chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

新型納米器材誕生,比晶體管運(yùn)行速度快100倍

獨(dú)愛72H ? 來源:小藍(lán)棗 ? 作者:小藍(lán)棗 ? 2020-04-02 11:55 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

(文章來源:小藍(lán)棗)

EPFL研究員開發(fā)出了一種比現(xiàn)今最快的晶體管運(yùn)行速度快十倍器件,并且新設(shè)備在運(yùn)行速度上也比當(dāng)前計算機(jī)中的晶體管快100倍左右。其中,他們發(fā)明的納米級設(shè)備可以產(chǎn)生高頻率太赫茲波。經(jīng)過對相關(guān)信息的了解,我們發(fā)現(xiàn)這種波很難產(chǎn)生,雖然這種波很難產(chǎn)生,但是它有著廣闊的應(yīng)用前景,比如成像、傳感、高速無線通道等。

據(jù)研究員表示,納米級設(shè)備的高功率皮秒操作可能有助于醫(yī)療技術(shù)的發(fā)展,包括癌癥的治療等。太赫茲波是一種介于微波紅外輻射之間的電磁波,其頻率震蕩在每秒10億到30億萬次。太赫茲波因?yàn)槠淠軌虼┩讣垙?、衣物、木材、墻壁等?dú)特的能力而受到追捧。

除此之外,這些電波還具備攜帶數(shù)據(jù)的功能,這樣的話就為無線網(wǎng)絡(luò)創(chuàng)造了更多無限的可能,據(jù)了解這些波都是非電離狀態(tài),不會對人類的身體產(chǎn)生傷害。而科學(xué)家們創(chuàng)造的技術(shù)就可以安裝在芯片上,這樣芯片就可以安裝到智能手機(jī)或者是其他的與人接觸的智能設(shè)備上。

10皮秒范圍內(nèi)從10V到100V的電壓,通過這種電壓的急速上升來產(chǎn)生“火花”,這種設(shè)備可以接受5000萬個信號,從而使火花一直不斷的持續(xù)。
(責(zé)任編輯:fqj)

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 晶體管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    77

    文章

    10094

    瀏覽量

    144759
  • 納米器件
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    21

    瀏覽量

    8151
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    多值電場型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)

    多值電場型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu) 為滿足多進(jìn)制邏輯運(yùn)算的需要,設(shè)計了一款多值電場型電壓選擇晶體管。控制二進(jìn)制電路通斷需要二進(jìn)制邏輯門電路,實(shí)際上是對電壓的一種選擇,而傳統(tǒng)二進(jìn)制邏輯門電路通常比較復(fù)雜
    發(fā)表于 09-15 15:31

    晶體管架構(gòu)的演變過程

    芯片制程從微米級進(jìn)入2納米時代,晶體管架構(gòu)經(jīng)歷了從 Planar FET 到 MBCFET的四次關(guān)鍵演變。這不僅僅是形狀的變化,更是一次次對物理極限的挑戰(zhàn)。從平面晶體管到MBCFET,每一次架構(gòu)演進(jìn)到底解決了哪些物理瓶頸呢?
    的頭像 發(fā)表于 07-08 16:28 ?1438次閱讀
    <b class='flag-5'>晶體管</b>架構(gòu)的演變過程

    下一代高速芯片晶體管解制造問題解決了!

    工藝的持續(xù)發(fā)展提供了新的方向。 根據(jù)imec的一篇最新論文,imec的研究人員引入了一種名為“外壁叉片”(outer wall forksheet)的新型晶體管布局,預(yù)計該布局將從A10代(1納米
    發(fā)表于 06-20 10:40

    多值電場型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)

    多值電場型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu) 為滿足多進(jìn)制邏輯運(yùn)算的需要,設(shè)計了一款多值電場型電壓選擇晶體管??刂贫M(jìn)制電路通斷需要二進(jìn)制邏輯門電路,實(shí)際上是對電壓的一種選擇,而傳統(tǒng)二進(jìn)制邏輯門電路通常比較復(fù)雜
    發(fā)表于 04-15 10:24

    晶體管電路設(shè)計(下)

    晶體管,F(xiàn)ET和IC,F(xiàn)ET放大電路的工作原理,源極接地放大電路的設(shè)計,源極跟隨器電路設(shè)計,F(xiàn)ET低頻功率放大器的設(shè)計與制作,柵極接地放大電路的設(shè)計,電流反饋型OP放大器的設(shè)計與制作,進(jìn)晶體管
    發(fā)表于 04-14 17:24

    晶體管電路設(shè)計與制作

    這本書介紹了晶體管的基本特性,單電路的設(shè)計與制作, 雙管電路的設(shè)計與制作,3~5電路的設(shè)計與制作,6以上電路的設(shè)計與制作。書中具體內(nèi)容有:直流工作解析,交流工作解析,接地形式,單
    發(fā)表于 02-26 19:55

    納米晶體技術(shù)介紹

    本文旨在介紹人類祖先曾經(jīng)使用過納米晶體的應(yīng)用領(lǐng)域。 ? 納米技術(shù)/材料在現(xiàn)代社會中的應(yīng)用與日俱增。納米晶體,這一類獨(dú)特的
    的頭像 發(fā)表于 01-13 09:10 ?1191次閱讀
    <b class='flag-5'>納米</b><b class='flag-5'>晶體</b>技術(shù)介紹

    DV2004L1 PNP功率晶體管充開發(fā)系統(tǒng)控制

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《DV2004L1 PNP功率晶體管充開發(fā)系統(tǒng)控制.pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 12-21 11:04 ?0次下載
    DV2004L1 PNP功率<b class='flag-5'>晶體管</b><b class='flag-5'>快</b>充開發(fā)系統(tǒng)控制

    如何測試晶體管的性能 常見晶體管品牌及其優(yōu)勢比較

    如何測試晶體管的性能 晶體管是電子電路中的基本組件,其性能測試對于確保電路的可靠性和穩(wěn)定性至關(guān)重要。以下是測試晶體管性能的一些基本步驟和方法: 1. 外觀檢查 外觀檢查 :檢查晶體管
    的頭像 發(fā)表于 12-03 09:52 ?1553次閱讀

    晶體管電流放大器的原理 晶體管在功放電路中的應(yīng)用實(shí)例

    晶體管電流放大器的原理 晶體管是一種半導(dǎo)體器件,能夠?qū)﹄娏鬟M(jìn)行控制和放大。晶體管的工作原理基于半導(dǎo)體材料的PN結(jié)特性。PN結(jié)由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體組成,它們在接觸時形成一個勢壘,阻止電流通過。當(dāng)在
    的頭像 發(fā)表于 12-03 09:50 ?2746次閱讀

    晶體管故障診斷與維修技巧 晶體管在數(shù)字電路中的作用

    晶體管是現(xiàn)代電子設(shè)備中不可或缺的組件,它們在數(shù)字電路中扮演著至關(guān)重要的角色。了解如何診斷和維修晶體管故障對于電子工程師和技術(shù)人員來說是一項(xiàng)基本技能。 一、晶體管在數(shù)字電路中的作用 開關(guān)功能 :
    的頭像 發(fā)表于 12-03 09:46 ?2048次閱讀

    晶體管與場效應(yīng)的區(qū)別 晶體管的封裝類型及其特點(diǎn)

    晶體管與場效應(yīng)的區(qū)別 工作原理 : 晶體管晶體管(BJT)基于雙極型晶體管的原理,即通過控制基極電流來控制集電極和發(fā)射極之間的電流。
    的頭像 發(fā)表于 12-03 09:42 ?1372次閱讀

    隧穿晶體管的原理及優(yōu)勢

    本文介紹了隧穿晶體管的原理及它的優(yōu)勢。 ? 我們所處的這個由永遠(yuǎn)在線的個人電腦、平板電腦和智能手機(jī)構(gòu)成的世界的誕生,要?dú)w功于一個了不起的趨勢:金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)的不斷微型化
    的頭像 發(fā)表于 11-27 09:04 ?1448次閱讀
    隧穿<b class='flag-5'>晶體管</b>的原理及優(yōu)勢

    麻省理工學(xué)院研發(fā)全新納米級3D晶體管,突破性能極限

    11月7日,有報道稱,美國麻省理工學(xué)院的研究團(tuán)隊(duì)利用超薄半導(dǎo)體材料,成功開發(fā)出一種前所未有的納米級3D晶體管。這款晶體管被譽(yù)為迄今為止最小的3D晶體管,其性能與功能不僅與現(xiàn)有的硅基
    的頭像 發(fā)表于 11-07 13:43 ?1359次閱讀

    6G測試速度達(dá)938Gbps,5G速度快5000

    智能手機(jī)網(wǎng)絡(luò)連接速度的5000。典型的5G運(yùn)行速度約為200Mbps,而在實(shí)際使用中,由于信號連接問題,其提供的速度往往遠(yuǎn)低于100Mbp
    的頭像 發(fā)表于 10-22 16:27 ?1848次閱讀