光刻膠剝離工藝是半導體制造和微納加工中的關(guān)鍵步驟,其核心目標是高效、精準地去除光刻膠而不損傷基底材料或已形成的結(jié)構(gòu)。以下是該工藝的主要類型及實施要點:濕法剝離技術(shù)有機溶劑溶解法原理:使用丙酮、NMP
發(fā)表于 09-17 11:01
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在芯片制造領(lǐng)域的光刻工藝中,光刻膠旋涂是不可或缺的基石環(huán)節(jié),而保障光刻膠旋涂的厚度是電路圖案精度的前提。優(yōu)可測薄膜厚度測量儀AF系列憑借高精度、高速度的特點,為光刻膠厚度監(jiān)測提供了可靠
發(fā)表于 08-22 17:52
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“研發(fā)+量產(chǎn)”雙軌并行模式,總產(chǎn)能達萬噸級,是目前國內(nèi)規(guī)模領(lǐng)先的KrF光刻膠生產(chǎn)基地。產(chǎn)線集成了高自動化控制系統(tǒng),從原料配比到成品檢測的全流程實現(xiàn)智能化管控,不僅大幅提升了生產(chǎn)效率,更
發(fā)表于 08-10 03:26
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? 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 光刻膠作為芯片制造光刻環(huán)節(jié)的核心耗材,尤其高端材料長期被日美巨頭壟斷,國外企業(yè)對原料和配方高度保密,我國九成以上光刻膠依賴進口。不過近期,國產(chǎn)光刻膠領(lǐng)域捷報頻
發(fā)表于 07-13 07:22
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引言 在晶圓上芯片制造工藝中,光刻膠剝離是承上啟下的關(guān)鍵環(huán)節(jié),其效果直接影響芯片性能與良率。同時,光刻圖形的精確測量是保障工藝精度的重要手段。本文將介紹適用于晶圓芯片工藝的光刻膠剝離方法,并探討白光
發(fā)表于 06-25 10:19
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? ? 引言 ? 在半導體制造領(lǐng)域,光刻膠剝離工藝是關(guān)鍵環(huán)節(jié),但其可能對器件性能產(chǎn)生負面影響。同時,光刻圖形的精確測量對于保證芯片制造質(zhì)量至關(guān)重要。本文將探討減少光刻膠剝離工藝影響的方法,并介紹白光
發(fā)表于 06-14 09:42
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,是指通過紫外光、深紫外光、電子束、離子束、X射線等光照或輻射,溶解度會發(fā)生變化的耐蝕刻薄膜材料,是光刻工藝中的關(guān)鍵材料。 從芯片生產(chǎn)的工藝流程上來說,光刻膠的應用處于芯片設(shè)計、制造、封測當中的制造環(huán)節(jié),是芯片制造過程里
發(fā)表于 06-04 13:22
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引言 在半導體制造與微納加工領(lǐng)域,光刻膠剝離液是光刻膠剝離環(huán)節(jié)的核心材料,其性能優(yōu)劣直接影響光刻膠去除效果與基片質(zhì)量。同時,精準測量光刻圖形對把控工藝質(zhì)量意義重大,白光干涉儀為此提供了
發(fā)表于 05-29 09:38
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光刻膠類型及特性光刻膠(Photoresist),又稱光致抗蝕劑,是芯片制造中光刻工藝的核心材料。其性能直接影響芯片制造的精度、效率和可靠性。本文介紹了光刻膠類型和
發(fā)表于 04-29 13:59
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光刻膠是半導體制造等領(lǐng)域的一種重要材料,在整個電子元器件加工產(chǎn)業(yè)有著舉足輕重的地位。 它主要由感光樹脂、增感劑和溶劑等成分組成。其中,感光樹脂決定了光刻膠的感光度和分辨率等關(guān)鍵性能,增感劑有助于提高
發(fā)表于 12-19 13:57
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近日,據(jù)相關(guān)報道,三星電子在3D NAND閃存生產(chǎn)領(lǐng)域取得了重要技術(shù)突破,成功大幅減少了光刻工藝中光刻膠的使用量。 據(jù)悉,三星已經(jīng)制定了未來NAND閃存的生產(chǎn)路線圖,并計劃在這一
發(fā)表于 11-27 11:00
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光刻膠作為掩模進行干法刻蝕或是濕法腐蝕后,一般都是需要及時的去除清洗,而一些高溫或者其他操作往往會導致光刻膠碳化難以去除。
發(fā)表于 11-11 17:06
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光刻技術(shù)是現(xiàn)代微電子和納米技術(shù)的研發(fā)中的關(guān)鍵一環(huán),而光刻膠,又是光刻技術(shù)中的關(guān)鍵組成部分。隨著技術(shù)的發(fā)展,對微小、精密的結(jié)構(gòu)的需求日益增強,光刻膠的需求也水漲船高,在微電子制造和納米技
發(fā)表于 11-11 10:08
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發(fā)表于 11-01 11:08
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本文介紹了光刻膠的使用過程與原理。
發(fā)表于 10-31 15:59
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