chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

石墨烯晶體管超強(qiáng)的性能,未來(lái)將會(huì)取代硅晶體管

獨(dú)愛72H ? 來(lái)源:老胡說(shuō)科學(xué) ? 作者:老胡說(shuō)科學(xué) ? 2020-03-21 16:36 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

(文章來(lái)源:老胡說(shuō)科學(xué))

石墨烯獲得“神奇材料”的稱號(hào)是有充分理由的。組成它的元素,碳,是地球上最豐富的元素之一,但只是簡(jiǎn)單地以一種獨(dú)特的方式排列。它只有一個(gè)原子的厚度。石墨烯的強(qiáng)度是鋼的200倍,重量是鋼的6分之一,導(dǎo)電性是硅的100倍(就電子遷移率而言),導(dǎo)電性是銅的13倍。由于它只有一個(gè)原子的厚度,所以材料實(shí)際上是二維的。每平方米石墨烯的重量為0.77毫克,因此不足一克的石墨烯就可以覆蓋整個(gè)足球場(chǎng)。

科學(xué)家們得出結(jié)論,鑒于這些特性,石墨烯可以被廣泛應(yīng)用于建筑、輕型裝甲、消費(fèi)品和電子產(chǎn)品等領(lǐng)域。但在某個(gè)環(huán)節(jié)出現(xiàn)了一些問(wèn)題,因?yàn)槲覀儧](méi)有在任何地方看到石墨烯,這是為什么?石墨烯是一種很難制造的材料。盡管它只是碳原子,但是要在相當(dāng)大的規(guī)模上將碳原子排列在二維的六角形晶格中是非常困難的。僅一個(gè)缺陷就足以弄亂整個(gè)結(jié)構(gòu)并大大降低材料的性能。

石墨烯的質(zhì)量和數(shù)量取決于石墨烯的制備方法。雖然有很多,我只會(huì)帶你通過(guò)兩個(gè)最重要的:透明膠帶方法和化學(xué)蒸汽沉積法。這是從石墨中提取石墨烯的最便宜、最簡(jiǎn)單、最優(yōu)質(zhì)的方法。這很簡(jiǎn)單,也可以在家里做。石墨是你用來(lái)寫字的鉛筆的一部分,實(shí)際上你可以從鉛筆的尖端提取石墨烯。

把一根膠帶粘在一塊石墨上,把它撕掉,注意到膠帶上有一些石墨殘?jiān)?。然后,反?fù)粘貼和剝離膠帶,直到膠帶上剩下的石墨只有一個(gè)原子那么厚。這就是石墨烯。石墨烯就是這樣被發(fā)現(xiàn)的。這種方法可以制備出高質(zhì)量的石墨烯薄片。它的缺點(diǎn)是浪費(fèi)膠帶和時(shí)間,而且一次只能產(chǎn)生很少的石墨烯。

化學(xué)氣相沉積首先是將碳在高溫下蒸發(fā),然后將其置于沉積基板上。襯底是某種物質(zhì)(石墨烯)沉積在其上的表面。石墨烯將在5分鐘內(nèi)開始在基板上形成。然后,使用金屬催化劑將過(guò)程所需溫度從2500℃降至1000℃。必須格外小心,以降低催化劑在石墨烯中產(chǎn)生雜質(zhì)的風(fēng)險(xiǎn)。然后將沉積基板的石墨烯層置于目標(biāo)基板上。將金屬電極置于石墨烯上,然后將石墨烯通道塑造成所需的形狀和尺寸。

CVD可以制備出高質(zhì)量的高容量石墨烯。然而,這個(gè)過(guò)程是昂貴和復(fù)雜的,涉及許多復(fù)雜的步驟。時(shí)至今日,這仍然是石墨烯生產(chǎn)中最全面的方法。石墨烯并非制造石墨烯晶體管的唯一挑戰(zhàn)。這是因?yàn)槭┎⒉煌耆前雽?dǎo)體,因?yàn)樗械膬r(jià)電子都與同一元素原子的其他價(jià)電子共價(jià)結(jié)合,從而沒(méi)有空間分散電子。硅原子間共價(jià)結(jié)合這很容易通過(guò)一種叫做摻雜的過(guò)程來(lái)改變,它將雜質(zhì)引入元素,在摻雜元素的結(jié)構(gòu)中產(chǎn)生空穴或多余的電子。

然而,石墨烯是不同的。在一個(gè)六邊形圖案中,每個(gè)碳原子與另外3個(gè)相連,每個(gè)碳原子留下1個(gè)電子。電子可以毫無(wú)阻力地穿過(guò)整個(gè)結(jié)構(gòu),有效地使石墨烯成為導(dǎo)體。這是有問(wèn)題的,因?yàn)槲覀冃枰┏蔀?a target="_blank">半導(dǎo)體。半導(dǎo)體由帶隙定義。帶隙是激發(fā)電子從其價(jià)帶(其不能導(dǎo)電)躍遷到導(dǎo)帶(其可以導(dǎo)電)所需的能量。簡(jiǎn)而言之,帶隙使晶體管具有“關(guān)閉”的能力,這對(duì)于晶體管的功能是必需的。

絕緣體帶隙大,導(dǎo)體帶隙小。半導(dǎo)體通常有一個(gè)中等大小的帶隙。如果石墨烯是導(dǎo)體,它就不會(huì)有帶隙,也沒(méi)有關(guān)閉的能力,使得它作為晶體管材料毫無(wú)用處。然而,科學(xué)家們用雙層石墨烯(實(shí)際上是兩層石墨烯)創(chuàng)造了一種解決方案。雙層石墨烯與單層石墨烯一樣,沒(méi)有帶隙。但是通過(guò)在石墨烯的兩層上都施加一個(gè)電位移場(chǎng),就可以產(chǎn)生一個(gè)可調(diào)的帶隙。這個(gè)帶隙可以控制在0 - 0.25 ev的范圍內(nèi)。這使得石墨烯可以作為半導(dǎo)體。

2種雙層石墨烯盡管在石墨烯上設(shè)計(jì)帶隙是制造石墨烯晶體管的有效方法,但它有很多缺陷。這是一個(gè)復(fù)雜而昂貴的過(guò)程,同時(shí)也損害了石墨烯優(yōu)越的性能。幸運(yùn)的是,西班牙的研究人員發(fā)現(xiàn)了一個(gè)經(jīng)濟(jì)的解決方案,用與硅類似的帶隙(1ev)來(lái)制造石墨烯。這使石墨烯在晶體管和cpu的使用上成為比硅更好的選擇。

加泰羅尼亞納米科學(xué)和納米技術(shù)研究所采用了一種自底向上的方法來(lái)制造石墨烯(自底向上意味著原子和分子被單獨(dú)放置以構(gòu)建特定的結(jié)構(gòu)),并為電子使用提供了完美的帶隙。他們通過(guò)在石墨烯上裝配納米孔(一個(gè)非常小的孔)來(lái)實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn),使這些孔具有完美的形狀、大小和密度,從而創(chuàng)造出最佳的帶隙。后來(lái),石墨烯被制成了場(chǎng)效應(yīng)晶體管(與當(dāng)前cpu使用的晶體管類型相同),以證明其有效性。

既然石墨烯已被證明是制造晶體管的一種非常可行的材料,對(duì)計(jì)算能力的需求就有可能得到滿足。當(dāng)然,這項(xiàng)技術(shù)要花上幾年的時(shí)間才能最終適應(yīng)。然而,一旦成功,這對(duì)整個(gè)科技市場(chǎng)來(lái)說(shuō)都是件好事。
(責(zé)任編輯:fqj)

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 晶體管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    78

    文章

    10264

    瀏覽量

    146329
  • 石墨烯
    +關(guān)注

    關(guān)注

    54

    文章

    1612

    瀏覽量

    84604
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    MUN5136數(shù)字晶體管技術(shù)解析與應(yīng)用指南

    onsemi MUN5136數(shù)字晶體管旨在取代單個(gè)器件及其外部電阻偏置網(wǎng)絡(luò)。這些數(shù)字晶體管包含一個(gè)晶體管和一個(gè)單片偏置網(wǎng)絡(luò),單片偏置網(wǎng)絡(luò)由兩個(gè)電阻器組成,一個(gè)是串聯(lián)基極電阻器,另一個(gè)是
    的頭像 發(fā)表于 11-24 16:27 ?470次閱讀
    MUN5136數(shù)字<b class='flag-5'>晶體管</b>技術(shù)解析與應(yīng)用指南

    電壓選擇晶體管應(yīng)用電路第二期

    電壓選擇晶體管應(yīng)用電路第二期 以前發(fā)表過(guò)關(guān)于電壓選擇晶體管的結(jié)構(gòu)和原理的文章,這一期我將介紹一下電壓選擇晶體管的用法。如圖所示: 當(dāng)輸入電壓Vin等于電壓選擇晶體管QS的柵極控制電壓時(shí)
    發(fā)表于 11-17 07:42

    英飛凌功率晶體管的短路耐受性測(cè)試

    本文將深入探討兩種備受矚目的功率晶體管——英飛凌的 CoolGaN(氮化鎵高電子遷移率晶體管)和 OptiMOS 6(基場(chǎng)效應(yīng)晶體管),在極端短路條件下的表現(xiàn)。通過(guò)一系列嚴(yán)謹(jǐn)?shù)臏y(cè)試,
    的頭像 發(fā)表于 10-07 11:55 ?2901次閱讀
    英飛凌功率<b class='flag-5'>晶體管</b>的短路耐受性測(cè)試

    0.45-6.0 GHz 低噪聲晶體管 skyworksinc

    電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()0.45-6.0 GHz 低噪聲晶體管相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè),更有0.45-6.0 GHz 低噪聲晶體管的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料,0.45-6.0
    發(fā)表于 09-18 18:33
    0.45-6.0 GHz 低噪聲<b class='flag-5'>晶體管</b> skyworksinc

    多值電場(chǎng)型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)

    多值電場(chǎng)型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu) 為滿足多進(jìn)制邏輯運(yùn)算的需要,設(shè)計(jì)了一款多值電場(chǎng)型電壓選擇晶體管。控制二進(jìn)制電路通斷需要二進(jìn)制邏輯門電路,實(shí)際上是對(duì)電壓的一種選擇,而傳統(tǒng)二進(jìn)制邏輯門電路通常比較復(fù)雜
    發(fā)表于 09-15 15:31

    下一代高速芯片晶體管解制造問(wèn)題解決了!

    提高了器件的性能。據(jù)IMEC的研究,叉片晶體管相比納米片晶體管可以實(shí)現(xiàn)約10%的性能提升。 叉片晶體管被認(rèn)為是
    發(fā)表于 06-20 10:40

    無(wú)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管詳解

    當(dāng)代所有的集成電路芯片都是由PN結(jié)或肖特基勢(shì)壘結(jié)所構(gòu)成:雙極結(jié)型晶體管(BJT)包含兩個(gè)背靠背的PN 結(jié),MOSFET也是如此。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET) 垂直于溝道方向有一個(gè) PN結(jié),隧道穿透
    的頭像 發(fā)表于 05-16 17:32 ?996次閱讀
    無(wú)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)<b class='flag-5'>晶體管</b>詳解

    什么是晶體管?你了解多少?知道怎樣工作的嗎?

    是關(guān)于晶體管的詳細(xì)解析: 一、核心定義與歷史背景 ?定義?: 晶體管利用半導(dǎo)體材料(如、鍺)的特性,通過(guò)輸入信號(hào)(電流或電壓)控制輸出電流,實(shí)現(xiàn)信號(hào)放大或電路通斷。 ?發(fā)明?: 1947年由?貝爾實(shí)驗(yàn)室?的肖克利(Shockl
    的頭像 發(fā)表于 05-16 10:02 ?3470次閱讀

    多值電場(chǎng)型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)

    多值電場(chǎng)型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu) 為滿足多進(jìn)制邏輯運(yùn)算的需要,設(shè)計(jì)了一款多值電場(chǎng)型電壓選擇晶體管。控制二進(jìn)制電路通斷需要二進(jìn)制邏輯門電路,實(shí)際上是對(duì)電壓的一種選擇,而傳統(tǒng)二進(jìn)制邏輯門電路通常比較復(fù)雜
    發(fā)表于 04-15 10:24

    晶體管電路設(shè)計(jì)(下)

    晶體管,F(xiàn)ET和IC,F(xiàn)ET放大電路的工作原理,源極接地放大電路的設(shè)計(jì),源極跟隨器電路設(shè)計(jì),F(xiàn)ET低頻功率放大器的設(shè)計(jì)與制作,柵極接地放大電路的設(shè)計(jì),電流反饋型OP放大器的設(shè)計(jì)與制作,進(jìn)晶體管
    發(fā)表于 04-14 17:24

    晶體管柵極多晶摻雜的原理和必要性

    本文介紹了多晶作為晶體管的柵極摻雜的原理和必要性。
    的頭像 發(fā)表于 04-02 09:22 ?2159次閱讀
    <b class='flag-5'>晶體管</b>柵極多晶<b class='flag-5'>硅</b>摻雜的原理和必要性

    晶體管電路設(shè)計(jì)(下) [日 鈴木雅臣]

    本書主要介紹了晶體管,F(xiàn)ET和Ic,F(xiàn)ET放大電路的工作原理,源極接地放大電路的設(shè)計(jì),源極跟隨電路的設(shè)計(jì),F(xiàn)ET低頻功率放大器的設(shè)計(jì)和制作,柵極接地放大電路的設(shè)計(jì),電流反饋行型op放大器的設(shè)計(jì)與制作
    發(fā)表于 03-07 13:55

    晶體管電路設(shè)計(jì)與制作

    這本書介紹了晶體管的基本特性,單電路的設(shè)計(jì)與制作, 雙管電路的設(shè)計(jì)與制作,3~5電路的設(shè)計(jì)與制作,6以上電路的設(shè)計(jì)與制作。書中具體內(nèi)容有:直流工作解析,交流工作解析,接地形式,單
    發(fā)表于 02-26 19:55

    互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)和作用

    , Gate-all-Around)全環(huán)繞柵極晶體管(GAAFET)等先進(jìn)結(jié)構(gòu),在減少漏電、降低功耗方面雖然取得了顯著成就,但進(jìn)一步微縮的挑戰(zhàn)日益顯現(xiàn)。為了延續(xù)摩爾定律的發(fā)展趨勢(shì),并滿足未來(lái)性能計(jì)算的需求,業(yè)界正積極研發(fā)下一代
    的頭像 發(fā)表于 01-24 10:03 ?4233次閱讀
    互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)<b class='flag-5'>晶體管</b>的結(jié)構(gòu)和作用