近日消息，SK海力士正式宣布，將在年底前量產(chǎn)并提供業(yè)界頻率達(dá)到8400MHz的DDR5存儲(chǔ)器，單顆最大密度64Gb，并且會(huì)帶有ECC錯(cuò)誤修正的功能，工作電壓僅1.1V。

根據(jù)SK海力士公布的資料顯示，DDR5存儲(chǔ)器的工作頻率從3200MHz到8400MHz，這個(gè)范圍超越現(xiàn)在DDR4存儲(chǔ)器主頻在1600MHz到3200MHz的范圍。

雖然，部分廠商推出的DDR4存儲(chǔ)器超頻版主頻能到5000MHz，不過，頻率超過4000MHz的DDR4是相當(dāng)稀少的。至于容量方面，現(xiàn)在DDR4單顆最大是16Gb，而DDR5則有8Gb、16Gb、24Gb、32Gb、64Gb這5種不同的大小。

現(xiàn)在的DDR4存儲(chǔ)器要實(shí)達(dá)到ECC錯(cuò)誤修正的功能，必須增加額外的芯片，但DDR5就不需要，ECC錯(cuò)誤修正的功能已經(jīng)整合到每顆DRAM里面，這是之前每一代DDR存儲(chǔ)器都不曾做到的。而這項(xiàng)功能的導(dǎo)入，這有望降低存儲(chǔ)器的總體成本。

另外DFE決策反饋等化功能也被整合到DRAM內(nèi)部，這可以消除高頻存儲(chǔ)器工作時(shí)的雜訊，這將大大提高每個(gè)引腳的速度。

另外，DDR5存儲(chǔ)器共有32個(gè)儲(chǔ)存區(qū)，劃分成8個(gè)儲(chǔ)存區(qū)組，而DDR4存儲(chǔ)器則有16個(gè)儲(chǔ)存區(qū)和4個(gè)儲(chǔ)存區(qū)組，這使得DDR5存儲(chǔ)器的頻寬和訪問性能翻了一倍，可提供更多的頻寬。至于，DDR5的VDD和VPP電壓從DDR4時(shí)代的1.2V/2.5V，降低到1.1V/1.8V，使得整體功耗下降了20%，再加上DFE的降噪，可進(jìn)一步降低高頻下的發(fā)熱量。

SK海力士指出，2020年底前DDR5存儲(chǔ)器將會(huì)量產(chǎn)，初期以生產(chǎn)10納米級(jí)的16Gb為主，單條存儲(chǔ)器容量最大達(dá)32GB，而未來(lái)還會(huì)有更高的容量出現(xiàn)。

美光出樣DDR5內(nèi)存：1Znm工藝、性能提升85%

2020年1月7日，美光宣布開始向客戶出樣最新的DDR5內(nèi)存，基于1Znm工藝，性能提升了85%。

與DDR4內(nèi)存相比，DDR5標(biāo)準(zhǔn)性能更強(qiáng)，功耗更低，起步頻率至少4800MHz，最高6400MHz。其它變化還有，電壓從1.2V降低到1.1V，同時(shí)每通道32/40位（ECC）、總線效率提高、增加預(yù)取的BankGroup數(shù)量以改善性能等。

美光現(xiàn)在出樣的DDR5內(nèi)存使用了最新的1Znm工藝，大概是12-14nm節(jié)點(diǎn)之間，ECCDIMM規(guī)格，頻率DDR5-4800，比現(xiàn)在的DDR4-3200內(nèi)存性能提升了87%左右，不過距離DDR5-6400還有點(diǎn)距離，后期還有挖掘的空間。

對(duì)DDR5內(nèi)存來(lái)說，平臺(tái)的支持才是最大的問題，目前還沒有正式支持DDR5內(nèi)存的平臺(tái)，AMD預(yù)計(jì)會(huì)在2021年的Zen4處理器上更換插槽，支持DDR5內(nèi)存，而Intel這邊14nm及10nm處理器都沒有明確過DDR5內(nèi)存支持，官方路線圖顯示2021年的7nm工藝SapphireRapids處理器才會(huì)上DDR5，而且是首發(fā)服務(wù)器產(chǎn)品，消費(fèi)級(jí)的估計(jì)還要再等等。

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