將系統(tǒng)分析三菱伺服電機(jī)抖動(dòng)和異響的常見(jiàn)原因,并提供詳細(xì)的調(diào)整解決方案,幫助技術(shù)人員快速定位和解決問(wèn)題。 一、機(jī)械因素導(dǎo)致的抖動(dòng)與異響 機(jī)械因素是伺服電機(jī)異常振動(dòng)和噪聲的首要排查方向。當(dāng)
發(fā)表于 10-14 07:37
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鐵路牽引變流器作為軌道交通車輛動(dòng)力系統(tǒng)的核心部件,正朝著高可靠性、高功率密度和高效率方向發(fā)展。目前IGBT仍是鐵路牽引領(lǐng)域的主流功率半導(dǎo)體器件,但是SiC MOSFET模塊的應(yīng)用正在加速。本文重點(diǎn)介紹三菱電機(jī)SiC MOSFET
發(fā)表于 09-23 09:26
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隨著市場(chǎng)需求的不斷增長(zhǎng),SiC MOSFET在電動(dòng)汽車中的應(yīng)用日益廣泛,已經(jīng)成為推動(dòng)電動(dòng)汽車電氣化和高效能的重要技術(shù)之一。上一篇我們介紹了三菱電機(jī)SiC MOSFET模塊的芯片、封裝和短路保護(hù)技術(shù),本章節(jié)主要介紹
發(fā)表于 08-08 16:14
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三菱電機(jī)于1997年將DIPIPM正式推向市場(chǎng),迄今已在家電、工業(yè)和汽車空調(diào)等領(lǐng)域獲得了廣泛應(yīng)用。在Si-IGBT DIPIPM基礎(chǔ)上,三菱電機(jī)開(kāi)發(fā)了集成SiC MOSFET芯片的DI
發(fā)表于 07-19 09:18
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三菱電機(jī)于1997年將DIPIPM正式推向市場(chǎng),迄今已在家電、工業(yè)和汽車空調(diào)等領(lǐng)域獲得了廣泛應(yīng)用。在Si-IGBT DIPIPM基礎(chǔ)上,三菱電機(jī)開(kāi)發(fā)了集成SiC MOSFET芯片的DI
發(fā)表于 07-19 09:15
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三菱電機(jī)集團(tuán)近日宣布,將于5月1日開(kāi)始供應(yīng)其新型XB系列高壓絕緣柵雙極型晶體管(HVIGBT)模塊的樣品。該模塊是一款3.3kV/1500A的大容量功率半導(dǎo)體,專為軌道交通車輛等大型工
發(fā)表于 04-10 11:34
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SiC芯片可以高溫工作,與之對(duì)應(yīng)的連接材料和封裝材料都需要相應(yīng)的變更。三菱電機(jī)高壓SiC模塊支持175℃工作結(jié)溫,其封裝技術(shù)相對(duì)傳統(tǒng)IGBT模塊封裝技術(shù)做了很大改進(jìn),本文帶你詳細(xì)了解內(nèi)
發(fā)表于 02-12 11:26
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三菱電機(jī)開(kāi)發(fā)了工業(yè)應(yīng)用的NX封裝全SiC功率模塊,采用低損耗SiC芯片和優(yōu)化的內(nèi)部結(jié)構(gòu),與現(xiàn)有的Si-IGBT模塊相比,顯著降低了功率損耗,同時(shí)器件內(nèi)部雜散電感降低約47%。
發(fā)表于 01-22 10:58
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在Si-IGBT的DIPIPM基礎(chǔ)上,三菱電機(jī)開(kāi)發(fā)了超小型全SiC DIPIPM,保持相同的封裝及管腳配置。本文帶你一覽超小型全SiC DIPIPM的優(yōu)勢(shì)。
發(fā)表于 01-08 13:48
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在現(xiàn)代工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域,三菱電機(jī)以其高質(zhì)量和可靠性而聞名。三菱PLC伺服控制系統(tǒng)是實(shí)現(xiàn)精確運(yùn)動(dòng)控制和高效生產(chǎn)的關(guān)鍵技術(shù)之一。 一、三菱PLC伺服控制系統(tǒng)概述
發(fā)表于 12-26 17:32
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三菱電機(jī)集團(tuán)近日宣布,將于12月26日開(kāi)始提供兩款新的S1系列高壓絕緣柵雙極型晶體管(HVIGBT)模塊樣品,這兩款模塊額定電壓均為1.7kV,適用于鐵路車輛和直流輸電等大型工業(yè)設(shè)備。
發(fā)表于 12-25 15:59
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三菱電機(jī)開(kāi)發(fā)了高耐壓SiC MOSFET,并將其產(chǎn)品化,率先將其應(yīng)用于驅(qū)動(dòng)鐵路車輛的變流器中,是一家在市場(chǎng)上擁有良好業(yè)績(jī)記錄的SiC器件制造商。本篇帶你了解三菱電機(jī)高壓SiC芯片技術(shù)。
發(fā)表于 12-18 17:35
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三菱電機(jī)近日宣布了一項(xiàng)重大投資計(jì)劃,將斥資約100億日元在日本福岡縣福岡市新建一座功率半導(dǎo)體模塊封裝與測(cè)試工廠。該工廠預(yù)計(jì)于2026年10月正式投入運(yùn)營(yíng),旨在提升三菱
發(fā)表于 12-02 10:27
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三菱電機(jī)集團(tuán)近日宣布,將投資約100億日元,在日本福岡縣的功率器件制作所建設(shè)一座新的功率半導(dǎo)體模塊封裝與測(cè)試工廠。該計(jì)劃最初于2023年3月14日宣布,預(yù)計(jì)于2026年10月開(kāi)始運(yùn)營(yíng)。
發(fā)表于 11-20 17:57
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三菱電機(jī)集團(tuán)近日宣布,其功率器件制作所(Power Device Works)福山工廠即日起開(kāi)始大規(guī)模供應(yīng)采用12英寸硅(Si)晶圓制造的功率半導(dǎo)體芯片,用于半導(dǎo)體模塊的組裝。這些先進(jìn)的Si功率
發(fā)表于 11-14 15:03
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評(píng)論