4月10日，浙江博方嘉芯集成電路科技有限公司氮化鎵射頻及功率器件項目正式開工。

該項目于2019年11月7日簽約落地，總投資25億元，占地111.35畝，總建筑面積約8.9萬平方米，項目分兩期實施，其中一期建筑面積約5萬平方米，建設6吋（兼容4吋）晶圓氮化鎵（GaN）芯片生產線，設計月產能為1000片。

二期建筑面積約3.9萬平方米，建設6吋（兼容4吋）GaN芯片生產線和外延片生產線，設計月產能為3000片GaN射頻芯片、月產能20000片GaN功率芯片。項目全部達產后可實現年銷售30億元以上，年稅收6600萬元以上。

據施工方項目相關負責人表示，項目在今年3月30號動工以后，施工方進行了場地平整、放線定位等工作，今天進入到樁基開工階段。第一期工程建設周期是16個月，到明年7月1日完工。

據了解，氮化鎵屬于第三代高大禁帶寬度的半導體材料，具有高工作頻率、電子遷移速率、抗天然輻射及耗電量小等特性，能夠廣泛運用于5G通訊基站、智能移動終端、物聯網、軍工航天、數據中心、通信設備、智能電網及太陽能逆變器等領域。

現階段，氮化鎵屬于緊缺的芯片資源，國內90%的需求量都依賴進口，急需國內生產出替代產品。據讀嘉新聞指出，博方嘉芯氮化鎵射頻及功率器件項目建設不僅對嘉興科技城、南湖區(qū)數字經濟發(fā)展意義重大，對“中國芯”打造也提供強勁助力。
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