三星在手機市場遭遇一定挫折，不過由于全球手機的出貨量成長以及對更大容量的內存和存儲的需求卻讓它在NAND Flash市場成為大贏家，據TrendForce的數據顯示營收同比增長20.6%，市占率提升到36.6%創(chuàng)下新高。

目前3D NAND技術正日益受到各方的歡迎，由于它相較2D NAND技術可以提供提高存儲器的容量及寬度，在采用更低工藝的情況下卻可以提供遠比工藝更高2D NAND技術數倍容量，例如采用16nm工藝的2D NAND存儲器容量為64GB，而采用21nm工藝的三星 48層3D NAND卻可以提供高達256GB的容量。

采用更低工藝又可以獲得更高可靠性，P/E擦寫次數更高，這正是此前采用2D NAND為了增加容量而只好不斷的采用更新工藝帶來的問題，這也正是企業(yè)級而采用3D NAND技術可以在一定程度上解決了這個問題。

3D NAND技術以三星居于領先地位，2013年三季度它率先宣布該技術成功投產，之后每年都獲得新的提高，從當初的24層到今年第四代的64層，更提出了明年將推出可能達到80層，業(yè)界估計它領先東芝、美光、海力士等約兩年時間。

由于三星在存儲器市場取得的成功，推動著它在半導體制造方面的實力提升，幫助它在芯片設計、芯片制造方面獲得發(fā)展，推動它在半導體市場的營收不斷增長。2015年三星位居全球半導體營收第二，與第一位的Intel的差距進一步收窄，兩家的營收分別為420.4億美元、521.4億美元。

正是在這樣的情況下，Intel開始大手筆投資存儲器業(yè)務，再度回歸這一市場。其實當年Intel就是在存儲器起家的，曾占據這一市場的老大位置，但是后來由于與日本的存儲器廠商競爭處于不利地位而進入處理器市場，沒想到的是反而成為處理器老大，不過時過境遷處理器市場競爭激烈，以及與ARM的群狼競爭讓它感受到威脅于是又再次進入存儲器市場，而開發(fā)自己的存儲器產品進而將處理器和存儲器整合又可以增強整體的性能提升自己的處理器競爭力，成為Intel再次進入這市場的理由。

不過目前為止三星依然在NAND flash市場占據最大的優(yōu)勢，其市場份額處于領先地位，第二位的東芝市場份額為19.8%，落后三星約86.7%，Intel的市場份額僅有6.3%而且相比起上一年出現了0.3個百分點的下滑。

不過Intel似乎有非常強的決心，今年下半年在存儲器市場發(fā)起了價格戰(zhàn)，針對消費型市場的600p系列最低價格從69美元起跳(128GB版本)，企業(yè)市場的Pro 6000p系列價格則從79美元起跳(128GB版本)，可謂市場最低價的產品，而且更宣布投資55億美元改造大連工廠成為NAND工廠希望在產能方面跟上三星，這可謂非常大手筆的投資，相較其當下市場份額僅有三星六分之一體現了它的野心。

當然三星也不會坐視不理，它在ARM架構處理器方面取得了非常大的進步，去年研發(fā)了自己的高性能ARM架構核心貓鼬，采用該核心的Exynos8890的性能僅次于高通的驍龍820，在ARM陣營紛紛進入Intel占優(yōu)勢的PC市場情況下三星也努力進攻，未來Intel和三星的兩虎斗會更激烈。