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聚力成半導體成功試產(chǎn)氮化鎵外延片 將有望進一步推動國內(nèi)氮化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展

半導體動態(tài) ? 來源:wv ? 作者:全球半導體觀察 ? 2019-09-11 15:01 ? 次閱讀
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重慶大足區(qū)人民政府網(wǎng)消息顯示,近日,聚力成半導體(重慶)有限公司工廠成功試產(chǎn)的第三代半導體產(chǎn)品氮化鎵外延片在重慶發(fā)布。

2018年9月,重慶市大足區(qū)人民政府與重慶捷舜科技有限公司正式簽約“聚力成外延片和芯片產(chǎn)線項目”(以下簡稱“聚力成項目”),項目由聚力成半導體(重慶)有限公司(以下簡稱“聚力成”)負責實施運營。

聚力成于重慶市大足區(qū)建設第一期硅基氮化鎵(GaN-on-Si)外延片工廠,占地500畝,總投資50億元。整個項目計劃建成年產(chǎn)能24萬片的氮化鎵外延片產(chǎn)線和年產(chǎn)能36萬片的氮化鎵芯片生產(chǎn)和封測產(chǎn)線。

2018年11月,聚力成項目正式開工奠基,今年4月舉行工廠上梁儀式,并于6月實現(xiàn)一期廠房正式啟用,計劃2019年10月開始外延片的量產(chǎn)。如今該項目氮化鎵外延片試產(chǎn)成功,相信產(chǎn)品量產(chǎn)即將到來。

在這次產(chǎn)品發(fā)布會上,聚力成還與力士科技、和黃科技、虹揚發(fā)展科技簽訂了戰(zhàn)略合作協(xié)議,與重慶郵電大學簽署了產(chǎn)學研合作協(xié)議。據(jù)此前報道,目前聚力成已擁有富士通電子元器件、中芯國際、聯(lián)穎光電、晶成半導體等多家優(yōu)質(zhì)合作伙伴。

氮化鎵具有大禁帶寬度、高電子飽和速率、高擊穿電場、較高熱導率、耐腐蝕以及抗輻射等優(yōu)點,氮化鎵器件可廣泛應用于5G通訊、新能源汽車、國防、高鐵、雷達等領(lǐng)域。尤其如今5G來臨,氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈面臨著巨大的市場風口。

目前國內(nèi)已基本形成完整的氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈,如IDM企業(yè)蘇州能訊、江蘇能華、英諾賽科、大連芯冠、江蘇華功等,制造企業(yè)海威華芯、三安集成等,襯底企業(yè)中稼半導體、中晶半導體、蘇州納維、鎵特半導體等,外延片企業(yè)除了聚力成,亦還有蘇州晶湛、聚能晶源等。

近兩年來,國內(nèi)氮化鎵企業(yè)已相繼取得一定成績,如今聚力成氮化鎵外延片量產(chǎn)在即,將有望進一步推動國內(nèi)氮化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

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