chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

zpwsmileKLA-Tencor光刻工藝控制解決方案可將產(chǎn)量優(yōu)化至0.13微米

PCB線路板打樣 ? 來源:zpwsmile ? 作者:zpwsmile ? 2020-02-14 11:05 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

KLA-Tencor光刻工藝控制解決方案將產(chǎn)量優(yōu)化至0.13微米
SAN JOSE - KLA-Tencor公司推出了一款工藝模塊控制(PMC)解決方案芯片制造商實施和控制0.13微米及更小的設(shè)計規(guī)則所需的深亞波長光刻。

新的Litho PMC解決方案結(jié)合先進(jìn)的光刻膠和晶圓的缺陷檢測和計量系統(tǒng),并采用先進(jìn)的軟件并與PMC集成-Net,將Litho PMC的所有過程數(shù)據(jù)和組件匯總成一個自動化和可定制的數(shù)據(jù)收集,控制,分析和報告系統(tǒng)

KLA-Tencor光刻的集團(tuán)副總裁Rick Wallace表示集團(tuán),0.13微米節(jié)點標(biāo)志著幾個具有挑戰(zhàn)性的技術(shù)轉(zhuǎn)變 - 亞波長光刻,銅/低k互連和300毫米晶圓處理 - 將開始趨同。他說,制造過程的控制變得與過程本身一樣重要。

“控制光刻過程是防止這些技術(shù)轉(zhuǎn)變導(dǎo)致的過程偏移和產(chǎn)量損失缺陷的第一道防線,”華萊士解釋道。 “為了成功實現(xiàn)這一目標(biāo),需要新的軟件功能來解決深亞波長光刻技術(shù)所特有的挑戰(zhàn)。這些軟件解決方案需要與基本的缺陷檢測和參數(shù)測量系統(tǒng)一樣強大。”

深亞波長技術(shù)需要新的控制和建模功能,因為第一次,光罩上的主圖像沒有完全復(fù)制在晶圓上。

“鑒于這些新的復(fù)雜性,0.13微米的光刻工藝窗口變得如此之小,以至于芯片制造商需要正確的光刻工具和前所未有的光刻工藝控制策略來保持高產(chǎn)量,”KLA的Scott Ashkenaz表示。 Tencor的光刻模塊解決方案副總裁。 “分辨率增強技術(shù)使窗口打開時間更長,但即使這些方法也極易受到工藝變化的影響,這會影響CD控制,重疊精度和缺陷率。同時,芯片制造商面臨更大的器件復(fù)雜性和增加的挑戰(zhàn)器件層,使其光刻工藝控制策略成為器件制造的關(guān)鍵組成部分?!?/p>

KLA-Tencor的Litho PMC包括KLA-Tencor內(nèi)部開發(fā)以及最近收購ACME,F(xiàn)inle和Fab Solutions所取得的技術(shù)進(jìn)步。

這些包括用于測量和控制關(guān)鍵尺寸,覆蓋層,薄膜厚度和反射率的參數(shù)化工具;缺陷檢測系統(tǒng);閉環(huán)自動反饋和控制過程工具;和將參數(shù)結(jié)果與電氣測試結(jié)果相關(guān)聯(lián)的軟件。先進(jìn)的仿真軟件工具有助于加速0.13微米器件的實施和生產(chǎn)。

“憑借這些進(jìn)步,我們?yōu)槿蛐酒圃焐烫峁┤娴慕鉀Q方案,解決了成功實現(xiàn)亞波長光刻,CD控制,覆蓋精度,缺陷減少和模擬/建模所需的所有組件,”華萊士。 “結(jié)果是先進(jìn)的過程控制,既積極又高度自動化?!?/p>

“三分之一的晶圓廠支出目前專注于光刻工藝,因此晶圓廠采用光刻工藝控制策略至關(guān)重要這可以保護(hù)和最小化他們的投資,并加快產(chǎn)品上市速度,“Ashkenaz補充道。 “我們的Litho PMC方法旨在提供這些功能。”

KLA-Tencor的新型Litho PMC可立即供貨,價格根據(jù)每個工廠所需的定制配置而有所不同。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    【新啟航】玻璃晶圓 TTV 厚度在光刻工藝中的反饋控制優(yōu)化研究

    的均勻性直接影響光刻工藝中曝光深度、圖形轉(zhuǎn)移精度等關(guān)鍵參數(shù) 。當(dāng)前,如何優(yōu)化玻璃晶圓 TTV 厚度在光刻工藝中的反饋控制,以提高光刻質(zhì)量和生
    的頭像 發(fā)表于 10-09 16:29 ?273次閱讀
    【新啟航】玻璃晶圓 TTV 厚度在<b class='flag-5'>光刻工藝</b>中的反饋<b class='flag-5'>控制</b><b class='flag-5'>優(yōu)化</b>研究

    光刻膠剝離工藝

    光刻膠剝離工藝是半導(dǎo)體制造和微納加工中的關(guān)鍵步驟,其核心目標(biāo)是高效、精準(zhǔn)地去除光刻膠而不損傷基底材料或已形成的結(jié)構(gòu)。以下是該工藝的主要類型及實施要點:濕法剝離技術(shù)有機(jī)溶劑溶解法原理:使
    的頭像 發(fā)表于 09-17 11:01 ?484次閱讀
    <b class='flag-5'>光刻</b>膠剝離<b class='flag-5'>工藝</b>

    白光干涉儀在晶圓光刻圖形 3D 輪廓測量中的應(yīng)用解析

    引言 晶圓光刻圖形是半導(dǎo)體制造中通過光刻工藝形成的微米納米級三維結(jié)構(gòu)(如光刻膠線條、接觸孔、柵極圖形等),其線寬、高度、邊緣粗糙度等參數(shù)直
    的頭像 發(fā)表于 09-03 09:25 ?330次閱讀
    白光干涉儀在晶圓<b class='flag-5'>光刻</b>圖形 3D 輪廓測量中的應(yīng)用解析

    光刻膠旋涂的重要性及厚度監(jiān)測方法

    在芯片制造領(lǐng)域的光刻工藝中,光刻膠旋涂是不可或缺的基石環(huán)節(jié),而保障光刻膠旋涂的厚度是電路圖案精度的前提。優(yōu)可測薄膜厚度測量儀AF系列憑借高精度、高速度的特點,為光刻膠厚度監(jiān)測提供了可靠
    的頭像 發(fā)表于 08-22 17:52 ?1019次閱讀
    <b class='flag-5'>光刻</b>膠旋涂的重要性及厚度監(jiān)測方法

    濕法蝕刻工藝與顯示檢測技術(shù)的協(xié)同創(chuàng)新

    制造工藝的深刻理解,將濕法蝕刻這一關(guān)鍵技術(shù)與我們自主研發(fā)的高精度檢測系統(tǒng)相結(jié)合,為行業(yè)提供從工藝開發(fā)到量產(chǎn)管控的完整解決方案。濕法蝕刻工藝:高精度制造的核心技術(shù)M
    的頭像 發(fā)表于 08-11 14:27 ?776次閱讀
    濕法蝕<b class='flag-5'>刻工藝</b>與顯示檢測技術(shù)的協(xié)同創(chuàng)新

    3D 共聚焦顯微鏡 | 芯片制造光刻工藝的表征應(yīng)用

    接觸式三維成像、亞微米級分辨率和快速定量分析能力,成為光刻工藝全流程質(zhì)量控制的關(guān)鍵工具,本文將闡述其在光刻膠涂層檢測、圖案結(jié)構(gòu)分析、層間對準(zhǔn)驗證等核心環(huán)節(jié)的應(yīng)用。芯
    的頭像 發(fā)表于 08-05 17:46 ?497次閱讀
    3D 共聚焦顯微鏡 | 芯片制造<b class='flag-5'>光刻工藝</b>的表征應(yīng)用

    MEMS制造領(lǐng)域中光刻Overlay的概念

    在 MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))制造領(lǐng)域,光刻工藝是決定版圖中的圖案能否精確 “印刷” 到硅片上的核心環(huán)節(jié)。光刻 Overlay(套刻精度),則是衡量光刻機(jī)將不同層設(shè)計圖案對準(zhǔn)精度的關(guān)鍵指標(biāo)。光刻
    的頭像 發(fā)表于 06-18 11:30 ?883次閱讀
    MEMS制造領(lǐng)域中<b class='flag-5'>光刻</b>Overlay的概念

    光刻工藝中的顯影技術(shù)

    一、光刻工藝概述 光刻工藝是半導(dǎo)體制造的核心技術(shù),通過光刻膠在特殊波長光線或者電子束下發(fā)生化學(xué)變化,再經(jīng)過曝光、顯影、刻蝕等工藝過程,將設(shè)計在掩膜上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底上,是現(xiàn)代半導(dǎo)體、微
    的頭像 發(fā)表于 06-09 15:51 ?1400次閱讀

    光刻膠的類型及特性

    光刻膠類型及特性光刻膠(Photoresist),又稱光致抗蝕劑,是芯片制造中光刻工藝的核心材料。其性能直接影響芯片制造的精度、效率和可靠性。本文介紹了光刻膠類型和
    的頭像 發(fā)表于 04-29 13:59 ?5041次閱讀
    <b class='flag-5'>光刻</b>膠的類型及特性

    光刻工藝的主要流程和關(guān)鍵指標(biāo)

    光刻工藝貫穿整個芯片制造流程的多次重復(fù)轉(zhuǎn)印環(huán)節(jié),對于集成電路的微縮化和高性能起著決定性作用。隨著半導(dǎo)體制造工藝演進(jìn),對光刻分辨率、套準(zhǔn)精度和可靠性的要求持續(xù)攀升,光刻技術(shù)也將不斷演化,
    的頭像 發(fā)表于 03-27 09:21 ?2509次閱讀
    <b class='flag-5'>光刻工藝</b>的主要流程和關(guān)鍵指標(biāo)

    芯片制造:光刻工藝原理與流程

    光刻是芯片制造過程中至關(guān)重要的一步,它定義了芯片上的各種微細(xì)圖案,并且要求極高的精度。以下是光刻過程的詳細(xì)介紹,包括原理和具體步驟。?? 光刻原理?????? 光刻的核心工具包括光掩膜
    的頭像 發(fā)表于 01-28 16:36 ?2212次閱讀
    芯片制造:<b class='flag-5'>光刻工藝</b>原理與流程

    晶圓表面光刻膠的涂覆與刮邊工藝的研究

    隨著半導(dǎo)體器件的應(yīng)用范圍越來越廣,晶圓制造技術(shù)也得到了快速發(fā)展。其中,光刻技術(shù)在晶圓制造過程中的地位尤為重要。光刻膠是光刻工藝中必不可少的材料,其質(zhì)量直接影響到晶圓生產(chǎn)的效率和質(zhì)量。本文將圍繞著晶圓
    的頭像 發(fā)表于 01-03 16:22 ?978次閱讀

    【「大話芯片制造」閱讀體驗】+芯片制造過程工藝面面觀

    光刻工藝,蝕刻工藝,離子注入工藝,化學(xué)機(jī)械拋光,清洗工藝,晶圓檢驗工藝。 后道工序包括組裝工藝
    發(fā)表于 12-16 23:35

    簡述光刻工藝的三個主要步驟

    光刻作為半導(dǎo)體中的關(guān)鍵工藝,其中包括3大步驟的工藝:涂膠、曝光、顯影。三個步驟有一個異常,整個光刻工藝都需要返工處理,因此現(xiàn)場異常的處理顯得尤為關(guān)鍵”
    的頭像 發(fā)表于 10-22 13:52 ?2891次閱讀

    光刻工藝中分辨率增強技術(shù)詳解

    分辨率增強及技術(shù)(Resolution Enhancement Technique, RET)實際上就是根據(jù)已有的掩膜版設(shè)計圖形,通過模擬計算確定最佳光照條件,以實現(xiàn)最大共同工藝窗口(Common Process Window),這部分工作一般是在新光刻工藝研發(fā)的早期進(jìn)行
    的頭像 發(fā)表于 10-18 15:11 ?2173次閱讀
    <b class='flag-5'>光刻工藝</b>中分辨率增強技術(shù)詳解