SK海力士本周宣布，他們已經(jīng)開(kāi)始基于其128層3D NAND閃存采樣產(chǎn)品，該產(chǎn)品不久將開(kāi)始出現(xiàn)在最終用戶設(shè)備中。一年前，他們推出了96層第5代3D NAND，但低價(jià)促使他們削減了產(chǎn)量，而第4代72L 3D NAND仍然是其主要閃存產(chǎn)品。

SK Hynix 早在6月宣布其128L 3D NAND已從開(kāi)發(fā)轉(zhuǎn)向批量生產(chǎn)，現(xiàn)在已被整合到SSD和UFS模塊中，并已向主要客戶提供樣品。

SK Hynix的128L承諾將速度從1.2GT / s進(jìn)一步提高到1.4GT / s（盡管由于控制器支持落后，第一輪產(chǎn)品可能無(wú)法實(shí)現(xiàn)），并以業(yè)界領(lǐng)先的1Tb首次亮相（ 128GB）容量的TLC芯片。短期內(nèi)，SK海力士計(jì)劃將新一代3D NAND引入利潤(rùn)率最高的細(xì)分市場(chǎng)，而其更成熟的72層和96層工藝將繼續(xù)致力于對(duì)成本更敏感的產(chǎn)品。

圖1：適用于智能手機(jī)的1TB UFS 3.1

SK Hynix使用這些128L 1Tb TLC模具中的八個(gè)，開(kāi)發(fā)了厚度僅為1mm的1TB USF 3.1模塊。他們預(yù)計(jì)使用這種存儲(chǔ)的智能手機(jī)將在2020年下半年開(kāi)始量產(chǎn)。

圖2：2TB客戶端NVMe SSD

在客戶SSD市場(chǎng)上，OEM廠商現(xiàn)在已經(jīng)使SK Hynix的最新一代M.2 NVMe SSD具備了高達(dá)2TB的容量和大約3W的功耗，而使用96L TLC的上一代SSD則為6W。SK Hynix預(yù)計(jì)這些SSD將在2020年上半年開(kāi)始出現(xiàn)在筆記本電腦中。

SK Hynix的NVMe SSD控制器仍使用PCIe 3.0而非PCIe 4.0，這不足為奇，因?yàn)樗鼈儗?zhuān)注于主流市場(chǎng)領(lǐng)域和能效。這種SSD被描述為以1.2GT / s的接口以1.2V的電壓運(yùn)行閃存，因此，SK Hynix的芯片實(shí)際上還沒(méi)有按計(jì)劃以1.4GT / s的速度運(yùn)行，或者它們有些退縮以節(jié)省功耗。

圖3：16TB企業(yè)級(jí)EDSFF E1.L SSD

128L 3D NAND將需要更長(zhǎng)的時(shí)間才能進(jìn)入企業(yè)存儲(chǔ)市場(chǎng)。SK Hynix計(jì)劃以EDSFF E1.L尺寸提供高達(dá)16TB的容量；計(jì)劃在2020年下半年大規(guī)模生產(chǎn)這些驅(qū)動(dòng)器。與客戶端NVMe SSD一樣，SK Hynix仍在使用PCIe 3.0而不是PCIe 4.0，但他們計(jì)劃提供對(duì)最新NVMe 1.4協(xié)議的支持。

企業(yè)SSD市場(chǎng)是SK海力士關(guān)注的重點(diǎn)領(lǐng)域。他們的72層企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)的到來(lái)和成本效益幫助他們?cè)诮衲甑诙径葘⑹袌?chǎng)份額提高到了10.3％，而去年同期僅為1.8％，并且他們希望保持這種勢(shì)頭。

除SK Hynix存儲(chǔ)器（NAND和DRAM）外，所有上述產(chǎn)品均使用SK Hynix控制器。他們是僅有的三家具備這種垂直整合能力的公司之一，多年來(lái)，三星一直在展示這種策略的強(qiáng)大功能。SK Hynix的前幾代3D NAND因執(zhí)行不佳而受阻，但最近看來(lái)他們正在追趕。