中美貿(mào)易爭端下的中國半導(dǎo)體趨勢成為一個熱門話題。隨著福建晉華，華為等事件的發(fā)生，我國開始更加堅定發(fā)展自己的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，DRAM制造商合肥長鑫，福建晉華，紫光集團(tuán)旗下長江存儲，江波龍已經(jīng)開始自行設(shè)計生產(chǎn)DRAM。

JHICC在美國禁運(yùn)下自行開始準(zhǔn)備生產(chǎn)DRAM

去年11月，美國司法部對聯(lián)電和福建晉華（JHICC）的員工進(jìn)行了起訴。在此之前，10月29日，又以國家安全為由，美國商務(wù)部將JHICC列入了出口限制清單，并禁止美國公司與JHICC公司打交道。這使得美國設(shè)備制造商（如Applied Materials，Lam Research，KLA等）無法正常為JHICC提供生產(chǎn)設(shè)備，導(dǎo)致后者最后被迫停止運(yùn)營。

但是，JHICC似乎最近已經(jīng)開始準(zhǔn)備復(fù)興。在韓國，它招募了為三星和SK海力士工作的DRAM工程師，在中國和中國***地區(qū)，它招募了從電路設(shè)計到設(shè)備維護(hù)的數(shù)十人。

由于美國的制造設(shè)備提供商無法提供現(xiàn)場工程支持，JHICC將盡力招募盡可能多的工程人員來優(yōu)化生產(chǎn)線設(shè)備設(shè)置和參數(shù)設(shè)置?？梢圆聹y的是，他們的目標(biāo)是使已進(jìn)入休眠狀態(tài)的DRAM生產(chǎn)線復(fù)蘇。據(jù)***市場趨勢研究公司TrendForce稱，JHICC將于明年年底開始生產(chǎn)，但最初的生產(chǎn)規(guī)模預(yù)計不到每月10,000個。

在突然到來的日韓出口爭端中，韓國半導(dǎo)體公司受到日本相關(guān)材料禁運(yùn)的影響，有傳言稱韓國的半導(dǎo)體存儲產(chǎn)品線將會受到?jīng)_擊。該事件似乎對中國的DRAM制造商來說是個利好信息。

DDR4 DRAM經(jīng)過兩輪終于開始生產(chǎn)

另一家DRAM制造商，合肥市長鑫存儲技術(shù)有限公司（CXMT）已開始小規(guī)模生產(chǎn)DDR4 8G位DRAM，并準(zhǔn)備批量生產(chǎn)用于智能手機(jī)的LPDDR4 DRAM。據(jù)說到2021年以后，月產(chǎn)量將達(dá)到100,000或更多。

盡管該公司擔(dān)心被美國困住，但并未采用***華亞（現(xiàn)在的美光內(nèi)存***）開發(fā)的技術(shù)，更改了技術(shù)引進(jìn)政策，并更換了管理團(tuán)隊(duì)。該公司最終收購了奇夢達(dá)的46nm堆棧結(jié)構(gòu)DRAM（已開發(fā)但尚未發(fā)布）。

公開資料顯示，CXMT與兆易創(chuàng)新達(dá)成了合作協(xié)議，共同開發(fā)19nm工藝的DRAM內(nèi)存，去年底已經(jīng)推出了8Gb DDR4內(nèi)存樣品，今年Q3季度推出8Gb LPDDR4內(nèi)存樣品，年底正式量產(chǎn)，月產(chǎn)能將達(dá)到2萬片晶圓。

長江存儲將于年底啟動DRAM大規(guī)模生產(chǎn)工廠建設(shè)

紫光集團(tuán)旗下長江存儲YMTC一直在開發(fā)和制造DRAM，除了今年年底開始量產(chǎn)的3D NAND業(yè)務(wù)外，該公司已經(jīng)開始行動，重新進(jìn)入DRAM業(yè)務(wù)。6月30日，成立了一個新的DRAM事業(yè)部，***原DRAM制造商Inotera Memories（現(xiàn)為美光技術(shù)***公司）的首席執(zhí)行官Charles Kao擔(dān)任了CEO。8月27日，DRAM事業(yè)部的總部在重慶兩江新區(qū)成立，并與重慶市人民政府合作設(shè)立了DRAM研發(fā)中心和DRAM批量生產(chǎn)工廠。

據(jù)了解，紫光重慶DRAM存儲芯片制造工廠主要專注于12英寸DRAM存儲芯片的制造，該工廠計劃于2019年底開工建設(shè)，預(yù)計2021年建成投產(chǎn)。在芯片工廠建成前，紫光集團(tuán)先期在現(xiàn)有芯片工廠內(nèi)設(shè)立產(chǎn)品中試生產(chǎn)線，進(jìn)行產(chǎn)品生產(chǎn)工藝技術(shù)研發(fā)，待工藝成熟后在紫光重慶芯片工廠量產(chǎn)。

江波龍（FORESEE）微存儲新品DDR3L正式量產(chǎn)！

11月13日，江波龍電子（FORESEE）宣布面向智能電子終端設(shè)備應(yīng)用的微型嵌入式DRAM存儲新品DDR3L開始投產(chǎn)，讀寫速率滿足主流應(yīng)用1866Mbps需求，最高可達(dá)2133Mbps。同時DDR4產(chǎn)品已開始納入研發(fā)進(jìn)程。

據(jù)悉，目前FORESEE微存儲DDR3L產(chǎn)品已在海思、中興微、瑞芯微、全志、Amlogic、國科微、國芯等平臺主控端完善認(rèn)證，為不同應(yīng)用場景提供芯片級支持。

預(yù)計2020年國產(chǎn)DRAM全球占比不到3％

在中國，韓國SK Hynix正在無錫開始大規(guī)模生產(chǎn)DRAM，但明年國產(chǎn)DRAM產(chǎn)品的生產(chǎn)仍然非常有限。根據(jù)TrendForce的最新預(yù)測，中國存儲器制造商在2020年的DRAM產(chǎn)量僅不到全球產(chǎn)業(yè)投入的3％。

但有必要強(qiáng)調(diào)一點(diǎn)，繼NAND之后，DRAM大規(guī)模生產(chǎn)計劃的輪廓變得清晰起來，中國很可能最終將成為存儲大國。但是，可能需要花更多時間確定國產(chǎn)存儲器制造商何時會對DRAM市場的全球供需平衡產(chǎn)生顯著影響。