近兩年先進(jìn)半導(dǎo)體制造主要是也終于迎來(lái)了EUV光刻機(jī)，這也使7nm之后的工藝發(fā)展得以持續(xù)進(jìn)行下去。臺(tái)積電和三星都對(duì)自家工藝發(fā)展進(jìn)行了規(guī)劃，現(xiàn)在兩家已經(jīng)逐步開(kāi)始進(jìn)行7nm EUV工藝的量產(chǎn)，隨后還有5nm工藝及3nm工藝。

盡管今年下半年才能見(jiàn)到7nm EUV工藝制造的芯片，但根據(jù)Anandtech的報(bào)道稱(chēng)，臺(tái)積電的3nm EUV工藝發(fā)展順利，而且已經(jīng)有早期客戶(hù)參與。

在報(bào)道中稱(chēng)臺(tái)積電目前N3工藝（N3就是臺(tái)積電對(duì)3nm工藝）的技術(shù)開(kāi)發(fā)進(jìn)展順利，而且已經(jīng)與早期客戶(hù)也已經(jīng)參與到技術(shù)定義方面的工作中，同時(shí)臺(tái)積電首席執(zhí)行官魏哲家也希望3nm工藝能保持臺(tái)積電在未來(lái)的領(lǐng)先。

這也是除了路線(xiàn)圖之外臺(tái)積電再次談及3nm工藝相關(guān)的問(wèn)題，但是也需要清楚的是，目前3nm工藝依舊在開(kāi)發(fā)中，未來(lái)離我們更近的是5nm工藝。雖然在7nm工藝中臺(tái)積電是出于領(lǐng)先狀態(tài)的，但在7nm EUV節(jié)點(diǎn)上三星也已經(jīng)趕上，而且也規(guī)劃了將在2021年推出3nm GAA工藝，這也意味著臺(tái)積電與三星在EUV工藝節(jié)點(diǎn)上再次處于幾乎相同的起跑線(xiàn)上。

雖然未來(lái)5G、高性能計(jì)算等方面需要更先進(jìn)的制程工藝，但先進(jìn)工藝生產(chǎn)線(xiàn)及芯片設(shè)計(jì)成本也在飛速提升。此前有報(bào)道稱(chēng)三星在7nm EUV工藝中已獲得了多家廠(chǎng)商的訂單，在這個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)中三星已逐漸趕上，所以從此次臺(tái)積電稱(chēng)已有客戶(hù)參與也是提早準(zhǔn)備，確保在未來(lái)不會(huì)出現(xiàn)如目前7nm EUV工藝出現(xiàn)的客戶(hù)流失的問(wèn)題。