AI、5G應(yīng)用推動芯片微縮化，要實現(xiàn)5nm、3nm等先進制程，意味著需要更新穎的技術(shù)支援以進行加工制造，半導(dǎo)體設(shè)備商遂陸續(xù)推出新一代方案。AI、5G應(yīng)用推動晶片微縮化，要實現(xiàn)5nm、3nm等先進制程，意味著需要更新穎的技術(shù)支援以進行加工制造，為此，艾司摩爾（ASML）持續(xù)強化極紫外光（EUV）微影系統(tǒng)效能。

艾司摩爾（ASML）資深市場策略總監(jiān)Boudewijn Sluijk表示，VR/AR、自動駕駛、5G、大數(shù)據(jù)及AI等，持續(xù)推動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，為滿足各式應(yīng)用、資料傳輸，以及演算法需求，芯片效能不斷提高的同時，還須降低成本，而極紫外光（EUV）在先進制程中便扮演關(guān)鍵的角色。

Sluijk進一步指出，過往采用ArFi LE4 Patterning或是ArFi SAQP進行曝光的話，要實現(xiàn)7nm、5nm，須經(jīng)過許多步驟。例如用ArFi LE4 Patterning需要4個光罩、4次曝光，用ArFi SAQP需要6個光罩、9次曝光，而EUV只需一個光罩、1次曝光。相較之下，采用EUV技術(shù)不但可有效簡化制程，加快產(chǎn)品設(shè)計時程，也因為曝光次數(shù)明顯減少，因而可有效降低成本，滿足晶片設(shè)計高效能、低成本的需求，因此，市場對于EUV的需求有增無減。

據(jù)悉，ASML的EUV系統(tǒng)現(xiàn)在可用于7nm生產(chǎn)，滿足客戶對可用性、產(chǎn)量和大量生產(chǎn)的需求。到了2019第2季季末，目前半導(dǎo)體領(lǐng)域已經(jīng)有51個EUV系統(tǒng)（包含NXE：33xx、NXE：3400B），而該公司在2019年的銷售目標(biāo)為30臺EUV，目前已出貨11臺，而在第2季再度接獲10臺EUV極紫外光系統(tǒng)的訂單，顯示市場對于EUV設(shè)備的需求相當(dāng)強勁。因此，ASML的出貨計畫將著重于2019年下半年和第4季，而2019年的整體營收目標(biāo)維持不變。

然而，隨著晶圓產(chǎn)能不斷增加，ASML也持續(xù)推出生產(chǎn)力更高的EUV設(shè)備。Sluijk透露，目前EUV系統(tǒng)在晶圓廠客戶端每天生產(chǎn)的晶圓數(shù)量超過1，000片，為此，ASML持續(xù)強化EUV微影系統(tǒng)「NXE:3400C」的量產(chǎn)效能，不僅在ASML廠內(nèi)展示每小時曝光超過170片晶圓的實力，在客戶端實際生產(chǎn)記憶體芯片的制造條件下，也成功達到每天曝光超過2，000片晶圓的成果，甚至達到2，200片的紀(jì)錄。另外，ASML也計畫在2020上半年推出生產(chǎn)力更高的設(shè)備，將NXE：3400C的生產(chǎn)率提升至》 185 wph。

同時，除了提升設(shè)備生產(chǎn)量之外，因應(yīng)未來先進節(jié)點，ASML也計劃推出全新EUV設(shè)備，名稱為EXE，不僅擁有新穎的光學(xué)設(shè)計和明顯更快的平臺，且數(shù)值孔徑更高，為0.55（ High-NA），進一步將EUV平臺延伸至3nm節(jié)點以下，擴展EUV在未來先進節(jié)點中的價值。

Sluijk說明，此一產(chǎn)品將使幾何式晶片微縮（Geometric Chip Scaling）大幅躍進，其所提供的分辨率和微影疊對（Overlay）能力比現(xiàn)有的NXE:3400高上70%。EXE平臺旨在實現(xiàn)多種未來節(jié)點，首先從3奈米開始，接著是密度相近的記憶體節(jié)點。另外，EXE平臺有著新穎的光學(xué)設(shè)計，并具備更高的生產(chǎn)力和更高的對比度，以及更高的生產(chǎn)量，每個小時》 185 wph，且Reticle stage比NXE:3400快上4倍；Wafer stage比NXE:3400快上2倍。

Sluijk指出，該公司的EUV平臺擴展了客戶的邏輯芯片和DRAM的產(chǎn)品路線圖，透過提供更好的分辨率、更先進的性能，以及逐年降低的成本，EUV產(chǎn)品將會在未來十年到達一個經(jīng)濟實惠的規(guī)模。