi)存儲芯片封裝環(huán)節(jié)的國產(chǎn)化進程加速。
2025-11-08 16:15:011156 根據(jù)參考信息，?沉金工藝（ENIG）? 是更適合高密度PCB的表面處理工藝?。以下是具體原因： 平整度優(yōu)勢 高密度PCB（如使用BGA、QFN等封裝）的焊盤多且密集，對表面平整度要求極高。噴錫工藝
2025-11-06 10:16:33359 下面是HummingBird EV Kit給的版圖，其中DDR3_D0對應的應該是板子上的FPGA的C2引腳：?
不過我在配置MIG的時候，通過讀入ucf文件的方式配置DDR3 SDRAM的引腳
2025-11-06 07:57:09
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《DDR3 SDRAM參考設計手冊.pdf》資料免費下載
2025-11-05 17:04:01
4 ，更加符合行業(yè)架構(gòu)要求。VITA 87連接器可容納大多數(shù)下一代高密度 端口和插接卡插槽，有12和24光纖選項可供選擇。這些連接器還符合全球VITA和SOSA標準，保證可用性，并使用戶能夠放心地將這些
2025-11-04 09:25:28582 
下載程序，需要修改鏈接文件）
該擴展方案支持程序的下載方式兩種：
（1）ILM下載方式，程序先下載到ITCM中，溢出的部分則下載到DDR3里頭。
在鏈接文件gcc_hbirdv2_ilm.ld中ITCM
2025-10-23 06:16:44
由于e203內(nèi)部DTCM空間較小，所以本隊針對DDR200T開發(fā)板進行針對e203的DDR3存儲器擴展。
論壇中所給出的e203擴展DDR的方法大致分為兩種，一種是直接將DDR存儲器的接口使用ICB
2025-10-21 12:43:40
蜂鳥DDR200T中DDR3的ip配置案列，提供DDR3引腳配置。具體參數(shù)可更具項目實際更改。
這里選用的axi接口
在賽靈思的IP配置中沒有MT41K28M6JT-125K內(nèi)存的信息，因此選用
2025-10-21 11:19:08
STMicroelectronics PWD5T60三相高密度功率驅(qū)動器具有集成柵極驅(qū)動器和六個N溝道功率MOSFET。STMicroelectronics PWD5T60驅(qū)動器非常適合用于風扇、泵
2025-10-20 13:55:53348 
用戶采用先進的微納工藝從事太赫茲集成器件科研和開發(fā)。在研發(fā)中經(jīng)常需要進行繁復的高密度多物理量測量。用戶采用傳統(tǒng)分立儀器測試的困難在于高度依賴實驗人員經(jīng)驗，缺乏標準化、自動化試驗平臺。
2025-10-18 11:22:311220 
高密度配線架和中密度配線架的核心區(qū)別在于端口密度、空間利用率、應用場景及管理效率，具體對比如下： 一、核心區(qū)別：端口密度與空間占用 示例： 高密度配線架：1U高度可容納96個LC雙工光纖端口(48芯
2025-10-11 09:56:16261 
ICYDOCKMB998V4P-B是一款堅固耐用的超高密度存儲解決方案，可將最多8塊7mmU.2/U.3NVMeSSD集成到單個標準5.25英寸光驅(qū)位中。采用全金屬機身，配備兩個高風
2025-09-12 14:15:50676 
BCM56064A0KFSBG高密度端口支持： 通常支持大量高速端口（具體數(shù)量和速率取決于設計）。線速轉(zhuǎn)發(fā)： 在所有端口上實現(xiàn)無阻塞的線速L2/L3數(shù)據(jù)包轉(zhuǎn)發(fā)。高級交換特性： 支持豐富的二層（L2
2025-09-08 16:51:59
本文解析平尚科技高密度MLCC與功率電感集成方案，通過超薄堆疊MLCC、非晶磁粉電感及共腔封裝技術(shù)，在8×8mm空間實現(xiàn)100μF+22μH的超緊湊設計。結(jié)合關節(jié)模組實測數(shù)據(jù)，展示體積縮減78%、紋波降低76%的突破，并闡述激光微孔與真空焊接工藝對可靠性的保障。
2025-09-08 15:31:37489 
憑借與紫光國芯的緊密合作，貞光科技能夠為客戶提供DDR3、LPDDR4及LPDDR4X全系列車規(guī)級存儲產(chǎn)品。在產(chǎn)品覆蓋、技術(shù)支持和供應保障等方面的綜合優(yōu)勢，使貞光科技成為車載電子領域可靠且高效
2025-08-26 16:12:151423 
革新電源設計：B3M040065R SiC MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET，賦能高效高密度電源系統(tǒng) ——傾佳電子助力OBC、AI算力電源、服務器及通信電源升級 引言：功率器件的代際革命 在
2025-08-15 09:52:38609 
高速編程（寫入）和讀取操作，尤其適合大塊數(shù)據(jù)連續(xù)傳輸。 擦除與寫入管理：以“塊”（Block）為單位進行擦除，以“頁”（Page）為單位寫入，需專用控制器管理磨損均衡。 2. 關鍵特性 非易失性：無需持續(xù)供電即可保留數(shù)據(jù)。 高密度低成本：
2025-08-11 10:43:441645 Xgig E3 EDSFF 16通道內(nèi)插器（即適用于 PCI Express? 5.0 的 VIAVI解決方案 Xgig5P-PCIe5-X16-E3 內(nèi)插器）是VIAVI推出的一款致力于 PCI
2025-08-01 09:07:46
本文緊接著前一個文檔《AD設計DDR3時等長設計技巧-數(shù)據(jù)線等長 》。本文著重講解DDR地址線、控制信號線等長設計，因為地址線、控制信號線有分支，SOC有可能帶有2片DDR或者更多，我們叫做T型分支
2025-07-29 16:14:512 的講解數(shù)據(jù)線等長設計。? ? ? 在另一個文件《AD設計DDR3時等長設計技巧-地址線T型等長》中著重講解使用AD設計DDR地址線走線T型走線等長處理的方法和技巧。
2025-07-28 16:33:124 在科技飛速發(fā)展的今天，電子設備正以前所未有的速度迭代更新，從尖端工業(yè)控制系統(tǒng)到精密醫(yī)療成像設備，從高速通信基站到航空航天器，每一個領域都對電子設備的性能、可靠性和集成度提出了更高的要求。而在這些電子設備的背后，有一種核心組件正發(fā)揮著至關重要的作用，那就是高密度互連線路板（HDI）。
2025-07-17 14:43:01865 的總線寬度共為 16bit。DDR3 SDRAM 的最高數(shù)據(jù)速率 1066Mbps。
2.1. DDR3 控制器簡介
PG2L50H 為用戶提供一套完整的 DDR memory 控制器解決方案，配置
2025-07-10 10:46:48
易失性存儲，在斷電后也能夠儲存數(shù)據(jù)。 ? 利基型DRAM：當前產(chǎn)品包括LPDDR2/3、DDR2/3以及容量在8?Gb及以下的DDR4/LPDDR4，并將
2025-06-29 06:43:001768 
采用 TI 領先的封裝技術(shù)，為單輸出提供最高密度的解決方案 電源軌，例如用于 DDR 筆記本內(nèi)存的 VCCIO 和 VDDQ，或任何寬負載點 （POL） 應用。
2025-06-28 10:56:48660 
采用 TI 領先的封裝技術(shù)，為單輸出提供最高密度的解決方案 電源軌，例如用于 DDR 筆記本內(nèi)存的 VCCIO 和 VDDQ，或任何寬負載點 （POL） 應用。
2025-06-28 10:40:17598 
采用 TI 領先的封裝技術(shù)，為單輸出提供最高密度的解決方案 電源軌，例如用于 DDR 筆記本內(nèi)存的 VCCIO 和 VDDQ，或任何寬負載點 （POL） 應用。
2025-06-28 10:36:09614 
電容存儲電荷（代表0或1）。電容會漏電，需要定時刷新（Refresh）來維持數(shù)據(jù)，所以叫“動態(tài)”。
特點：
優(yōu)點：速度非?？欤{秒級訪問），成本相對較低（單位容量），高密度。
缺點：易失性（斷電數(shù)據(jù)丟失
2025-06-24 09:09:39
感器2000次/秒的超高速采樣，支持多臺設備同時接入。
實時性、低延時：平臺數(shù)據(jù)采集、分析、控制實時性。實現(xiàn)采樣數(shù)據(jù)無卡頓、無丟失，微秒級轉(zhuǎn)發(fā)、既時存儲、實時呈現(xiàn)。
高密度數(shù)據(jù)采集的突破性能力
海量數(shù)據(jù)
2025-06-19 14:51:40
Analog Devices Inc. ADGS2414D高密度開關是八個獨立的單刀單擲（SPST）開關，采用4mmx5mm、30引腳LGA封裝。這些開關可在印刷電路板空間受限或現(xiàn)有系統(tǒng)外形尺寸限制
2025-06-16 10:51:13671 
Molex莫仕推出VersaBeam擴展光束光纖(EBO)互連解決方案，該方案是一個專為超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、云和邊緣計算環(huán)境優(yōu)化的創(chuàng)新型高密度光纖連接器系列。這一產(chǎn)品組合利用3M EBO套管擴展連接器之間的梁，旨在降低對灰塵和碎屑的敏感度，并可能減少頻繁清潔、檢查和維護的需要。
2025-06-13 17:25:432429 高密度配線架與中密度配線架的核心區(qū)別體現(xiàn)在端口密度、空間利用率、應用場景適配性、成本結(jié)構(gòu)及擴展能力等方面，以下為具體分析： 一、端口密度與空間利用率 高密度配線架 端口密度：每單位空間(如1U機架
2025-06-13 10:18:58696 MPO高密度光纖配線架的安裝需遵循標準化流程，結(jié)合設備特性和機房環(huán)境進行操作。以下是分步驟的安裝方法及注意事項： 一、安裝前準備 環(huán)境檢查 確認機房溫度(建議0℃~40℃)、濕度(10%~90
2025-06-12 10:22:42791 高密度ARM服務器的散熱設計融合了硬件創(chuàng)新與系統(tǒng)級優(yōu)化技術(shù)，以應對高集成度下的散熱挑戰(zhàn)，具體方案如下： 一、核心散熱技術(shù)方案 高效散熱架構(gòu)? 液冷技術(shù)主導?：冷板式液冷方案通過直接接觸CPU/GPU
2025-06-09 09:19:38659 
深圳市易飛揚通信技術(shù)有限公司將攜多款創(chuàng)新非相干與相干DWDM解決方案，亮相新加坡CommunicAsia 2025展會（5月27-29日，展位號3E2-5），展現(xiàn)高速、低功耗、低成本及長距離光傳輸領域的最新突破。
2025-05-23 17:43:04629 
肌電信號（Electromyography, EMG）是反映肌肉活動的關鍵生理信號，能夠提供骨骼、神經(jīng)和肌肉運動的相關信息。與侵入式肌電（iEMG）不同，表面肌電（sEMG）通過非侵入式電極記錄皮膚表面的電信號，能夠提供更全面的肌肉活動信息，因此在實際應用中更為廣泛。
2025-05-23 11:56:04507 
產(chǎn)品集成11顆芯片，58個無源元件，采用雙面陶瓷管殼作為載體，進行雙層芯片疊裝和組裝，實現(xiàn)高密度集成。殼體工藝采用高溫多層陶瓷共燒工藝，可以最大限度地增加布線密度和縮短互連線長度，從而提高組件密度
2025-05-14 10:49:47921 
下面是調(diào)用的DDR3模塊的，模塊的倒數(shù)第二行是，模塊的時鐘輸入，時鐘源來自PLL產(chǎn)生的系統(tǒng)時鐘的倍頻。
2025-05-03 10:21:001339 
TPS51116為 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18、DDR3/SSTL-15、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源。它將同步降壓控制器與 3A 灌電流/拉
2025-04-29 16:38:021031 
在高速PCB設計中，DDR模塊是絕對繞不過去的一關。無論你用的是DDR、DDR2還是DDR3，只要設計不規(guī)范，后果就是——信號反射、時序混亂、系統(tǒng)頻繁死機。
2025-04-29 13:51:032491 
TPS59116 為 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18 和 DDR3 內(nèi)存提供完整的電源 系統(tǒng)。它將同步降壓控制器與 3A 灌電流/拉電流跟蹤線性穩(wěn)壓器和緩沖低噪聲基準集成在一起
2025-04-28 13:54:45814 
TPS51916 器件以最低的總成本和最小的空間為 DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源。它集成了同步降壓穩(wěn)壓控制器 （VDDQ），具有 2A 灌電流和 2A 源跟蹤 LDO （VTT） 和緩沖低噪聲基準 （VTTREF）。
2025-04-28 10:58:44657 
TPS51116為 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18、DDR3/SSTL-15、 和 LPDDR3 內(nèi)存系統(tǒng)。它將同步降壓控制器與 1A 灌電流/拉電流集成在一起 跟蹤線性穩(wěn)壓器和緩
2025-04-27 13:35:32741 
TPS51216-EP 以最低的總成本和最小的空間為 DDR2、DDR3 和 DDR3L 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源。它將同步降壓穩(wěn)壓控制器 （VDDQ） 與 2A 灌/拉跟蹤 LDO （VTT） 和緩
2025-04-26 11:12:30681 
只需要最小輸出 電容為 20 μF。TPS51200-EP 支持遙感功能和所有功率要求 用于 DDR、DDR2、DDR3、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 總線終端。
2025-04-26 10:26:351335 
在人工智能（AI）驅(qū)動的產(chǎn)業(yè)革命浪潮中，數(shù)據(jù)中心正迎來深刻變革。面對迅猛增長的人工智能算力需求，部署高密度AI集群已成為數(shù)據(jù)中心發(fā)展的必然選擇。
2025-04-19 16:54:131355 
在全球科技競爭加劇、國產(chǎn)替代加速推進的背景下，紫光國芯憑借其在DDR3與RDIMM等高端內(nèi)存芯片領域的技術(shù)積累，不斷實現(xiàn)突破，推動國產(chǎn)存儲芯片向高端市場邁進。作為其核心代理商，貞光科技在市場推廣
2025-04-16 16:39:301342 
本文聚焦高密度系統(tǒng)級封裝技術(shù)，闡述其定義、優(yōu)勢、應用場景及技術(shù)發(fā)展，分析該技術(shù)在熱應力、機械應力、電磁干擾下的可靠性問題及失效機理，探討可靠性提升策略，并展望其未來發(fā)展趨勢，旨在為該領域的研究與應用提供參考。
2025-04-14 13:49:36910 
光纖高密度ODF(Optical Distribution Frame，光纖配線架) 是一種用于光纖通信系統(tǒng)中，專門設計用于高效管理和分配大量光纖線路的設備。它通過高密度設計，實現(xiàn)了光纖線路的集中化
2025-04-14 11:08:001581 二次回流工藝因高密度封裝需求、混合元件焊接剛需及制造經(jīng)濟性提升而普及，主要應用于消費電子芯片堆疊、服務器多 Die 整合、汽車電子混合焊接、大尺寸背光模組、陶瓷 LED 與制冷芯片等場景。專用錫膏
2025-04-11 11:41:04855 
DDR3 SDRAM(Double-Data-Rate ThreeSynchronous Dynamic Random Access Memory)是DDR SDRAM的第三代產(chǎn)品，相較于DDR2，DDR3有更高的運行性能與更低的電壓。
2025-04-10 09:42:533930 
芯片燒錄領導者昂科技術(shù)近期宣布了其燒錄軟件的最新迭代，并公布了一系列新增兼容芯片型號。在此次更新中，恒爍半導體（Zbit）推出的非易失性閃存ZB25VQ16CS已被昂科燒錄程序芯片燒錄設備
2025-04-09 15:22:11735 
在AI與云計算的深度融合中，高密度、低功耗特性正成為技術(shù)創(chuàng)新的核心驅(qū)動力，主要體現(xiàn)在以下方面： 一、云計算基礎設施的能效優(yōu)化 存儲與計算密度提升? 華為新一代OceanStor Pacific全閃
2025-04-01 08:25:05913 
如何通過導熱界面材料（TIMs）實現(xiàn)高效散熱，并以合肥傲琪電子的解決方案為例，解析其技術(shù)亮點與應用場景。 一、電子散熱的核心需求與痛點1. 高密度散熱難題隨著芯片功率密度的提升（如Mini LED、快
2025-03-28 15:24:26
一、核心定義與技術(shù)原理 MPO(Multi-fiber Push On)高密度光纖配線架是一種專為多芯光纖連接設計的配線設備，通過單個連接器集成多根光纖(如12芯、24芯)，實現(xiàn)高密度、高效率的光纖
2025-03-26 10:11:001433 跳線在高速數(shù)據(jù)傳輸方面表現(xiàn)出更為出色的性能和效率，適用于高密度布線解決方案。光纖跳線在延遲、功耗和長距離傳輸方面具有顯著優(yōu)勢，可確保長距離傳輸?shù)姆€(wěn)定性和可靠性。
MTP/MPO光纖跳線
MTP
2025-03-24 14:20:17
、阻抗不匹配、電磁干擾（EMI）成為關鍵。捷多邦采用高密度互連（HDI）**工藝，通過精密布線設計，減少信號干擾，提升PCB的電氣性能。 1. 高密度布線（HDI）如何減少串擾？ 串擾（Crosstalk）是指相鄰信號線之間的電磁干擾，可能導致信號畸變。捷多
2025-03-21 17:33:46781 燦芯半導體（上海）股份有限公司（燦芯股份，688691）宣布推出基于28HKD 0.9V/2.5V 平臺的DDR3/4, LPDDR3/4 Combo IP。該IP具備廣泛的協(xié)議兼容性，支持DDR3
2025-03-21 16:20:03984 初次使用XC7A35T-FGG484做設計，用的是25MHZ有源晶振，有源晶振3.3V供電，DDR3的供電1.35V，現(xiàn)在接上晶振后，DDR3的供電變成1.8V
求助怎么解決。
2025-03-21 14:25:05
1U 144芯高密度光纖配線架是專為數(shù)據(jù)中心、電信機房等高密度布線場景設計的緊湊型光纖管理解決方案。其核心特點在于超小空間(1U)與高容量(144芯)的平衡，以下為詳細說明： 核心特性 空間效率
2025-03-21 09:57:30776 。
低插入損耗：1.8 dB @ 10 GHz，確保信號傳輸?shù)母咝?b class="flag-6" style="color: red">性。
非反射設計：減少信號反射，提高系統(tǒng)性能。
封裝：采用 3x3 mm QFN 表貼封裝，適合高密度 PCB 設計。
電氣特性
控制
2025-03-14 09:45:46
DDR內(nèi)存控制器是一個高度集成的組件，支持多種DDR內(nèi)存類型（DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR2），并通過精心設計的架構(gòu)來優(yōu)化內(nèi)存訪問效率。
2025-03-05 13:47:403573 
全球嵌入式非易失性內(nèi)存（eNVM）解決方案的領導廠商力旺電子，與旗下專注于PUF（物理不可克隆功能）安全IP的子公司熵碼科技，今日正式推出全球首款結(jié)合PUF技術(shù)的后量子加密（PQC）解決方案。此
2025-03-05 11:43:101001 高密度封裝技術(shù)在近些年迅猛發(fā)展，同時也給失效分析過程帶來新的挑戰(zhàn)。常規(guī)的失效分析手段難以滿足結(jié)構(gòu)復雜、線寬微小的高密度封裝分析需求，需要針對具體分析對象對分析手法進行調(diào)整和改進。
2025-03-05 11:07:531288 
MXD1210非易失性RAM控制器是一款超低功耗CMOS電路，可將標準（易失性）CMOS RAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲器。它還會持續(xù)監(jiān)控電源，以在RAM的電源處于邊際（超出容限）條件時提供RAM寫保護。當電源開始出現(xiàn)故障時，RAM受到寫保護，并且器件切換到電池備用模式。
2025-02-28 10:48:16915 
DS1557是一款全功能、符合-2000年標準(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)，具有RTC警報、看門狗定時器、上電復位、電池監(jiān)控器和512k x 8非易失性靜態(tài)RAM。用戶對DS1557內(nèi)所有
2025-02-27 17:11:32931 
DS1554是一款全功能、符合2000年標準(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)，具有RTC警報、看門狗定時器、上電復位、電池監(jiān)控器和32k x 8非易失性靜態(tài)RAM。用戶對DS1554內(nèi)所有
2025-02-27 16:54:351041 
DS1265 8M非易失SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否超出容差范圍
2025-02-27 09:19:54819 
DS1249 2048k非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否
2025-02-27 09:09:09949 
據(jù)報道，業(yè)內(nèi)人士透露，全球三大DRAM內(nèi)存制造商——三星電子、SK海力士和美光，有望在2025年內(nèi)正式停產(chǎn)已有多年歷史的DDR3和DDR4兩代內(nèi)存。 隨著技術(shù)的不斷進步和消費級平臺的更新?lián)Q代
2025-02-19 11:11:513460 MF系列干簧繼電器具備超高密度，其表面尺寸在SANYU產(chǎn)品線中是最小的，僅為4.35mm x 4.35mm。這種尺寸允許您滿足集成電路行業(yè)的KGD需求：通過在8英寸板上安裝500個繼電器和在12英寸
2025-02-17 13:40:48
存儲正在進行著哪些變革。 上期我們對QLC SSD、TLC SSD以及HDD分別進行了優(yōu)勢對比，并得出了成本分析。本期將重點介紹QLC SSD在設計上存在的諸多挑戰(zhàn)及解決之道。 更大的內(nèi)部扇區(qū)尺寸 從硬件設計及成本上考慮，高密度QLC SSD存儲容量增加時，其配置的DRAM容量通
2025-02-17 11:35:22845 
隨著半導體技術(shù)的飛速發(fā)展，芯片集成度和性能要求日益提升。傳統(tǒng)的二維封裝技術(shù)已經(jīng)難以滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品的需求，因此，高密度3-D封裝技術(shù)應運而生。3-D封裝技術(shù)通過垂直堆疊多個芯片或芯片層，實現(xiàn)前所未有的集成密度和性能提升，成為半導體封裝領域的重要發(fā)展方向。
2025-02-13 11:34:381613 
景。NO.1產(chǎn)品特點密度高作為目前公司密度最高的連接器，F(xiàn)3具有很多優(yōu)點，其中最引人注目的是其高密度信號連接能力，單個模塊可以提供多達168個信號點的連接。尺寸小在
2025-02-06 09:15:04805 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《高密度400W DC/DC電源模塊，集成平面變壓器和半橋GaN IC.pdf》資料免費下載
2025-01-22 15:39:5312 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《AI革命的高密度電源.pdf》資料免費下載
2025-01-22 15:03:321 在此次更新中，恒爍半導體（Zbit）推出的非易失性閃存ZB25VQ32DS已被昂科的程序燒錄專業(yè)芯片燒錄設備AP8000所支持。昂科技術(shù)自主研發(fā)的AP8000萬用燒錄器，支持包括一拖一及一拖八配置
2025-01-17 09:30:20872 
高密度互連（HDI）PCB因其細線、更緊密的空間和更密集的布線等特點，在現(xiàn)代電子設備中得到了廣泛應用。 一、HDI PCB具有以下顯著優(yōu)勢： 細線和高密度布線：允許更快的電氣連接，同時減少了PCB
2025-01-10 17:00:001532 
50mm x 52mm x 1.6mm的緊湊尺寸中實現(xiàn)了高功能密度。
工藝設計
12層高密度PCB設計：采用沉金工藝生產(chǎn)，具備獨立接地信號層，提升信號完整性。
LCC + LGA封裝：核心板背面
2025-01-10 14:32:38
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《AN77-適用于大電流應用的高效率、高密度多相轉(zhuǎn)換器.pdf》資料免費下載
2025-01-08 14:26:180
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